專利名稱：發(fā)光裝置及顯示裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明的一個方式涉及電致發(fā)光顯示裝置及該顯示裝置的制造方法。
背景技術：
近年來，作為實現(xiàn)了薄型、輕量的顯示裝置(所謂的平面顯示器)，電致發(fā)光(EL ;Electroluminescence,下面也寫為EL)顯示裝置受到關注。
在EL顯示裝置中通過將使用發(fā)射各種顏色的光的發(fā)光材料的發(fā)光元件分別作為用于各個像素的發(fā)光元件，能夠進行全彩色顯示。該EL顯示裝置采用如下制造方法通過使用金屬掩模的蒸鍍法以形成精細的圖案的方式對每個像素分別涂敷不同的發(fā)光材料。但是，有可能因為金屬掩模接觸而導致發(fā)光元件的形狀不良及發(fā)光不良等，所以對其對策進行了研究(例如，參照專利文獻I)。在專利文獻I中公開了為了不使金屬掩模和像素電極在進行蒸鍍時接觸而在像素電極上設置用來支撐金屬掩模的間隔物的結(jié)構(gòu)。[專利文獻I]日本專利申請公開2006-126817號公報由于對每個像素分別涂敷發(fā)光材料的方法的工序復雜，所以難以提高成品率或生產(chǎn)性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個方式的目的之一在于提供一種高生產(chǎn)性地制造顯示裝置的技術方案。此外，本發(fā)明的一個方式的目的之一在于提供一種高色純度且高清晰的顯示裝置。本發(fā)明的一個方式通過根據(jù)彩色濾光層的中心波長調(diào)整具有反射性的電極與發(fā)光層之間的光程，而在無需分別對發(fā)光層進行涂敷的情況下提供高色純度且高清晰的顯示裝置。發(fā)光元件層疊有不同發(fā)光顏色的多個發(fā)光層，并且離具有反射性的電極越近的發(fā)光層，發(fā)光層發(fā)射的光的顏色的波長越短。更具體而言，例如采用下面的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的一個方式為一種顯示裝置，具有包括第一彩色濾光層的第一像素以及包括第二彩色濾光層的第二像素，其中，第一像素具有包括第一具有反射性的電極的第一發(fā)光元件，第二像素具有包括第二具有反射性的電極的第二發(fā)光元件，第一發(fā)光元件包括依次層疊在第一具有反射性的電極上的第一發(fā)光層、電荷產(chǎn)生層、第二發(fā)光層以及具有透光性的電極，第二發(fā)光元件包括依次層疊在第二具有反射性的電極上的第一發(fā)光層、電荷產(chǎn)生層、第二發(fā)光層以及具有透光性的電極，在第一像素中，第一具有反射性的電極與第一發(fā)光層之間的光程為透過第一彩色濾光層的光的波長范圍的中心波長的1/4，在第二像素中，第二具有反射性的電極與第二發(fā)光層之間的光程為透過第二彩色濾光層的光的波長范圍的中心波長的m/4倍(m為3以上的奇數(shù))，優(yōu)選為3/4，并且透過第一彩色濾光層的光的波長范圍的中心波長比透過第二彩色濾光層的光的波長范圍的中心波長短。
在上述結(jié)構(gòu)中，由第一發(fā)光層發(fā)射的光的顏色的波長比由第二發(fā)光層發(fā)射的光的顏色的波長短。此外，第二發(fā)光元件也可以采用在第二具有反射性的電極與第一發(fā)光層之間包括具有透光性的導電層的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的一個方式為一種顯示裝置，該顯示裝置具有包括第一彩色濾光層的第一像素、包括第二彩色濾光層的第二像素以及包括第三彩色濾光層的第三像素，其中，第一像素具有包括第一具有反射性的電極的第一發(fā)光元件，第二像素具有包括第二具有反射性的電極的第二發(fā)光元件，第三像素具有包括第三具有反射性的電極的第三發(fā)光元件，第一發(fā)光元件包括依次層疊在第一具有反射性的電極上的第一發(fā)光層、電荷產(chǎn)生層、第二發(fā)光層、第三發(fā)光層以及具有透光性的電極，第二發(fā)光元件包括依次層疊在第二具有反射性的電極上的第一發(fā)光層、電荷產(chǎn)生層、第二發(fā)光層、第三發(fā)光層以及具有透光性的電極，第三發(fā)光元件包括依次層疊在第三具有反射性的電極上的第一發(fā)光層、電荷產(chǎn)生層、第二發(fā)光層、第三發(fā)光層以及具有透光性的電極，在第一像素中，第一具有反射性的電極與第一發(fā)光層之間的光程為透過第一彩色濾光層的光的波長范圍的中心波長的1/4，在第二像素中，第二具有反射性的電極與第二發(fā)光層之間的光程為透過第二彩色濾光層的光的波長范圍的中心波長的m/4倍(m為3以上的奇數(shù))，優(yōu)選為3/4，在第三像素中，第三具有反射性的電極與第三發(fā)光層之間的光程為透過第三彩色濾光層的光的波長范圍的中心波長的n/4倍(n為3以上的奇數(shù))，優(yōu)選為5/4，透過第一彩色濾光層的光的波長范圍的中心波長比透過第二彩色濾光層的光的波長范圍的中心波長短，并且，透過第二彩色濾光層的光的波長范圍的中心波長比透過第三彩色濾光層的光的波長范圍的中心波長短。在上述結(jié)構(gòu)中，由第一發(fā)光層發(fā)射的光的顏色的波長比由第二發(fā)光層發(fā)射的光的顏色的波長短，并且由第二發(fā)光層發(fā)射的光的顏色的波長比由第三發(fā)光層發(fā)射的光的顏色的波長短。此外，也可以采用如下結(jié)構(gòu)第二發(fā)光元件在第二具有反射性的電極與第一發(fā)光層之間包括具有透光性的導電層，第三發(fā)光元件在第三具有反射性的電極與第一發(fā)光層之間包括具有透光性的導電層，并且包括在第二發(fā)光元件中的具有透光性的導電層的厚度與包括在第三發(fā)光元件中的具有透光性的導電層的厚度不同。本發(fā)明的一個方式能夠高生產(chǎn)性地制造顯示裝置。此外，本發(fā)明的一個方式能夠提供高清晰的顯示裝置。此外，本發(fā)明的一個方式能夠提供低功耗的顯示裝置。


圖1A、1B1及1B2為說明顯示裝置的圖；圖2A、2B1至2B3為說明顯示裝置的圖；圖3為說明顯示裝置的圖；圖4A及4B為說明顯示裝置的圖；圖5A至5F為說明顯示裝置的使用方式的一個例子的圖；圖6為說明在實施例中使用的發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)的圖；圖7為示出在實施例中使用的彩色濾光層的波長與透射率的關系的圖；圖8為示出在實施例中制造的顯示裝置的特性的圖。
具體實施例方式下面，將參照附圖詳細說明實施方式。但是，本發(fā)明不局限于以下說明，所屬技術領域的普通技術人員可以很容易地理解一個事實就是其方式及詳細內(nèi)容可以被變換為各種形式而不脫離宗旨及其范圍。因此，本發(fā)明不應該被解釋為僅限定在以下所示的實施方式所記載的內(nèi)容中。注意，在以下說明的結(jié)構(gòu)中，在不同的附圖之間共同使用同一符號來表示同一部分或具有相同功能的部分，而省略其重復說明。實施方式I在本實施方式中，使用圖1A、IBl及1B2、圖2A、2B1至2B3及圖3說明EL顯示裝置的一個方式。 圖IA示出本實施方式的顯示裝置中的顯示部的截面圖。此外，圖IBl及1B2示出圖IA所示的截面圖的部分放大圖。圖IA所示的顯示裝置包括第一像素130a及第二像素130b。第一像素130a包括設置在襯底100上的第一發(fā)光元件132a以及設置在對置襯底128的與第一發(fā)光元件132a重疊的區(qū)域上的第一彩色濾光層134a。此外，第二像素130b包括設置在襯底100上的第二發(fā)光元件132b以及設置在對置襯底128的與第二發(fā)光元件132b重疊的區(qū)域上的第二彩色濾光層134b。在圖IA所示的顯示裝置中，第一彩色濾光層134a及第二彩色濾光層134b分別使不同波長的光透過。通過使透過第一彩色濾光層134a的光的波長范圍的中心波長和透過第二彩色濾光層134b的光的波長范圍的中心波長不同，能夠得到能夠進行多彩色顯示的顯示裝置。在本實施方式中，以透過第一彩色濾光層134a的光的波長范圍的中心波長(下面也寫為、I)比透過第二彩色濾光層134b的光的波長范圍的中心波長(下面也寫為入2)短的情況為例子進行說明。另外，在本說明書中，“中心波長”是指可見光區(qū)域(380nm至680nm)中的透過彩色濾光層的光的波長范圍(優(yōu)選的是透射率為50%以上的波長范圍)的中心波長。例如，在藍色彩色濾光層中，當透過的光的波長范圍為380nm至520nm時，中心波長為450nm。在綠色彩色濾光層中，當透過的光的波長范圍為510nm至590nm時，中心波長為550nm。此外，在紅色彩色濾光層中，當透過的光的波長范圍為600nm至680nm時，中心波長為640nm。另外，藍色的彩色濾光層及綠色的彩色濾光層有時在700nm附近的長波長范圍具有吸收光譜。然而，由于上述的長波長范圍的吸收光譜不影響到發(fā)光率，所以在本說明書等中，為了排除該區(qū)域中的吸收光譜，將可見光區(qū)域設定為680nm以下。第一發(fā)光元件132a包括第一具有反射性的電極102a，第二發(fā)光元件132b包括第二具有反射性的電極102b，并且第一具有反射性的電極102a與第二具有反射性的電極102b彼此分離地設置在襯底100上。此外,第一發(fā)光兀件132a和第二發(fā)光兀件132b由絕緣層126電絕緣。第一發(fā)光元件132a包括依次層疊在第一具有反射性的電極102a上的第一具有透光性的導電層104a、第一 EL層106、電荷產(chǎn)生層108、第二 EL層110以及具有透光性的電極112。此外，第二發(fā)光元件132b包括依次層疊在第二具有反射性的電極102b上的第二具有透光性的導電層104b、第一 EL層106、電荷產(chǎn)生層108、第二 EL層110以及具有透光性的電極112。在本實施方式中，由第一發(fā)光兀件132a及第二發(fā)光兀件132b發(fā)射的光從具有透光性的電極112 —側(cè)射出。
另外，第一 EL層106、電荷產(chǎn)生層108、第二 EL層110以及具有透光性的電極112通用于第一發(fā)光元件132a與第二發(fā)光元件132b中并以連續(xù)膜的形式形成。圖IBl示出發(fā)光元件132a的放大圖。此外，圖1B2示出發(fā)光元件132b的放大圖。在圖IBl及1B2中，第一發(fā)光元件132a及第二發(fā)光元件132b具有至少包括第一發(fā)光層120的第一 EL層106以及至少包括第二發(fā)光層122的第二 EL層110。另外，第一 EL層106及第二 EL層110也可以采用除了發(fā)光層以外還分別包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層等功能層的疊層結(jié)構(gòu)。由于第一發(fā)光兀件132a包括第一具有透光性的導電層104a,第二發(fā)光兀件132b包括其厚度與第一具有透光性的導電層104a不同的第二具有透光性的導電層104b，所以它們的總厚度不同。第一具有透光性的導電層104a具有如下作用通過調(diào)整其厚度，調(diào)整由第一發(fā)光層120發(fā)射的光中的被第一具有反射性的電極102a反射回來的光(也寫為第一反射光)的光程長度。由于第一反射光與從第一發(fā)光層120直接入射到第一彩色濾光層134a中的光(也寫為第一入射光)發(fā)生干擾，所以通過調(diào)整第一具有透光性的導電層104a的厚度使第一入射光的相位和第一反射光的相位一致，能夠放大由第一發(fā)光層120發(fā)射的光。因此，與不調(diào)整光程長度的發(fā)光元件相比，本實施方式的發(fā)光元件能夠利用同樣的電流獲得更高的亮度。此外，通過使第一入射光的相位及第一反射光的相位與透過第一彩色濾光層134a的光的波長范圍的中心波長一致，能夠提高從第一像素130a提取的光的色純度。此外，第二具有透光性的導電層104b具有如下作用通過調(diào)整其厚度，調(diào)整由第二發(fā)光層122發(fā)射的光中的被第二具有反射性的電極102b反射回來的光(也寫為第二反射光)的光程長度。由于第二反射光與從第二發(fā)光層122直接入射到第二彩色濾光層134b中的光(也寫為第二入射光)發(fā)生干擾，所以通過調(diào)整第二具有透光性的導電層104b的厚度使第二入射光的相位和第二反射光的相位一致，能夠放大由第二發(fā)光層122發(fā)射的光。