專利名稱：大型基材測(cè)試系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施例主要涉及大型基材的制程系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管(TFT)常用于現(xiàn)行的數(shù)組顯示器，諸如計(jì)算機(jī)與電視的屏幕、手機(jī)面板、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、與其它數(shù)量增加中的裝置。平面基材大致包含具有一層液晶材料夾于其間的兩玻璃板。玻璃板的至少一塊包含置于其上的傳導(dǎo)性薄膜，該薄膜并耦接至功率電源。自功率電源供應(yīng)至傳導(dǎo)性薄膜的電力功率可改變結(jié)晶材料的定向，以建立顯示圖案顯示。
由于隨著平面基材技術(shù)受到市場(chǎng)認(rèn)同、對(duì)較大型顯示器的需求、增加中的提高產(chǎn)量與較低的制造成本，因而驅(qū)動(dòng)使設(shè)備制造業(yè)需建立可容納較大尺寸玻璃基材的新系統(tǒng)，以提供于平面基材顯示器業(yè)者使用?，F(xiàn)有的玻璃處理設(shè)備大致用來容納到達(dá)約一平方米的基材。展望不久的未來，制程設(shè)備將用來容納尺寸到達(dá)與超過一又二分之一平方米的基材。此類大型基材代表平面顯示器業(yè)者將投入大量的投資。為了監(jiān)控與校正制程期間的缺陷，平面顯示器業(yè)者越來越多轉(zhuǎn)而朝向在制造期間的裝置測(cè)試。此類裝置之一為由AKT公司所制造的PUMATM電子束測(cè)試器，該類裝置使得平面顯示器業(yè)者可測(cè)試平面基材上已形成的裝置，而AKT公司為美國(guó)加州圣克拉拉的應(yīng)用材料公司的一個(gè)分公司。
電子束測(cè)試器用以測(cè)試薄膜晶體管數(shù)組。電子束測(cè)試提供數(shù)種測(cè)試方法。其可用以感測(cè)對(duì)遍及像素所施予的電壓而反應(yīng)變化的像素電壓，其中電壓可通過提供電流以充電像素的光束加以驅(qū)動(dòng)。應(yīng)答電流的像素可加以監(jiān)控以提供缺陷訊息。
在測(cè)試期間，每一像素必須位于電子束之下。此可通過設(shè)置平面基材于位于電子束下方的X/Y平面臺(tái)上而達(dá)成。當(dāng)X/Y平面臺(tái)接續(xù)地橫向移動(dòng)至每一像素位于電子束下方的位置時(shí)，X/Y平面臺(tái)周圍必須具有一個(gè)區(qū)域，以提供此移動(dòng)所需空間。
然而，對(duì)于為了容納較大平面基材而增加尺寸的測(cè)試設(shè)備，現(xiàn)有設(shè)備單純比例的設(shè)計(jì)為產(chǎn)生不利的大設(shè)備面積(footprint)。相同地，每一處理單元產(chǎn)量越大設(shè)備面積導(dǎo)致設(shè)備所有者更高的所有權(quán)成本。此外，較大尺寸的設(shè)備也增加運(yùn)送成本，而在某些情況中，此類設(shè)備的運(yùn)送方法與地點(diǎn)也被限制。
因此，亟需一種用于平面顯示器的小型測(cè)試系統(tǒng)。

發(fā)明內(nèi)容
在本發(fā)明的一個(gè)方面，大致提供用于測(cè)試基材的系統(tǒng)。在一個(gè)實(shí)施例中，一種用于測(cè)試基材的系統(tǒng)包含傳送處理室，該傳送處理室具有與其耦接的負(fù)載阻絕處理室與測(cè)試站。測(cè)試站至少部分堆棧于負(fù)載阻絕處理室上。一機(jī)器人手臂設(shè)于傳送處理室內(nèi)，并用以傳送基材至負(fù)載阻絕處理室與測(cè)試站間。
另一實(shí)施例中，一種用于測(cè)試基材的系統(tǒng)包含一個(gè)測(cè)試站，該測(cè)試站具有設(shè)于其內(nèi)的定位臺(tái)與數(shù)個(gè)測(cè)試機(jī)械裝置。定位臺(tái)用以使基材于預(yù)定運(yùn)動(dòng)平面范圍內(nèi)加以移動(dòng)。數(shù)個(gè)測(cè)試機(jī)械裝置通過定位臺(tái)，選擇性地與實(shí)質(zhì)位于其下的基材個(gè)別區(qū)域相互作用。
另一實(shí)施例中，一種用于測(cè)試基材的系統(tǒng)包含一個(gè)測(cè)試站，該測(cè)試站具有設(shè)于其內(nèi)的定位臺(tái)與至少一個(gè)測(cè)試機(jī)械裝置。定位臺(tái)使基材在旋轉(zhuǎn)平面與X/Y平面上加以移動(dòng)。至少一個(gè)測(cè)試機(jī)械裝置通過定位臺(tái)，選擇性地與實(shí)質(zhì)位于其下的基材個(gè)別區(qū)域相互作用。
在另一個(gè)方面，提供一種用于測(cè)試基材的方法。在一個(gè)實(shí)施例中，一種用于測(cè)試基材的方法包含自負(fù)載阻絕處理室傳送基材至傳送處理室、改變傳送處理室內(nèi)的基材舉升高度、自傳送處理室傳送基材至測(cè)試站、及測(cè)試基材。
在另一實(shí)施例中，一種用于測(cè)試基材的方法包含移動(dòng)測(cè)試站內(nèi)的基材的第一部分至電子束產(chǎn)生器的下方、旋轉(zhuǎn)基材、移動(dòng)基材的第二部分至電子束產(chǎn)生器的下方、及接續(xù)地測(cè)試基材行經(jīng)電子束產(chǎn)生器下方的部分。


本發(fā)明更特定的描述、上述簡(jiǎn)要的總結(jié)可參考其實(shí)施例及其后附圖更深一步了解。然而，值得注意的是附圖僅說明本發(fā)明典型的實(shí)施例，并非用于限制本發(fā)明保護(hù)范圍，因此本發(fā)明可包含其它相同有效的實(shí)施例。
圖1為測(cè)試系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)施例的截面圖；
圖2為負(fù)載阻絕處理室一個(gè)實(shí)施例的截面圖；圖3為圖2的負(fù)載阻絕處理室的基材支撐箍的一個(gè)實(shí)施例的放大示意圖；圖4為測(cè)試站的一個(gè)實(shí)施例的側(cè)視圖；圖5為定位臺(tái)的一個(gè)實(shí)施例的放大圖；圖6為圖5定位臺(tái)的載具的一個(gè)實(shí)施例的截面圖；圖7為測(cè)試臺(tái)的另一實(shí)施例的平面圖；圖8為測(cè)試臺(tái)的另一實(shí)施例的平面圖；圖9為轉(zhuǎn)盤的一個(gè)實(shí)施例的截面圖；圖10為測(cè)試臺(tái)的另一實(shí)施例的平面圖；圖11為本發(fā)明的測(cè)試?yán)谐绦虻囊粋€(gè)實(shí)施例的流程圖；圖12為測(cè)試站的另一實(shí)施例的平面圖；圖13為測(cè)試站的另一實(shí)施例的側(cè)視圖；圖14為具有測(cè)試站的一個(gè)叢集工具的一個(gè)實(shí)施例的平面圖。
