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電沉積抗電侵蝕的復(fù)合鍍銀層的制作方法

文檔序號:90686閱讀:534來源:國知局
專利名稱:電沉積抗電侵蝕的復(fù)合鍍銀層的制作方法
本發(fā)明屬于低壓電器電觸點的制造。
目前,一般家用電器及小電流低壓器上的電觸點均采用純銀,銀合金或銅基復(fù)銀材料制造。這種制造方法耗銀量大,而且純銀的硬度低(HV為50),不耐磨,不耐電浸蝕,銀合金雖然硬度較高,但電性能稍差,復(fù)銀觸點的制作工藝和設(shè)備均較復(fù)雜。
自本世紀(jì)六十年代以來,復(fù)合電沉積技術(shù)得到迅速發(fā)展,經(jīng)機(jī)檢WPI.1970-1984年的全部專利,未發(fā)現(xiàn)有關(guān)電沉積方法制造Ag-La2O3電觸點的報導(dǎo)。
本發(fā)明的特點是采用復(fù)合電沉積的方法在銅或其它金屬基體上沉積一層具有抗電浸蝕,耐磨的復(fù)合鍍銀層來制作電觸點,這種復(fù)合鍍銀層中彌散有占鍍層體積0.1-2%的,具有抗電浸蝕及耐磨性能的氧化鑭微粒,粒徑在0.5-20微米之間,這種復(fù)合鍍層作為電觸點的表面層具有優(yōu)良的電性能,其電阻率及接觸電阻與純銀相近,但耐電浸蝕性、耐磨性及顯微硬度均比純銀提高很多,HV達(dá)到90-100,100微米厚的這種復(fù)合鍍銀層觸點在電壓220V,電流5A,功率因數(shù)在0.6以上時,開關(guān)壽命在5萬次以上,與純銀觸點相比,采用銅基復(fù)合鍍銀觸點可節(jié)約白銀50-85%,有明顯的社會效益和經(jīng)濟(jì)效益。
本發(fā)明的復(fù)合鍍銀工藝條件如下氯化銀 35-40克/升氰化鉀 65-80克/升氧化鑭微粒(粒徑<5微米) 0.1-50克/升鍍液溫度 15-30℃陰極電流密度 0.1-1安/分米2陽極為純限板,鍍液靠機(jī)械攪拌或鍍液循環(huán)使微粒充分懸浮。
采用本發(fā)明的復(fù)合鍍銀工藝,根據(jù)需要可獲得厚度10-200微米的復(fù)合銀鍍層。
權(quán)利要求
1.一種以銀為基的復(fù)合鍍層用于家用電器及小電流低壓電器的電觸點制造,其特征在于在復(fù)合鍍銀層中彌散有占鍍層體積0.1-2%的氧化鑭微粒,粒徑在0.5-20微米之間。
2.按照權(quán)利要求
1所述的復(fù)合鍍銀層是在添加有氧化鑭微粒的氰化鍍銀溶液中電沉積,氧化鑭的加入量為0.1-50克/升,粒徑為0.5-20微米。
專利摘要
采用復(fù)合電沉積的方法,在銅或其他金屬基體上沉積一層以銀為主,含有占鍍層體積0.1-2%,粒徑為0.5-20微米的氧化鑭微粒。這種復(fù)合銀鍍層具有較高的顯微硬度,HV達(dá)90-100,比純銀高得多的耐磨性和耐電侵蝕性,電氣性能與純銀相近,用來作電觸點的表面層可以節(jié)約50-85%的白銀。
文檔編號C25D3/56GK85102279SQ85102279
公開日1987年7月29日 申請日期1985年4月1日
發(fā)明者郭鶴桐, 唐志遠(yuǎn), 王兆勇, 姚素薇 申請人:天津大學(xué)導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan
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