因此，與不調(diào)整光程長度的發(fā)光元件相比，本實施方式的發(fā)光元件能夠利用同樣的電流獲得更高的亮度。此外，通過使第二入射光的相位及第二反射光的相位與透過第二彩色濾光層134b的光的波長范圍的中心波長一致，能夠提高從第二像素130b提取的光的色純度。更具體而言，在第一像素130a所包括的第一發(fā)光元件132a中，優(yōu)選將第一具有反射性的電極102a與第一發(fā)光層120之間的光程設定為透過第一彩色濾光層134a的光的波長范圍的中心波長(Al)的1/4。此外，在第二像素130b所包括的第二發(fā)光元件132b中，優(yōu)選將第二具有反射性的電極102b與第二發(fā)光層122之間的光程設定為透過第二彩色濾光層134b的光的波長范圍的中心波長(入2)的3/4。嚴格而言，也可以將第一具有反射性的電極102a與第一發(fā)光層120之間的光程稱為第一具有反射性的電極102a與第一發(fā)光層120中的發(fā)光區(qū)之間的光程。但是，難以嚴格地決定發(fā)光層中的發(fā)光區(qū)的位置，而通過假定發(fā)光層中的任意位置為發(fā)光區(qū)，能夠充分地獲得上述效果。也就是說，可以將第一具有反射性的電極102a與第一發(fā)光層120之間的光程稱為第一具有反射性的電極102a的表面與第一發(fā)光層120的下表面之間的距離以上且第一具有反射性的電極102a的表面與第一發(fā)光層120的上表面之間的距離以下。第二具有反射性的電極102b與第二發(fā)光層122之間的光程以及后述的第三具有反射性的電極102c與第三發(fā)光層124之間的光程也是同樣的。 此外，來自第一發(fā)光層120的發(fā)射光譜優(yōu)選在表示與透過第一彩色濾光層134a的光的波長范圍的中心波長相同顏色的波長范圍中具有最大峰值。例如，當?shù)谝徊噬珵V光層134a的中心波長位于藍色區(qū)域(例如，中心波長為450nm)時，來自第一發(fā)光層120的發(fā)射光譜優(yōu)選在430nm以上且470nm以下的區(qū)域中具有最大峰值。同樣地，來自第二發(fā)光層122的發(fā)射光譜優(yōu)選在表不與透過第二彩色濾光層134b的光的波長范圍的中心波長相同顏色的波長范圍中具有最大峰值。例如，當?shù)诙噬珵V光層134b的中心波長位于綠色區(qū)域(例如，中心波長為550nm)時，來自第二發(fā)光層122的發(fā)射光譜優(yōu)選在520nm以上且550nm以下的區(qū)域中具有最大峰值。另外，在本實施方式中，由于透過第一彩色濾光層134a的光的波長范圍的中心波長比透過第二彩色濾光層134b的光的波長范圍的中心波長短，所以由第一發(fā)光層120發(fā)射的光的顏色的波長優(yōu)選比由第二發(fā)光層122發(fā)射的光的顏色的波長短。此外，在第一發(fā)光兀件132a中，通過將第一具有反射性的電極102a與第一發(fā)光層120之間的光程設定為透過第一彩色濾光層134a的光的波長范圍的中心波長(Al)的1/4，將第二發(fā)光層122與具有透光性的電極112之間的光程設定為透過第二彩色濾光層134b的光的波長范圍的中心波長(入2)的1/4，并將第一具有反射性的電極102a與具有透光性的電極112之間的光程設定為透過第一彩色濾光層134a的光的波長范圍的中心波長(入I)，能夠獲得空腔效應。通過按上述條件對第一發(fā)光元件132a進行調(diào)整，即便在將第二具有反射性的電極102b與第二發(fā)光層122之間的光程設定為第二彩色濾光層134b的中心波長(入2)的3/4的第二發(fā)光元件132b中，也可以使第二發(fā)光層122與具有透光性的電極112之間的光程成為第二彩色濾光層134b的中心波長(X 2)的1/4，第二具有反射性的電極102b與具有透光性的電極112之間的光程成為第二彩色濾光層134b的中心波長(入2)，所以能夠獲得空腔效應。因為空腔效應，色純度進一步提高。下面，使用更具體的材料說明圖IA所示的顯示裝置的結(jié)構(gòu)。注意，這里說明的元件結(jié)構(gòu)及制造方法等不過是個例子，而在不脫離本實施方式的宗旨的范圍內(nèi)，可以采用其他公知的結(jié)構(gòu)、材料及制造方法。作為襯底100，可以使用塑料(有機樹脂)、玻璃或石英等。作為塑料，例如可以舉出由聚碳酸酯、聚芳酯、聚醚砜等構(gòu)成的構(gòu)件。另外，當作為襯底100使用塑料時，能夠?qū)崿F(xiàn)顯示裝置的輕量化，所以是優(yōu)選的。此外，作為襯底100，也可以使用對水蒸氣具有高阻擋性并具有高放熱性的薄片(例如，包含類金剛石碳(DLC)的薄片)。此外，雖然未圖示，但是也可以采用在襯底100上設置無機絕緣體的結(jié)構(gòu)。無機絕緣體用作保護發(fā)光元件免受來自外部的水等污染物質(zhì)的影響的保護層、密封膜。通過設置無機絕緣體，能夠減輕發(fā)光元件的劣化，而提高顯示裝置的耐用性及使用壽命。作為無機絕緣體，可以使用氮化膜及氮氧化膜的單層或疊層。具體而言，無機絕緣體可以使用氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化鋁、氮化鋁、氧氮化鋁等并根據(jù)材料利用CVD法、濺射法等形成。優(yōu)選的是，使用氮化硅通過CVD法形成無機絕緣體?？梢詫o機絕緣體的厚度設定為IOOnm以上且I 以下左右。此外，作為無機絕緣體，也可以使用氧化鋁膜、DLC膜、含氮碳膜、包含硫化鋅及氧化硅的膜(ZnS SiO2膜)。
或者，作為無機絕緣體,可以使用厚度薄的玻璃襯底。例如,可以使用厚度為30 ii m以上且IOOiim以下的玻璃襯底。此外，也可以在襯底100的下面上(與設置有發(fā)光元件的面相反的面)設置金屬板。此外，在設置無機絕緣體的情況下，也可以使用金屬板代替襯底100。對金屬板的厚度沒有特別的限制，但是例如當使用IOiim以上且200 以下的金屬板時，能夠?qū)崿F(xiàn)顯示裝置的輕量化，所以是優(yōu)選的。此外，雖然對構(gòu)成金屬板的材料沒有特別的限制，但是可以優(yōu)選使用鋁、銅、鎳等金屬，或者鋁合金或不銹鋼等金屬的合金等。金屬板和襯底100可以利用粘合層以彼此粘合的方式設置。作為粘合層，可以使用可見光固化粘合劑、紫外線固化粘合劑或熱固化粘合劑。作為這些粘合劑的質(zhì)料，例如可以舉出環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂、硅酮樹脂、酚醛樹脂等。也可以使粘合層包含用作干燥劑的吸水物質(zhì)。由于金屬板的透水性低，所以通過設置金屬板，能夠抑制水分侵入發(fā)光元件。因此，通過設置金屬板，能夠得到起因于水分的劣化被抑制的可靠性高的顯示裝置。第一具有反射性的電極102a及第二具有反射性的電極102b設置在與光提取方向相反的一側(cè)，并使用具有反射性的材料形成。作為具有反射性的材料，可以使用鋁、金、鉬、銀、鎳、鎢、鉻、鑰、鐵、鈷、銅或鈀等金屬材料。此外，也可以使用諸如鋁和鈦的合金、鋁和鎳的合金、鋁和釹的合金等包含鋁的合金(鋁合金)或者諸如銀和銅的合金等包含銀的合金。銀和銅的合金具有高耐熱性，所以是優(yōu)選的。再者，通過層疊與鋁合金膜接觸的金屬膜或金屬氧化膜，能夠抑制鋁合金膜的氧化。作為該金屬膜及金屬氧化膜的材料，可以舉出鈦及氧化鈦等。上述材料在地殼中含量多且低廉，由于可以降低發(fā)光元件的制造成本，所以是優(yōu)選的。在本實施方式中，以將第一具有反射性的電極102a及第二具有反射性的電極102b用作發(fā)光元件的陽極的情況為例子進行說明。但是，本發(fā)明的實施方式不局限于此。第一具有透光性的導電層104a及第二具有透光性的導電層104b使用對可見光具有透光性的材料以單層或疊層形成。例如，作為具有透光性的材料，可以使用氧化銦、氧化銦錫、氧化銦鋅合金、氧化鋅、添加有鎵的氧化鋅、石墨烯等。此外，可以使用包含導電高分子(也稱為導電聚合物)的導電組成物形成具有透光性的導電層。作為導電高分子，可以使用所謂n電子共軛類導電高分子。例如，可以舉出聚苯胺或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚噻吩(PEDOT)或其衍生物、或者由苯胺、吡咯及噻吩中的兩種以上構(gòu)成的共聚物或其衍生物等。另外，第一具有反射性的電極102a及第二具有反射性的電極102b，以及第一具有透光性的導電層104a及第二具有透光性的導電層104b可以通過光刻工序及蝕刻工序加工成規(guī)定的形狀。因此，能夠高可控性地形成精細的圖案，從而能夠得到高清晰的顯示裝置。此外，通過在每個像素中獨立地設置第一具有透光性的導電層104a及第二具有透光性的導電層104b，即使在具有透光性的導電層的厚度極厚的情況或在具有透光性的導 電層的導電率較高的情況下，也能夠防止串擾。在第一具有透光性的導電層104a及第二具有透光性的導電層104b上形成有具有開口的絕緣層126，并且第一 EL層106在開口中分別與第一具有透光性的導電層104a及第二具有透光性的導電層104b接觸。絕緣層126使用聚酰亞胺、丙烯酸、聚酰胺、環(huán)氧等的有機絕緣材料或者無機絕緣材料形成。尤其優(yōu)選的是，使用感光性樹脂材料，并以在第一具有透光性的導電層104a及第二具有透光性的導電層104b上分別形成側(cè)壁為具有連續(xù)曲率的傾斜面的開口部的方式形成絕緣層126。絕緣層126可以為錐形或反錐形。第一 EL層106至少包括第一發(fā)光層120，即可。第一 EL層106也可以具有如下疊層結(jié)構(gòu)除了第一發(fā)光層120以外，還適當?shù)亟M合包含具有高空穴傳輸性的物質(zhì)的層、包含具有高電子傳輸性的物質(zhì)的層、包含具有高空穴注入性的物質(zhì)的層、包含具有高電子注入性的物質(zhì)的層、包含雙極性的物質(zhì)(具有高空穴傳輸性及高電子傳輸性的物質(zhì))的層等。例如，作為第一 EL層106,可以米用空穴注入層、空穴傳輸層、第一發(fā)光層120、電子傳輸層以及電子注入層的疊層結(jié)構(gòu)。注意，當然，在將第一具有反射性的電極102a及第二具有反射性的電極102b用作陰極的情況下，可以采用從陰極一側(cè)依次層疊電子注入層、電子傳輸 層、第一發(fā)光層120、空穴傳輸層以及空穴注入層的結(jié)構(gòu)?？昭ㄗ⑷雽邮前哂懈呖昭ㄗ⑷胄缘奈镔|(zhì)的層。作為具有高空穴注入性的物質(zhì)，例如可以使用氧化鑰、氧化鈦、氧化fL、氧化錸、氧化釕、氧化鉻、氧化錯、氧化鉿、氧化鉭、氧化銀、氧化鎢、氧化錳等金屬氧化物。此外，也可以使用酞菁基化合物，諸如酞菁(簡稱=H2Pc)或酞菁銅(II)(簡稱=CuPc)等。也可以使用如下作為低分子有機化合物的芳香胺化合物等，諸如4，4’，4”_三(N，N-二苯基氨基)三苯基胺(簡稱1041々)、4，4’，4”-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]三苯基胺(簡稱=MTDATA)、4，4’ -雙[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(簡稱DPAB)、4，4’ -雙(N-{4-[N’ -(3-甲基苯基)-N’ -苯基氨基]苯基}-N-苯基氨基)聯(lián)苯(簡稱DNTro)、l，3，5-三[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]苯(簡稱DPA3B)、
3-[N- (9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(簡稱PCzPCAl)、3，6-雙[N- (9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(簡稱PCzPCA2)、3-[Ν_(1-萘基)_N_(9_苯基咔唑-3-基)氨基]-9-苯基咔唑(簡稱PCzPCNl)等。也可以使用高分子化合物(低聚物、樹枝狀聚合物或聚合物等)。例如可以舉出如下高分子化合物聚(N-乙烯基咔唑)(簡稱PVK)、聚(4-乙烯基三苯基胺)(簡稱PVTPA)、聚[N-(4-{N’ -[4-(4- 二苯基氨基)苯基]苯基-N’ -苯基氨基}苯基)甲基丙烯酰胺](簡稱=PTPDMA)、聚[N，N’ -雙(4- 丁基苯基)-N，N’ -雙(苯基)聯(lián)苯胺](簡稱Poly-TPD)等。也可以使用添加有酸的高分子化合物，諸如聚(3，4_乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(PED0T/PSS)或聚苯胺/聚(苯乙烯磺酸)(PAni/PSS)等。尤其是，作為空穴注入層，優(yōu)選使用在具有高空穴傳輸性的有機化合物中包含受主物質(zhì)的復合材料。通過使用在具有高空穴傳輸性的物質(zhì)中包含有受主物質(zhì)的復合材料，可以提高從陽極注入空穴時的空穴傳輸性，而能夠降低發(fā)光元件的驅(qū)動電壓。這些復合材料可以通過共蒸鍍具有高空穴傳輸性的物質(zhì)和受主物質(zhì)來形成。通過使用該復合材料形成空穴注入層，從陽極向第一 EL層106的空穴注入變得容易。作為用于復合材料的有機化合物,可以使用各種化合物,諸如芳香胺化合物、咔唑衍生物、芳香烴以及高分子化合物(低聚物、樹枝狀聚合物、聚合物等)等。另外，作為用于復合材料的有機化合物，優(yōu)選使用具有高空穴傳輸性的有機化合物。具體而言，優(yōu)選使用空穴遷移率為10_6cm2/Vs以上的物質(zhì)。注意，只要是空穴傳輸性高于電子傳輸性的物質(zhì)，就也可以使用上述物質(zhì)之外的物質(zhì)。下面，具體列舉可以用于復合材料的有機化合物。
