專利名稱：用于檢測裸片背面缺陷的裸片缺陷檢測系統(tǒng)及其使用方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種裸片缺陷檢測系統(tǒng)及其使用方法，尤其涉及一種用于檢測裸片背
面缺陷的裸片缺陷檢測系統(tǒng)及其使用方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體工藝中，往往會因為 一些無法避免的原因而生成細小的微?；蛉毕荩?隨著半導(dǎo)體工藝中元件尺寸的不斷縮小與電路密度的不斷提高，這些極微小的缺陷或微粒 對集成電路品質(zhì)的影響也日趨嚴重，因此為維持產(chǎn)品品質(zhì)的穩(wěn)定，通常在進行各項半導(dǎo)體 工藝的同時，也須針對所生產(chǎn)的半導(dǎo)體元件進行缺陷檢測，以根據(jù)檢測的結(jié)果來分析造成 這些缺陷的根本原因，之后才能進一步借由工藝參數(shù)的調(diào)整來避免或減少缺陷的產(chǎn)生，以 達到提升半導(dǎo)體工藝合格率以及可靠度的目的。 公知技術(shù)中已揭示一種缺陷檢測方法，其包括下列步驟首先，進行取樣，選定一 半導(dǎo)體裸片為樣本來進行后續(xù)缺陷檢測與分析工作，接著進行一缺陷檢測，一般而言，大多 利用適當?shù)娜毕萏綔y機臺以大范圍掃描的方式，來探測該半導(dǎo)體裸片上之所有缺陷，由于 一半導(dǎo)體裸片上的缺陷個數(shù)多半相當大，因此在實務(wù)上不可能一一以人工的方式進行掃描 式電子顯微鏡再檢測，因此為了方便起見，多半會先進行一人工缺陷分類，由所探測到的所 有缺陷中，抽樣取出一些較具有代表性的缺陷類型，再讓工程師以人工的方式對所選出的 樣本來進行缺陷再檢測，以一步對這些缺陷進行缺陷原因分析，以找出抑制或減少這些缺 陷的方法。 于是，本發(fā)明人有感上述缺點的可改善，且依據(jù)多年來從事此方面的相關(guān)經(jīng)驗，悉 心觀察且研究，并配合學(xué)理的運用，而提出一種設(shè)計合理且有效改善上述缺點的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題，在于提供一種用于檢測裸片背面缺陷的裸片缺陷檢 測系統(tǒng)及其使用方法。本發(fā)明通過一裸片缺陷分析模塊根據(jù)所提取到的該裸片的背面圖 像，以判斷該裸片背面的周圍所產(chǎn)生的背崩值(backcrack)是否超過一預(yù)定標準值。若該 裸片背面的周圍所產(chǎn)生的背崩值未超過該預(yù)定標準值，則將該裸片放置在一通過檢測標準 的裸片置放托盤上；若該裸片背面的周圍所產(chǎn)生的背崩值已超過該預(yù)定標準值，則將該裸 片放置在一未通過檢測標準的裸片置放托盤上。 另外，本發(fā)明通過一裸片缺陷分析模塊根據(jù)所提取到的該裸片的背面圖像，以分 別判斷該裸片背面的表面(surface)所產(chǎn)生的污損值(dirty mark)是否超過一預(yù)定標準 值。若該裸片背面的表面所產(chǎn)生的污損值未超過該預(yù)定標準值，則將該裸片放置在一通過 檢測標準的裸片置放托盤上；若該裸片背面的表面所產(chǎn)生的污損值已超過該預(yù)定標準值， 則將該裸片放置在一未通過檢測標準的裸片置放托盤上。 為了解決上述技術(shù)問題，根據(jù)本發(fā)明的其中一種方案，提供一種用于檢測裸片背 面缺陷的裸片缺陷檢測系統(tǒng)的使用方法，其包括下列步驟a :通過一晶片定位模塊以定位一晶片，其中該晶片具有多個裸片；b :通過一裸片吸取模塊以吸取位于該晶片定位模塊上 的其中一個裸片到一裸片圖像提取模塊的上方；c :通過該裸片圖像提取模塊以進行該裸 片的背面圖像(backimage)的提??