為了便于了解，相同的參考數(shù)字代表各圖中公用的相同組件。
附圖中的符號(hào)說明100測(cè)試系統(tǒng) 102測(cè)試臺(tái)104負(fù)載阻絕處理室 106傳送處理室108抽泵裝置 110端口112機(jī)器人手臂 114末端受動(dòng)器116連接器 118軸120機(jī)器人手臂主體 130基材140視察系統(tǒng) 142照相機(jī)144透鏡 146機(jī)器人手臂202處理室主體 204第一密封埠206第二密封埠 208側(cè)墻210側(cè)墻 212狹縫閥214抽泵系統(tǒng) 216抽泵端口218排氣孔 220流體控制閥222基材支撐箍 224第一支撐盤
226第二支撐盤228一對(duì)支柱230軸232風(fēng)箱236閥238溝槽240上部表面 402測(cè)試機(jī)械裝置404定位臺(tái)406控制器408中央處理單元(CPU) 410支持電路412內(nèi)存 418骨架構(gòu)造420座臺(tái) 422第一驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)424載具 426第二驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)502一對(duì)線性軌道 504第一側(cè)邊506導(dǎo)引 508線性啟動(dòng)器510一對(duì)線性軌道 512第二側(cè)邊514導(dǎo)引 516第一側(cè)邊518線性啟動(dòng)器520第二側(cè)邊522溝槽 602探測(cè)器604a側(cè)邊 604b側(cè)邊604c側(cè)邊 606窗口608啟動(dòng)器610面612接觸墊700測(cè)試站702電子束產(chǎn)生器 800測(cè)試站802旋轉(zhuǎn)裝置 902基盤904頂盤 906啟動(dòng)器908軸承 910第一齒輪910912第二齒輪 914馬達(dá)1000測(cè)試站 1100塊狀圖1200測(cè)試系統(tǒng) 1202測(cè)試站1204修復(fù)站 1206傳送處理室1208一機(jī)器人手臂 1300測(cè)試系統(tǒng)1302測(cè)試站 1304傳送處理室1306負(fù)載阻隔處理室 1400測(cè)試站
1410叢集工具 1412工作界面1414中央傳送處理室 1416負(fù)載阻絕處理室1418制程處理室具體實(shí)施方式
本發(fā)明的實(shí)施例大致提供一種用于測(cè)試與/或檢查大型基材的方法與系統(tǒng)，諸如用于形成平面基材薄膜晶體管顯示器的基材。雖然在此所描述的測(cè)試系統(tǒng)，相較于已知用于大區(qū)域基材的傳統(tǒng)系統(tǒng)，為提供一個(gè)小型面積，但空間儲(chǔ)存的方式與測(cè)試系統(tǒng)其它的特征，可立即并入其它用來處理其它形式與尺寸的基材的測(cè)試系統(tǒng)。
圖1顯示用于測(cè)試與/或檢查大區(qū)域玻璃基材的測(cè)試系統(tǒng)100的一個(gè)實(shí)施例。測(cè)試系統(tǒng)100大致包含測(cè)試臺(tái)102、負(fù)載阻絕處理室104、與傳送處理室106，其中傳送處理室106傳送基材至負(fù)載阻絕處理室104與測(cè)試臺(tái)102間。測(cè)試臺(tái)102的至少一部份設(shè)置于負(fù)載阻絕處理室104之上。傳送處理室106鄰近于負(fù)載阻絕處理室104與測(cè)試臺(tái)102。圖1所顯示的實(shí)施例中，傳送處理室106與測(cè)試臺(tái)102共享一個(gè)公用環(huán)境，該公用環(huán)境典型地通過抽泵裝置108維持在真空條件，其中抽泵裝置108耦接至通經(jīng)傳送處理室106的埠110。
傳送處理室106包含機(jī)器人手臂112，機(jī)器人手臂112用來在系統(tǒng)100內(nèi)實(shí)施基材的移動(dòng)。在一個(gè)實(shí)施例中，機(jī)器人手臂112具有在至少一個(gè)X/Z坐標(biāo)系統(tǒng)內(nèi)加以移動(dòng)的范圍，以使基材可通經(jīng)傳送處理室106于負(fù)載阻絕處理室104與測(cè)試臺(tái)102間加以傳送。機(jī)器人手臂112大致包含耦接至連接器116的末端受動(dòng)器114。連接器116耦接至由機(jī)器人手臂112的主體120加以延伸的軸118。連接器116以一種使末端受動(dòng)器114沿著X軸相對(duì)于機(jī)器人手臂主體120加以延伸與縮回的方法作動(dòng)，以促使基材在傳送處理室106與負(fù)載阻絕處理室104或測(cè)試臺(tái)102間加以移動(dòng)。支撐連接器116的軸118，可相對(duì)于機(jī)器人手主體120加以延伸或縮回，以控制末端受動(dòng)器114沿著Z軸的舉升狀態(tài)。
舉例來說，末端受動(dòng)器114可自傳送處理室106加以延伸進(jìn)入負(fù)載阻絕處理室104，以收回欲進(jìn)行測(cè)試的基材130。目前攜有基材130的末端受動(dòng)器114，為加以縮回進(jìn)入傳送處理室106的實(shí)質(zhì)中心位于機(jī)器人手臂主體120上的位置。而后，軸118自機(jī)器人手臂主體120加以延伸，并舉升攜有基材130的末端受動(dòng)器114至鄰近測(cè)試臺(tái)102的預(yù)定舉升高度。而后末端受動(dòng)器114延伸進(jìn)入測(cè)試臺(tái)102，以放置基材103至預(yù)定位置。可預(yù)期的是，具有替代配置的機(jī)器人手臂，可用于實(shí)施基材在負(fù)載阻絕處理室104與測(cè)試臺(tái)102間的傳送。機(jī)器人手臂112的軸118可任意地用來沿著中心軸加以旋轉(zhuǎn)，以此促使末端受動(dòng)器114在其任一舉升高度處通經(jīng)X/Y平面加以移動(dòng)。