作為可以用于復合材 料的有機化合物，例如可以使用如下材料芳香胺化合物，諸如 TDATA、MTDATA、DPAB, DNTPD, DPA3B、PCzPCAl、PCzPCA2、PCzPCNl、4，4，-雙[N-(I-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(簡稱NPB或a-NPD)、N，N’ -雙(3-甲基苯基)-N，N’ -二苯基-[1，1’ -聯(lián)苯]_4，4’ -二胺(簡稱Tro)、4-苯基-4’ -(9-苯基芴-9-基)三苯基胺(簡稱BPAFLP)等；或咔唑衍生物，諸如4，4’ - 二(N-咔唑基)聯(lián)苯(簡稱CBP)、1，3，5-三[4-(N-咔唑基)苯基]苯(簡稱TCPB)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(簡稱<2 4)、9-苯基-3-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(簡稱PCzPA)、l，
4-雙[4-(N-咔唑基)苯基]-2，3，5，6-四苯基苯等。也可以使用如下芳香烴化合物2-叔丁基-9，10-二(2-萘基)蒽(簡稱七-8110嫩)、2-叔丁基-9，10-二(I-萘基)蒽、9，10-雙(3，5_ 二苯基苯基)蒽(簡稱DPPA)、2_ 叔丁基-9，10-雙(4-苯基苯基)蒽(簡稱t_BuDBA)、9，10- 二(2-萘基)蒽(簡稱:DNA)、9,10- 二苯基惠(簡稱DPAnth)、2-叔丁基蒽(簡稱:t_BuAnth)、9,10-雙(4-甲基-I-萘基)蒽(簡稱DMNA)、9，10-雙[2-(I-萘基)苯基)_2_叔丁基蒽、9，10-雙[2-(1-萘基)苯基]蒽、2，3，6，7_四甲基-9，10-二(I-萘基)蒽等。也可以使用如下芳香烴化合物2，3，6，7-四甲基-9，10-二(2_萘基)蒽、9，9’-聯(lián)恩、10,10，- _-苯基-9,9，-聯(lián)恩、10,10，-雙(2-苯基苯基)-9,9，-聯(lián)恩、10,10，-雙[(2，3，4，5，6_五苯基)苯基]-9，9’-聯(lián)蒽、蒽、并四苯、紅熒烯、茈、2，5，8，11_四(叔丁基)茈、并五苯、暈苯、4，4’ -雙(2，2_ 二苯基乙烯基)聯(lián)苯(簡稱DPVBi)、9，10-雙[4_(2，2_ 二苯基乙烯基)苯基]蒽(簡稱DPVPA)等。此外，作為電子受體，可以舉出7，7，8，8_四氰基-2，3，5，6_四氟醌二甲烷(簡稱F4-TCNQ)、氯醌等有機化合物或者過渡金屬氧化物。此外，還可以舉出屬于元素周期表中第4族至第8族的金屬的氧化物。具體而言,優(yōu)選使用氧化釩、氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧化鑰、氧化鎢、氧化錳和氧化錸，因為它們的電子接受性高。尤其優(yōu)選使用氧化鑰，因為氧化鑰在大氣中也穩(wěn)定，吸濕性低，容易處理。另外，也可以使用諸如PVK、PVTPA, PTPDMA或Poly-TTO等上述高分子化合物與上述電子受體形成復合材料，并將其用于空穴注入層。另外，在將包含上述復合材料的層設置于第一 EL層106中的情況下，也可以通過調(diào)整該包含復合材料的層的厚度來調(diào)整第一反射光的光程長度。在此情況下，沒必要必須設置第一具有透光性的導電層104a?？昭▊鬏攲邮前ň哂懈呖昭▊鬏斝缘奈镔|(zhì)的層。作為具有高空穴傳輸性的物質(zhì)，例如可以使用芳香胺化合物，諸如NPB、TPD、BPAFLP、4，4’ -雙[N_(9，9_ 二甲基芴-2-基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(簡稱DFLDPBi)、4，4’ -雙[N_(螺環(huán)_9，9’ - 二芴-2-基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(簡稱BSPB)等。這里所述的物質(zhì)主要是空穴遷移率為10-6cm2/Vs以上的物質(zhì)。注意，只要是空穴傳輸性高于電子傳輸性的物質(zhì)，就也可以使用上述物質(zhì)之外的物質(zhì)。另外，包含具有高空穴傳輸性的物質(zhì)的層不限于單層，也可以層疊兩層以上的由上述物質(zhì)構(gòu)成的層。此外，作為空穴傳輸層，也可以使用CBP、CzPA, PCzPA等咔唑衍生物或t_BuDNA、DNA, DPAnth等蒽衍生物。此外，作為空穴傳輸層，也可以使用PVK、PVTPA, PTPDMA, Poly-TPD等高分子化合物。第一發(fā)光層120是包含具有發(fā)光性的有機化合物的層。作為具有發(fā)光性的有機化合物，例如可以使用發(fā)射熒光的熒光化合物或發(fā)射磷光的磷光化合物。在可以用于第一發(fā)光層120的突光化合物中,例如作為藍色發(fā)光材料可以舉出N,N’-雙[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N，N’-二苯基二苯乙烯-4，4’-二胺(簡稱YGA2S)、4-(9H-咔唑-9-基)-4’-(10-苯基-9-蒽基)三苯基胺(簡稱YGAPA)、4_ (10-苯基-9-蒽基)-4’-(9_苯基-9H-咔唑-3-基)三苯基胺(簡稱PCBAPA)等。此外，作為綠色發(fā)光材料可以舉出N- (9，10- 二苯基-2-蒽基)-N，9- 二苯基-9H-咔唑-3-胺(簡稱2PCAPA)、N- [9，10-雙(I，I’ -聯(lián)苯-2-基)-2-蒽基]-N，9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(簡稱2PCABPhA)、N- (9，10- 二苯基-2-蒽基)-N, N’，N’ -三苯基-I，4-苯二胺(簡稱2DPAPA)、N_ [9，10-雙(1，1，-聯(lián)苯-2-基)-2-蒽基]-N，N’，N’ -三苯基-I，4-苯二胺(簡稱:2DPABPhA)、N_[9， 10-雙(1，1’ -聯(lián)苯-2-基)]-N-[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N-苯基蒽-2-胺(簡稱2YGABPhA)、N, N, 9-三苯基蒽_9_胺(簡稱=DPhAPhA)等。此外，作為黃色發(fā)光材料可以舉出紅熒烯、5，12-雙(1，1’ -聯(lián)苯-4-基)-6，11-二苯基并四苯(簡稱BPT)等。此外，作為紅色發(fā)光材料可以舉出N，N，N’，N’ -四(4-甲基苯基)并四苯_5，11-二胺(簡稱p-mPhTD)、7，14- 二苯基-N，N，N，，N，-四(4-甲基苯基)苊并[l，2_a]熒蒽 _3，10-二胺(簡稱p_mPhAFD)等。此外，在可以用于第一發(fā)光層120的磷光化合物中，例如作為藍色發(fā)光材料可以舉出雙[2-(4’，6’ - 二氟苯基)吡啶醇-N，C2’ ]銥(III)四(I-吡唑基)硼酸鹽(簡稱FIr6)、雙[2-(4’，6’ -二氟苯基)吡啶醇-N，C2’ ]銥(III)吡啶甲酸酯(簡稱FIrpic)、雙{2-[3’，5，-雙(三氟甲基)苯基]吡啶-N，C2，}銥(III)吡啶甲酸酯(簡稱Ir (CF3ppy)2 (pic))、雙[2-(4’，6’- 二氟苯基)吡啶醇 _N，C2’]銥(III)乙酰丙酮(簡稱FIr(acac))等。此外，作為綠色發(fā)光材料可以舉出三(2-苯基吡啶-N，C2’ )銥(III)(簡稱Ir (ppy)3)、雙(2-苯基吡啶-N，C2，)銥(III)乙酰丙酮(簡稱Ir (ppy)2(acac))、雙(1，2-二苯基-IH-苯并咪唑)銥(III)乙酰丙酮(簡稱lr(pbi)2(acac))、雙(苯并[h]喹啉)銥(III)乙酰丙酮(簡稱Ir (bzq)2(acac))、三(苯并[h]喹啉)銥(III)(簡稱Ir(bzq)3)等。此外，作為黃色發(fā)光材料可以舉出雙(2，4-二苯基-1，3-噁唑-N，C2’ )銥(III)乙酰丙酮(簡稱lr(dp0)2(acac))、雙[2_(4’ -五氟苯基苯基)吡啶]銥(III)乙酰丙酮(簡稱Ir(p-PF-ph)2(aCaC))、雙(2-苯基苯并噻唑-N，C2’ )銥(III)乙酰丙酮(簡稱Ir(bt)2(acac))、(乙酰丙酮)雙[2，3_雙(4-氟苯基)_5_甲基吡嗪]銥(III)(簡稱Ir (Fdppr-Me) 2(acac))、(乙酰丙酮)雙{2_ (4_甲氧基苯基)-3, 5_ 二甲苯批嗪}銥(III)(簡稱Ir(dmmoppr)2(acac))等。此外，作為橙色發(fā)光材料可以舉出三(2-苯基喹啉-N，C2’ )銥(III)(簡稱Ir(pq)3)、雙(2_苯基喹啉-N，C2’ )銥(III)乙酰丙酮(簡稱lr(pq)2(acac))、(乙酰丙酮)雙(3，5_ 二甲基_2_苯基吡嗪)銥(III)(簡稱Ir (mppr-Me)2 (acac))、(乙酰丙酮)雙(5-異丙基-3-甲基-2-苯基卩比嗪)銥(III)(簡稱Ir(mppr-iPr)2(acac))等。此外,作為紅色發(fā)光材料可以舉出有機金屬配合物,諸如雙[2-(2’_苯并[4，5_α]噻吩基)吡啶-N，C3’)銥(III)乙酰丙酮(簡稱Ir (btp)2(acac))、雙(I-苯基異喹啉-N，C2’)銥(III)乙酰丙酮(簡稱lr(piq)2(acac))、(乙酰丙酮)雙[2，
3-雙(4-氟苯基)喹喔啉]銥(III)(簡稱Ir(Fdpq)2(aCaC))、(乙酰丙酮)雙[2，3，5_三苯基吡嗪]銥(III)(簡稱Ir(tppr)2(acac))、(二新戊酰甲烷)雙(2，3，5-三苯基吡嗪)銥