；d :通過一裸片缺陷分析模塊根據(jù)上述步驟c所提取到 的該裸片的背面圖像，以判斷該裸片背面的周圍所產(chǎn)生的背崩值(back crack)是否超過一 預(yù)定標準值；e :若該裸片背面的周圍所產(chǎn)生的背崩值未超過該預(yù)定標準值，則將該裸片放 置在一通過檢測標準的裸片置放托盤上；若該裸片背面的周圍所產(chǎn)生的背崩值已超過該預(yù) 定標準值，則將該裸片放置在一未通過檢測標準的裸片置放托盤上；以及f :重復(fù)上述步驟 b至步驟e，直到位于該晶片定位模塊上的晶片的每一個裸片全部被置放在該通過檢測標 準的裸片置放托盤上或該未通過檢測標準的裸片置放托盤上。 為了解決上述技術(shù)問題，根據(jù)本發(fā)明的其中一種方案，提供一種用于檢測裸片背 面缺陷的裸片缺陷檢測系統(tǒng)，其包括一晶片定位模塊、一裸片圖像提取模塊、一裸片吸取 模塊、一裸片缺陷分析模塊、一裸片分類模塊、及一控制模塊。該晶片定位模塊用以定位一 晶片，其中該晶片具有多個裸片。該裸片圖像提取模塊設(shè)置于該晶片定位模塊的一側(cè)，以用 于提取每一個裸片的圖像。該裸片吸取模塊設(shè)置于該晶片定位模塊及該裸片圖像提取模塊 的上方，以用于依序吸取位于該晶片定位模塊上的每一個裸片到該裸片圖像提取模塊的上 方來提取每一個裸片的背面圖像。 另外，該裸片缺陷分析模塊電性連接于該裸片圖像提取模塊，以用于根據(jù)所提取 到的每一個裸片的背面圖像來判斷每一個裸片是否通過檢測標準。該裸片分類模塊設(shè)置于 該裸片圖像提取模塊的一側(cè)，以用于將通過檢測標準的裸片及未通過檢測標準的裸片進行 分類。該控制模塊至少電性連接于該晶片定位模塊、該裸片圖像提取模塊及該裸片吸取模 塊，以用于控制該晶片定位模塊進行該晶片的定位、控制該裸片圖像提取模塊針對每一個 裸片進行一次或分段圖像提取、控制該裸片吸取模塊吸取每一個裸片的時機、控制該裸片 吸取模塊在該裸片圖像提取模塊上方的移動模式、及控制該裸片吸取模塊將每一個經(jīng)過檢 測后的裸片放置在該裸片分類模塊上。 本發(fā)明的有益效果在于若該裸片背面的周圍所產(chǎn)生的背崩值已超過該預(yù)定標準 值，則將此超過該預(yù)定標準值的背崩值記錄起來，以作為改進制作過程的參考。此外，若該 裸片背面的表面所產(chǎn)生的污損值已超過該預(yù)定標準值，則將此超過該預(yù)定標準值的污損值 記錄起來，以作為改進制作過程的參考。 為了能更進一步了解本發(fā)明為達成預(yù)定目的所采取的技術(shù)、手段及功效，請參閱 以下有關(guān)本發(fā)明的詳細說明與附圖，相信本發(fā)明的目的、特征與特點，當可由此得一深入且
具體的了解，然而所附附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。


圖1為本發(fā)明用于檢測裸片背面缺陷的裸片缺陷檢測系統(tǒng)的功能方框圖； 圖2為本發(fā)明用于檢測裸片背面缺陷的裸片缺陷檢測系統(tǒng)針對每一個裸片進行
分段圖像提取的示意圖； 圖3為本發(fā)明用于檢測裸片背面缺陷的裸片缺陷檢測系統(tǒng)的使用方法的流程圖；
圖4-1及圖4-2為本發(fā)明用于檢測裸片背面缺陷的裸片缺陷檢測系統(tǒng)的使用方法 的步驟S106更進一步的局部流程6
圖5為本發(fā)明裸片的背面圖像的示意圖；
圖5A為本發(fā)明圖5的A部分的放大示意圖
圖5B為本發(fā)明圖5的B部分的放大示意圖
圖5C為本發(fā)明圖5的C部分的放大示意圖
圖5D為本發(fā)明圖5的D部分的放大示意圖；以及 圖6為本發(fā)明用于檢測裸片背面缺陷的裸片缺陷檢測系統(tǒng)的使用方法的步驟 S112更進一步的局部流程圖。
