專利名稱：具有閃爍體元件和光電二極管陣列的堆疊體的輻射探測器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及包括閃爍體元件和光電二極管陣列(PDA)的堆疊體的輻射探測器。此 外，其涉及用于生產(chǎn)這樣的輻射探測器的方法和包括這樣的輻射探測器的成像設(shè)備。
背景技術(shù)：
US20020153492A1公開了一種輻射探測器，其中光電二極管陣列(PDA)和閃爍晶 體附接至延伸進(jìn)入該閃爍晶體的橫向體積的平面襯底。此外，連接器附接至所述橫向體積 中的襯底，并且多個所得的部件結(jié)合成堆疊體，其中閃爍晶體的橫向體積填充以環(huán)氧樹脂。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)該情況，本發(fā)明的一個目標(biāo)是提供一種輻射探測器，其能夠容易地制造并且 具有高靈敏度。尤其是期望所述輻射探測器適于在光譜CT (計算機(jī)斷層攝影)掃描器中應(yīng)用。該目標(biāo)是通過根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射探測器、根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法以 及根據(jù)權(quán)利要求15所述的成像設(shè)備實現(xiàn)的。優(yōu)選的實施例在從屬權(quán)利要求中公開。根據(jù)本發(fā)明第一方面，其涉及一種輻射探測器，用于電磁輻射的探測，尤其是類似 X射線光子或者Y光子的高能量輻射的探測。該輻射探測器包括下列部件a)堆疊體，其包括閃爍體元件和光電二極管陣列(或短“PDA”)。通常，閃爍體元 件為立方體形狀，而PDA大體為平板，并且該堆疊體典型地包括閃爍體元件和PDA的交替序 列，其中沒有其他中間部件。此外，該堆疊體的特征在于下列特性al) PDA連同電導(dǎo)線延伸進(jìn)入填充這樣的體積的剛性體中，該體積是閃爍體元件橫 向的體積(并且通常與其鄰近)并且下文中將被稱作“邊界體積”。本文中，“橫向”方向?qū)?應(yīng)于垂直于堆疊方向的方向。此外，下文中堆疊體的剩余體積(在其中也存在由閃爍體元 件的一部分)將被稱作“堆疊體核”以便與邊界體積相區(qū)別。最后，術(shù)語“導(dǎo)線”應(yīng)該表示 與其特定幾何形狀無關(guān)的任意電傳導(dǎo)部件。閃爍體元件將典型地為閃爍材料的塊或晶體，其將入射高能量輻射(例如，X射 線)轉(zhuǎn)換成較低能量的光子，尤其是可見光譜的光子。隨后可以通過在PDA中的光電二極 管探測所述光子，即所述光子被轉(zhuǎn)換成電信號。a2)PDA的導(dǎo)線終止在邊界體積的表面中，其中下文中該表面將被稱作“接觸表 面”，因為所述導(dǎo)線可以在該平面中與外部電路接觸。接觸表面典型地相對于PDA的平面 (該平面垂直于堆疊方向)垂直或者傾斜。b)設(shè)置在前述接觸表面上的并且在下文中可以稱作為“再分配層”的層，所述再分 配層包括與PDA的導(dǎo)線接觸的電線路，其中所述PDA的導(dǎo)線在接觸表面處終止。再分配層 提供與所述PDA的導(dǎo)線的電接入，其中在所述再分配層上的所述線路的末端通常具有與在 接觸表面上的導(dǎo)線不同的幾何布置。本發(fā)明涉及一種用于提供輻射探測器，尤其是前述設(shè)計的輻射探測器的方法，所述方法包括下列步驟a)堆疊閃爍體元件和PDA，使得所述PDA連同電導(dǎo)線延伸進(jìn)入所述閃爍體元件橫 向的邊界體積中。b)用材料至少部分地填充在所述邊界體積中的所述PDA之間的空隙，所述材料例 如環(huán)氧樹脂、硅樹脂和/或聚酰亞胺樹脂。任選地，堆疊體的其它表面也可以利用相同材料覆蓋。c)將所述邊界體積的一部分移除以使PDA的所述導(dǎo)線在邊界體積的接觸表面中 暴露，其中所述表面由移除的過程生成(例如，通過刻蝕或切割)。該移除通常需要等到填 充材料最初的液體成分已經(jīng)固化。在該方法的其他可選步驟中，在步驟c)之后具有電線路的再分配層可以設(shè)置在 所述接觸表面上，使得所述線路與所述PDA的導(dǎo)線接觸。