(III)(簡稱:1『(七 102((^111))、2，3，7，8，12，13，17，18-八乙基-21!1，23!1-卟啉鉬(II)(簡稱PtOEP)等。此外，由于三(乙酰丙酮)(單菲咯啉)鋱(III)(簡稱Tb (acac) 3 (Phen))、三(1，3_二苯基-1，3-丙二酸)(單菲咯啉)銪(III)(簡稱Eu(DBM)3(Phen))、三[1_(2_噻吩甲酰基)-3，3，3-三氟乙酸](單菲咯啉)銪(III)(簡稱Eu (TTA)3 (Phen))等稀土金屬配合物可以得到由稀土金屬離子發(fā)射的光(在不同多重體之間的電子躍遷)，所以可以用作磷光化合物。另外，第一發(fā)光層120也可以采用將上述具有發(fā)光性的有機化合物(客體材料)分散在其他物質(zhì)(主體材料)中的結(jié)構(gòu)。作為主體材料，可以使用各種物質(zhì)，優(yōu)選使用其最 低空分子軌道能級(LUM0能級)高于具有發(fā)光性的物質(zhì)的最低空分子軌道能級且其最高占據(jù)分子軌道能級(HOMO能級)低于具有發(fā)光性的物質(zhì)的最高占據(jù)分子軌道能級的物質(zhì)。作為主體材料，具體而言，可以使用如下材料金屬配合物，諸如三(8-羥基喹啉)鋁(III)(簡稱Alq)、三(4-甲基-8-羥基喹啉)鋁(III)(簡稱=Almq3)、雙(10-羥基苯并[h]喹啉)鈹(II)(簡稱BeBq2)、雙(2-甲基_8_羥基喹啉)(4_苯基苯酚(phenylphenolato))鋁(III)(簡稱BAlq)、雙(8_ 羥基喹啉)鋅(II)(簡稱Znq)、雙[2-(2-苯并噁唑基)苯酚(phenolato)]鋅(II)(簡稱=ZnPBO)以及雙[2-(2-苯并噻唑基)苯酚]鋅(II)(簡稱ZnBTZ)等；雜環(huán)化合物，諸如2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-I，3，4-噁二唑(簡稱PBD)、1，3-雙[5-(對-叔丁基苯基)-I，3，4-噁二唑-2-基]苯(簡稱:0XD-7)、3-(4-聯(lián)苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1，2，4_三唑(簡稱TAZ)、2，2’，2”-(l，3，5-苯三基)三(I-苯基-IH-苯并咪唑)(簡稱TPBI)、紅菲繞啉(簡稱BPhen)以及浴銅靈(簡稱BCP)等；稠合芳香化合物，諸如9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(簡稱02 4)、3，6-二苯基-9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(簡稱DPCzPA)、9，10-雙(3，5-二苯基苯基)蒽(簡稱DPPA)、9，10-二(2-萘基)蒽(簡稱DNA)、2-叔丁基-9,10-二 (2-萘基)惠(簡稱t-BuDNA)、9，9’-聯(lián)二惠(bianthryl)(簡稱:BANT)、9，9，-(芪 _3，3，- 二基)二菲(簡稱DPNS)、9，9’ -(芪 _4，4，- 二基)二菲(簡稱DPNS2)以及3，3’，3”-(苯-1，3，5-三基)三芘(簡稱TPB3)、9，10-二苯基蒽(簡稱DPAnth)、6，12-二甲氧基-5,11-二苯基屈(chrysen)等；芳香胺化合物,諸如N,N-二苯基-9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(簡稱CzAlPA)、4_ (10-苯基-9-蒽基)三苯胺(簡稱DPhPA)、N，9- 二苯基-N- [4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(簡稱 04 4)、19-二苯基4-{4-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]苯基}-9H_咔唑-3-胺(簡稱PCAPBA)、N- (9，10- 二苯基-2-蒽基)-N, 9- 二苯基-9H-咔唑-3-胺(簡稱2PCAPA)、NPB (或 a -NPD)、TPD、DFLDPBi, BSPB 等；等等。此外，可以使用多種主體材料。例如，為了抑制結(jié)晶化，還可以進一步添加紅熒烯等抑制結(jié)晶化的物質(zhì)。此外，為了更高效地進行向客體材料的能量轉(zhuǎn)移，還可以進一步添加NPB 或 Alq 等。通過采用將客體材料分散到主體材料中的結(jié)構(gòu)，能夠抑制第一發(fā)光層120的結(jié)晶化。此外，能夠抑制高濃度的客體材料引起的濃度猝滅。作為第一發(fā)光層120,可以使用高分子化合物。具體而言，作為藍色發(fā)光材料，可以舉出聚(9,9-二羊基荷-2,7-二基)(簡稱PF0)、聚[(9,9_ 二羊基荷_2, 7_ 二基)-CO-(2，5_ 二甲氧基苯-I，4-二基)](簡稱PF-DMOP)、聚{(9，9-二辛基芴-2，7-二基)-Co-[N，N’ -二 _(對-丁基苯基)-1，4_ 二胺苯]}(簡稱TAB-PFH)等。此外，作為綠色發(fā)光材料，可以舉出聚(對-亞苯基亞乙烯基)(簡稱PPV)、聚[(9，9_二己基芴-2，7-二基)-alt-co-(苯并[2,1,3]噻二唑-4，7-二基)](簡稱PFBT)、聚[(9，9-二辛基-2，7-二亞乙烯基亞芴基(fluorenylene)) -alt-co- (2-甲氧基_5_ (2-乙基己氧基)-I，4-亞苯基)等。此外，作為橙色至紅色的發(fā)光材料，可以舉出聚[2-甲氧基_5-(2’ -乙基己氧基)-1，
4-亞苯基亞乙烯基](簡稱MEH-PPV)、聚(3- 丁基噻吩-2，5- 二基)(簡稱R4_PAT)、聚{[9，9-二己基-2，7-雙(I-氰基亞乙烯基)亞芴基]-alt-co-[2，5-雙(N，N’_ 二苯基氨基)-I，4-亞苯基]}、聚{[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)_1，4-雙(I-氛基亞乙稀基亞苯基)]-alt-co-[2，5-雙(N，N，-二苯基氨基)-1，4-亞苯基]}(簡稱=CN-PPV-DPD)等。另外，第一 EL層106也可以采用包括兩層以上的發(fā)光層的結(jié)構(gòu)。電子傳輸層是包含具有高電子傳輸性的物質(zhì)的層。作為具有高電子傳輸性的物 質(zhì)，例如可以舉出具有喹啉骨架或苯并喹啉骨架的金屬配合物等，諸如三(8-羥基喹啉)鋁(簡稱Alq)、三(4-甲基-8-羥基喹啉)鋁(簡稱=Almq3)、雙(10-羥基苯并[h]_喹啉)鈹(簡稱=BeBq2)或雙(2-甲基_8_羥基喹啉)(4_苯基苯酚)鋁(簡稱BAlq)等。也可以使用具有噁唑基或噻唑基配體的金屬配合物等，諸如雙[2-(2-羥基苯基)苯并噁唑]鋅(簡稱=Zn(BOX)2)或雙[2-(2-羥基苯基)苯并噻唑]鋅(簡稱Zn(BTZ)2)等。除了金屬配合物以外，還可以使用2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4- B,惡二唑(簡稱PBD)、1，3-雙[5-(對-叔丁基苯基)-1，3，4_ 噁二唑-2-基]苯(簡稱0XD_7)、3_(4-聯(lián)苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-I，2，4-三唑(簡稱TAZ)、紅菲繞啉(簡稱BPhen)、浴銅靈(簡稱BCP)等。這里所述的物質(zhì)主要是電子遷移率為10_6cm2/Vs以上的物質(zhì)。此夕卜，電子傳輸層不限于單層，還可以層疊兩層以上的由上述物質(zhì)所構(gòu)成的層。電子注入層是包含具有高電子注入性的物質(zhì)的層。電子注入層可以使用鋰、銫、鈣、氟化鋰、氟化銫、氟化鈣、氧化鋰等的堿金屬、堿土金屬或者其化合物。此外，可以使用氟化鉺等稀土金屬化合物。此外，也可以使用上述構(gòu)成電子傳輸層的物質(zhì)。通過對發(fā)光兀件施加電壓，電荷產(chǎn)生層108產(chǎn)生電荷,對陰極一側(cè)的EL層注入空穴，并且對陽極一側(cè)的EL層注入電子。電荷產(chǎn)生層108可以使用上述復合材料形成。此外，電荷產(chǎn)生層108也可以采用層疊由復合材料構(gòu)成的層和由其他材料構(gòu)成的層的疊層結(jié)構(gòu)。在此情況下，作為由其他材料構(gòu)成的層，可以使用包含具有電子給予性的物質(zhì)和具有高電子傳輸性的物質(zhì)的層或者由透明導電膜構(gòu)成的層等。具有這種結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件不容易發(fā)生能量的轉(zhuǎn)移或猝滅等的問題。并且，由于可以選擇的材料的范圍更廣，從而容易得到兼有高發(fā)光效率和使用壽命長的發(fā)光兀件。此外，也容易從一方EL層得到磷光發(fā)光并且從另一方EL層得到突光發(fā)光。如圖1A、1B1及1B2所示那樣通過將電荷產(chǎn)生層設置在被層疊的EL層之間，能夠在抑制電流密度的同時得到高亮度且使用壽命長的元件。此外，由于能夠減少電極材料的電阻導致的電壓下降，因此能夠?qū)崿F(xiàn)大面積的均勻發(fā)光。第二 EL層110至少包括第二發(fā)光層122，即可。第二 EL層110也可以具有如下疊層結(jié)構(gòu)除了第二發(fā)光層122以外，還適當?shù)亟M合包含具有高空穴傳輸性的物質(zhì)的層、包含具有高電子傳輸性的物質(zhì)的層、包含具有高空穴注入性的物質(zhì)的層、包含具有高電子注入性的物質(zhì)的層、包含雙極性的物質(zhì)(具有高空穴傳輸性及高電子傳輸性的物質(zhì))的層等。此外，第二 EL層110既可以具有與第一 EL層106相同的結(jié)構(gòu)，又可以具有與第一 EL層106不同的疊層結(jié)構(gòu)。例如，作為第二 EL層110，可以采用包括空穴注入層、空穴傳輸層、第二發(fā)光層122、電子傳輸層、電子注入緩沖層、電子中繼層以及接觸于具有透光性的電極112的復合材料層的疊層結(jié)構(gòu)。注意，第二 EL層110也可以采用包括兩層以上的發(fā)光層的結(jié)構(gòu)。
通過設置接觸于具有透光性的電極112的復合材料層，尤其當利用濺射法形成具有透光性的電極112時，能夠減輕第二 EL層110所受到的損傷，所以是優(yōu)選的。作為復合材料層，可以使用上述的使具有高空穴傳輸性的有機化合物包含受主物質(zhì)的復合材料。并且，通過設置電子注入緩沖層，能夠削弱復合材料層與電子傳輸層之間的注入勢壘，從而能夠容易將產(chǎn)生在復合材料層中的電子注入到電子傳輸層。電子注入緩沖層可以使用具有高電子注入性的物質(zhì)，諸如堿金屬、堿土金屬、稀土金屬以及其化合物(堿金屬化合物(包括氧化鋰等氧化物、齒化物、碳酸鋰或碳酸銫等碳酸鹽)、堿土金屬化合物(包括氧化物、齒化物、碳酸鹽)、稀土金屬化合物(包括氧化物、鹵化物、碳酸鹽))等。此外，當電子注入緩沖層以包含具有高電子傳輸性的物質(zhì)和施主物質(zhì)的方式形成時，優(yōu)選添加相對于具有高電子傳輸性的物質(zhì)的質(zhì)量比為O. 001以上且O. I以下的施主物質(zhì)。另外，作為施主物質(zhì)，除了可以使用堿金屬、堿土金屬、稀土金屬及其化合物(堿金屬化合物(包括氧化鋰等氧化物、齒化物、碳酸鋰或碳酸銫等碳酸鹽)、堿土金屬化合物(包括氧化物、齒化物、碳酸鹽)、稀土金屬化合物(包括氧化物、齒化物、碳酸鹽))以外，還可以使用四硫萘并萘(tetrathianaphthacene)(簡稱TTN)、二茂鎳、十甲基二茂鎳等有機化合物。另外，具有高電子傳輸性的物質(zhì)可以使用與上面所說明的電子傳輸層的材料同樣的材料來形成。再者，優(yōu)選在電子注入緩沖層和復合材料層之間形成電子中繼層。電子中繼層并不是必須要設置的，但是通過設置具有高電子傳輸性的電子中繼層，能夠?qū)㈦娮友杆賯鬏數(shù)诫娮幼⑷刖彌_層。在復合材料層和電子注入緩沖層之間夾持電子中繼層的結(jié)構(gòu)是包含在復合材料層中的受主物質(zhì)和包含在電子注入緩沖層中的施主物質(zhì)彼此不容易相互作用，并且不容易互相抑制各自的功能的結(jié)構(gòu)。因而，能夠防止驅(qū)動電壓增高。電子中繼層包含具有高電子傳輸性的物質(zhì)，并且將該具有高電子傳輸性的物質(zhì)的LUMO能級設定為包含在復合材料層中的受主物質(zhì)的LUMO能級與包含在電子傳輸層中的具有高電子傳輸性的LUMO能級之間的值。此外，當電子中繼層包含施主物質(zhì)時,將該施主物質(zhì)的施主能級也設定為復合材料層中的受主物質(zhì)的LUMO能級與包含在電子傳輸層中的具有高電子傳輸性的LUMO能級之間的值。至于能級的具體數(shù)值，優(yōu)選將包含在電子中繼層中的具有高電子傳輸性的物質(zhì)的LUMO能級設定為-5. OeV以上，優(yōu)選設定為_5. OeV以上且-3. OeV以下。 作為包含在電子中繼層中的具有高電子傳輸性的物質(zhì)，優(yōu)選使用酞菁類的材料或具有金屬-氧鍵和芳香配體的金屬配合物。作為包含在電子中繼層中的酞菁類材料，具體而言，優(yōu)選使用如下物質(zhì)中的任一種CuPc、SnPc (Phthalocyanine tin (II) complex)、ZnPc (Phthalocyanine zinccomplex)、CoPc (Cobalt (II) phthalocyanine, β -form) >FePc (Phthalocyanine Iron)以及PhO-VOPc(Vanadyl 2，9，16，23-tetraphenoxy-29H,31H-phthalocyanine)。作為包含在電子中繼層中的具有金屬-氧鍵和芳香配體的金屬配合物，優(yōu)選使用具有金屬-氧的雙鍵的金屬配合物。由于金屬-氧的雙鍵具有受主性(容易接受電子的性質(zhì))，因此電子的移動(授受)變得更加容易。并且，可以認為具有金屬-氧的雙鍵的金屬配合物是穩(wěn)定的。因此，通過使用具有金屬-氧的雙鍵的金屬配合物，能夠使發(fā)光元件以低電壓進行更穩(wěn)定的驅(qū)動。作為具有金屬-氧鍵和芳香配體的金屬配合物，優(yōu)選使用酞菁類材料。具體而言，優(yōu)選使用 VOPc (Vanadyl phthalocyanine) > SnOPc (Phthalocyanine tin (IV) oxidecomplex)以及TiOPc (Phthalocyanine titanium oxide complex)中的任一種，因為在分子結(jié)構(gòu)上金屬-氧的雙鍵容易與其他分子相互作用并且具有高受主性。
