專利名稱:一種功率單元熔斷器狀態(tài)的檢測(cè)方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及電力電子檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種功率單元熔斷器狀態(tài)的檢測(cè)方法和裝置。
背景技術(shù):
在中壓或高壓級(jí)聯(lián)型變流器中,均包括了級(jí)聯(lián)的功率單元,每個(gè)功率單元的三相交流輸入都需要熔斷器的保護(hù)。熔斷器是根據(jù)電流超過(guò)規(guī)定值一段時(shí)間后,以其自身產(chǎn)生的熱量使熔體熔化,從而使電路斷開(kāi),運(yùn)用這種原理制成的一種電流保護(hù)器。參見(jiàn)圖1,該圖為現(xiàn)有技術(shù)中變流器功率單元的拓?fù)鋱D。三相交流輸入分別為A相、B相和C相,在A相和C相上均串聯(lián)有熔斷器。變流器在運(yùn)行過(guò)程中,需要檢測(cè)熔斷器的熔斷狀態(tài)。如果熔斷器熔斷,則將其熔斷的狀態(tài)上報(bào)給控制器,控制器根據(jù)熔斷器的狀態(tài)禁止功率單元的輸出,并通過(guò)人機(jī)交互界面顯示出熔斷器的故障信息。目前比較常見(jiàn)的熔斷器狀態(tài)檢測(cè)方法主要有兩種,第一種是通過(guò)熔斷器自身帶有的微動(dòng)開(kāi)關(guān)進(jìn)行狀態(tài)檢測(cè);第二種是通過(guò)檢測(cè)熔斷器兩端的電壓來(lái)檢測(cè)熔斷器的狀態(tài)。下面先介紹第一種,參見(jiàn)圖2,該圖為現(xiàn)有技術(shù)中通過(guò)熔斷器微動(dòng)開(kāi)關(guān)檢測(cè)熔斷器狀態(tài)的示意圖。每個(gè)熔斷器自身帶有微動(dòng)開(kāi)關(guān)。當(dāng)熔斷器熔斷后,熔斷器的內(nèi)部機(jī)構(gòu)會(huì)使微動(dòng)開(kāi)關(guān)由閉合狀態(tài)變?yōu)閿嚅_(kāi)狀態(tài)或者由斷開(kāi)狀態(tài)變?yōu)殚]合狀態(tài),檢測(cè)電路檢測(cè)到微動(dòng)開(kāi)關(guān)的狀態(tài)后將該狀態(tài)上傳至控制器。控制器便可以通過(guò)微動(dòng)開(kāi)關(guān)的狀態(tài)判斷出熔斷器的狀態(tài)。但是,這種方法需要熔斷器特別制作帶有微動(dòng)開(kāi)關(guān)。并且檢測(cè)電路設(shè)計(jì)時(shí)為了防止熔斷器處的高壓引入到控制器,需要通過(guò)光耦將高壓側(cè)與控制器處的低壓側(cè)進(jìn)行隔離, 這種方法的成本較高。下面介紹第二種,參見(jiàn)圖3,該圖為現(xiàn)有技術(shù)中通過(guò)檢測(cè)熔斷器兩端的電壓檢測(cè)熔斷器的狀態(tài)示意圖。這種方法是檢測(cè)熔斷器兩端的電壓來(lái)判斷,如圖3所示,A相上的熔斷器兩端的電壓為VI,C相上熔斷器兩端的電壓為V2,檢測(cè)電路將檢測(cè)的Vl和V2經(jīng)過(guò)差分電路和比較電路(如圖4所示)以后輸出開(kāi)關(guān)信號(hào),開(kāi)關(guān)信號(hào)直接送入控制器。但是,該方法存在的問(wèn)題是,熔斷器突然熔斷時(shí),熔斷器的兩端會(huì)出現(xiàn)電弧過(guò)電壓沖擊,這樣將造成檢測(cè)電路電氣間隙過(guò)大,因此這種方法一般適用于低電壓場(chǎng)合,在中壓或高壓場(chǎng)合由于電壓很高而不適用。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種功率單元熔斷器狀態(tài)的檢測(cè)方法和裝置,不但可以適用于低壓場(chǎng)合,同時(shí)還可適用于中壓或高壓的場(chǎng)合,而且成本低。本發(fā)明提供一種功率單元熔斷器狀態(tài)的檢測(cè)方法,包括