圖2顯示負(fù)載阻絕處理室104的一個(gè)實(shí)施例。負(fù)載阻絕處理室104大致包含處理室主體202，處理室主體202具有通經(jīng)處理室主體202的側(cè)墻208、210加以形成的至少一個(gè)第一密封埠204與一個(gè)第二密封埠206。每一個(gè)埠204、206可通過狹縫閥212選擇性地加以密封，以阻絕處理室主體202的內(nèi)部環(huán)境。第一端口204典型地耦接負(fù)載阻絕處理室104至工作界面(基材排列系統(tǒng)(substrate queuing system))、處理系統(tǒng)或其它裝置(未顯示)。第二端口206設(shè)于負(fù)載阻絕處理室104與傳送處理室106間，以使基材傳送至其間。抽泵系統(tǒng)214通經(jīng)抽泵端口216耦接至負(fù)載阻絕處理室104。抽泵系統(tǒng)214容許負(fù)載阻絕處理室104內(nèi)的壓力降低至實(shí)質(zhì)相同于傳送處理室106內(nèi)的壓力水準(zhǔn)。連接流體控制閥220的排氣孔218，通經(jīng)負(fù)載阻絕處理室104的處理室主體202加以形成?？刂崎y220可選擇性地打開以傳送過濾氣體進(jìn)入負(fù)載阻絕處理室104，并升高負(fù)載阻絕處理室104內(nèi)的壓力至實(shí)質(zhì)相同于通經(jīng)第一端口206耦接至負(fù)載阻絕處理室104裝置內(nèi)的壓力水準(zhǔn)。
基材支撐箍222設(shè)于處理室主體202內(nèi)。箍222包含第一基材支撐(上部)盤224與第二基材支撐(下部)盤226，其中第一基材支撐盤224與第二基材支撐盤226通過一對(duì)支柱228維持于堆棧并相間隔的關(guān)系狀態(tài)。每一盤224、226用來支撐基材置于其上。一或多個(gè)溝槽238(以虛線顯示)形成于每一盤224、226的上部表面240內(nèi)，以容許欲行經(jīng)基材與一個(gè)別盤224、226間的末端受動(dòng)器114，在基材傳送期間進(jìn)入基材之下方。溝槽238容許基材傳送進(jìn)入盤224、226與自盤224、226加以移除。舉升銷可替換地用來間隔基材遠(yuǎn)離盤224、226。
下部盤226通過軸230耦接至舉升裝置234。舉升裝置234容許盤224、226改變其舉升高度，以促使基材以機(jī)器人手臂112的末端受動(dòng)器114加以傳送。舉例來說，機(jī)器人手臂112的末端受動(dòng)器114可位于支撐于盤224、226上的基材下方的溝槽238內(nèi)。盤224、226可加以降低，以自盤224、226的一個(gè)傳送基材至末端受動(dòng)器114。相反地，在基材已位于末端受動(dòng)器114上之后，盤224、226可以升高，以自末端受動(dòng)器114拾起基材至盤224、226的一個(gè)上。在箍222移動(dòng)期間，包圍軸230的風(fēng)箱232，典型地位于處理室主體202與第二盤223間，以提供彈性真空密封，進(jìn)而維持負(fù)載阻絕處理室104完整的真空環(huán)境。
在一個(gè)操作實(shí)例中，當(dāng)?shù)诙?06密封時(shí)，第一埠204可被打開，以容許基材置于負(fù)載阻絕處理室104內(nèi)，典型地位于下部盤226上。密封第一埠204的狹縫閥212被關(guān)閉，而耦接至抽泵系統(tǒng)的閥236被打開，以容許欲排氣的負(fù)載隔絕處理室104的壓力實(shí)質(zhì)相同于傳送處理室106的壓力。而后，關(guān)閉第二埠206的狹縫閥212被打開，以容許機(jī)器人手臂112置放已測(cè)試基材于負(fù)載阻絕處理室104內(nèi)的上部盤224上。而后，移動(dòng)機(jī)器人手臂112，以自下部盤226收回欲進(jìn)行測(cè)試的基材。而后，機(jī)器人手臂112移動(dòng)欲進(jìn)行測(cè)試的基材至測(cè)試站102。一旦欲進(jìn)行測(cè)試的基材自負(fù)載阻絕處理室104移除后，狹縫閥212密封地關(guān)閉第二埠206，而閥220被打開以容許過濾氣體通經(jīng)排氣孔218進(jìn)入負(fù)載阻絕處理室104。一旦負(fù)載阻絕處理室104內(nèi)的壓力實(shí)質(zhì)相同于耦接至第一端口204的裝置的壓力，第一埠204被打開以容許已測(cè)試基材自負(fù)載阻絕處理室104收回。其它使基材通經(jīng)負(fù)載阻絕處理室104的接續(xù)步驟也可加以采用。其它用于傳送一或多個(gè)基材的負(fù)載阻絕室可替代地加以使用。適用于協(xié)助本發(fā)明的負(fù)載阻絕處理室的兩實(shí)例描述于1999年12月15日所申請(qǐng)的美國(guó)專利申請(qǐng)序號(hào)09/464,362與____________所申請(qǐng)的美國(guó)專利申請(qǐng)序號(hào)_________(專利代理人的參考號(hào)碼為4946，標(biāo)題為「用于制程設(shè)備的雙倍雙槽真空阻絕室」)中，兩全文在此并入本文中參考。負(fù)載阻絕室，其替代地用來接收含有數(shù)個(gè)基材的卡匣，也可加以使用。
圖4顯示測(cè)試站的一個(gè)實(shí)施例的側(cè)視圖。測(cè)試站102大致包含一或多個(gè)設(shè)于定位臺(tái)404上的測(cè)試機(jī)械裝置402，定位臺(tái)404用來在測(cè)試與/或檢查期間握持基材?？刂破?06耦接至測(cè)試機(jī)械裝置402與定位臺(tái)404，以控制測(cè)試步驟或檢查步驟。
控制器406典型包含中央處理單元(CPU)408、支持電路410與內(nèi)存412。CPU408可為計(jì)算機(jī)處理器的任一形式，而該任一形式為可用于控制機(jī)器人手臂位移、基材定位與測(cè)試/檢查例行程序之一工業(yè)設(shè)定。內(nèi)存412耦接至CPU408。內(nèi)存412或計(jì)算機(jī)可讀取媒體，可為一或多個(gè)立即可用內(nèi)存，諸如隨機(jī)存取內(nèi)存(RAM)、只讀存儲(chǔ)器(ROM)、軟性磁盤、硬盤、或數(shù)字儲(chǔ)存、區(qū)域或遠(yuǎn)程的任一形式。在傳統(tǒng)方法中，支持電路410耦接至CPU408，以支持處理器。這些電路包含快取記憶(cache)、電源供應(yīng)器、時(shí)脈電路(clock circuit)、輸入/輸出電路系統(tǒng)、次系統(tǒng)、與相似物。
測(cè)試機(jī)械裝置402提供測(cè)試或檢查例行程序的至少一個(gè)的一部分。舉例來說，測(cè)試機(jī)械裝置402可為照相機(jī)，以收集基材130各別部分的影像，如基材130上所形成的像素。測(cè)試機(jī)械裝置402可替換為電子束產(chǎn)生器，該電子束產(chǎn)生器可于測(cè)試?yán)谐绦蚱陂g，偵測(cè)形成于基材130上的裝置的電壓程度，或供應(yīng)能量至形成于基材130上的裝置。適用于協(xié)助本發(fā)明的測(cè)試站102為PUMATM測(cè)試系統(tǒng)，該P(yáng)UMATM測(cè)試系統(tǒng)包含設(shè)置于定位臺(tái)上的單一電子束產(chǎn)生器。PUMATM測(cè)試系統(tǒng)由美國(guó)加州圣克拉拉之應(yīng)用材料公司的分公司，AKT公司，加以制造。