中，附圖標記說明如下 裸片缺陷檢測系統(tǒng) 晶片定位模塊


















S
1
2
3
4
5
6
W C
曰t±" 裸片
裸片圖像提取模塊 裸片吸取模塊 裸片缺陷分析模塊 裸片分類模塊
控制模塊 上長邊
BL 下長邊
LS 左短邊
RS 右短邊
I 背面圖像 P1、P2、P3、P4點
50A 50B
51
52
53
54
裸片置放托盤 裸片置放托盤
上長邊基準線
容許距離
下長邊基準線
容許距離
左短邊基準線
容許距離
右短邊基準線
容許距離
具體實施例方式
請參閱圖1所示，其為本發(fā)明用于檢測裸片背面缺陷的裸片缺陷檢測系統(tǒng)的功能 方框圖。由上述圖中可知，本發(fā)明提供一種用于檢測裸片背面缺陷的裸片缺陷檢測系統(tǒng)S， 其至少包括一晶片定位模塊1、一裸片圖像提取模塊2、一裸片吸取模塊3、一裸片缺陷分 析模塊4、一裸片分類模塊5及一控制模塊6。 其中，該晶片定位模塊1用以定位一晶片W，其中該晶片W具有多個裸片C。該裸 片圖像提取模塊2設(shè)置于該晶片定位模塊1的一側(cè)，以用于提取每一個裸片C的圖像。此 外，該裸片吸取模塊2可為一真空吸取裝置。 另外，該裸片吸取模塊3設(shè)置于該晶片定位模塊1、該裸片圖像提取模塊2及該裸 片分類模塊5的上方，以用于依序吸取位于該晶片定位模塊1上的每一個裸片C到該裸片 圖像提取模塊2的上方來提取每一個裸片C的背面圖像。
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此外，該裸片缺陷分析模塊4電性連接于該裸片圖像提取模塊2，以用于根據(jù)所提 取到的每一個裸片C的背面圖像來判斷每一個裸片C是否通過檢測標準。例如判斷每一 個裸片C是否通過背崩檢測標準或污損檢測標準。 另外，該裸片分類模塊5設(shè)置于該裸片圖像提取模塊2的一側(cè)，以用于將通過檢測 標準的裸片C及未通過檢測標準的裸片C進行分類。其中，該裸片分類模塊5具有至少兩 種裸片置放托盤50A、50B，以分別收容每一個通過檢測標準的裸片C及每一個未通過檢測 標準的裸片C。 另外，該控制模塊6至少電性連接于該晶片定位模塊1、該裸片圖像提取模塊2及 該裸片吸取模塊3，以用于控制該晶片定位模塊1進行該晶片W的定位、控制該裸片圖像提 取模塊2針對每一個裸片C進行一次或分段圖像提取、控制該裸片吸取模塊3吸取每一個 裸片C的時機、控制該裸片吸取模塊3在該裸片圖像提取模塊2上方的移動模式、及控制該 裸片吸取模塊3將每一個經(jīng)過檢測后的裸片C放置在該裸片分類模塊5上。
另外，關(guān)于"該裸片圖像提取模塊2針對每一個裸片C進行一次或分段圖像提取" 的技術(shù)，如果該裸片圖像提取模塊2可以一次就將每一個裸片C的背面圖像完全提取，則進 行"一次圖像提取";如果該裸片圖像提取模塊2無法一次就將每一個裸片C的背面圖像完 全提取，則進行"分段圖像提取"。請參閱圖2所示，該裸片吸取模塊3分成三段在移動，以 利該裸片圖像提取模塊2針對每一個裸片C進行"分段圖像提取"的動作。
請參閱圖3所示，其為本發(fā)明用于檢測裸片背面缺陷的裸片缺陷檢測系統(tǒng)的使用 方法的流程圖。由上述圖中可知，本發(fā)明提供一種用于檢測裸片背面缺陷的裸片缺陷檢測 系統(tǒng)的使用方法，其包括下列步驟 步驟S100為通過一晶片定位模塊l以定位一晶片W，其中該晶片W具有多個裸 片C。 步驟S102為通過一裸片吸取模塊3以吸取位于該晶片定位模塊l上的其中一個 裸片C到一裸片圖像提取模塊2的上方。 步驟S104為通過該裸片圖像提取模塊2以進行該裸片C的背面圖像(back image)的提取。其中，該裸片圖像提取模塊2提取該裸片C的背面圖像的方式為一次圖像 提取或分段圖像提取。 