檢測(cè)功率單元的直流母線電壓;將所述直流母線電壓與設(shè)定的閾值進(jìn)行比較;根據(jù)比較結(jié)果 斷熔斷器的狀態(tài),當(dāng)所述直流母線電壓小于所述設(shè)定的閾值時(shí), 判斷熔斷器熔斷,當(dāng)所述直流母線電壓大于或等于所述設(shè)定的閾值時(shí),判斷熔斷器正常。優(yōu)選地,還包括當(dāng)判斷熔斷器熔斷時(shí),禁止功率單元的輸出。本發(fā)明還提供一種功率單元熔斷器狀態(tài)的檢測(cè)裝置,包括直流母線電壓檢測(cè)單元,用于檢測(cè)功率單元的直流母線電壓;比較單元,用于將所述直流母線電壓與設(shè)定的閾值進(jìn)行比較;判斷單元,用于根據(jù)比較結(jié)果判斷熔斷器的狀態(tài),當(dāng)所述直流母線電壓小于所述設(shè)定的閾值時(shí),判斷熔斷器熔斷,當(dāng)所述直流母線電壓大于或等于所述設(shè)定的閾值時(shí),判斷熔斷器正常。優(yōu)選地,還包括禁止單元,當(dāng)所述判斷單元判斷熔斷器熔斷時(shí),用于禁止功率單元的輸出。優(yōu)選地,所述直流母線電壓檢測(cè)單元包括差分子單元和電壓跟隨子單元;直流母線電壓的正端和負(fù)端分別連接差分子單元的正輸入端和負(fù)輸入端;差分子單元的輸出端連接電壓跟隨子單元的輸入端;電壓跟隨子單元的輸出端連接比較單元的輸入端。優(yōu)選地,所述直流母線電壓為功率單元中的三相整流單元的輸出電壓,所述三相整流單元為由二極管組成的不可控整流單元。優(yōu)選地,所述直流母線電壓為功率電壓中的單相整流單元的輸出電壓,所述單相整流單元為由二極管組成的不可控整流單元。優(yōu)選地,所述直流母線電壓為功率單元中的三相整流單元的輸出電壓,所述三相整流單元為由IGBT組成的可控整流單元。優(yōu)選地,所述直流母線電壓為功率單元中的單相整流單元的輸出電壓,所述單相整流單元為由IGBT組成的可控整流單元。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明提供的功率單元熔斷器狀態(tài)的檢測(cè)方法和裝置,通過(guò)檢測(cè)功率單元中的直流母線電壓來(lái)判斷熔斷器是否熔斷,因?yàn)楣β蕟卧腥蹟嗥魅蹟嗟闹苯釉蚓褪侨蹟嗥魃铣霈F(xiàn)過(guò)電流,而過(guò)電流的產(chǎn)生是由于短路引起的,無(wú)論是功率單元的輸出側(cè)短路還是整流單元短路,或者是母線直接短路,均會(huì)引起直流母線電壓的迅速跌落。因此通過(guò)檢測(cè)直流母線電壓來(lái)判斷熔斷器的狀態(tài)非??煽俊2⑶乙话愕墓β蕟卧幸呀?jīng)存在檢測(cè)直流母線電壓的裝置,因此該方法既對(duì)熔斷器沒(méi)有要求,也不需要檢測(cè)熔斷器兩端的電壓,簡(jiǎn)單可靠,成本低,并且適用于中壓和高壓的場(chǎng)合。
圖1是現(xiàn)有技術(shù)中功率單元的拓?fù)鋱D;圖2是現(xiàn)有技術(shù)中通過(guò)熔斷器微動(dòng)開(kāi)關(guān)檢測(cè)熔斷器狀態(tài)的示意圖;圖3是現(xiàn)有技術(shù)中通過(guò)檢測(cè)熔斷器兩端的電壓檢測(cè)熔斷器的狀態(tài)示意圖;圖4是現(xiàn)有技術(shù)中由熔斷器兩端的電壓通過(guò)差分電路和比較電路判斷熔斷器狀態(tài)的示意圖;圖5是 