定位臺(tái)404接續(xù)地定位基材，以使測(cè)試機(jī)械裝置402可與基材的個(gè)別部分相互作用。定位臺(tái)404典型地接續(xù)定位基材的這些個(gè)別部分于測(cè)試機(jī)械裝置402下方。定位臺(tái)404支撐基材130置于其上，并可用來提供X/Y方向、旋轉(zhuǎn)或其組合物的移動(dòng)。在一個(gè)實(shí)施例中，定位臺(tái)404包含座臺(tái)420與載具424，座臺(tái)420通過第一驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)422耦接至測(cè)試站102的骨架構(gòu)造418，載具424通過第二驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)426支撐耦接至座臺(tái)420的基材130。第一驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)422沿著軸線性地移動(dòng)座臺(tái)420，而第二驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)426沿著第二軸相對(duì)于座臺(tái)420移動(dòng)載具424，其中第二軸典型地正向于第一軸。結(jié)合第一驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)422與第二驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)426的位移容許載具424(與位于其上的基材130)相對(duì)于測(cè)試機(jī)械裝置402在第一軸與第二軸所界定的平面上移動(dòng)。
圖5顯示圖4所示的定位臺(tái)404的放大圖。第一驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)422大致包含耦接至測(cè)試站102的骨架構(gòu)造418的一對(duì)線性軌道502。數(shù)個(gè)導(dǎo)引506可移動(dòng)地與軌道502嚙合。導(dǎo)引506耦接至座臺(tái)420的第一側(cè)邊504(圖5的放大圖中顯示其貼附至軌道502)。導(dǎo)引506沿著線性軌道502移動(dòng)，以此容許座臺(tái)420在第一方向上于骨架構(gòu)造418上加以移動(dòng)。線性啟動(dòng)器508，諸如球狀螺釘與馬達(dá)，耦接至座臺(tái)420與骨架構(gòu)造418間，以當(dāng)座臺(tái)420移動(dòng)至骨架構(gòu)造418上時(shí)，加以控制座臺(tái)420的位置。圖5所示的實(shí)施例中，線性啟動(dòng)器508的第一末端系耦接至導(dǎo)引506之一，而線性啟動(dòng)器508的第二末端耦接至骨架構(gòu)造418。線性啟動(dòng)器的其它形式也可以使用。
第二驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)426相似于第一驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)422設(shè)置。第二驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)426包含耦接至座臺(tái)420的第二側(cè)邊512的一對(duì)線性軌道510。軌道510典型地定位在垂直于耦接至骨架構(gòu)造418的線性軌道502的一個(gè)方向上。數(shù)個(gè)導(dǎo)引514耦接至載具424的第一側(cè)邊516(圖5的放大圖內(nèi)顯示其貼附至軌道510)。至少一個(gè)導(dǎo)引514與第二驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)426的線性軌道510的每一個(gè)嚙合，以促使載具424沿著線性軌道510與座臺(tái)420移動(dòng)。線性啟動(dòng)器518，諸如球狀螺絲與馬達(dá)，耦接至座臺(tái)420與載具424間，以控制載具424相對(duì)于座臺(tái)420的位置。第一驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)422與第二驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)426耦接至控制器406，以使基材的個(gè)別部分(如像素)可定位于其與測(cè)試機(jī)械裝置402的界面處。驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)422、426大致具有容許所有像素移動(dòng)至一個(gè)位置的位移范圍，其中該位置為這些驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)與測(cè)試機(jī)械裝置402在測(cè)試期間的界面。
在測(cè)試與/或檢查期間，載具424的第二側(cè)邊520用以支撐基材130。至少一個(gè)溝槽522(兩者均示于圖5)形成于載具424的第二側(cè)邊520內(nèi)，以容許末端受動(dòng)器114在基材設(shè)于第二側(cè)邊520上時(shí)，加以接取基材130以促使基材傳送。
圖6顯示載具424的一個(gè)實(shí)施例的截面圖。載具424包含探測(cè)器602，探測(cè)器602可在測(cè)試期間夾住基材130至載具424的第二側(cè)邊520。探測(cè)器602大致具有圖形骨架構(gòu)造配置，其并具有至少部分定義至少一開口或窗口606的側(cè)邊(側(cè)邊604a-b示于橫截面而側(cè)邊604c示于背景中)，測(cè)試機(jī)械裝置402通經(jīng)窗口606與基材130相互作用。每一窗口606加以定位，以容許通過系統(tǒng)100形成于欲進(jìn)行測(cè)試的基材130上的像素(或其它裝置)預(yù)定區(qū)域，被暴露在由測(cè)試機(jī)械裝置404所產(chǎn)生的電子束或視野中。因此，在特定探測(cè)器602內(nèi)，窗口606的數(shù)量、尺寸與位置取決于欲測(cè)試基材的設(shè)計(jì)而加以選擇。
