一種帶有側(cè)盤狀陰極的電鍍滾筒的制作方法
【專利說明】一種帶有側(cè)盤狀陰極的電鍍滾筒
[0001]
技術(shù)領(lǐng)域
[0002]本發(fā)明用于金屬電鍍行業(yè)中對金屬件工件電鍍。
【背景技術(shù)】
[0003]隨著“表面技術(shù)”的飛速發(fā)展，新的電鍍設(shè)備不斷出現(xiàn)。就滾鍍的重要設(shè)備滾筒來講，出現(xiàn)了搖動式滾筒、振動式滾筒、漸開線螺旋式滾筒。但對陰極連接連接方式來說，一般使用軸套式和軟導(dǎo)線式兩種。經(jīng)過多年的生產(chǎn)實踐證明，軸套式陰極連接方法，由于磨損和腐蝕的存在，當(dāng)它們漫在鍍液中工作時，會使電解液遭受金屬離子的污染。而軟導(dǎo)線陰極接觸方法，導(dǎo)線絕緣易損，使觸頭導(dǎo)電接觸不良，造成鍍件沒有鍍層，在一定的條件下產(chǎn)生易燃物質(zhì)，會將滾筒燒毀。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是提供一種帶有側(cè)盤狀陰極的電鍍滾筒，解決了現(xiàn)有技術(shù)中軸套式和軟導(dǎo)線式陰極連接的不足，且導(dǎo)電容量大，導(dǎo)電性能好，沒有漏鍍現(xiàn)象，可大幅提高生產(chǎn)效率。
[0005]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:
一種帶有側(cè)盤狀陰極的電鍍滾筒，包括筒體，筒體兩端設(shè)有密閉的側(cè)封板，側(cè)封板兩端軸向設(shè)有支撐軸，其特征是:在筒體內(nèi)靠近側(cè)封板內(nèi)側(cè)設(shè)有盤狀陰極，并與支撐軸連接為一體。
[0006]以上所述筒體外表面設(shè)有孔眼。
[0007]本發(fā)明有益效果是，盤狀陰極設(shè)置在筒體的兩端，減少了陰極的磨損，增加了滾筒內(nèi)空間，并且導(dǎo)電性能好，在同一滾筒中完成對不同零件的鍍覆要求，電鍍層均勻，從而可較大幅度的提高生產(chǎn)效率。
【附圖說明】
[0008]圖1為本發(fā)明滾筒側(cè)向剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0009]圖中:1.筒體；2.孔眼；3.側(cè)封板；4.盤狀陰極；5.支撐軸。
【具體實施方式】
[0010]參見附圖1，本發(fā)明包括筒體，筒體外表面設(shè)有孔眼，筒體兩端設(shè)有密閉的側(cè)封板，在側(cè)封板兩端軸向設(shè)有支撐軸，在筒體內(nèi)靠近側(cè)封板內(nèi)側(cè)設(shè)有盤狀陰極，并與支撐軸連接為一體。
[0011]本發(fā)明筒體和側(cè)封板均為PVC材料，并焊接而成一體，其外形可為圓形、六角形、八角形，盤狀陰極和支撐軸連接為一體，并采用銅質(zhì)或?qū)щ娦阅芎玫钠渌牧?。盤狀陰極設(shè)置在筒體的兩端，減少了陰極的磨損，增加了滾筒內(nèi)空間，并且導(dǎo)電性能好，減小工作時產(chǎn)生的濃差梯度，而不使鍍液組成發(fā)生變化，而不污染鍍液，可較大幅度地提高陰極電流效率和生產(chǎn)效率。并且可方便的更換陰極觸頭，維修方便，制造費用低。
[0012]應(yīng)當(dāng)說明的是，本發(fā)明所述的實施方式僅僅是其優(yōu)選方式，對屬于本發(fā)明技術(shù)方案而僅僅是顯而易見的改動，均應(yīng)屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種帶有側(cè)盤狀陰極的電鍍滾筒，包括筒體，筒體兩端設(shè)有密閉的側(cè)封板，側(cè)封板兩端軸向設(shè)有支撐軸，其特征是:在筒體內(nèi)靠近側(cè)封板內(nèi)側(cè)設(shè)有盤狀陰極，并與支撐軸連接為一體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有側(cè)盤狀陰極的電鍍滾筒，其特征是:所述筒體外表面設(shè)有孔眼。
【專利摘要】一種帶有側(cè)盤狀陰極的電鍍滾筒，用于金屬電鍍行業(yè)中對金屬件工件電鍍。包括筒體，筒體兩端設(shè)有密閉的側(cè)封板，側(cè)封板兩端軸向設(shè)有支撐軸，在筒體內(nèi)靠近側(cè)封板內(nèi)側(cè)設(shè)有盤狀陰極，并與支撐軸連接為一體。以上所述筒體外表面設(shè)有孔眼。其有益效果是，盤狀陰極設(shè)置在筒體的兩端，減少了陰極的磨損，增加了滾筒內(nèi)空間，并且導(dǎo)電性能好，在同一滾筒中完成對不同零件的鍍覆要求，電鍍層均勻，從而可較大幅度的提高生產(chǎn)效率。
【IPC分類】C25D17-20
【公開號】CN104651920
【申請?zhí)枴緾N201310602683
【發(fā)明人】韓龍起
【申請人】天津濱海新區(qū)增輝電鍍有限公司
【公開日】2015年5月27日
【申請日】2013年11月25日