另外，作為上述酞菁類材料，優(yōu)選使用具有苯氧基的材料。具體而言，優(yōu)選使用PhO-VOPc等具有苯氧基的酞菁衍生物。具有苯氧基的酞菁衍生物可以溶解于溶劑。因此，具有苯氧基的酞菁衍生物具有當形成發(fā)光元件時容易處理的優(yōu)點。并且，由于具有苯氧基的酞菁衍生物可以溶解于溶劑，所以容易維修用來成膜的裝置。電子中繼層還可以包含施主物質(zhì)。作為施主物質(zhì)，除了可以使用堿金屬、堿土金屬、稀土金屬及其化合物(堿金屬化合物(包括氧化鋰等氧化物、齒化物、碳酸鋰或碳酸銫等碳酸鹽)、堿土金屬化合物(包括氧化物、齒化物、碳酸鹽)、稀土金屬化合物(包括氧化物、鹵化物、碳酸鹽))以外，還可以使用四硫萘并萘(簡稱TTN)、二茂鎳、十甲基二茂鎳等有機化合物。通過使電子中繼層包含這些施主物質(zhì)，電子移動變得容易而能夠以更低的電壓驅(qū)動發(fā)光元件。當使電子中繼層包含施主物質(zhì)時，作為具有高電子傳輸性的物質(zhì)，除了上述物質(zhì)以外還可以使用具有其LUMO能級高于包含在復合材料層中的受主物質(zhì)的受主能級的物質(zhì)。作為具體能級，優(yōu)選使用在-5. OeV以上，更優(yōu)選在-5. OeV以上且_3. OeV以下的范圍內(nèi)具有LUMO能級的物質(zhì)。作為這種物質(zhì),例如可以舉出茈衍生物、含氮稠環(huán)芳香化合物等。另外，因為含氮稠環(huán)芳香化合物具有穩(wěn)定性，所以作為用來形成電子中繼層的材料是優(yōu)選的。作為茈衍生物的具體例子，可以舉出3，4，9，10-茈四羧酸二酐(簡稱PTCDA)、3，4,9,10-茈四羧酸雙苯并咪唑(簡稱PTCBI)、N，N’- 二辛基-3，4，9，10-茈四羧酸二酰亞胺(簡稱屮丁0)1-08 )、1^-二己基-3，4，9，10-茈四羧酸二酰亞胺(簡稱Hex PTC)等。此外，作為含氮稠環(huán)芳香化合物的具體例子，可以舉出吡嗪并[2，3_f][l，10]菲咯啉-2，3-二甲腈(簡稱屮卩0吣、2，3，6，7，10，11-六氰-1，4，5，8，9，12-六氮雜苯并菲(簡稱=HAT(CN)6)、2，3-二苯基吡啶并[2,3-b]吡嗪(簡稱2PYPR)、2，3-雙(4-氟苯基)吡啶并[2,3-b]吡嗪(簡稱F2PYPR)等。除了上述物質(zhì)以外，還可以使用7，7，8，8_四氰基對醌二甲烷(簡稱TCNQ)、1，4，5,8-萘四羧酸二酐(簡稱NTCDA)、全氟并五苯(perfluoropentacene)、十六氟代酞菁銅(簡稱=F16CuPc), N, N，-雙(2，2，3，3，4，4，5，5，6，6，7，7，8，8，8_ 十五氟代辛基)-1，4，5，8-萘四羧酸二酰亞胺(簡稱NTCDI-C8F)、3’，4’ - 二丁基_5，5”_雙(二氰基亞甲基)_5，5” - 二氫-2，2’5’，2”-三噻吩(簡稱DCMT)、亞甲基富勒烯(例如，[6，6]-苯基C61酪酸甲酯)等。另外，當使電子中繼層包含施主物質(zhì)時，可以通過共蒸鍍具有高電子傳輸性的物質(zhì)和施主物質(zhì)等方法來形成電子中繼層?？昭ㄗ⑷雽?、空穴傳輸層、第二發(fā)光層122以及電子傳輸層分別可以使用上述材料形成。但是，作為第二發(fā)光層122的發(fā)光材料，使用其發(fā)射的光的顏色的波長比第一發(fā)光層120發(fā)射的光的顏色的波長更長的光的發(fā)光材料。由于具有透光性的電極112設置在光提取方向，因此使用具有透光性的材料形成。作為具有透光性的材料，可以使用氧化銦、氧化銦錫、氧化銦鋅合金、氧化鋅、添加有鎵的氧化鋅、石墨烯等。此外，作為具有透光性的電極112，可以使用金、鉬、鎳、鎢、鉻、鑰、鐵、鈷、銅、鈀或鈦等金屬材料?；蛘?，也可以使用這些金屬材料的氮化物(例如，氮化鈦)等。另外，當使用金屬材料(或其氮化物)時，可以將金屬材料形成得薄，以使其具有透光性。在第一發(fā)光兀件132a及第二發(fā)光兀件132b中，第一 EL層106、電荷產(chǎn)生層108以及第二 EL層110以連續(xù)膜的形式形成，而在各像素之間共同使用它們。因此，由于在制造工序中不需要進行使用金屬掩模的分別涂敷，所以能夠一舉在大面積上進行成膜，而能夠?qū)崿F(xiàn)顯示裝置的大型化及生產(chǎn)性的提高。而且，能夠擴大顯示部中的顯示區(qū)。此外，由于能夠防止使用金屬掩模時由于可能產(chǎn)生的微粒的混入等而導致的缺陷，所以能夠高成品率地制造顯示裝置。另外，也可以設置覆蓋第一發(fā)光元件132a及第二發(fā)光元件132b的無機絕緣膜。該 無機絕緣膜用作保護發(fā)光元件免受來自外部的水等污染物質(zhì)的影響的保護層、密封膜。通過設置無機絕緣膜，能夠減輕發(fā)光元件的劣化，而提高顯示裝置的耐用性及使用壽命。作為無機絕緣膜的材料，可以使用與上述無機絕緣體同樣的材料。也可以在襯底100和對置襯底128之間設置用作干燥劑的吸水物質(zhì)。吸水物質(zhì)可以以粉狀等固體狀態(tài)配置或通過濺射法等成膜法以包含吸水物質(zhì)的膜的狀態(tài)設置在第一發(fā)光元件132a及第二發(fā)光元件132b上。對置襯底128可以使用與襯底100同樣的材料。但是，對置襯底128至少需要能夠使透過第一彩色濾光層134a及第二彩色濾光層134b的光透過。作為第一彩色濾光層134a及第二彩色濾光層134b，例如可以使用彩色透光樹脂。作為彩色透光樹脂，可以使用感光性有機樹脂、非感光性有機樹脂。當使用感光性有機樹脂層時，能夠減少抗蝕劑掩模數(shù)量而簡化工序，所以是優(yōu)選的。彩色是指如黑色、灰色和白色等無彩色以外的顏色。彩色濾光層由只使被著色的彩色光透過的材料形成。作為彩色，可以使用紅色、綠色、藍色等。此外，也可以使用青色(cyan)、品紅色(magenta)、黃色(yellow)等。只使被著色的彩色的光透過意味著透過彩色濾光層的光在其彩色的光的波長中具有峰值。優(yōu)選根據(jù)所包含的著色材料的濃度和光的透射率的關系，適當?shù)乜刂撇噬珵V光層的最適宜的厚度。在本實施方式所示的顯示裝置中，通過調(diào)整第一具有反射性的電極102a與第一發(fā)光層120之間的光程并利用光的干擾，能夠減少來自第一發(fā)光層120的發(fā)射光譜的半值寬度。同樣地，通過調(diào)整第二具有反射性的電極102b與第二發(fā)光層122之間的光程并利用光的干擾，能夠減少來自第二發(fā)光層122的發(fā)射光譜的半值寬度。因此，能夠使第一彩色濾光層134a及第二彩色濾光層134b的著色材料的濃度成為低濃度。此外，能夠?qū)⒌谝徊噬珵V光層134a及第二彩色濾光層134b形成為較薄。其結(jié)果是，能夠降低第一彩色濾光層134a或第二彩色濾光層134b的光吸收，而能夠提高光的利用效率。另外，在本實施方式中雖然示出在對置襯底128內(nèi)側(cè)設置第一彩色濾光層134a及第二彩色濾光層134b的例子，但是本發(fā)明不局限于此，也可以在對置襯底128外側(cè)(與發(fā)光元件相反一側(cè))設置它們?；蛘撸部梢栽诘谝话l(fā)光元件132a及第二發(fā)光元件132b上形成用作彩色濾光層的彩色透光樹脂層。也可以在第一彩色濾光層134a與第二彩色濾光層134b之間的區(qū)域(重疊于絕緣層126的區(qū)域)設置遮光層。遮光層使用反射光或吸 收光且具有遮光性的材料形成。例如，可以使用黑色有機樹脂，可以將顏料類的黑色樹脂、碳黑、鈦黑等混合到感光性或非感光性的聚酰亞胺等的樹脂材料中來形成遮光層。此外，也可以使用遮光金屬膜，例如可以使用絡、鑰、鎮(zhèn)、欽、鉆、銅、鶴或招等。對遮光層的形成方法沒有特別的限制，可以根據(jù)其材料利用如蒸鍍法、濺射法、CVD法等的干法或者如旋涂、浸潰、噴涂、液滴噴射法(噴墨法等)、絲網(wǎng)印刷、膠印刷等的濕法，并且根據(jù)需要利用蝕刻法(干蝕刻或濕蝕刻)加工成所希望的圖案。由于遮光層能夠防止向鄰近的像素的漏光，所以通過設置遮光層，能夠進行高對比度及高清晰的顯示。圖2A、2B1至2B3示出與圖1A、1B1及1B2不同的顯示裝置的方式。圖2A為顯示裝置中的顯示部的截面圖。此外，圖2B1至2B3示出圖2A所示的截面圖的部分放大圖。注意，圖2A、2B1至2B3所示的顯示裝置的結(jié)構(gòu)的大部分與圖1A、1B1及1B2所示的顯示裝置的結(jié)構(gòu)共通。因此，下面，有時省略對于重復的部分的說明。圖2A所示的顯示裝置包括第一像素230a、第二像素230b以及第三像素230c。第一像素230a包括設置在襯底100上的第一發(fā)光元件232a以及設置在對置襯底128的與第一發(fā)光元件232a重疊的區(qū)域上的第一彩色濾光層134a。第二像素230b包括設置在襯底100上的第二發(fā)光元件232b以及設置在對置襯底128的與第二發(fā)光元件232b重疊的區(qū)域上的第二彩色濾光層134b。第三像素230c包括設置在襯底100上的第三發(fā)光元件232c以及設置在對置襯底128的與第三發(fā)光元件232c重疊的區(qū)域上的第三彩色濾光層134c。在圖2A所示的顯示裝置中，第一彩色濾光層134a、第二彩色濾光層134b以及第三彩色濾光層134c分別使不同的波長的光透過。在本實施方式中，以透過第一彩色濾光層134a的光的波長范圍的中心波長(下面也寫為λ I)比透過第二彩色濾光層134b的光的波長范圍的中心波長(下面也寫為λ 2)短且透過第二彩色濾光層134b的光的波長范圍的中心波長(λ 2)比透過第三彩色濾光層134c的光的波長范圍的中心波長(下面也寫為入3)短的情況為例子進行說明。例如，通過將第一彩色濾光層134a設定為藍色，將第二彩色濾光層134b設定為綠色，并且將第三彩色濾光層134c設定為紅色，能夠得到能夠進行全彩色顯示的顯示裝置。第一發(fā)光元件232a包括第一具有反射性的電極102a、依次層疊在第一具有反射性的電極102a上的第一具有透光性的導電層104a、第一 EL層106、電荷產(chǎn)生層108、第二EL層210以及具有透光性的電極112。第二發(fā)光元件232b包括第二具有反射性的電極102b、依次層疊在第二具有反射性的電極102b上的第二具有透光性的導電層104b、第一EL層106、電荷產(chǎn)生層108、第二 EL層210以及具有透光性的電極112。第三發(fā)光元件232c包括第三具有反射性的電極102c、依次層疊在第三具有反射性的電極102c上的第三具有透光性的導電層104c、第一 EL層106、電荷產(chǎn)生層108、第二 EL層210以及具有透光性的電極112。在圖2A、2B1至2B3中，由第一發(fā)光元件232a、第二發(fā)光元件232b以及第三發(fā)光元件232c發(fā)射的光從具有透光性的電極112 —側(cè)射出。此外，第一發(fā)光元件232a、第二發(fā)光元件232b、第三發(fā)光元件232c由絕緣層126電絕緣。圖2B1示出第一發(fā)光元件232a的放大圖。圖2B2示出第二發(fā)光元件232b的放大圖。圖2B3示出第三發(fā)光元件232c的放大圖。第一發(fā)光元件232a、第二發(fā)光元件232b以及第三發(fā)光元件232c與圖1A、1B1及 1B2所不的第一發(fā)光兀件132a或第二發(fā)光兀件132b的不同之處在于設置在電荷產(chǎn)生層108上的第二 EL層的結(jié)構(gòu)。第一發(fā)光元件232a、第二發(fā)光元件232b以及第三發(fā)光元件232c包括至少包括第二發(fā)光層122及第三發(fā)光層123的第二 EL層210。另外，第二 EL層210也可以具有如下疊層結(jié)構(gòu)除了發(fā)光層以外還包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層等的功能層。其他結(jié)構(gòu)與第一發(fā)光元件132a或第二發(fā)光元件132b相同。由于第一發(fā)光元件232a、第二發(fā)光元件232b以及第三發(fā)光元件232c分別具有彼此厚度不同的第一具有透光性的導電層104a、第二具有透光性的導電層104b以及第三具有透光性的導電層104c，所以它們具有不同的總厚度。