本發(fā)明提供的功率單元熔斷器狀態(tài)檢測(cè)的示意圖;圖6是本發(fā)明提供的功率單元熔斷器狀態(tài)檢測(cè)的示意圖;圖7是本發(fā)明提供的功率單元熔斷器狀態(tài)的檢測(cè)裝置實(shí)施例一結(jié)構(gòu)圖;圖8是本發(fā)明提供的直流母線電壓檢測(cè)單元的示意圖;圖9是本發(fā)明提供的裝置應(yīng)用于三相不可控整流單元中的示意圖;圖10是本發(fā)明提供的裝置應(yīng)用于三相可控整流單元中的示意圖;圖11是本發(fā)明提供的裝置應(yīng)用于單相不可控整流單元中的示意圖;圖12是本發(fā)明提供的裝置應(yīng)用于單相可控整流單元中的示意圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂,下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說(shuō)明。參見(jiàn)圖5,該圖為本發(fā)明提供的功率單元的熔斷器狀態(tài)檢測(cè)方法實(shí)施例一流程圖。本實(shí)施例提供的功率單元熔斷器狀態(tài)的檢測(cè)方法,包括S501 檢測(cè)功率單元的直流母線電壓;可以理解的是,功率單元一般是指變頻器或變流器中的整流單元和逆變單元的組合。其中直流母線電壓指的是整流單元的輸出電壓,整流單元可以為單相整流單元也可以為三相整流單元,并且每種整流單元可以為二極管組成的不可控整流單元,也可以為由 IGBT組成的可控整流單元。S502 將所述直流母線電壓與設(shè)定的閾值進(jìn)行比較;S503 根據(jù)比較結(jié)果判斷熔斷器的狀態(tài),當(dāng)所述直流母線電壓小于所述設(shè)定的閾值時(shí),判斷熔斷器熔斷,當(dāng)所述直流母線電壓大于或等于所述設(shè)定的閾值時(shí),判斷熔斷器正
堂
巾ο當(dāng)功率單元中出現(xiàn)過(guò)電流時(shí),所有的熔斷器均會(huì)熔斷,從而斷開(kāi)交流輸入和功率單元,實(shí)現(xiàn)保護(hù)作用。如圖6所示,該圖為本發(fā)明提供的功率單元熔斷器狀態(tài)檢測(cè)的示意圖。Vbus表示直流母線電壓,BUS+表示直流母線電壓的正端,BUS-表示直流母線電壓的負(fù)端。功率單元上電時(shí),為了避免錯(cuò)誤地檢測(cè)熔斷器的狀態(tài),需要設(shè)置一定的延遲時(shí)間, 例如設(shè)置延時(shí)5s,待功率單元上電5s后,才開(kāi)始檢測(cè)直流母線電壓。功率單元下電時(shí),由于直流母線電壓在下降到設(shè)定的閾值之前,控制器已經(jīng)停止工作,從而避開(kāi)了下電時(shí)的誤檢,因此功率單元下電時(shí),不需要設(shè)置延遲。功率單元正常工作時(shí),當(dāng)熔斷器熔斷后,直流母線電壓將迅速下降,即使下降到零,控制器也會(huì)一直工作,從而可以正確檢測(cè)到熔斷器的狀態(tài)。本發(fā)明提供的功率單元熔斷器狀態(tài)的檢測(cè)方法,通過(guò)檢測(cè)功率單元中的直流母線電壓來(lái)判斷熔斷器是否熔斷,因?yàn)楣β蕟卧腥蹟嗥魅蹟嗟闹苯釉蚓褪侨蹟嗥魃铣霈F(xiàn)過(guò)電流,而過(guò)電流的產(chǎn)生是由于短路引起的,無(wú)論是功率單元的輸出側(cè)短路還是整流單元短路,或者是母線直接短路,均會(huì)引起直流母線電壓的迅速跌落。因此通過(guò)檢測(cè)直流母線電壓來(lái)判斷熔斷器的狀態(tài)非??煽?。并且一般的功率單元中已經(jīng)存在檢測(cè)直流母線電壓的裝置,因此該方法既對(duì)熔斷器沒(méi)有要求,也不需要檢測(cè)熔斷器兩端的電壓,簡(jiǎn)單可靠,成本低, 并且適用于中壓和高壓的場(chǎng)合。