步驟S106為通過一裸片缺陷分析模塊4根據(jù)上述步驟S104所提取到的該裸片 C的背面圖像，以判斷該裸片C背面的周圍所產(chǎn)生的背崩值(backcrack)是否超過一預(yù)定標 準值。 步驟S108為若該裸片C背面的周圍所產(chǎn)生的背崩值未超過該預(yù)定標準值，則將 該裸片C放置在一通過檢測標準的裸片置放托盤50A上。 步驟S110為若該裸片C背面的周圍所產(chǎn)生的背崩值已超過該預(yù)定標準值，則將 該裸片C放置在一未通過檢測標準的裸片置放托盤50B上。 步驟S112為通過一裸片缺陷分析模塊4根據(jù)上述步驟S104所提取到的該裸片 C的背面圖像，以分別判斷該裸片C背面的表面(surface)所產(chǎn)生的污損值(dirty mark) 是否超過一預(yù)定標準值。 因此，若該裸片C背面的表面所產(chǎn)生的污損值未超過該預(yù)定標準值，則進行步驟 S108 (將該裸片C放置在一通過檢測標準的裸片置放托盤50A上)；另外，若該裸片C背面
8的表面所產(chǎn)生的污損值已超過該預(yù)定標準值，則進行步驟SI 10 (將該裸片C放置在一未通 過檢測標準的裸片置放托盤50B上)。 步驟S114為若該裸片C背面的周圍所產(chǎn)生的背崩值已超過該預(yù)定標準值，則將
此超過該預(yù)定標準值的背崩值記錄起來，以作為改進制作過程的參考。 步驟S116為若該裸片C背面的表面所產(chǎn)生的污損值已超過該預(yù)定標準值，則將
此超過該預(yù)定標準值的污損值記錄起來，以作為改進制作過程的參考。 最后，重復(fù)上述步驟S102至步驟S116，直到位于該晶片定位模塊1上的晶片W的
每一個裸片C全部被置放在該通過檢測標準的裸片置放托盤50A上或該未通過檢測標準的
裸片置放托盤50B上。 請參閱圖4-l、圖4-2及圖5所示，其中圖4-1及圖4_2為本發(fā)明用于檢測裸片背 面缺陷的裸片缺陷檢測系統(tǒng)的使用方法的步驟S106更進一步的局部流程圖；圖5為本發(fā)明 裸片的背面圖像的示意圖。 由圖5可知，一裸片C的背面圖像I的周圍由一上長邊TL、一下長邊BL、一左短邊 LS及一右短邊RS所組成。 由圖4-1及圖4-2可知，上述判斷該裸片背面的周圍所產(chǎn)生的背崩值是否超過一 預(yù)定標準值的步驟(即步驟S106所示)更進一步包括 步驟S1061為進行長邊粗定位，通過兩個點P1、P2以找出該背面圖像I的上長邊 TL的大約位置，并且通過另外兩個點P3、P4以找出該背面圖像I的下長邊BL的大約位置。
步驟S1062為進行長邊細定位，通過該背面圖像I的圖像顏色變化量以找出位于 該背面圖像I的上長邊TL上的每一個點及位于該背面圖像I的下長邊BL上的每一個點。
步驟S1063為針對該上長邊TL設(shè)定一上長邊基準線Sl并設(shè)定一超過該上長邊 基準線Sl的容許距離Ll以作為一上長邊背崩容許值。 步驟S1064為判斷該上長邊TL的每一個點的位置是否超過該上長邊背崩容許 值；如果不是，則斷定此點的背崩未超過該預(yù)定標準值；如果是，則斷定此點的背崩已超過 該預(yù)定標準值。 例如由圖5A可知，該上長邊TL有兩個點a、 b已超過該上長邊基準線Sl的容許 距離Ll (已超過該上長邊背崩容許值)，因此斷定此點的背崩已超過該預(yù)定標準值。
步驟S1065為針對該下長邊BL設(shè)定一下長邊基準線S2并設(shè)定一超過該下長邊 基準線S2的容許距離L2以作為一下長邊背崩容許值。 步驟S1066為判斷該下長邊BL的每一個點的位置是否超過該下長邊背崩容許 值；如果不是，則斷定此點的背崩未超過該預(yù)定標準值；如果是，則斷定此點的背崩已超過 該預(yù)定標準值。 例如由圖5B可知，該下長邊BL有兩個點c、 d已超過該下長邊基準線S2的容許 距離L2 (已超過該下長邊背崩容許值)，因此斷定此點的背崩已超過該預(yù)定標準值。