探測(cè)器602通過一或多個(gè)啟動(dòng)器608耦接至載具424。在圖6所示的實(shí)施例中，啟動(dòng)器608為壓縮氣動(dòng)汽缸，然而，其它適于夾住基材的啟動(dòng)器也可考慮使用。啟動(dòng)器608可加以延伸，以相對(duì)于載具424的第二側(cè)邊520加以間隔設(shè)置探測(cè)器602，進(jìn)而通過機(jī)器人手臂112促使基材130在載具424上去除或位移。啟動(dòng)器602可啟動(dòng)推進(jìn)探測(cè)器602相對(duì)立于靠著基材130，以此緊固基材于載具424上。
探測(cè)器602接觸基材130的面610大致包含數(shù)個(gè)耦接至控制器406電子式接觸墊612。電子式接觸墊612用來提供預(yù)定像素(或其它形成于基材130上的裝置)與控制器406間的電性接觸。以此，當(dāng)?shù)珳y(cè)器602被倍推進(jìn)相對(duì)立于靠著基材130以緊固基材130使靠著相對(duì)立于載具424時(shí)，基材130上的控制器406與裝置間的電性接觸通經(jīng)接觸墊612形成。以容許控制器在測(cè)試期間提供電壓至被選擇的像素，或監(jiān)控每一像素在特性(諸如電壓)上的改變。
在一個(gè)實(shí)施例中，基材接續(xù)地通過自測(cè)試機(jī)械裝置402所發(fā)射的電子束加以照射組成薄膜晶體管數(shù)組的個(gè)別部分或像素上而加以測(cè)試。在像素測(cè)試之后，定位臺(tái)404移動(dòng)基材，使另一像素可被測(cè)試。電子束測(cè)試可使用數(shù)種測(cè)試方法。舉例來說，電子束可加以使用以感測(cè)像素電壓，該像素電壓響應(yīng)于探測(cè)器602內(nèi)通經(jīng)電性連接器并遍布像素供應(yīng)的電壓。像素或數(shù)個(gè)像素可替代地以電子束加以驅(qū)動(dòng)，該電子束供應(yīng)電流以充電像素。應(yīng)答電流的像素可通過控制器406加以監(jiān)控，控制器406通過探測(cè)器602橫越像素加以耦接以提供缺陷信息。電子束測(cè)試的實(shí)例描述于1994年11月29日公告核準(zhǔn)由Schmitt所申請(qǐng)的美國(guó)專利第5,369,359號(hào)、1995年5月9日公告核準(zhǔn)由Brunner等人所申請(qǐng)的美國(guó)專利第5,369,359號(hào)、1993年11月2日公告核準(zhǔn)由Brunner等人所申請(qǐng)的美國(guó)專利第5,258,706號(hào)、1991年7月15日公告核準(zhǔn)由Brunner等人所申請(qǐng)的美國(guó)專利第4,985,681號(hào)、與1994年12月6日公告核準(zhǔn)由Brunner等人所申請(qǐng)的美國(guó)專利第5,371,459號(hào)中，上述所有專利案的全文在此并入本文的參考文獻(xiàn)中。電子束也可電磁性地加以偏斜，以在已提供的定位臺(tái)404位置上容許較大像素?cái)?shù)目。
如圖1與圖4所示，測(cè)試系統(tǒng)100可包含在測(cè)試期間用以檢查辨識(shí)缺陷的視察系統(tǒng)140，以利于基材二的缺陷的辨識(shí)與修復(fù)。在一個(gè)實(shí)施例中，視察系統(tǒng)140包含耦接至控制器4C6的照相機(jī)142。照相機(jī)142具有有效分辨率的透鏡144，以容許一或多個(gè)像素的辨識(shí)與/或檢查。在一個(gè)實(shí)施例中，透鏡144具有放大倍率，該倍率容許同時(shí)視察接近3至5個(gè)像素。其它透鏡可替代地加以使用。照相機(jī)142所捕捉的影像傳送至控制器。照相機(jī)142與控制器間的傳送裝置可為硬接線形式、無線形式、紅外線形式或其它訊號(hào)形式?？刂破骺赏ㄟ^操作者顯示用于檢查的訊號(hào)。在數(shù)字處理與/或修復(fù)期間，操作者可輸入關(guān)連于使用中的缺陷形式及其在基材上的位置的編碼。影像可替代地通過控制器加以處理，以使該影像與儲(chǔ)存于內(nèi)存中的每一潛在缺陷形式的預(yù)定影像相互比較。控制器比較像素的影像與儲(chǔ)存于內(nèi)存中的影像，以決定存在于基材上的該位置的影像或缺陷的形式。
照相機(jī)142可耦接至測(cè)試機(jī)械裝置402，或固定于測(cè)試站102或傳送處理室106的另一位置。在圖1所示實(shí)施例中，照相機(jī)142通過設(shè)于傳送處理室的機(jī)器人手臂146支撐。在可視察被選擇的像素的位置上，機(jī)器人手臂146具有一個(gè)移動(dòng)范圍以放置照相機(jī)142。取決于缺陷的位置與照相機(jī)位置的選擇，探測(cè)器(圖6所示的602)需要啟動(dòng)遠(yuǎn)離定位臺(tái)404，以助于照相機(jī)142視察鄰近探測(cè)器的像素。
圖7顯示測(cè)試站700的另一實(shí)施例的上視圖。除了測(cè)試站700包含數(shù)個(gè)電子束產(chǎn)生器702(圖7顯示兩個(gè))外，測(cè)試站700的設(shè)置相似于上述的測(cè)試站102。電子束產(chǎn)生器702相間隔設(shè)置，典型為微幅小于載具424寬度的一半。兩電子束產(chǎn)生器702的設(shè)置與使用容許定位臺(tái)404的移動(dòng)范圍接近上述測(cè)試站102中所使用的單一電子束源所需移動(dòng)范圍的一半。當(dāng)定位臺(tái)404的移動(dòng)范圍有效地縮減時(shí)，有助于縮減測(cè)試站700(與整個(gè)系統(tǒng))的面積。同樣地，也可考慮使用第三或附加電子束產(chǎn)生器以進(jìn)一步縮減面積。
圖8顯示測(cè)試站800的另一實(shí)施例。除了測(cè)試站800適于旋轉(zhuǎn)基材130外，測(cè)試站800大致相似于上述的測(cè)試站。在一個(gè)實(shí)施例中，測(cè)試站800包含定位臺(tái)404、測(cè)試機(jī)械裝置402、與探測(cè)器602。此外，測(cè)試站800包含設(shè)于測(cè)試站800的定位臺(tái)404與骨架構(gòu)造418間的轉(zhuǎn)盤或其它旋轉(zhuǎn)裝置802(以虛線顯示)。旋轉(zhuǎn)裝置802可加以啟動(dòng)，以使定位臺(tái)404與其上的基材130旋轉(zhuǎn)一個(gè)預(yù)定角度。舉例來說，約一半的基材已加以測(cè)試(如130’所示)后，旋轉(zhuǎn)裝置802可旋轉(zhuǎn)定位臺(tái)404通經(jīng)1800。在先前基材的已測(cè)試部分130’位置處，旋轉(zhuǎn)基材130以放置于基材130未測(cè)試的部分130”。因此，定位臺(tái)404僅需移動(dòng)基材通經(jīng)相同的移動(dòng)范圍以完成基材的測(cè)試，以此實(shí)質(zhì)地縮減驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)422、426之一在測(cè)試機(jī)械裝置402下通經(jīng)基材所需的移動(dòng)范圍。如圖3所示，此實(shí)施例使用大于一個(gè)檢查裝置，而旋轉(zhuǎn)裝置802可加以使用，以更加縮減所需的位移量，進(jìn)一步確?；挠跍y(cè)試期間足夠的覆蓋范圍。應(yīng)考慮的是，旋轉(zhuǎn)裝置可替代地耦接至定位臺(tái)404與基材130間或耦接至定位臺(tái)404本身。