本發(fā)明提供的方法還包括當(dāng)判斷熔斷器熔斷時(shí),禁止功率單元的輸出。基于上述提供的一種功率單元熔斷器狀態(tài)的檢測(cè)方法,本發(fā)明還提供了一種功率單元熔斷器狀態(tài)的檢測(cè)裝置,下面結(jié)合具體實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明其組成部分。參見(jiàn)圖7,該圖為本發(fā)明提供的功率單元熔斷器狀態(tài)的檢測(cè)裝置實(shí)施例一結(jié)構(gòu)圖。本實(shí)施例提供的功率單元熔斷器狀態(tài)的檢測(cè)裝置,包括 直流母線電壓檢測(cè)單元701,用于檢測(cè)功率單元的直流母線電壓;可以理解的是,功率單元一般是指變頻器或變流器中的整流單元和逆變單元的組合。其中直流母線電壓指的是整流單元的輸出電壓,整流單元可以為單相整流單元也可以為三相整流單元,并且每種整流單元可以為二極管組成的不可控整流單元,也可以為由 IGBT組成的可控整流單元。比較單元702,用于將所述直流母線電壓與設(shè)定的閾值進(jìn)行比較;判斷單元703,用于根據(jù)比較結(jié)果判斷熔斷器的狀態(tài),當(dāng)所述直流母線電壓小于所述設(shè)定的閾值時(shí),判斷熔斷器熔斷,當(dāng)所述直流母線電壓大于或等于所述設(shè)定的閾值時(shí),判斷熔斷器正常。當(dāng)功率單元中出現(xiàn)過(guò)電流時(shí),所有的熔斷器均會(huì)熔斷,從而斷開(kāi)交流輸入和功率單元,實(shí)現(xiàn)保護(hù)作用。本發(fā)明提供的功率單元熔斷器狀態(tài)的檢測(cè)裝置,通過(guò)檢測(cè)功率單元中的直流母線電壓來(lái)判斷熔斷器是否熔斷,因?yàn)楣β蕟卧腥蹟嗥魅蹟嗟闹苯釉蚓褪侨蹟嗥魃铣霈F(xiàn)過(guò)電流,而過(guò)電流的產(chǎn)生是由于短路引起的,無(wú)論是功率單元的輸出側(cè)短路還是整流單元短路,或者是母線直接短路,均會(huì)引起直流母線電壓的迅速跌落。因此通過(guò)檢測(cè)直流母線電壓來(lái)判斷熔斷器的狀態(tài)非??煽俊2⑶乙话愕墓β蕟卧幸呀?jīng)存在檢測(cè)直流母線電壓的裝置,因此該方法既對(duì)熔斷器沒(méi)有要求,也不需要檢測(cè)熔斷器兩端的電壓,簡(jiǎn)單可靠,成本低, 并且適用于中壓和高壓的場(chǎng)合。功率單元上電時(shí),為了避免錯(cuò)誤地檢測(cè)熔斷器的狀態(tài),需要設(shè)置一定的延遲時(shí)間, 例如設(shè)置延時(shí)5s,待功率單元上電5s后,直流母線電壓檢測(cè)單元701才開(kāi)始檢測(cè)直流母線電壓。功率單元下電時(shí),由于直流母線電壓在下降到設(shè)定的閾值之前,控制器已經(jīng)停止工作,從而避開(kāi)了下電時(shí)的誤檢,因此功率單元下電時(shí),不需要設(shè)置延遲。功率單元正常工作時(shí),當(dāng)熔斷器熔斷后,直流母線電壓將迅速下降,即使下降到零,控制器也會(huì)一直工作,從而可以正確檢測(cè)到熔斷器的狀態(tài)。本發(fā)明提供的功率單元熔斷器狀態(tài)的檢測(cè)裝置,還包括禁止單元,當(dāng)所述判斷單元判斷熔斷器熔斷時(shí),用于禁止功率單元的輸出。下面結(jié)合附圖介紹本發(fā)明提供的檢測(cè)裝置的具體實(shí)現(xiàn)方式。參見(jiàn)圖8,該圖為本發(fā)明提供的直流母線電壓檢測(cè)單元的示意圖。所述直流母線電壓檢測(cè)單元包括差分子單元801和電壓跟隨子單元802 ;直流母線電壓的正端BUS+和負(fù)端BUS-分別連接差分子單元801的正輸入端和負(fù)輸入端;