步驟S1067為通過該上長邊TL及該下長邊BL的位置以找出位于該背面圖像I 的左短邊LS上的每一個點及位于該背面圖像I的右短邊RS上的每一個點。
步驟S1068為針對該左短邊LS設(shè)定一左短邊基準線S3并設(shè)定一超過該左短邊 基準線S3的容許距離L3以作為一左短邊背崩容許值。 步驟S1069為判斷該左短邊LS的每一個點的位置是否超過該左短邊背崩容許
9值；如果不是，則斷定此點的背崩未超過該預(yù)定標準值；如果是，則斷定此點的背崩已超過 該預(yù)定標準值。 例如由圖5C可知，該左短邊LS有兩個點e、 f已超過該左短邊基準線S3的容許 距離L3 (已超過該左短邊背崩容許值)，因此斷定此點的背崩已超過該預(yù)定標準值。
步驟S1070為針對該右短邊RS設(shè)定一右短邊基準線S4并設(shè)定一超過該右短邊 基準線S4的容許距離L4以作為一右短邊背崩容許值。 步驟S1071為判斷該右短邊RS的每一個點的位置是否超過該右短邊背崩容許 值；如果不是，則斷定此點的背崩未超過該預(yù)定標準值；如果是，則斷定此點的背崩已超過 該預(yù)定標準值。 例如由圖5D可知，該右短邊RS有兩個點g、 h已超過該右短邊基準線S4的容許 距離L4 (已超過該右短邊背崩容許值)，因此斷定此點的背崩已超過該預(yù)定標準值。
請參閱圖6所示，其為本發(fā)明用于檢測裸片背面缺陷的裸片缺陷檢測系統(tǒng)的使用 方法的步驟S112更進一步的局部流程圖。由上述圖中可知，上述判斷該裸片背面的表面所 產(chǎn)生的污損值是否超過一預(yù)定標準值的步驟(即步驟S112所示)更進一步包括
步驟S1120為設(shè)定一污損面積容許值。
步驟S1121為通過該背面圖像I的圖像顏色變化量，以找出污損的位置。
步驟S1122為判斷污損的實際面積是否大于該污損面積容許值；如果不是，則斷
定該污損未超過該預(yù)定標準值；如果是，則斷定該污損已超過該預(yù)定標準值。 以上所述，僅為本發(fā)明最佳之一的具體實施例的詳細說明與附圖，而本發(fā)明的特
征并不局限于此，并非用以限制本發(fā)明，本發(fā)明的所有范圍應(yīng)以所述的權(quán)利要求書的范圍
為準，凡合于本發(fā)明專利保護范圍的精神與其類似變化的實施例，均應(yīng)包含于本發(fā)明的范
疇中，任何本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在本發(fā)明的領(lǐng)域內(nèi)，可輕易思及的變化或修飾均可涵蓋在
本發(fā)明的權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。
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權(quán)利要求
一種用于檢測裸片背面缺陷的裸片缺陷檢測系統(tǒng)的使用方法，其特征在于，包括下列步驟(a)通過一晶片定位模塊以定位一晶片，其中該晶片具有多個裸片；(b)通過一裸片吸取模塊以吸取位于該晶片定位模塊上的其中一個裸片到一裸片圖像提取模塊的上方；(c)通過該裸片圖像提取模塊以進行該裸片的背面圖像的提??；(d)通過一裸片缺陷分析模塊根據(jù)上述步驟(c)所提取到的該裸片的背面圖像，以判斷該裸片背面的周圍所產(chǎn)生的背崩值是否超過一預(yù)定標準值；(e)若該裸片背面的周圍所產(chǎn)生的背崩值未超過該預(yù)定標準值，則將該裸片放置在一通過檢測標準的裸片置放托盤上；若該裸片背面的周圍所產(chǎn)生的背崩值已超過該預(yù)定標準值，則將該裸片放置在一未通過檢測標準的裸片置放托盤上；以及(f)重復(fù)上述步驟(b)至步驟(e)，直到位于該晶片定位模塊上的晶片的每一個裸片全部被置放在該通過檢測標準的裸片置放托盤上或該未通過檢測標準的裸片置放托盤上。
