專(zhuān)利名稱(chēng)：一種液晶面板顯示驅(qū)動(dòng)芯片的電性分析方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種失效分析方法，特別涉及一種液晶面板顯示驅(qū)動(dòng)芯片的電性分析方法。
背景技術(shù)：
在電子行業(yè)的失效分析方法中，一般分成四個(gè)級(jí)別，按生產(chǎn)的前后順序分別是晶圓級(jí)失效分析、封裝級(jí)失效分析、電路板級(jí)失效分析和整機(jī)級(jí)失效分析。在其中的封裝級(jí)失效分析中，運(yùn)用傳統(tǒng)封裝級(jí)的失效分析流程，可以對(duì)失效器件或封裝芯片進(jìn)行失效點(diǎn)分析， 從而確定失效是在封裝級(jí)還是在晶圓級(jí)，如果是在晶圓級(jí)，后續(xù)的晶圓級(jí)失效分析還需要進(jìn)行下去。在傳統(tǒng)的封裝級(jí)失效分析流程中，如果在無(wú)損分析中并未發(fā)現(xiàn)打線、第一焊點(diǎn)或者第二焊點(diǎn)虛焊、脫焊問(wèn)題，封裝分層、芯片開(kāi)裂等封裝級(jí)的物理缺陷的情況時(shí)，這時(shí)候，開(kāi)蓋前后的電性對(duì)比，會(huì)成為非常重要的失效點(diǎn)是發(fā)生在封裝級(jí)還是發(fā)生在晶圓級(jí)的判定依據(jù)。譬如，如果在開(kāi)蓋后，對(duì)芯片的引腳進(jìn)行探針測(cè)量得出的異常品的電性特征和開(kāi)蓋前， 探測(cè)芯片封裝引腳或PCB板上引線引出位置的焊盤(pán)或金手指觸點(diǎn)得出的異常電性一致，基本可以判斷該失效是發(fā)生在晶圓級(jí)，和封裝或者電路板沒(méi)有關(guān)系。所以電性分析在封裝級(jí)失效分析中是非常重要的一個(gè)環(huán)節(jié)。在進(jìn)行液晶面板顯示驅(qū)動(dòng)芯片的封裝級(jí)失效分析過(guò)程中，會(huì)碰到這樣的情況。由于，液晶面板異常很多情況下，不是簡(jiǎn)單而單純的短路、開(kāi)路或漏電引起的失效，而是可能由輸出或輸入信號(hào)電平異常、信號(hào)延遲、復(fù)位異常等等引起的軟失效，在電性上并沒(méi)有明顯的短路、開(kāi)路、漏電等明顯IV特性，所以在進(jìn)行該類(lèi)液晶面板顯示驅(qū)動(dòng)芯片的封裝級(jí)失效分析中，如何進(jìn)行開(kāi)蓋前后的電性分析，成為失效分析領(lǐng)域亟待解決的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)方案中無(wú)法對(duì)軟失效的液晶面板顯示驅(qū)動(dòng)芯片進(jìn)行開(kāi)蓋前后的電性分析的問(wèn)題，本發(fā)明提出以下技術(shù)方案
一種液晶面板顯示驅(qū)動(dòng)芯片的電性分析方法，該方法包括以下步驟
A、分析液晶面板顯示異常的表現(xiàn)方式，尋找加電方式的依據(jù)；
B、研究液晶面板顯示驅(qū)動(dòng)芯片的各引腳的功能，確定需要進(jìn)行電性判斷的引腳；
C、根據(jù)芯片的引腳布局圖和PCB板的引線布局圖，確定在開(kāi)蓋前的電性測(cè)量位置，測(cè)量開(kāi)蓋前的電性；
D、開(kāi)蓋后，使用探針直接探測(cè)芯片的引腳，進(jìn)行加電測(cè)量，得出開(kāi)蓋后的電性特征；E、開(kāi)蓋前后的異常電性對(duì)比，判斷失效點(diǎn)在封裝級(jí)還是在晶圓級(jí)。本發(fā)明帶來(lái)的有益效果是通過(guò)該種適合于液晶面板顯示驅(qū)動(dòng)芯片的電性分析方法，能夠有效、合理地對(duì)開(kāi)蓋前后的電性特征進(jìn)行比對(duì)，為后續(xù)做出失效點(diǎn)是在封裝級(jí)還是在晶圓級(jí)的判斷，提供有價(jià)值的信息。
具體實(shí)施例方式
下面對(duì)本發(fā)明的較佳實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)闡述，以使本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征能更易于被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，從而對(duì)本發(fā)明的保護(hù)范圍做出更為清楚明確的界定。本實(shí)施例對(duì)某一電子稱(chēng)液晶面板顯示“缺畫(huà)”異常，進(jìn)行有效電性特征分析。其具體分析步驟如下