差分子單元801的輸出端連接電壓跟隨子單元802的輸入端;可以理解的是,差分子單元801可以利用差分電路來(lái)實(shí)現(xiàn)。電壓跟隨子單元802的輸出端V-Bus連接比較單元的輸入端。差分子 單元801通過(guò)差分電路對(duì)較高的直流母線電壓進(jìn)行采樣,并轉(zhuǎn)換為可供控制器使用的低壓信號(hào)并限幅,同時(shí)差分電路還起到了高壓低壓隔離的作用。電壓跟隨子單元802是利用電壓跟隨器的特性,對(duì)于前級(jí)放大電路提高了輸入阻抗,對(duì)于后級(jí)控制器的采樣電路降低了輸出阻抗,起到了承上啟下的緩沖作用。電壓跟隨子單元802可以利用電壓跟隨器來(lái)實(shí)現(xiàn)。其中直流母線電壓指的是整流單元的輸出電壓,整流單元可以為單相整流單元也可以為三相整流單元,并且每種整流單元可以為二極管組成的不可控整流單元,也可以為由IGBT組成的可控整流單元。下面結(jié)合附圖詳細(xì)介紹這幾種情況的應(yīng)用。參見(jiàn)圖9,該圖為本發(fā)明提供的裝置應(yīng)用于三相不可控整流單元中的示意圖。所述直流母線電壓Vbus為功率單元中的三相整流單元900的輸出電壓,所述三相整流單元900為由二極管組成的不可控整流單元。參見(jiàn)圖10,該圖為本發(fā)明提供的裝置應(yīng)用于三相可控整流單元中的示意圖。所述直流母線電壓Vbus為功率單元中的三相整流單元1000的輸出電壓,所述三相整流單元1000為由IGBT組成的可控整流單元。參見(jiàn)圖11,該圖為本發(fā)明提供的裝置應(yīng)用于單相不可控整流單元中的示意圖。所述直流母線電壓Vbus為功率單元中的單相整流單元1100的輸出電壓,所述單相整流單元1100為由二極管組成的不可控整流單元。參見(jiàn)圖12,該圖為本發(fā)明提供的裝置應(yīng)用于單相可控整流單元中的示意圖。所述直流母線電壓Vbus為功率單元中的單相整流單元1200的輸出電壓,所述單相整流單元1200為由IGBT組成的可控整流單元。以上所述,僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已,并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上,然而并非用以限定本發(fā)明。任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下,都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案做出許多可能的變動(dòng)和修飾,或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此,凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容,依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾,均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種功率單元熔斷器狀態(tài)的檢測(cè)方法,其特征在于,包括檢測(cè)功率單元的直流母線電壓;將所述直流母線電壓與設(shè)定的閾值進(jìn)行比較;根據(jù)比較結(jié)果判斷熔斷器的狀態(tài),當(dāng)所述直流母線電壓小于所述設(shè)定的閾值時(shí),判斷熔斷器熔斷,當(dāng)所述直流母線電壓大于或等于所述設(shè)定的閾值時(shí),判斷熔斷器正常。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述功率單元熔斷器狀態(tài)的檢測(cè)方法,其特征在于,還包括當(dāng)判斷熔斷器熔斷時(shí),禁止功率單元的輸出。