所描述的輻射探測器和用于生產(chǎn)這樣的探測器的方法提供了一種能夠以工業(yè)規(guī) 模容易地進(jìn)行制造的設(shè)計，因為首先可以組裝閃爍體元件和PDA的簡單堆疊體，然后該簡 單堆疊體可以通過填充在PDA之間的邊界體積的材料被固定在所假定的單獨幾何結(jié)構(gòu)中。 由于該設(shè)計，在閃爍體元件之間不必須提供附加的載體或襯底(除了 PDA之外)，因此將由 于輻射探測而損失的區(qū)域減至最小，即減至PDA的厚度。通過在所述PDA上的導(dǎo)線來提供 所需要的來自探測器像素的讀出線路，可以通過在邊界體積的接觸表面處的外部電路例如 以倒裝方式容易地與所述導(dǎo)線接觸。下文中，將描述本發(fā)明的各種其他改善，其既涉及輻射探測器又涉及所描述的方法。由于PDA僅能夠以非常低的效率直接探測高能量輻射并且產(chǎn)生除了閃爍體-PDA 鏈之外的電荷，這意味著它們的直接轉(zhuǎn)換信號不能簡單地結(jié)合基于閃爍體的信號使用， 由PDA在輻射入射的平面中所占據(jù)的區(qū)域由于探測過程而損失嚴(yán)重。為了最小化該損 失，PDA優(yōu)選的厚度(垂直于輻射入射即通常地在堆疊方向測得的)小于300i!m，優(yōu)選地 小于150 ilm，最優(yōu)選地小于^(^?。?！或者甚至小于日。!!!!!。由于閃爍體元件典型的厚度為 1000 u m,因此損失區(qū)域可以減小至整個區(qū)域的大約5-30%或者更小。基本上，光電二極管陣列可以包括僅一個單一光電二極管，其適用于探測在相關(guān) 閃爍體元件中生成的次級(光學(xué))輻射。然而優(yōu)選地，至少一個PDA包括可以從一個或多 個相關(guān)閃爍體元件的不同區(qū)域探測次級光子的多個光電二極管。由于他們獨立地連接至延 伸進(jìn)入邊界體積中的導(dǎo)線，因此在所述光電二極管中生成的信號可以被分別讀出并且歸于 在相關(guān)閃爍體元件中的不同區(qū)域。最優(yōu)選地，至少一個PDA包括二維光電二極管陣列，其允 許以空間分辨率(即，在垂直于所述輻射入射的方向上分辨)以及能量分辨率(由與輻射 入射一致的探測層提供)來探測高能量輻射。這使得輻射探測器尤其適于在光譜CT中應(yīng) 用。閃爍體元件可以是獨立的塊，其中一個這樣的塊設(shè)置在兩個連續(xù)PDA之間。然而 根據(jù)優(yōu)選的實施例，則存在耦合至同一 PDA的至少兩個閃爍體元件。這些閃爍體元件可以 可選的通過反射層彼此分離，從而防止在他們的一個中生成的次級光子躍遷進(jìn)入相鄰閃爍 體元件，在該相鄰閃爍體元件中次級光子將生成不期望的串?dāng)_效應(yīng)。此外，分離的單個閃爍 體元件優(yōu)選地耦合至公共PDA的不同光電二極管，使得可以獨立地探測在他們中生成的輻
5射。若干閃爍體元件可以彼此鄰近地設(shè)置在垂直于所述輻射入射(從而增加空間分辨率) 以及平行于所述輻射入射的方向(從而增加能量分辨率)上。尤其是在后一種情況中，一 個接一個地設(shè)置在輻射方向上的閃爍體元件可以包括具有不同吸收特征的材料。根據(jù)本發(fā)明的另一優(yōu)選實施例，至少一個閃爍體元件粘合至至少一個PDA，其中術(shù) 語“粘合”應(yīng)該廣義地指這樣的任意過程通過該過程將閃爍體元件和PDA材料上結(jié)合。通 過該材料結(jié)合，實現(xiàn)閃爍體元件和相關(guān)的PDA之間具有良好光學(xué)耦合的緊密連接，從而使 得在從閃爍體元件到PDA的躍遷中幾乎沒有次級光子損失。此外，閃爍體元件和相關(guān)PDA 之間牢固的機(jī)械連接便于輻射探測器制造期間的堆疊過程。原則上，這將滿足每個閃爍體元件在單一 PDA側(cè)面中的一個處耦合至該P(yáng)DA，使 得由閃爍體元件發(fā)射的次級光子可以通過該側(cè)面被探測。之后，典型地，閃爍體元件的剩余 側(cè)面則將具有反射涂層以減少次級光子的損失。