2. 如權(quán)利要求1所述的用于檢測裸片背面缺陷的裸片缺陷檢測系統(tǒng)的使用方法，其特 征在于若該裸片背面的周圍所產(chǎn)生的背崩值已超過該預(yù)定標準值，則將此超過該預(yù)定標 準值的背崩值記錄起來，以作為改進制作過程的參考。
3. 如權(quán)利要求1所述的用于檢測裸片背面缺陷的裸片缺陷檢測系統(tǒng)的使用方法，其特 征在于該背面圖像的周圍由一上長邊、一下長邊、一左短邊及一右短邊所組成，并且上述 判斷該裸片背面的周圍所產(chǎn)生的背崩值是否超過一預(yù)定標準值的步驟更進一步包括進行長邊粗定位，通過兩個點以找出該背面圖像的上長邊的大約位置，并且通過另外 兩個點以找出該背面圖像的下長邊的大約位置；進行長邊細定位，通過該背面圖像的圖像顏色變化量以找出位于該背面圖像的上長邊 上的每一個點及位于該背面圖像的下長邊上的每一個點；針對該上長邊設(shè)定一上長邊基準線并設(shè)定一超過該上長邊基準線的容許距離以作為 一上長邊背崩容許值；判斷該上長邊的每一個點的位置是否超過該上長邊背崩容許值；如果不是，則斷定此 點的背崩未超過該預(yù)定標準值；如果是，則斷定此點的背崩已超過該預(yù)定標準值；針對該下長邊設(shè)定一下長邊基準線并設(shè)定一超過該下長邊基準線的容許距離以作為 一下長邊背崩容許值；判斷該下長邊的每一個點的位置是否超過該下長邊背崩容許值；如果不是，則斷定此 點的背崩未超過該預(yù)定標準值；如果是，則斷定此點的背崩已超過該預(yù)定標準值；通過該上長邊及該下長邊的位置以找出位于該背面圖像的左短邊上的每一個點及位 于該背面圖像的右短邊上的每一個點；針對該左短邊設(shè)定一左短邊基準線并設(shè)定一超過該左短邊基準線的容許距離以作為 一左短邊背崩容許值；判斷該左短邊的每一個點的位置是否超過該左短邊背崩容許值；如果不是，則斷定此 點的背崩未超過該預(yù)定標準值；如果是，則斷定此點的背崩已超過該預(yù)定標準值；針對該右短邊設(shè)定一右短邊基準線并設(shè)定一超過該右短邊基準線的容許距離以作為 一右短邊背崩容許值；以及判斷該右短邊的每一個點的位置是否超過該右短邊背崩容許值；如果不是，則斷定此 點的背崩未超過該預(yù)定標準值；如果是，則斷定此點的背崩已超過該預(yù)定標準值。
4. 如權(quán)利要求1所述的用于檢測裸片背面缺陷的裸片缺陷檢測系統(tǒng)的使用方法，其特 征在于該裸片圖像提取模塊提取該裸片的背面圖像的方式為一次圖像提取或分段圖像提 取。
5. 如權(quán)利要求1所述的用于檢測裸片背面缺陷的裸片缺陷檢測系統(tǒng)的使用方法，其特 征在于，上述步驟(d)更進一步包括通過一裸片缺陷分析模塊根據(jù)上述步驟(C)所提取到 的該裸片的背面圖像，以分別判斷該裸片背面的表面所產(chǎn)生的污損值是否超過一預(yù)定標準 值。
6. 如權(quán)利要求5所述的用于檢測裸片背面缺陷的裸片缺陷檢測系統(tǒng)的使用方法，其 特征在于，上述步驟(e)更進一步包括若該裸片背面的表面所產(chǎn)生的污損值未超過該預(yù) 定標準值，則將該裸片放置在一通過檢測標準的裸片置放托盤上；若該裸片背面的表面所 產(chǎn)生的污損值已超過該預(yù)定標準值，則將該裸片放置在一未通過檢測標準的裸片置放托盤 上。
7. 如權(quán)利要求6所述的用于檢測裸片背面缺陷的裸片缺陷檢測系統(tǒng)的使用方法，其特 征在于若該裸片背面的表面所產(chǎn)生的污損值已超過該預(yù)定標準值，則將此超過該預(yù)定標 準值的污損值記錄起來，以作為改進制作過程的參考。