圖9顯示旋轉(zhuǎn)裝置802的一個(gè)實(shí)施例的部分切除的放大示意圖。旋轉(zhuǎn)裝置802大致包含旋轉(zhuǎn)地設(shè)置于頂盤904的基盤902。頂盤904耦接至定位臺(tái)，而基盤902耦接至骨架構(gòu)造418。頂盤904相對(duì)于基盤902角度旋轉(zhuǎn)通過啟動(dòng)器906控制。軸承908典型地使用于頂盤904與基盤902之間，以確保頂盤904平滑的旋轉(zhuǎn)、啟動(dòng)、與可重復(fù)的定位。驅(qū)動(dòng)頂盤904相對(duì)于基盤902移動(dòng)啟動(dòng)器906可為馬達(dá)與定時(shí)帶、線性啟動(dòng)器、步進(jìn)馬達(dá)、壓縮氣動(dòng)汽缸、液壓汽缸、或其它適于可重復(fù)控制頂盤904與基盤902間的角度位移的裝置。在一個(gè)實(shí)施例中，第一齒輪910耦接至頂盤904并通過啟動(dòng)器906嚙合，如通過馬達(dá)914驅(qū)動(dòng)第二齒輪912。
圖10顯示具有二或多個(gè)測(cè)試裝置402的測(cè)試站1000的另一實(shí)施例，以在測(cè)試期間覆蓋基材130的相對(duì)立象限。旋轉(zhuǎn)裝置802(以虛線顯示)耦接于系統(tǒng)100的基座418與定位臺(tái)404間。旋轉(zhuǎn)裝置802可旋轉(zhuǎn)定位臺(tái)404約90°，以實(shí)質(zhì)縮減定位臺(tái)404位移通經(jīng)每一軸向所需的位移量，以此縮減測(cè)試站1000(與耦接至其的系統(tǒng))在兩方向上所需的面積。
圖11顯示操作程序的代表性方法，例行程序1100塊狀圖。在步驟1102中，基材系傳送進(jìn)入系統(tǒng)100負(fù)載阻絕處理室104。此外步驟1102包含實(shí)質(zhì)均等負(fù)載阻絕處理室104與傳送處理室106間的壓力。在步驟1104中，機(jī)器人手臂112自負(fù)載阻絕處理室104收回基材并移動(dòng)基材進(jìn)入傳送室106。在步驟1106中，機(jī)器人手臂112舉升基材至預(yù)定舉升高度，該預(yù)定舉升高度可使基材被傳送至設(shè)于測(cè)試站102內(nèi)的載具424。在步驟1108中，探測(cè)器602夾住基材于載具424，并提供控制器406與形成于基材上的裝置(如像素)間的電性路徑。在步驟1110中，測(cè)試步驟通過使用定位臺(tái)404以行經(jīng)一或多個(gè)測(cè)試機(jī)械裝置402下的基材個(gè)別部分(如像素)而起始。如上所述，測(cè)試步驟可包含被動(dòng)地以電子束探測(cè)基材、使用電子束以供應(yīng)能量于像素、使用視察系統(tǒng)加以視覺上地檢查像素或其它形式的測(cè)試系統(tǒng)。在步驟1112中，可于基材的第一部份被測(cè)試之后旋轉(zhuǎn)基材通經(jīng)預(yù)定角度，以容許基材剩余部分進(jìn)行測(cè)試。在步驟1114中，使用電子束加以測(cè)試的預(yù)定像素可進(jìn)一步使用視察系統(tǒng)140檢查。
而后，基材在步驟1116中通過解除探測(cè)器的夾持而自測(cè)試站102移除，并通過機(jī)器人手臂收回基材并進(jìn)入傳送處理室106。在步驟1118中，機(jī)器人手臂降低基材的舉升高度至一個(gè)高度水準(zhǔn)，以利于傳送基材至鄰近負(fù)載阻絕處理室104的預(yù)定高度。在步驟1120中，基材橫向地移動(dòng)進(jìn)入負(fù)載阻絕處理室104內(nèi)。在步驟1122中，為流通負(fù)載阻絕處理室內(nèi)的氣體，以容許負(fù)載阻絕處理室與系統(tǒng)外側(cè)之大氣壓力或裝置的壓力均等。在步驟1124中，已測(cè)試基材自負(fù)載阻絕處理室104移除，并放置新的欲測(cè)試基材于其內(nèi)。
圖12顯示測(cè)試系統(tǒng)1200的另一實(shí)施例。測(cè)試系統(tǒng)1200包含相似于上述這些測(cè)試站的測(cè)試站1202，并附加地包含耦接至傳送處理室1206的至少一個(gè)修復(fù)站1204。設(shè)于傳送處理室1206內(nèi)的機(jī)器人手臂1208可圍繞其軸旋轉(zhuǎn)，以使基材可傳送至修復(fù)站1204。
圖13顯示測(cè)試系統(tǒng)1300的另一實(shí)施例。系統(tǒng)1300包含通過傳送處理室1304耦接的測(cè)試站1302與負(fù)載阻隔處理室1306。除了負(fù)載阻絕處理室1306與測(cè)試站1302非直立式重迭外，測(cè)試站1302、傳送處理室1304與負(fù)載阻絕處理室1306相似于上述裝置。相較于傳統(tǒng)設(shè)計(jì)，測(cè)試站1302為緊密的設(shè)置，并包含至少一個(gè)空間儲(chǔ)存特征，諸如數(shù)個(gè)測(cè)試機(jī)械裝置402或旋轉(zhuǎn)裝置802。
圖14顯示具有測(cè)試站1400的叢集工具1410的一個(gè)實(shí)施例。叢集工具1410包含通過至少一個(gè)負(fù)載阻絕處理室1416加以耦接的工作界面1412與中央傳送處理室1414。數(shù)個(gè)制程處理室1418耦接至傳送處理室1414，以助于基材處理。測(cè)試站1400耦接至傳送處理室1414，以助于工具1410內(nèi)的基材進(jìn)行測(cè)試。測(cè)試站1400可相似于上述任一測(cè)試站。用來協(xié)助本發(fā)明的叢集工具為10千Gen 5 CVD系統(tǒng)，其由美國(guó)應(yīng)用材料公司的分公司，AKT公司，所制造生產(chǎn)。
以此，相較于傳統(tǒng)可測(cè)試基材的測(cè)試系統(tǒng)，本發(fā)明所提供的測(cè)試系統(tǒng)實(shí)質(zhì)地縮減所需的面積。該系統(tǒng)可以多測(cè)試機(jī)械裝置設(shè)置，以額外地縮減所需面積并增加測(cè)試生產(chǎn)率。當(dāng)所揭露的各實(shí)施例可用來包含一或多個(gè)尺寸縮減的特征時(shí)，為了選擇適用于特定應(yīng)用的最佳配置，可考慮選擇測(cè)試機(jī)械裝置的數(shù)目與使用具有增加生產(chǎn)率與縮減面積尺寸的轉(zhuǎn)盤，以降低面積成本。