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例，在至少一個閃 爍體元件處，PDA功能性地耦合至兩個、三個或者四個側(cè)面，從而允許在該閃爍體元件的若 干側(cè)面處次級光子的探測?？梢钥蛇x地將與相同像素相關(guān)的若干PDA的光電二極管短路。PDA的導(dǎo)線優(yōu)選的(在堆疊方向測得的)厚度小于lOym，最優(yōu)選的厚度小于 lum0這樣薄的傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)例如可以通過在絕緣襯底上的金屬化層實現(xiàn)。為了提高他們的可 接入性，優(yōu)選地為PDA的導(dǎo)線提供在接觸表面處的擴(kuò)大部。該具有擴(kuò)大部的構(gòu)造可以在PDA 的制備期間已經(jīng)完成，即，在該方法的堆疊步驟a)之前或者緊接在堆疊步驟a)之后，或者 其可以在步驟c)中的移除之后完成。PDA的導(dǎo)線的擴(kuò)大部在接觸表面中的內(nèi)徑優(yōu)選地為至少20 iim，最優(yōu)選地為至少 50umo在本文中，連接的幾何形狀的“內(nèi)徑”定義為與該形狀完全匹配的最大圓的直徑。例 如在矩形中，內(nèi)徑對應(yīng)于較短側(cè)邊的長度。所述的對于內(nèi)徑的值保證了在接觸表面中提供 足夠的區(qū)域用于外部接觸件的可靠結(jié)合。PDA的導(dǎo)線的擴(kuò)大部可以以不同方式實現(xiàn)。根據(jù)第一可選方案，該擴(kuò)大部包括在接 觸表面上的金屬化。這樣的金屬化可以具體地在移除邊界體積的一部分以暴露電導(dǎo)線之后 生成。其可以通過半導(dǎo)體技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)過程產(chǎn)生，例如，金屬層的氣相沉積和隨后利用合適掩 模的刻蝕。根據(jù)另一實施例，該擴(kuò)大部包括結(jié)合到所述導(dǎo)線并切入進(jìn)所述接觸表面的附加的 傳導(dǎo)材料。與前述的在接觸表面上的金屬化形成對比，傳導(dǎo)材料從接觸表面延伸進(jìn)入邊界 體積的深處。附加的傳導(dǎo)材料的具體示例是在至少一個位置(在邊界體積中或者在堆疊體 核中)結(jié)合至相應(yīng)導(dǎo)線的電線。另一個示例是附接至相應(yīng)導(dǎo)線的金屬塊或者焊料凸點。該 可選方案可以與上面描述的金屬層的沉積相結(jié)合。根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，支撐格柵設(shè)置在堆疊體橫向的邊界體積中，并且PDA 延伸通過所述格柵的孔。這樣的支撐格柵在制造工藝中尤其有用，因為其允許在邊界體積 中的空隙被填充之前閃爍體元件和相關(guān)PDA的堆疊體的便利組裝。需要說明的是，PDA不 需要緊緊固定至格柵的孔中，因為在最終產(chǎn)品中由填充邊界體積的材料提供機(jī)械穩(wěn)定性。再分配層將通常連接至用于對由PDA提供的信號進(jìn)一步處理的電子部件。特別 的，讀出電路可以連接至再分配層使得信號處理和讀出發(fā)生在與信號生成的來源緊密接近 的該電路中。讀出電路可以例如通過專用電路(ASIC)來實現(xiàn)。根據(jù)另一實施例，機(jī)械載體可以連接至再分配層和/或閃爍體元件和PDA的堆疊體，所述載體允許輻射探測器機(jī)械集成到較大系統(tǒng)中。本發(fā)明還涉及一種成像設(shè)備，包括上面描述的類型的輻射探測器。特別地，該成像 設(shè)備可以為X射線、CT (計算機(jī)斷層攝影)、PET (正電子發(fā)射斷層攝影)、SPECT (單光子發(fā) 射計算機(jī)斷層攝影)或者核成像設(shè)備。


參照下面描述的實施例，本發(fā)明的這些方面以及其他方面將變得顯而易見并且得 以闡明。這些實施例將借助所附的單一附圖通過示例來描述，其中附圖為圖1說明根據(jù)本發(fā)明的輻射探測器的制造的若干連續(xù)步驟。