第三具有透光性的導電層104c具有如下作用通過調(diào)整其厚度，調(diào)整由第三發(fā)光層124發(fā)射的光中的被第三具有反射性的電極102c反射回來的光(也寫為第三反射光)的光程長度。由于第三反射光與從第三發(fā)光層124直接入射到第三彩色濾光層134c中的光(也寫為第三入射光)發(fā)生干擾，所以通過調(diào)整第三具有透光性的導電層104c的厚度使第三入射光的相位和第三反射光的相位一致，能夠放大由第三發(fā)光層124發(fā)射的光。因此,與不調(diào)整光程長度的發(fā)光元件相比，本實施方式的發(fā)光元件能夠利用同樣的電流獲得更高的亮度。此外，通過使第三入射光的相位及第三反射光的相位與透過第三彩色濾光層134c的光的波長范圍的中心波長一致，能夠提高從第三像素230c提取的光的色純度。具體而言,在第一像素230a所包括的第一發(fā)光兀件232a中，優(yōu)選將第一具有反射性的電極102a與第一發(fā)光層120之間的光程設定為透過第一彩色濾光層134a的光的波長范圍的中心波長(λ I)的1/4。此外，在第二像素230b所包括的第二發(fā)光元件232b中，優(yōu)選將第二具有反射性的電極102b與第二發(fā)光層122之間的光程設定為透過第二彩色濾光層134b的光的波長范圍的中心波長(λ 2)的3/4。此外，在第三像素230c所包括的第三發(fā)光元件232c中，優(yōu)選將第三具有反射性的電極102c與第三發(fā)光層124之間的光程設定為透過第三彩色濾光層134c的光的波長范圍的中心波長(λ 3)的5/4。透過第一彩色濾光層134a的光的波長范圍的中心波長和來自第一發(fā)光層120的發(fā)射光譜優(yōu)選在表示相同顏色的波長范圍中分別具有最大峰值。透過第二彩色濾光層134b的光的波長范圍的中心波長和來自第二發(fā)光層122的發(fā)射光譜優(yōu)選在表示相同顏色的波長范圍中分別具有最大峰值。透過第三彩色濾光層134c的光的波長范圍的中心波長和來自第三發(fā)光層124的發(fā)射光譜優(yōu)選在表示相同顏色的波長范圍中分別具有最大峰值。
例如，當?shù)谝徊噬珵V光層134a的中心波長位于藍色區(qū)域(例如，中心波長為450nm)時，來自第一發(fā)光層120的發(fā)射光譜優(yōu)選在430nm以上且470nm以下的區(qū)域中具有最大峰值。此外，例如，當?shù)诙噬珵V光層134b的中心波長位于綠色區(qū)域(例如，中心波長為550nm)時，來自第二發(fā)光層122的發(fā)射光譜優(yōu)選在520nm以上且550nm以下的區(qū)域中具有最大峰值。此外，例如，當?shù)谌噬珵V光層134c的中心波長位于紅色區(qū)域(例如，中心波長為690nm)時，來自第三發(fā)光層124的發(fā)射光譜優(yōu)選在600nm以上且700nm以下的區(qū)域中具有最大峰值。另外，在本實施方式中，由于透過第一彩色濾光層134a的光的波長范圍的中心波長比透過第二彩色濾光層134b的光的波長范圍的中心波長短且透過第二彩色濾光層134b的光的波長范圍的中心波長比透過第三彩色濾光層134c的光的波長范圍的中心波長短，所以由第一發(fā)光層120發(fā)射的光的顏色的波長優(yōu)選比由第二發(fā)光層122發(fā)射的光的顏色的波長短，并且由第二發(fā)光層122發(fā)射的光的顏色的波長優(yōu)選比由第三發(fā)光層124發(fā)射的光的波長短。第二 EL層210至少包括第二發(fā)光層122以及層疊在第二發(fā)光層122上的第三發(fā) 光層124，即可。其詳細結(jié)構(gòu)可以采用與第二 EL層110同樣的結(jié)構(gòu)。但是，作為第三發(fā)光層124的發(fā)光材料，使用其發(fā)射的光的顏色的波長比第二發(fā)光層122發(fā)射的光的顏色的波長更長的光的發(fā)光材料。圖3示出本實施方式的顯示裝置中的顯示部的電極結(jié)構(gòu)的平面圖。另外，為了容易理解，在圖3中省略構(gòu)成要素的一部分(例如，第二 EL層等)。圖3的顯示裝置為被動矩陣型顯示裝置，其中以方格狀層疊有被加工為條狀的具有反射性的電極102 (第一具有反射性的電極102a、第二具有反射性的電極102b以及第三具有反射性的電極102c)以及被加工為條狀的具有透光性的電極112(第一具有透光性的電極112a、第二具有透光性的電極112b以及第三具有透光性的電極112c)。第一 EL層、電荷產(chǎn)生層以及第二 EL層以連續(xù)膜的形式設置在具有反射性的電極102與具有透光性的電極112之間的整個面。因此，不需要進行使用金屬掩模的分別涂敷。在本實施方式所示的顯示裝置中，通過根據(jù)表示像素的顏色的彩色濾光層使具有反射性的電極與發(fā)光層之間的光程最優(yōu)化，能夠從像素高色純度且高發(fā)射效率地提取各種顏色的光。此外，通過采用以連續(xù)膜的形式形成發(fā)光層的方法而不采用使用金屬掩模按每個像素分別涂敷發(fā)光層的方法，能夠避免因使用金屬掩模而導致的成品率的降低或工序的復雜化。因此，能夠提供高清晰且低功耗的顯示裝置。本實施方式所示的結(jié)構(gòu)可以與其他實施方式所示的結(jié)構(gòu)適當?shù)亟M合而使用。實施方式2在本實施方式中，使用圖4A及4B說明本發(fā)明的一個方式的主動矩陣型顯示裝置。另外，圖4A為示出顯示裝置的平面圖，圖4B為沿圖4A中的A-B及C-D切斷的截面圖。圖4A及4B的顯示裝置為元件襯底410和密封襯底404由密封材料405固定且具有驅(qū)動電路部(源極側(cè)驅(qū)動電路401、柵極側(cè)驅(qū)動電路403)以及包括多個像素的像素部402的例子。另外，布線408是用來傳送輸入到源極側(cè)驅(qū)動電路401及柵極側(cè)驅(qū)動電路403的信號的布線，并且從外部輸入端子的FPC(柔性印刷電路)409接收視頻信號、時鐘信號、起始信號、復位信號等。注意，雖然這里只示出FPC，但是該FPC也可以設置有印刷線路板(PWB)。本說明書中的顯示裝置不僅包括只設置有顯示裝置主體的狀態(tài)，而且還包括顯示裝置主體安裝有FPC或PWB的狀態(tài)。驅(qū)動電路部(源極側(cè)驅(qū)動電路401、柵極側(cè)驅(qū)動電路403)包括多個晶體管，包括在像素部402中的多個像素各自包括開關晶體管、電流控制晶體管及電連接到其漏電極的第一電極。
在元件襯底410上形成有驅(qū)動電路部(源極側(cè)驅(qū)動電路401、柵極側(cè)驅(qū)動電路403)及像素部402，而在圖4B中示出驅(qū)動電路部的源極側(cè)驅(qū)動電路401及像素部402中的
三個像素。包括在像素部402中的多個像素各自包括開關晶體管、電流控制晶體管及電連接到其漏電極的第一電極。多個像素至少包括兩種顏色以上的像素，在本實施方式中示出具有藍色(B)像素420a、綠色(G)像素420b、紅色(R)像素420c的三種顏色的像素的例子。像素420a包括彩色濾光層434a、發(fā)光元件418a以及電連接到該發(fā)光元件418a的用作開關晶體管的晶體管412a，像素420b包括彩色濾光層434b、發(fā)光元件418b以及電連接到該發(fā)光元件418b的用作開關晶體管的晶體管412b，像素420c包括彩色濾光層434c、發(fā)光元件418c以及電連接到該發(fā)光元件418c的用作開關晶體管的晶體管412c。此外，發(fā)光兀件418a包括具有反射性的電極413a以及具有透光性的導電層415a,發(fā)光元件418b包括具有反射性的電極413b以及具有透光性的導電層415b，發(fā)光元件418c包括具有反射性的電極413c以及具有透光性的導電層415c，并且在具有反射性的電極413a和具有透光性的導電層415a疊層、具有反射性的電極413b和具有透光性的導電層415b的疊層以及具有反射性的電極413c和具有透光性的導電層415c的疊層上具有由設置有第一發(fā)光層的第一 EL層431、電荷產(chǎn)生層432、設置有第二發(fā)光層及第三發(fā)光層的第二EL層433以及具有透光性的電極417構(gòu)成的疊層。通過調(diào)整具有透光性的導電層415a、415b、415c的厚度，在藍色(B)像素420a中，將具有反射性的電極413a與第一發(fā)光層之間的光程設定為透過彩色濾光層434a的光的波長范圍的中心波長的1/4，在綠色(G)像素420b中，將具有反射性的電極413b與第二發(fā)光層之間的光程設定為透過彩色濾光層434b的光的波長范圍的中心波長的3/4，并且在紅色(R)像素420c中，將具有反射性的電極413c與第三發(fā)光層之間的光程設定為透過彩色濾光層434c的光的波長范圍的中心波長的5/4。例如，可以將藍色⑶像素420a的彩色濾光層434a設定為中心波長為450nm的藍色，將綠色(G)像素420b的彩色濾光層434b設定為中心波長為550nm的綠色，并將紅色(R)像素420c的彩色濾光層434c設定為中心波長為690nm的紅色。通過根據(jù)表示像素的顏色的彩色濾光層使具有反射性的電極與發(fā)光層之間的光程最優(yōu)化，能夠從像素高色純度且高發(fā)射效率地提取各種顏色的光。此外，通過采用以連續(xù)膜的形式形成發(fā)光層的方法而不采用使用金屬掩模按每個像素分別涂敷發(fā)光層的方法，能夠避免因使用金屬掩模而導致的成品率的降低或工序的復雜化。因此，能夠提供高清晰且顏色再現(xiàn)性高的顯示裝置。此外，能夠提供低功耗的顯示裝置。另外，源極側(cè)驅(qū)動電路401由組合了 η溝道型晶體管423和ρ溝道型晶體管424而成的CMOS電路形成。此外，驅(qū)動電路也可以由使用晶體管形成的各種CMOS電路、PMOS電路或NMOS電路形成。此外，在本實施方式中雖然示出在襯底上形成源極側(cè)驅(qū)動電路及柵極側(cè)驅(qū)動電路的例子，但是不一定必須采用該結(jié)構(gòu)，也可以將源極側(cè)驅(qū)動電路及柵極側(cè)驅(qū)動電路的一部分或全部設置在襯底外部而不形成在襯底上。另外，以覆蓋具有反射性的電極413a、413b、413c以及具有透光性的導電層415a、415b,415c的端部的方式形成有絕緣物414。這里，使用正型感光性丙烯酸樹脂膜形成絕緣物 414。 此外，為了提高覆蓋性，在絕緣物414的上端部或下端部形成具有曲率的曲面。例如，在作為絕緣物414的材料使用正型感光性丙烯酸的情況下，優(yōu)選只在絕緣物414的上端部形成具有曲率半徑(0.2μπι至3μπι)的曲面。此外，作為絕緣物414，可以使用因光照射而變成不溶于蝕刻劑的負型感光材料或因光照射而變成可溶于蝕刻劑的正型感光材料。作為彩色濾光層434a、434b、434c、具有反射性的電極413a、413b、413c、具有透光性的導電層415a、415b、415c、第一 EL層431、電荷產(chǎn)生層432、第二 EL層433以及具有透光性的電極417的材料，可以分別采用實施方式I所示的材料。再者，通過使用密封材料405將密封襯底404和元件襯底410貼合在一起，得到由元件襯底410、密封襯底404及密封材料405圍繞的空間407中具備發(fā)光元件418的結(jié)構(gòu)。另外，在空間407中填充有填充劑，除了填充惰性氣體(氮或氬等)的情況以外，還有填充有機樹脂、密封材料405的情況。作為有機樹脂及密封材料405，也可以使用包含具有吸濕性的物質(zhì)的材料。另外，作為密封材料405，優(yōu)選使用環(huán)氧類樹脂。此外，這些材料優(yōu)選為盡可能地不使水分或氧透過的材料。此外，作為用于密封襯底404的材料，除了玻璃襯底或石英襯底以夕卜，也可以使用由FRP (Fiberglass-Reinforced Plastics ;玻璃纖維增強塑料)、PVF(聚氟乙烯)、聚酯或丙烯酸等構(gòu)成的塑料襯底。像本實施方式那樣，也可以將用作基底膜的絕緣膜411設置在元件襯底410與晶體管的半導體層之間。絕緣膜具有防止來自元件襯底410的雜質(zhì)元素擴散的功能，可以使用選自氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜或氧氮化硅膜中的一種或多種膜的單層或疊層結(jié)構(gòu)形成。對可以應用于本說明書所公開的顯示裝置的晶體管的結(jié)構(gòu)沒有特別的限制，例如，可以采用頂柵交錯型晶體管、頂柵平面型晶體管、底柵交錯型晶體管或底柵平面型晶體管等。