8. 如權(quán)利要求5所述的用于檢測裸片背面缺陷的裸片缺陷檢測系統(tǒng)的使用方法，其特 征在于，上述判斷該裸片背面的表面所產(chǎn)生的污損值是否超過一預(yù)定標準值的步驟更進一 步包括設(shè)定一污損面積容許值；通過該背面圖像的圖像顏色變化量，以找出污損的位置；以及判斷污損的實際面積是否大于該污損面積容許值；如果不是，則斷定該污損未超過該 預(yù)定標準值；如果是，則斷定該污損已超過該預(yù)定標準值。
9. 如權(quán)利要求1所述的用于檢測裸片背面缺陷的裸片缺陷檢測系統(tǒng)的使用方法，其特 征在于該裸片圖像提取模塊設(shè)置于該晶片定位模塊的一側(cè)，該裸片吸取模塊設(shè)置于該晶 片定位模塊及該裸片圖像提取模塊的上方，并且該裸片缺陷分析模塊電性連接于該裸片圖 像提取模塊。
10. 如權(quán)利要求1所述的用于檢測裸片背面缺陷的裸片缺陷檢測系統(tǒng)的使用方法，其 特征在于該裸片吸取模塊為一真空吸取裝置。
11. 一種用于檢測裸片背面缺陷的裸片缺陷檢測系統(tǒng)，其特征在于，包括 一晶片定位模塊，其用以定位一晶片，其中該晶片具有多個裸片；一裸片圖像提取模塊，其設(shè)置于該晶片定位模塊的一側(cè)，以用于提取每一個裸片的圖像；一裸片吸取模塊，其設(shè)置于該晶片定位模塊及該裸片圖像提取模塊的上方，以用于依 序吸取位于該晶片定位模塊上的每一個裸片到該裸片圖像提取模塊的上方來提取每一個 裸片的背面圖像；一裸片缺陷分析模塊，其電性連接于該裸片圖像提取模塊，以用于根據(jù)所提取到的每 一個裸片的背面圖像來判斷每一個裸片是否通過檢測標準；一裸片分類模塊，其設(shè)置于該裸片圖像提取模塊的一側(cè)，以用于將通過檢測標準的裸 片及未通過檢測標準的裸片進行分類；以及一控制模塊，其至少電性連接于該晶片定位模塊、該裸片圖像提取模塊及該裸片吸取 模塊，以用于控制該晶片定位模塊進行該晶片的定位、控制該裸片圖像提取模塊針對每一 個裸片進行一次或分段圖像提取、控制該裸片吸取模塊吸取每一個裸片的時機、控制該裸 片吸取模塊在該裸片圖像提取模塊上方的移動模式、及控制該裸片吸取模塊將每一個經(jīng)過 檢測后的裸片放置在該裸片分類模塊上。
12. 如權(quán)利要求11所述的用于檢測裸片背面缺陷的裸片缺陷檢測系統(tǒng)，其特征在于 該裸片吸取模塊為一真空吸取裝置。
13. 如權(quán)利要求11所述的用于檢測裸片背面缺陷的裸片缺陷檢測系統(tǒng)，其特征在于 該裸片分類模塊具有至少兩種裸片置放托盤，以分別收容每一個通過檢測標準的裸片及每 一個未通過檢測標準的裸片。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用于檢測裸片背面缺陷的裸片缺陷檢測系統(tǒng)及其使用方法，其中該系統(tǒng)包括一晶片定位模塊、一裸片圖像提取模塊、一裸片吸取模塊、一裸片缺陷分析模塊、一裸片分類模塊及一控制模塊。裸片圖像提取模塊設(shè)置于晶片定位模塊的一側(cè)，以用于提取每一個裸片的圖像。裸片吸取模塊設(shè)置于晶片定位模塊及裸片圖像提取模塊的上方，以用于依序吸取位于晶片定位模塊上的每一個裸片到裸片圖像提取模塊的上方來提取每一個裸片的背面圖像。裸片缺陷分析模塊電性連接于裸片圖像提取模塊，以用于根據(jù)所提取到的每一個裸片的背面圖像來判斷每一個裸片是否通過檢測標準。本發(fā)明可作為改進制作過程的參考。
文檔編號G01N21/956GK101788503SQ20091000277
公開日2010年7月28日 申請日期2009年1月22日 優(yōu)先權(quán)日2009年1月22日
發(fā)明者汪秉龍, 陳信呈, 陳桂標, 黃劍麒 申請人:久元電子股份有限公司