具體實施例方式對于計算機(jī)斷層攝影(CT)的未來發(fā)展，光譜或者“彩色”X射線成像是最有前途的 途徑。雖然基于計數(shù)模式的探測器的光譜CT具有良好的材料分離能力的特性，但是由多層 探測器、具有相異kVp (即源的峰值電壓)的多X射線源、時間上的kVp調(diào)制或者這些方法 的結(jié)合而實現(xiàn)的實施方式由于降低的硬件需求，顯得具有吸引力。因此，可以認(rèn)為具有雙層電流模式的探測器和快速kVp切換X射線源的系統(tǒng)是在 光譜CT中有前途的方法。然而，由于雙層探測器是相當(dāng)復(fù)雜的設(shè)備，因此其生產(chǎn)不能根據(jù) CT探測器的標(biāo)準(zhǔn)制造工藝來實現(xiàn)。雙層探測器的特點是光電二極管平行于束的方向安裝。由于閃爍體元件和光電 二極管安裝在取向為垂直于所述束方向的載體上，因此電導(dǎo)線不得不從垂直平面?zhèn)鬏數(shù)剿?平平面。因此，需要允許以合理成本大量生產(chǎn)可靠探測設(shè)備的制造工藝。為了實現(xiàn)該目的，提出一種后續(xù)(back-end)過程，其便于電信號從光電二極管陣 列(PDA)的垂直平面?zhèn)鬏數(shù)揭r底的水平平面(當(dāng)假定輻射入射的方向為垂直的時)。因此， 在安裝閃爍體元件之前不需要固定光電二極管。圖1說明示例性制造工藝的連續(xù)步驟，通過該制造工藝生產(chǎn)了根據(jù)本發(fā)明的這樣 的輻射探測器100。需要注意的是，該圖僅描述了完整輻射探測器的小部分，完整輻射探測 器典型地包括更大量數(shù)目的探測單元。圖la)示出工藝的第一步，其中提供兩個閃爍體元件110、110’以及相關(guān)的PDA 120。兩個閃爍體元件110、110’在z方向成一行彼此鄰近放置，z方向是在輻射探測器的 后面操作期間輻射入射的方向。閃爍體元件典型地為類似GOS、CsI.ZnSe或CW0的材料的 長方體塊，其從入射的高能量初級光子生成次級光子。兩個閃爍體元件優(yōu)選地通過反射層 111彼此分離以防止串?dāng)_效應(yīng)。PDA 120典型地包括諸如硅的半導(dǎo)體材料的板，并且光電二極管122 (在該示例中 為兩個)通過在朝向閃爍體元件的區(qū)域中適當(dāng)?shù)負(fù)诫s而在PDA表面上形成。此外，在PDA120 的所述表面上提供電導(dǎo)線123，其連接到前述的光電二極管122并且延伸進(jìn)入PDA的較低部 分121。附加的電線131已連接至電導(dǎo)線123以提供導(dǎo)線的橫截面的擴(kuò)大部?？蛇x的，選擇部件(例如，閃爍體元件、PDA、導(dǎo)線等)使得其熱膨脹特征類似，從而 減少在生產(chǎn)和操作期間堆疊體中的熱機(jī)械應(yīng)力。在制造工藝的下一步驟b)中，閃爍體元件110、110’粘合至PDA 120的光電二極
7管122。因此，得到可以作為獨立的、自承載結(jié)構(gòu)來操控的探測器單元U或者“板層”。在步驟c)中，多個前述的探測器單元U—個接一個地安裝在堆疊體方向(x方向) 中，得到堆疊體S。例如由具有用于PDA外延部121的洞的金屬板實現(xiàn)的支撐格柵150用于 從底側(cè)機(jī)械支撐。需要強(qiáng)調(diào)的是，支撐格柵150和PDA外延部121不必須機(jī)械連接或電連 接，從而減少在生產(chǎn)過程中的制約。下一生產(chǎn)步驟d)包括鑄模，以便用填充材料130填充在閃爍體元件110、110’橫 向的“邊界體積”BV中的空隙。填充材料130例如可以包括環(huán)氧樹脂和/或硅樹脂?？蛇x 地，堆疊體S的其余側(cè)面的一個、二個、三個、四個或五個表面也可以用相同材料覆蓋。在步驟e)中，將底部體積的一部分移除以便在接觸表面CS中接入PDA120的導(dǎo)線 123。該移除可以例如通過刻蝕或者通過切割和拋光來完成。在步驟f)中，在金屬化過程中施加再分配層160?，F(xiàn)在，-可以將探測器模塊倒裝芯片結(jié)合至載體(如當(dāng)前的CT掃描器中)，或者-可以將讀出ASIC170和其它電子部件直接安裝在再分配層160上。模塊的底側(cè) 的另一部分可以用于將該模塊附接至機(jī)械支撐結(jié)構(gòu)180。