此外，晶體管可以采用形成有一個溝道形成區(qū)的單柵結(jié)構(gòu)、形成有兩個溝道形成區(qū)的雙柵結(jié)構(gòu)(double-gate)或形成有三個溝道形成區(qū)的三柵結(jié)構(gòu)。此外，也可以采用在溝道形成區(qū)上下隔著柵極絕緣層設置有兩個柵電極層的雙柵結(jié)構(gòu)(dual-gate)。柵電極層可以使用鑰、鈦、鉻、鉭、鎢、鋁、銅、釹、鈧等金屬材料或以這些金屬材料為主要成分的合金材料以單層或疊層形成。例如，作為柵電極層的兩層的疊層結(jié)構(gòu)，優(yōu)選采用鋁層上層疊鑰層的兩層結(jié)構(gòu)、銅層上層疊鑰層的兩層結(jié)構(gòu)、銅層上層疊氮化鈦層或氮化鉭層的兩層結(jié)構(gòu)、層疊氮化鈦層和鑰層的兩層結(jié)構(gòu)。作為三層的疊層結(jié)構(gòu)，優(yōu)選采用層疊如下三層的疊層結(jié)構(gòu)鎢層或氮化鎢層；鋁和硅的合金層或鋁和鈦的合金層；以及氮化鈦層或鈦層。作為柵極絕緣層，可以利用等離子體CVD法或濺射法等形成氧化硅層、氮化硅層、氧氮化硅層或氮氧化硅層的單層或疊層。此外，作為柵極絕緣層，也可以通過使用有機娃燒氣體的CVD法形成氧化 娃層。作為有機娃燒氣體,可以使用娃酸乙酯(TEOS :化學式Si (OC2H5) 4)、四甲基硅烷(TMS :化學式Si (CH3)4)、四甲基環(huán)四硅氧烷(TMCTS)、八甲基環(huán)四硅氧烷(OMCTS)、六甲基二硅氮烷(HMDS)、三乙氧基硅烷(SiH(OC2H5)3)、三(二甲氨基)硅烷(SiH(N(CH3)2)3)等含硅化合物。對用于半導體層的材料沒有特別的限制，可以根據(jù)晶體管412a、412b、412c、423、424所要求的特性適當?shù)卦O定。下面說明可以用于半導體層的材料的例子。作為形成半導體層的材料，可以通過濺射法或使用以硅烷或鍺烷為典型的半導體材料氣體的氣相生長法制造的非晶(也稱為非晶質(zhì))半導體、利用光能或熱能使該非晶半導體結(jié)晶化而得到的多晶半導體或著微晶半導體等。半導體層可以通過濺射法、LPCVD法或等離子體CVD法等形成。作為半導體層，可以使用硅或碳化硅等的單晶半導體。當作為半導體層使用單晶半導體時，能夠使晶體管微型化，從而能夠進一步提高顯示部中的像素的清晰度。當作為半導體層使用單晶半導體時，可以采用設置有單晶半導體層的SOI襯底。或者，也可以使用硅片等半導體襯底。作為非晶半導體典型地可以舉出氫化非晶硅，作為結(jié)晶半導體典型地可以舉出多晶硅等。多晶硅(多結(jié)晶硅)包括使用以800°C以上的處理溫度形成的多晶硅作為主要材料的所謂高溫多晶硅；使用以600°C以下的處理溫度形成的多晶硅作為主要材料的所謂低溫多晶硅；使用促進結(jié)晶化的元素等使非晶硅結(jié)晶化了的多晶硅等。當然，如上所述，也可以使用微晶半導體或在半導體層的一部分包含結(jié)晶相的半導體。此外，也可以使用氧化物半導體。作為氧化物半導體，可以使用四元金屬氧化物的 In-Sn-Ga-Zn-O 類；三元金屬氧化物的 In-Ga-Zn-O 類、In-Sn-Zn-O 類、In-Al-Zn-O 類、Sn-Ga-Zn-O 類、Al-Ga-Zn-O 類、Sn-Al-Zn-O 類；二兀金屬氧化物的 In-Zn-O 類、Sn-Zn-O 類、Al-Zn-O 類、Zn-Mg-O 類、Sn-Mg-O 類、In-Mg-O 類、In-Ga-O 類；In-O 類、Sn-O 類、Zn-O 類等。此外，也可以在上述氧化物半導體中包含Si02。這里，例如，In-Ga-Zn-O類氧化物半導體是指至少包含IruGa及Zn的氧化物,對其組成比沒有特別的限制。此外，In-Ga-Zn-O類氧化物半導體還可以包含In、Ga及Zn以外的元素。此外，作為氧化物半導體層，可以使用以化學式InMO3(ZnO)mOii > O)表示的薄膜。這里，M表示選自Ga、Al、Mn及Co中的一種或多種金屬元素。例如，作為M有Ga、Ga及Al、Ga及Mn或者Ga及Co等。此外，當作為氧化物半導體使用In-Zn-O類材料時，將原子數(shù)比設定為In/Zn =O. 5至50，優(yōu)選設定為In/Zn = I至20，更優(yōu)選設定為In/Zn = I. 5至15。通過將Zn的原子數(shù)比設定在優(yōu)選的所述范圍內(nèi)，能夠提高晶體管的場效應遷移率。這里，當化合物的原子數(shù)比為 In Zn O = X Y Z 時，滿足 Z > I. 5X+Y。作為氧化物半導體層，可以使用具有不是完全的單晶也不是完全的非晶的結(jié)構(gòu)的CAAC-OS(C Axis Aligned Crystalline Oxide Semiconductor :c 軸取向結(jié)晶氧化物半導體)膜。CAAC-OS膜是在非晶相中具有結(jié)晶部及非晶部的結(jié)晶-非晶混合相結(jié)構(gòu)的氧化物半導體膜。在CAAC-OS膜所包含的結(jié)晶部中，c軸在與CAAC-OS膜的被形成面的法線矢量或表面的法線矢量平行(包括-5°以上且5°以下的范圍)的方向上一致，當從垂直于ab面的方向看時具有三角形狀或六角形狀的原子排列，并且當從垂直于c軸(包括85°以上且95°以下的范圍)的方向看時金屬原子排列為層狀或者金屬原子和氧原子排列為層狀。另外，在不同的結(jié)晶部之間，a軸及b軸的方向也可以彼此不同。作為用作源電極層或漏電極層的布線層的材料，可以舉出選自Al、Cr、Ta、Ti、Mo、W中的元素；以上述元素為成分的合金；組合上述元素而成的合金等。此外，在進行熱處理的情況下，優(yōu)選使導電膜具有可承受該熱處理的耐熱性。例如，由于當使用Al單體時存在耐熱性差且容易腐蝕等問題，所以組合Al和耐熱性導電材料形成用作源電極層或漏電極層的布線層。作為與Al組合的耐熱性導電材料使用如下材料選自鈦(Ti)、鉭(Ta)、鎢(W)、鑰(Mo)、鉻(Cr)、釹(Nd)、鈧(Sc)中的元素；以上述元素為成分的合金；組合上述元素的合金；或以上述元素為成分的氮化物。作為覆蓋晶體管的絕緣膜419，可以使用通過干法或濕法形成的無機絕緣膜、有機 絕緣膜。例如，可以使用通過CVD法或濺射法等形成的氮化硅膜、氧化硅膜、氧氮化硅膜、氧化鋁膜、氧化鉭膜、氧化鎵膜等。此外，可以使用聚酰亞胺、丙烯酸、苯并環(huán)丁烯、聚酰胺、環(huán)氧等有機材料。此外，除了上述有機材料以外，可以使用低介電常數(shù)材料(low-k材料)、硅氧烷類樹脂、PSG (磷硅玻璃)、BPSG (硼磷硅玻璃)等。另外，硅氧烷類樹脂相當于以硅氧烷類材料為起始材料形成的包含Si-O-Si鍵的樹脂。硅氧烷類樹脂也可以使用有機基(例如，烷基或芳基)或氟基作為取代基。此外，有機基也可以具有氟基。硅氧烷類樹脂通過涂敷法進行成膜并進行焙燒而可以用作絕緣膜419。另外，也可以通過層疊使用上述材料形成的多個絕緣膜來形成絕緣膜419。例如，也可以采用在無機絕緣膜上層疊有機樹脂膜的結(jié)構(gòu)。通過上述方式，能夠得到具有本發(fā)明的一個方式的發(fā)光元件的主動矩陣型顯示裝置。本實施方式可以與其他實施方式適當?shù)亟M合。實施方式3本說明書所公開的顯示裝置可以應用于各種電子設備(也包括游戲機)。作為電子設備，例如可以舉出電視裝置(也稱為電視或電視接收機)、用于計算機等的顯示器、數(shù)碼相機、數(shù)碼攝像機、數(shù)碼相框、移動電話機(也稱為移動電話、移動電話裝置)、便攜式游戲機、便攜式信息終端、音頻再現(xiàn)裝置、彈珠機等的大型游戲機等。圖5A示出筆記本個人計算機,該筆記本個人計算機由主體3001、框體3002、顯示部3003以及鍵盤3004等構(gòu)成。通過將實施方式I或?qū)嵤┓绞?所示的顯示裝置應用于顯示部3003，能夠制造高清晰且低功耗的筆記本個人計算機。圖5B示出便攜式信息終端(PDA)，在主體3021中設置有顯示部3023、外部接口3025以及操作按鈕3024等。此外，作為用來操作的附件還具備觸屏筆3022。通過將實施方式I或?qū)嵤┓绞?所示的顯示裝置應用于顯示部3023，能夠制造高清晰且低功耗的便攜式信息終端(PDA)。圖5C示出電子書閱讀器，該電子書閱讀器由框體2701及框體2703的兩個框體構(gòu)成。框體2701及框體2703由軸部2711形成為一體，并且可以以該軸部2711為軸進行開閉動作。通過這種結(jié)構(gòu)，可以進行如紙的書籍那樣的工作?？蝮w2701組裝有顯示部2705，而框體2703組裝有顯示部2707。顯示部2705及顯示部2707的結(jié)構(gòu)既可以是顯示連屏畫面的結(jié)構(gòu)，又可以是顯示不同的畫面的結(jié)構(gòu)。通過采用顯示不同的畫面的結(jié)構(gòu),例如在右邊的顯示部(圖5C中的顯示部2705)中可以顯示文章，而在左邊的顯示部(圖5C中的顯示部2707)中可以顯示圖像。通過將實施方式I或?qū)嵤┓绞?所示的顯示裝置應用于顯示部2705、顯示部2707，能夠制造高清晰且低功耗的電子書閱讀器。當將半透射型的顯示裝置或反射型的顯示裝置用于顯示部2705時，可以預料電子書閱讀器在較明亮的情況下也被使用，所以可以設置太陽能電池，而使其能夠進行利用太陽能電池的發(fā)電以及利用電池的充電。另外，若作為電池使用鋰離子電池，則有能夠?qū)崿F(xiàn)小型化等的優(yōu)點。
此外，在圖5C中示出框體2701具備操作部等的例子。例如，在框體2701中具備電源開關2721、操作鍵2723、揚聲器2725等。利用操作鍵2723可以翻頁。另外，還可以采用在與框體的顯示部同一面上設置鍵盤、定位裝置等的結(jié)構(gòu)。此外，也可以采用在框體的背面或側(cè)面具備外部連接端子(耳機端子、USB端子等)、記錄介質(zhì)插入部等的結(jié)構(gòu)。再者，電子書閱讀器也可以具有電子詞典的功能。此外，電子書閱讀器也可以采用能夠以無線的方式收發(fā)信息的結(jié)構(gòu)。還可以采用以無線的方式從電子書閱讀器服務器購買所希望的書籍數(shù)據(jù)等，然后下載的結(jié)構(gòu)。圖K)示出移動電話，由框體2800及框體2801的兩個框體構(gòu)成。框體2801具備顯示面板2802、揚聲器2803、麥克風2804、定位裝置2806、影像拍攝用透鏡2807、外部連接端子2808等。此外，框體2800具備對移動電話進行充電的太陽能電池單元2810、外部儲存槽2811等。此外，在框體2801內(nèi)組裝有天線。通過將實施方式I或?qū)嵤┓绞?所示的顯示裝置應用于顯示面板2802，能夠制造高清晰且低功耗的移動電話。此外，顯示面板2802具備觸摸屏，在圖中，使用虛線示出作為映像而被顯示出來的多個操作鍵2805。另外，還安裝有用來將由太陽能電池單元2810輸出的電壓升壓到各電路所需的電壓的升壓電路。顯示面板2802根據(jù)使用方式適當?shù)馗淖冿@示的方向。此外，由于在與顯示面板2802同一面上設置影像拍攝用透鏡2807，所以可以實現(xiàn)可視電話。揚聲器2803及麥克風2804不局限于音頻通話，還可以進行可視通話、錄音、再生等。再者，通過滑動框體2800和框體2801可以使其從圖那樣的展開狀態(tài)變?yōu)橹丿B狀態(tài)，所以可以實現(xiàn)適于攜帶的小型化。外部連接端子2808可以與AC適配器及各種電纜如USB電纜等連接，并且可以進行充電及與個人計算機等的數(shù)據(jù)通訊。此外，通過將記錄媒體插入外部儲存槽2811中，可以對應更大量數(shù)據(jù)的保存及移動。此外，除了上述功能之外，還可以具有紅外線通信功能、電視接收功能等。圖5E示出數(shù)碼攝像機，該數(shù)碼攝像機由主體3051、顯示部A3057、取景器部3053、操作開關3054、顯示部B3055、電池3056等構(gòu)成。通過將實施方式I或?qū)嵤┓绞?所示的顯示裝置應用于顯示部A3057、顯示部B3055，能夠制造高清晰且低功耗的數(shù)碼攝像機。圖5F示出電視裝置，該電視裝置由框體9601、顯示部9603等構(gòu)成。利用顯示部9603可以顯示映像。此外，在此示出利用支架9605支撐框體9601的結(jié)構(gòu)。通過將實施方式I或?qū)嵤┓绞?所示的顯示裝置應用于顯示部9603，能夠制造高清晰且低功耗的電視裝置。