3.—種功率單元熔斷器狀態(tài)的檢測(cè)裝置,其特征在于,包括直流母線電壓檢測(cè)單元,用于檢測(cè)功率單元的直流母線電壓;比較單元,用于將所述直流母線電壓與設(shè)定的閾值進(jìn)行比較;判斷單元,用于根據(jù)比較結(jié)果判斷熔斷器的狀態(tài),當(dāng)所述直流母線電壓小于所述設(shè)定的閾值時(shí),判斷熔斷器熔斷,當(dāng)所述直流母線電壓大于或等于所述設(shè)定的閾值時(shí),判斷熔斷器正常。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的功率單元熔斷器狀態(tài)的檢測(cè)裝置,其特征在于,還包括禁止單元,當(dāng)所述判斷單元判斷熔斷器熔斷時(shí),用于禁止功率單元的輸出。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的功率單元熔斷器狀態(tài)的檢測(cè)裝置,其特征在于,所述直流母線電壓檢測(cè)單元包括差分子單元和電壓跟隨子單元;直流母線電壓的正端和負(fù)端分別連接差分子單元的正輸入端和負(fù)輸入端;差分子單元的輸出端連接電壓跟隨子單元的輸入端;電壓跟隨子單元的輸出端連接比較單元的輸入端。
6.根據(jù)權(quán)利要求3-5任一項(xiàng)所述的功率單元熔斷器狀態(tài)的檢測(cè)裝置,其特征在于,所述直流母線電壓為功率單元中的三相整流單元的輸出電壓,所述三相整流單元為由二極管組成的不可控整流單元。
7.根據(jù)權(quán)利要求3-5任一項(xiàng)所述的功率單元熔斷器狀態(tài)的檢測(cè)裝置,其特征在于,所述直流母線電壓為功率電壓中的單相整流單元的輸出電壓,所述單相整流單元為由二極管組成的不可控整流單元。
8.權(quán)利要求3-5任一項(xiàng)所述的功率單元熔斷器狀態(tài)的檢測(cè)裝置,其特征在于,所述直流母線電壓為功率單元中的三相整流單元的輸出電壓,所述三相整流單元為由IGBT組成的可控整流單元。
9.權(quán)利要求3-5任一項(xiàng)所述的功率單元熔斷器狀態(tài)的檢測(cè)裝置,其特征在于,所述直流母線電壓為功率單元中的單相整流單元的輸出電壓,所述單相整流單元為由IGBT組成的可控整流單元。
全文摘要
本發(fā)明提供的功率單元熔斷器狀態(tài)的檢測(cè)方法和裝置,通過(guò)檢測(cè)功率單元中的直流母線電壓來(lái)判斷熔斷器是否熔斷,因?yàn)楣β蕟卧腥蹟嗥魅蹟嗟闹苯釉蚓褪侨蹟嗥魃铣霈F(xiàn)過(guò)電流,而過(guò)電流的產(chǎn)生是由于短路引起的,無(wú)論是功率單元的輸出側(cè)短路還是整流單元短路,或者是母線直接短路,均會(huì)引起直流母線電壓的迅速跌落。因此通過(guò)檢測(cè)直流母線電壓來(lái)判斷熔斷器的狀態(tài)非??煽?。并且一般的功率單元中已經(jīng)存在檢測(cè)直流母線電壓的裝置,因此該方法既對(duì)熔斷器沒(méi)有要求,也不需要檢測(cè)熔斷器兩端的電壓,簡(jiǎn)單可靠,成本低,并且適用于中壓和高壓的場(chǎng)合。
文檔編號(hào)G01R31/07GK102156243SQ20111006348
公開(kāi)日2011年8月17日 申請(qǐng)日期2011年3月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月16日
發(fā)明者趙敬輝, 蹇龍飛 申請(qǐng)人:艾默生網(wǎng)絡(luò)能源有限公司