所描述的技術(shù)給出下面的新穎特性-從閃爍體元件的兩個、三個或四個側(cè)面的光探測。在該實施例中，可以將一個閃 爍體的所有光電二極管的導(dǎo)線短路并且連接至讀出芯片。從多于一個側(cè)面的這樣的光探測 與在所述側(cè)面上具有反射涂層的設(shè)計相比可以增加效率(因為反射從來不是理想的并且 損失光子)。-可以構(gòu)建該模塊而不需要昂貴的陶瓷載體。_可以簡單地實現(xiàn)三個或者更多閃爍體層。-可以將PDA變薄，特別的達(dá)到小于大約0.2mm的厚度。因為在裝配探測器矩陣之 前可以將PDA粘合至閃爍體元件，因此它們不需要自支撐。本發(fā)明的一個重要應(yīng)用是具有能量分辨率的計算機(jī)斷層掃描攝影或者具有能量 分辨率的投影成像。此外，本發(fā)明可以用在能夠從能量分辨X射線光子探測中受益的任意 其他應(yīng)用。最后，本文指出，在本申請中術(shù)語“包括”并不排除其他元件或步驟，“一”或者“一 個”并不排除多個，并且單一處理器或者其他單元可以完成若干裝置的功能。本發(fā)明在于每 個新穎特征以及這些特征的每個結(jié)合。此外，權(quán)利要求中的標(biāo)號不應(yīng)該理解為對其范圍的 限制。
權(quán)利要求
一種輻射探測器(100)，具有a)堆疊體(S)，其包括閃爍體元件(110、110’)和光電二極管陣列(120)，其中，a1)所述光電二極管陣列(120)連同電導(dǎo)線(123)延伸進(jìn)入填充所述閃爍體元件橫向的邊界體積(BV)的剛性體中；并且a2)所述導(dǎo)線(123)終止在所述邊界體積(BV)的接觸表面(CS)中；b)再分配層(160)，其設(shè)置在所述接觸表面(CS)上并且包括電線路，所述電線路與所述光電二極管陣列(120)的所述導(dǎo)線(123)接觸。
2.一種用于生產(chǎn)輻射探測器(100)的方法，包括下列步驟a)堆疊閃爍體元件(110、110’)和光電二極管陣列(120)，使得所述光電二極管陣列連 同電導(dǎo)線(123)延伸進(jìn)入所述閃爍體元件(110、110’ )橫向的邊界體積(BV)中；b)用材料至少部分地填充在所述邊界體積(BV)中的所述光電二極管陣列(120)之間 的空隙；c)將所述邊界體積(BV)的一部分移除以使所述光電二極管陣列(120)的所述導(dǎo)線 (123)在接觸表面(CS)中暴露。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，在步驟c)之后，將具有電線路的再分配層(160) 設(shè)置在所述接觸表面(CS)上，從而使得所述線路與所述光電二極管陣列(120)的所述導(dǎo)線 (123)接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射探測器(100)或者根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征 在于，所述接觸表面(CS)大體垂直于所述光電二極管陣列(120)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射探測器(100)或者根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征 在于，所述光電二極管陣列(120)的厚度小于100 μ m，優(yōu)選小于50 μ m。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射探測器(100)或者根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征 在于，至少一個光電二極管陣列(120)包括多個光電二極管(122)，所述光電二極管(122) 獨立地連接至延伸進(jìn)入所述邊界體積(BV)中的所述導(dǎo)線(123)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射探測器(100)或者根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征 在于，至少一個光電二極管陣列(120)包括光電二極管(122)的二維陣列。