A、對(duì)液晶面板顯示方式進(jìn)行分析，發(fā)現(xiàn)良品的液晶面板顯示正常，異常品的液晶面板顯示有“缺畫(huà)”現(xiàn)象；
B、將液晶面板拆開(kāi)后，對(duì)電路板進(jìn)行研究，確定其中COB封裝液晶驅(qū)動(dòng)芯片是引起 “缺畫(huà)”異常的主因，對(duì)該COB封裝芯片各引腳功能研究，分析出與顯示輸出相關(guān)的引腳為 COMl C0M8 ；
C、根據(jù)COB封裝液晶驅(qū)動(dòng)芯片的引腳圖與PCB板引線圖對(duì)比，確定開(kāi)蓋前的PCB板上的加電位置，對(duì)比后確定的實(shí)際開(kāi)蓋前加電位置是COMl C0M8的觸點(diǎn)接信號(hào)，另一端接地，進(jìn)行電性測(cè)量，良品表現(xiàn)出兩種曲線的電性特性一條反向擊穿特性曲線，一條電阻特性曲線；而異?！叭碑?huà)”樣品的同樣條件電性曲線，只有其中的某一種，存在明顯的差別；
D、開(kāi)蓋后，探針在芯片的引腳上，同樣的加電條件，仍然得到開(kāi)蓋前同樣的異常電性。E、開(kāi)蓋前后的異常電性對(duì)比，發(fā)現(xiàn)該種“缺畫(huà)”異常是由于COB封裝芯片的COMl C0M8輸出異常造成的，通過(guò)和良品對(duì)比，發(fā)現(xiàn)良品正常情況下，COM對(duì)地的電性特性應(yīng)該有兩個(gè)復(fù)合曲線特征，而異常品根據(jù)“缺畫(huà)”的不同表現(xiàn)，只有其中某一個(gè)曲線特征，所以出現(xiàn) “缺畫(huà)”異常，由于開(kāi)蓋前后的特征曲線一致，加上整個(gè)封裝級(jí)失效分析過(guò)程中沒(méi)有發(fā)現(xiàn)任何封裝級(jí)物理失效，所以判定該類(lèi)失效點(diǎn)為晶圓級(jí)失效。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明所揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可不經(jīng)過(guò)創(chuàng)造性勞動(dòng)想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求書(shū)所限定的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1. 一種液晶面板顯示驅(qū)動(dòng)芯片的電性分析方法，其特征在于該方法包括以下步驟A、分析液晶面板顯示異常的表現(xiàn)方式，尋找加電方式的依據(jù)；B、研究液晶面板顯示驅(qū)動(dòng)芯片的各引腳的功能，確定需要進(jìn)行電性判斷的引腳；C、根據(jù)芯片的引腳布局圖和PCB板的引線布局圖，確定在開(kāi)蓋前的電性測(cè)量位置，測(cè)量開(kāi)蓋前的電性；D、開(kāi)蓋后，使用探針直接探測(cè)芯片的引腳，進(jìn)行加電測(cè)量，得出開(kāi)蓋后的電性特征；E、開(kāi)蓋前后的異常電性對(duì)比，判斷失效點(diǎn)在封裝級(jí)還是在晶圓級(jí)。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種液晶面板顯示驅(qū)動(dòng)芯片的電性分析方法，該方法包括以下步驟A、分析液晶面板顯示異常的表現(xiàn)方式，尋找加電方式的依據(jù)；B、研究液晶面板顯示驅(qū)動(dòng)芯片的各引腳的功能，確定需要進(jìn)行電性判斷的引腳；C、根據(jù)芯片的引腳布局圖和PCB板的引線布局圖，確定在開(kāi)蓋前的電性測(cè)量位置，測(cè)量開(kāi)蓋前的電性；D、開(kāi)蓋后，使用探針直接探測(cè)芯片的引腳，進(jìn)行加電測(cè)量，得出開(kāi)蓋后的電性特征；E、開(kāi)蓋前后的異常電性對(duì)比，判斷失效點(diǎn)在封裝級(jí)還是在晶圓級(jí)。本發(fā)明通過(guò)該種適合于液晶面板顯示驅(qū)動(dòng)芯片的電性分析方法，能夠有效、合理地對(duì)開(kāi)蓋前后的電性特征進(jìn)行比對(duì)，便于后續(xù)做出失效點(diǎn)是在封裝級(jí)還是在晶圓級(jí)的判斷。
文檔編號(hào)G01R31/28GK102385843SQ20111022994
公開(kāi)日2012年3月21日 申請(qǐng)日期2011年8月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月11日
發(fā)明者張濤 申請(qǐng)人:上海華碧檢測(cè)技術(shù)有限公司