然而，上述為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，本發(fā)明的其它與進(jìn)一步的實(shí)施例可在不偏離本發(fā)明的基本范圍下設(shè)計(jì)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由權(quán)利要求決定。
權(quán)利要求
1.一種用于測(cè)試基材的系統(tǒng)，該系統(tǒng)至少包含負(fù)載阻絕處理室；傳送處理室，其為耦接至負(fù)載阻絕處理室；測(cè)試站，至少部分堆棧于負(fù)載阻絕處理室上并耦接至傳送處理室；及機(jī)器人手臂，位于傳送處理室內(nèi)并用來傳送基材至負(fù)載阻絕處理室與測(cè)試站間。
2.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中負(fù)載阻絕處理室為用來保持二或多個(gè)基材于其內(nèi)。
3.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中測(cè)試站堆棧于負(fù)載阻絕處理室的頂部上。
4.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中測(cè)試站還包含定位臺(tái)，用來在預(yù)定平面移動(dòng)范圍內(nèi)移動(dòng)基材；及一個(gè)系統(tǒng)，用來選擇性地與通過定位臺(tái)與實(shí)質(zhì)位于其下的基材的個(gè)別區(qū)域相互作用。
5.如權(quán)利要求4所述的系統(tǒng)，其中測(cè)試裝置為照相機(jī)。
6.如權(quán)利要求5所述的系統(tǒng)，其中照相機(jī)設(shè)置于用來定位照相機(jī)于基材上的機(jī)器人裝置上。
7.如權(quán)利要求4所述的系統(tǒng)，其中定位臺(tái)為X/Y定位臺(tái)。
8.如權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，該系統(tǒng)還包含轉(zhuǎn)盤，耦接至X/Y定位臺(tái)，該轉(zhuǎn)盤用來旋轉(zhuǎn)基材通經(jīng)一個(gè)預(yù)定角度。
9.如權(quán)利要求4所述的系統(tǒng)，其中測(cè)試站還包含一個(gè)骨架構(gòu)造，該骨架構(gòu)造具有一或多個(gè)用來推進(jìn)基材相對(duì)立于靠著定位裝置的窗口。
10.如權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中骨架構(gòu)造還包含數(shù)個(gè)電性連接器，用來提供控制器其具有形成于基材內(nèi)的一個(gè)裝置的測(cè)試特性形成于基材內(nèi)的一個(gè)裝置的測(cè)試特性于控制器。
11.如權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，其中測(cè)試裝置為一或多個(gè)電子束產(chǎn)生器。
12.如權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中測(cè)試機(jī)械裝置為兩個(gè)相間隔設(shè)置的電子束產(chǎn)生器。
13.如權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，其中測(cè)試特性為遍布二或多個(gè)電性連接器間所量測(cè)的電壓變化，而這些電性連接器遍布形成于基材內(nèi)的該裝置。
14.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，該系統(tǒng)還包含視察系統(tǒng)，用來查看測(cè)試站內(nèi)的基材的預(yù)定區(qū)域。
15.一種用以測(cè)試基材的系統(tǒng)，該系統(tǒng)至少包含測(cè)試站；定位臺(tái)，位于該測(cè)試站內(nèi)，并用來在預(yù)定平面移動(dòng)范圍內(nèi)移動(dòng)基材；及數(shù)個(gè)測(cè)試機(jī)械裝置，位于定位臺(tái)上的測(cè)試站內(nèi)，并用來選擇性地與通過定位臺(tái)與實(shí)質(zhì)位于其下的基材的個(gè)別區(qū)域相互作用。
16.如權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，其中定位臺(tái)為X/Y定位臺(tái)。
17.如權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，其中定位臺(tái)還包含轉(zhuǎn)盤，用來旋轉(zhuǎn)基材通經(jīng)一個(gè)預(yù)定角度。
18.如權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，該系統(tǒng)還包含傳送處理室，耦接至該系統(tǒng)；及至少一個(gè)修復(fù)站，耦接至傳送處理室。
19.如權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，該系統(tǒng)還包含傳送處理室，耦接至系統(tǒng)；及負(fù)載阻絕處理室，耦接至至少部分位于測(cè)試站下的傳送處理室。
20.如權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，該系統(tǒng)還包含視察系統(tǒng)，用來查看在測(cè)試站內(nèi)的基材的預(yù)定區(qū)域。
21.如權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，其中測(cè)試機(jī)械裝置的至少一個(gè)為電子束產(chǎn)生器。
22.一種用于測(cè)試基材的系統(tǒng)，該系統(tǒng)至少包含測(cè)試站；定位臺(tái)，位于測(cè)試站內(nèi)，并用來在旋轉(zhuǎn)與X/Y平面移動(dòng)范圍內(nèi)移動(dòng)基材；及至少一個(gè)測(cè)試機(jī)械裝置，位于定位臺(tái)上的測(cè)試站內(nèi)，并用來選擇性地與通過定位臺(tái)與實(shí)質(zhì)位于其下的基材的個(gè)別區(qū)域相互作用。
23.如權(quán)利要求22所述的系統(tǒng)，其中測(cè)試裝置包含至少兩個(gè)電子束產(chǎn)生器。