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射探測器(100)或者根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征 在于，將至少兩個閃爍體元件(110、110’ )耦合至同一光電二極管陣列(120)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射探測器(100)或者根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征 在于，將至少一個閃爍體元件(110、110’ )粘合至光電二極管陣列(120)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射探測器(100)或者根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征 在于，將至少一個閃爍體元件在兩個、三個或者四個側(cè)面上功能性耦合至光電二極管陣列。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射探測器(100)或者根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征 在于，為所述光電二極管陣列(120)的所述導(dǎo)線(123)提供在所述接觸表面(CS)中的擴(kuò)大 部(131)。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射探測器(100)或者根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征 在于，將支撐格柵(150)設(shè)置在所述邊界體積(BV)中，并且所述光電二極管陣列(120)延 伸通過所述格柵的孔。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射探測器(100)或者根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，將讀出電路(170)連接至所述再分配層(160)。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射探測器(100)或者根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征 在于，將機(jī)械載體(180)連接至所述再分配層(160)和/或閃爍體元件(110、110’)和光電 二極管陣列(120)的所述堆疊體(S)。
15.一種成像設(shè)備，尤其是X射線、CT、PET、SPECT或者核成像設(shè)備，其包括根據(jù)權(quán)利要 求1所述的輻射探測器(100)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種輻射探測器(100)和一種用于生產(chǎn)這樣的探測器的方法，其中所述探測器包括閃爍體元件(110、110’)和光電二極管陣列(PDA)的堆疊體(S)。PDA(120)連同電導(dǎo)線(123)延伸進(jìn)入填充閃爍體元件(110、110’)橫向的邊界體積(BV)的剛性體中，其中所述導(dǎo)線終止在所述邊界體積(BV)的接觸表面(CS)中。此外，再分配層(160)設(shè)置在接觸表面(CS)上，其中再分配層(160)的電線路與PDA的導(dǎo)線接觸。
文檔編號G01T1/24GK101893718SQ20101011354
公開日2010年11月24日 申請日期2010年2月3日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月6日
發(fā)明者C·博伊默, C·赫爾曼, O·米爾亨斯, R·斯特德曼布克 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司