可以通過利用框體9601所具備的操作開關或另行提供的遙控操作機進行電視裝置的操作。此外，也可以采用在遙控操作機中設置顯示從該遙控操作機輸出的信息的顯示部的結(jié)構(gòu)。另外，電視裝置采用具備接收機、調(diào)制解調(diào)器等的結(jié)構(gòu)?？梢酝ㄟ^利用接收機接收一般的電視廣播。再者，通過調(diào)制解調(diào)器連接到有線或無線方式的通信網(wǎng)絡，可以進行單向(從發(fā)送者到接收者)或雙向(在發(fā)送者和接收者之間或在接收者之間等)的信息通訊。本實施方式可以與其他實施方式所記載的結(jié)構(gòu)適當?shù)亟M合而實施。另外，本實施方式所示的結(jié)構(gòu)可以適當?shù)嘏c實施方式I或?qū)嵤┓绞?所示的結(jié)構(gòu)組合而使用。
實施例
在本實施例中，使用附圖及圖表說明本發(fā)明的一個方式的顯示裝置的特性的測量結(jié)果。使用圖6說明在本實施例中用于顯示裝置的發(fā)光元件的制造方法。本實施例的顯示裝置至少包括對應藍色像素的發(fā)光元件(以下為發(fā)光元件B)以及對應紅色像素的發(fā)光元件(以下為發(fā)光元件R)。下面示出在本實施例中使用的有機化合物(Bphen、9-苯基_3_ [4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(簡稱PCzPA)、9-[4-(N-咔唑基)]苯基-10-苯基蒽(簡稱CzPA)、4-苯基-4’ -(9-苯基芴-9-基)三苯基胺(簡稱BPAFLP)、N，N’ -雙(3-甲基苯基)-N，N’ -雙[3-(9-苯基-9!1-芴-9-基)苯基]-芘_1，6_ 二胺(簡稱1，6mMemFLPAPrn)、2-[3-(2，8-二苯基二苯并噻吩-4-基)苯基]二苯并[f，h]喹喔啉(簡稱2mDBTPDBq-III)、4_ 苯基 _4，_(9_ 苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱PCBA1BP)、(乙酰丙酮)雙(6-叔丁基-4-苯基吡啶)銥(III)(簡稱Ir(tBuppm)2(aCaC))、雙(2，3，
5-三苯基卩比嗪)(二新戍酰甲燒)銥(III)(簡稱Ir (tppr)2(dpm)))的結(jié)構(gòu)式。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光裝置，包括 第一元件,包括 第一彩色濾光層；以及 第一發(fā)光兀件， 其中所述第一發(fā)光元件包括 第一具有反射性的電極； 所述第一具有反射性的電極上的第一發(fā)光層；以及 所述第一發(fā)光層上的第二發(fā)光層， 第二元件,包括 第二彩色濾光層；以及 第二發(fā)光元件， 其中所述第二發(fā)光元件包括 第二具有反射性的電極； 所述第二具有反射性的電極上的所述第一發(fā)光層；以及 所述第一發(fā)光層上的所述第二發(fā)光層， 其中所述第一元件中的所述第一具有反射性的電極與所述第一發(fā)光層之間的第一光程為透過所述第一彩色濾光層的光的第一波長范圍的第一中心波長的1/4， 所述第二元件中的所述第二具有反射性的電極與所述第二發(fā)光層之間的第二光程為透過所述第二彩色濾光層的光的第二波長范圍的第二中心波長的3/4， 并且所述第一中心波長比所第二中心波長短。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光裝置，其中所述第一發(fā)光層發(fā)射的光的顏色的波長比所述第二發(fā)光層發(fā)射的光的顏色的波長短。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光裝置，其中所述第二發(fā)光元件在所述第二具有反射性的電極與所述第一發(fā)光層之間還包括第一具有透光性的導電層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置，其中所述第一具有透光性的導電層含有選自如下組中的材料氧化銦、氧化銦錫、氧化銦-氧化鋅合金、氧化鋅、含有鍺的氧化鋅、石墨烯、聚苯胺或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚噻吩(PEDOT)或其衍生物、由苯胺、吡咯及噻吩中的兩種以上構(gòu)成的共聚物或其衍生物。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置， 其中所述第一發(fā)光元件在所述第一具有反射性的電極與所述第一發(fā)光層之間還包括第二具有透光性的導電層， 并且所述第二具有透光性的導電層的厚度與所述第一具有透光性的導電層的厚度不同。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光裝置，其中所述第二具有透光性的導電層含有選自如下組中的材料氧化銦、氧化銦錫、氧化銦-氧化鋅合金、氧化鋅、含有鍺的氧化鋅、石墨烯、聚苯胺或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚噻吩(PEDOT)或其衍生物、由苯胺、吡咯及噻吩中的兩種以上構(gòu)成的共聚物或其衍生物。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光裝置，其在所述第一發(fā)光層與所述第二發(fā)光層之間還包括電荷產(chǎn)生層。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光裝置，其在所述第二發(fā)光層上還包括具有透光性的電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光裝置， 其中所述第一光程為所述第一具有反射性的電極的表面與所述第一發(fā)光層的下表面之間的光程以上且所述第一具有反射性的電極的所述表面與所述第一發(fā)光層的上表面之間的光程以下， 并且所述第二光程為所述第二具有反射性的電極的表面與所述第二發(fā)光層的下表面之間的光程以上且所述第二具有反射性的電極的所述表面與所述第二發(fā)光層的上表面之間的光程以下。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光裝置，其中所述發(fā)光裝置為顯示裝置。
11.一種發(fā)光裝置，包括 第一元件,包括 第一彩色濾光層；以及 第一發(fā)光兀件， 其中所述第一發(fā)光元件包括 第一具有反射性的電極； 所述第一具有反射性的電極上的第一發(fā)光層； 所述第一發(fā)光層上的第二發(fā)光層；以及 所述第二發(fā)光層上的第三發(fā)光層， 第二元件,包括 第二彩色濾光層；以及 第二發(fā)光元件， 其中所述第二發(fā)光元件包括 第二具有反射性的電極； 所述第二具有反射性的電極上的所述第一發(fā)光層； 所述第一發(fā)光層上的所述第二發(fā)光層；以及 所述第二發(fā)光層上的所述第三發(fā)光層， 第三元件，包括 第三彩色濾光層；以及 第三發(fā)光元件， 其中所述第三發(fā)光元件包括 第三具有反射性的電極； 所述第三具有反射性的電極上的所述第一發(fā)光層； 所述第一發(fā)光層上的所述第二發(fā)光層；以及 所述第二發(fā)光層上的所述第三發(fā)光層， 其中所述第一元件中的所述第一具有反射性的電極與所述第一發(fā)光層之間的第一光程為透過所述第一彩色濾光層的光的第一波長范圍的第一中心波長的1/4， 所述第二元件中的所述第二具有反射性的電極與所述第二發(fā)光層之間的第二光程為透過所述第二彩色濾光層的光的第二波長范圍的第二中心波長的3/4，所述第三元件中的所述第三具有反射性的電極與所述第三發(fā)光層之間的第三光程為透過所述第三彩色濾光層的光的第三波長范圍的第三中心波長的5/4， 所述第一中心波長比所述第二中心波長短， 并且所述第二中心波長比所述第三中心波長短。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光裝置，其中所述第一發(fā)光層發(fā)射的光的顏色的波長比所述第二發(fā)光層發(fā)射的光的顏色的波長短，并且所述第二發(fā)光層發(fā)射的光的顏色的波長比所述第三發(fā)光層發(fā)射的光的顏色的波長短。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光裝置， 其中所述第二發(fā)光元件在所述第二具有反射性的電極與所述第一發(fā)光層之間還包括第一具有透光性的導電層， 所述第三發(fā)光元件在所述第三具有反射性的電極與所述第一發(fā)光層之間還包括第二具有透光性的導電層， 并且所述第一具有透光性的導電層的厚度與所述第二具有透光性的導電層的厚度不同。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光裝置， 其中所述第一具有透光性的導電層含有選自如下組中的材料氧化銦、氧化銦錫、氧化銦-氧化鋅合金、氧化鋅、含有鍺的氧化鋅、石墨烯、聚苯胺或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚噻吩(PEDOT)或其衍生物、由苯胺、吡咯及噻吩中的兩種以上構(gòu)成的共聚物或其衍生物， 并且所述第二具有透光性的導電層含有選自如下組中的材料氧化銦、氧化銦錫、氧化銦-氧化鋅合金、氧化鋅、含有鍺的氧化鋅、石墨烯、聚苯胺或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚噻吩(PEDOT)或其衍生物、由苯胺、吡咯及噻吩中的兩種以上構(gòu)成的共聚物或其衍生物。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光裝置， 其中所述第一發(fā)光元件在所述第一具有反射性的電極與所述第一發(fā)光層之間還包括第三具有透光性的導電層， 并且所述第三具有透光性的導電層的厚度與所述第一具有透光性的導電層及所述第二具有透光性的導電層的厚度不同。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的發(fā)光裝置，其中所述第三具有透光性的導電層含有選自如下組中的材料氧化銦、氧化銦錫、氧化銦-氧化鋅合金、氧化鋅、含有鍺的氧化鋅、石墨烯、聚苯胺或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚噻吩(PEDOT)或其衍生物、由苯胺、吡咯及噻吩中的兩種以上構(gòu)成的共聚物或其衍生物。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光裝置，其在所述第一發(fā)光層與所述第二發(fā)光層之間還包括電荷產(chǎn)生層。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光裝置，其在所述第二發(fā)光層上還包括具有透光性的電極。
19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光裝置， 其中所述第一光程為所述第一具有反射性的電極的表面與所述第一發(fā)光層的下表面之間的光程以上且所述第一具有反射性的電極的所述表面與所述第一發(fā)光層的上表面之間的光程以下， 所述第二光程為所述第 二具有反射性的電極的表面與所述第二發(fā)光層的下表面之間的光程以上且所述第二具有反射性的電極的所述表面與所述第二發(fā)光層的上表面之間的光程以下， 并且所述第三光程為所述第三具有反射性的電極的表面與所述第三發(fā)光層的下表面之間的光程以上且所述第三具有反射性的電極的所述表面與所述第三發(fā)光層的上表面之間的光程以下。
20.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光裝置，其中所述發(fā)光裝置為顯示裝置。
全文摘要
本發(fā)明的一個方式提供一種高生產(chǎn)性地制造顯示裝置的技術方案。此外，本發(fā)明的一個方式提供高色純度且高清晰的顯示裝置。通過根據(jù)透過彩色濾光層的光的范圍的中心波長調(diào)整具有反射性的電極與發(fā)光層之間的光程，以不分別涂敷發(fā)光層的方式提供高色純度且高清晰的顯示裝置。發(fā)光元件層疊有不同發(fā)光顏色的多個發(fā)光層，并且發(fā)光層離具有反射性的電極越近，由發(fā)光層發(fā)射的光的顏色的波長越短。
文檔編號H01L51/52GK102637829SQ201210028860
公開日2012年8月15日 申請日期2012年2月10日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月11日
發(fā)明者佐佐木俊毅, 大澤信晴, 山崎舜平, 瀨尾哲史, 牛窪孝洋 申請人:株式會社半導體能源研究所