24.如權(quán)利要求22所述的系統(tǒng)，該系統(tǒng)還包含傳送處理室，耦接至該系統(tǒng)；及至少一個(gè)修復(fù)站，耦接至傳送處理室。
25.如權(quán)利要求22所述的系統(tǒng)，該系統(tǒng)還包含傳送處理室，耦接至該系統(tǒng)；及負(fù)載阻絕處理室，耦接至至少部分位于測(cè)試站下的傳送處理室。
26.如權(quán)利要求22所述的系統(tǒng)，該系統(tǒng)還包含視察系統(tǒng)，用來查看在測(cè)試站內(nèi)的基材的預(yù)定區(qū)域。
27.一種用于測(cè)試基材的系統(tǒng)，該系統(tǒng)至少包含負(fù)載阻絕處理室；傳送處理室，耦接至負(fù)載阻絕處理室；測(cè)試站，至少部分堆棧于負(fù)載阻絕處理室上并耦接至傳送處理室；定位臺(tái)，位于測(cè)試站內(nèi)，并用來在測(cè)試期間內(nèi)于測(cè)試臺(tái)內(nèi)移動(dòng)基材；數(shù)個(gè)電子束產(chǎn)生器，彼此相間隔固定于定位臺(tái)上；及機(jī)器人手臂，位于傳送處理室內(nèi)并用來傳送基材至負(fù)載阻絕處理室與測(cè)試站間。
28.如權(quán)利要求27所述的系統(tǒng)，該系統(tǒng)還包含旋轉(zhuǎn)裝置，旋轉(zhuǎn)裝置位于測(cè)試站內(nèi)并用來使基材相對(duì)于電子束產(chǎn)生器加以旋轉(zhuǎn)。
29.如權(quán)利要求27所述的系統(tǒng)，該系統(tǒng)還包含視察系統(tǒng)，該視察系統(tǒng)用來查看測(cè)試站內(nèi)的基材。
30.一種用以測(cè)試基材的方法，該方法至少包含下列步驟自負(fù)載阻絕處理室傳送基材至傳送處理室；于傳送處理室內(nèi)舉升基材；自傳送處理室傳送基材至測(cè)試站；及測(cè)試基材。
31.如權(quán)利要求30所述的方法，其中自負(fù)載阻絕處理室傳送基材至傳送處理室的步驟，與自傳送處理室傳送基材至測(cè)試站的步驟，是在相反方向上移動(dòng)基材。
32.如權(quán)利要求30所述的方法，其中測(cè)試步驟還包含捕捉基材的個(gè)別部分的影像。
33.如權(quán)利要求32所述的方法，其中測(cè)試步驟還包含顯示捕捉影像。
34.如權(quán)利要求33所述的方法，其中測(cè)試步驟還包含比較捕捉影像與儲(chǔ)存于控制器內(nèi)存中的影像。
35.如權(quán)利要求30所述的方法，其中測(cè)試步驟還包含使基材的個(gè)別部分與電子束相互作用。
36.如權(quán)利要求35所述的方法，其中測(cè)試步驟還包含偵測(cè)遍布基材的個(gè)別部分的電壓變化。
37.如權(quán)利要求35所述的方法，其中測(cè)試步驟還包含以電子束供應(yīng)能量至形成于基材上的像素。
38.如權(quán)利要求30所述的方法，其中測(cè)試步驟還包含決定基材上的缺陷；及捕捉缺陷的影像。
39.如權(quán)利要求38所述的方法，該方法還包含移動(dòng)基材至耦接于傳送處理室的修復(fù)站。
40.如權(quán)利要求30所述的方法，其中測(cè)試步驟還包含移動(dòng)基材通經(jīng)X/Y平面。
41.如權(quán)利要求40所述的方法，該方法還包含旋轉(zhuǎn)基材通經(jīng)一個(gè)預(yù)定角度。
42.如權(quán)利要求30所述的方法，其中測(cè)試步驟還包含測(cè)試基材的第一部分；旋轉(zhuǎn)該基材；及測(cè)試該基材的第二部分。
43.一種用以測(cè)試基材的方法，該方法至少包含下列步驟移動(dòng)測(cè)試站內(nèi)的位于電子束產(chǎn)生器下的基材的第一部分；旋轉(zhuǎn)該基材；移動(dòng)位于電子束產(chǎn)生器下的基材的第二部分；及接續(xù)地測(cè)試基材行經(jīng)電子束產(chǎn)生器下的這些部分。
44.如權(quán)利要求43所述的方法，其中移動(dòng)基材的步驟包含在替代的正向方向上移動(dòng)基材。
45.如權(quán)利要求43所述的方法，該方法還包含移動(dòng)位于第二電子束產(chǎn)生器下的基材的第三部分；移動(dòng)位于第二電子束產(chǎn)生器下的基材的第四部分；及接續(xù)地測(cè)試基材行經(jīng)第二電子束產(chǎn)生器下的第三部分與第四部分。
46.如權(quán)利要求43所述的方法，該方法還包含接續(xù)地測(cè)試基材行經(jīng)至少一個(gè)其它電子束產(chǎn)生器下的其它部分。
47.如權(quán)利要求43所述的方法，測(cè)試步驟還包含決定基材上的缺陷；及捕捉缺陷的影像。
48.如權(quán)利要求43所述的方法，該方法還包含自測(cè)試站移動(dòng)基材至傳送處理室；及移動(dòng)基材至耦接于傳送處理室的修復(fù)站。
49.一種用以測(cè)試基材的方法，該方法至少包含下列步驟照射數(shù)個(gè)電子束于位于測(cè)試站內(nèi)的基材的個(gè)別部分，以提供表示像素效能的信息；及在平面范圍內(nèi)移動(dòng)基材，以接續(xù)地用電子束照射基材的剩下部分。
50.如權(quán)利要求49所述的方法，其中移動(dòng)步驟還包含旋轉(zhuǎn)基材。
51.如權(quán)利要求49所述的方法，該方法還包含決定基材上的缺陷；及捕捉缺陷的影像。
52.如權(quán)利要求49所述的方法，該方法還包含自測(cè)試站移動(dòng)基材至傳送處理室；及移動(dòng)基材至耦接于傳送處理室的修復(fù)站。
全文摘要
本發(fā)明主要提供一種測(cè)試基材的系統(tǒng)與方法。在一個(gè)實(shí)施例中，用于測(cè)試基材的測(cè)試系統(tǒng)包含負(fù)載阻絕處理室、傳送處理室與測(cè)試站。負(fù)載阻絕處理室與測(cè)試站彼此堆棧，并耦接至傳送處理室。傳送處理室包含設(shè)在負(fù)載阻絕處理室與測(cè)試站間傳送基材的機(jī)器人手臂，其中負(fù)載阻絕處理室位于第一舉升高度，而測(cè)試站位于第二舉升高度。在另一實(shí)施例中，提供一個(gè)測(cè)試站，該測(cè)試站具有用來旋轉(zhuǎn)基材的轉(zhuǎn)盤。轉(zhuǎn)盤可實(shí)質(zhì)地縮減測(cè)試基材所需的移動(dòng)范圍并有助于基材的完整測(cè)試與/或檢查。
文檔編號(hào)G01R31/01GK1656598SQ03811722
公開日2005年8月17日 申請(qǐng)日期2003年5月21日 優(yōu)先權(quán)日2002年5月23日
發(fā)明者馬蒂亞斯·布倫納, 栗田新一, 溫德爾·T·布倫尼格, 埃德加·克爾貝格 申請(qǐng)人:應(yīng)用材料股份有限公司