專利名稱：一種n阱電阻類器件電壓依存系數(shù)的提取方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件特性的評(píng)價(jià)方法，尤其是N阱電阻類器件的Bias系數(shù)(電壓依存系數(shù))的提取方法。
背景技術(shù)：
通常，在對(duì)于電阻類器件描述時(shí)，會(huì)有電壓Bias系數(shù)的定義，表征不同偏壓情況下器件的電阻變化。而且，為了方便設(shè)計(jì)者應(yīng)用，所提供的系數(shù)應(yīng)該具有統(tǒng)一的代表性。但是對(duì)于注入濃度較低的器件，如NWR器件(N type well resistor，N阱電阻)，對(duì)其不同寬度的器件所提取的Bias系數(shù)很不一致，所以很難用一個(gè)單一的值來歸納或表征器件的特性。尤其在寬度較小的時(shí)候，這種現(xiàn)象更為嚴(yán)重。而通常的處理方法只能是，規(guī)定設(shè)計(jì)者使用一定寬度以上的器件來減少寬度對(duì)于器件的影響，以便于保證仿真器件在不同Bias電壓情況下的電阻值。因此，目前公知的Bias系數(shù)表征方法使器件在使用上受到了一定的限制，不利于進(jìn)行精確的仿真和計(jì)算。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種N阱電阻類器件電壓依存系數(shù)的提取方法，它可以提高仿真精度，方便設(shè)計(jì)人員選擇。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明N阱電阻類器件電壓依存系數(shù)的提取方法是逐個(gè)提取不同寬度NWR器件的Bias系數(shù)；對(duì)提取的數(shù)據(jù)，相應(yīng)于寬度的變化，用指數(shù)模型來進(jìn)行擬和；用上述的模型系數(shù)來表征器件電壓依存系數(shù)同器件寬度之間的關(guān)系，從而達(dá)到用精確的模型系數(shù)表描述和表征器件特性的目的。
本發(fā)明的有益效果是，提高了低注入濃度電阻類器件BIAS系數(shù)提取的精度，并用模型系數(shù)來表征，從而方便了設(shè)計(jì)人員的選擇，達(dá)到了精確仿真、計(jì)算的目的。


圖1是流程圖，描述了本發(fā)明的方法步驟；圖2是NWR器件的模型系數(shù)，表征了器件電壓依存系數(shù)同器件寬度之間的關(guān)系。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
圖1是本發(fā)明的流程，包括以下步驟步驟101，逐個(gè)提取不同寬度的NWR器件的Bias系數(shù)，其方法依據(jù)以下數(shù)學(xué)公式R(V)＝R0*[1+VC1*|dV|+VC2*|dV|2]Valid range0~VDD式中Bias系數(shù)VC1和VC2的單位分別是(V-1)和(V-2)；上面公式用的是2階系數(shù)擬和，一般使用一階。
步驟102，對(duì)于步驟101得到的數(shù)據(jù)，相應(yīng)于寬度的變化，用指數(shù)模型來進(jìn)行擬和；步驟103，用上述的模型系數(shù)表來表征器件電壓依存系數(shù)同器件寬度之間的關(guān)系，其方法依據(jù)以下數(shù)學(xué)公式Coeff.＝A1*W-A2式中A1，A2是與器件相關(guān)的常數(shù)，W表示器件的寬度。
圖2為通過本發(fā)明得出的NWR器件的Bias模型系數(shù)，精確地表征了NWR器件在不同寬度時(shí)的電壓依存系數(shù)。
權(quán)利要求
1.一種N阱電阻類器件電壓依存系數(shù)的提取方法，其特征在于，采取以下步驟逐個(gè)提取不同寬度的N阱電阻類器件的電壓依存系數(shù)；對(duì)提取的電壓依存系數(shù)，相應(yīng)于器件寬度的變化，用指數(shù)模型進(jìn)行擬和；用上述的模型系數(shù)來表征器件電壓依存系數(shù)同器件寬度之間的關(guān)系。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的N阱電阻類器件電壓依存系數(shù)的提取方法，其特征在于所述的提取電壓依存系數(shù)的方法依據(jù)以下數(shù)學(xué)公式R(V)＝R0*[1+VC1*|dV |+VC2*|dV|2]Valid range0~VDD式中電壓依存系數(shù)VC1和VC2的單位分別是(V-1)和(V-2)
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的N阱電阻類器件電壓依存系數(shù)的提取方法，其特征在于所述的提取電壓依存系數(shù)方法的數(shù)學(xué)公式采用了2階系數(shù)擬和。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的N阱電阻類器件電壓依存系數(shù)的提取方法，其特征在于所述的模型系數(shù)來表征器件電壓依存系數(shù)同器件寬度之間的關(guān)系，依據(jù)以下數(shù)學(xué)公式Coeff.＝A1*W-A2式中A1，A2是與器件相關(guān)的常數(shù)，W表示器件的寬度。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件特性的評(píng)價(jià)方法，尤其是NWR器件(N阱電阻)的Bias系數(shù)(電壓依存系數(shù))的提取方法。通常，Bias系數(shù)用來表征在不同依存電壓前提下器件的電阻變化。但是，對(duì)于寬度較小的NWR器件來說，提取系數(shù)十分困難，沒有一個(gè)單一的值來歸納。本發(fā)明通過逐個(gè)提取不同寬度的NWR器件的Bias系數(shù)、將所得的系數(shù)對(duì)應(yīng)于寬度的變化，用指數(shù)模型來進(jìn)行擬和、并用模型系數(shù)來表征器件電壓依存系數(shù)同器件寬度之間的關(guān)系，從而方便了設(shè)計(jì)人員的選擇，達(dá)到了精確仿真、計(jì)算的目的。
文檔編號(hào)G01R31/00GK1888926SQ20051002726
公開日2007年1月3日 申請(qǐng)日期2005年6月29日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月29日
發(fā)明者胡曉明 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司