本發(fā)明涉及一種根據(jù)權(quán)利要求1前序部分所述的方法。

背景技術(shù)：

由WO 2015/120939 A1公知這種方法。如果期望在微機(jī)械構(gòu)件的空穴中有確定的內(nèi)壓，或者在空穴中應(yīng)包含具有確定的化學(xué)組分的氣體混合物，則通常在封裝微機(jī)械構(gòu)件時(shí)或者在襯底晶片與罩晶片之間的鍵合過(guò)程中調(diào)節(jié)內(nèi)壓或化學(xué)組分。在封裝時(shí)例如將罩與襯底連接，由此罩與襯底共同包圍空穴。通過(guò)調(diào)節(jié)在封裝時(shí)在周圍環(huán)境中存在的氣體混合物的大氣或壓力和/或化學(xué)組分，可以因此調(diào)節(jié)在空穴中的確定的內(nèi)壓和/或確定的化學(xué)組分。

通過(guò)由WO 2015/120939 A1已知的方法可以有針對(duì)性地調(diào)節(jié)在微機(jī)械構(gòu)件的空穴中的內(nèi)壓。通過(guò)該方法尤其可能的是，制造具有第一空穴的微機(jī)械構(gòu)件，其中，在第一空穴中可以設(shè)定第一壓力和第一化學(xué)組分，該第一壓力或第一化學(xué)組分不同于在封裝時(shí)刻的第二壓力和第二化學(xué)組分。

在根據(jù)WO 2015/120939 A1的用于有針對(duì)性地調(diào)節(jié)微機(jī)械構(gòu)件的空穴中的內(nèi)壓的方法中，在罩中或者說(shuō)在罩晶片中或在襯底中或者說(shuō)在傳感器晶片中產(chǎn)生到空穴的窄的進(jìn)入通道。接著以所期望的氣體和所期望的內(nèi)壓通過(guò)進(jìn)入通道充滿空穴。最后借助激光器局部地加熱圍繞進(jìn)入通道的區(qū)域，襯底材料局部液化并且在固化時(shí)密封地封閉進(jìn)入通道。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的任務(wù)是，以相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)簡(jiǎn)單并且成本有利的方式提供一種用于制造相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)機(jī)械牢固的以及具有長(zhǎng)使用壽命的微機(jī)械構(gòu)件的方法。此外，本發(fā)明的任務(wù)是，提供一種相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)緊湊的、機(jī)械牢固的并且具有長(zhǎng)使用壽命的微機(jī)械構(gòu)件。根據(jù)本發(fā)明，這尤其適用于具有(第一)空穴的微機(jī)械構(gòu)件。通過(guò)根據(jù)本發(fā)明的方法和根據(jù)本發(fā)明的微機(jī)械構(gòu)件也還能夠?qū)崿F(xiàn)微機(jī)械構(gòu)件，在該微機(jī)械構(gòu)件中，在第一空穴中可以設(shè)定第一壓力和第一化學(xué)組分，并且在第二空穴中可以設(shè)定第二壓力和第二化學(xué)組分。例如設(shè)置這樣的用于制造微機(jī)械構(gòu)件的方法，對(duì)于該微機(jī)械構(gòu)件有利的是，在第一空穴中包含第一壓力，并且在第二空穴中包含第二壓力，其中，第一壓力應(yīng)不同于第二壓力。那么這例如是如下情況，即用于轉(zhuǎn)速測(cè)量的第一傳感器單元和用于加速度測(cè)量的第二傳感器單元應(yīng)集成到微機(jī)械構(gòu)件中。

該目的由此實(shí)現(xiàn)：通過(guò)調(diào)節(jié)吸收部分的延伸尺度并且通過(guò)調(diào)節(jié)在吸收部分中的吸收強(qiáng)度而使得在襯底或罩中出現(xiàn)的應(yīng)力最小化來(lái)，實(shí)現(xiàn)能量或熱量的引入。

由此以簡(jiǎn)單并且成本有利的方式提供一種用于制造微機(jī)械構(gòu)件的方法，通過(guò)該方法可以在空間上控制能量或熱量在襯底或罩中的引入。因此，可以在襯底或罩中在空間上有針對(duì)性地控制材料區(qū)域從固態(tài)聚集態(tài)到液態(tài)聚集態(tài)的第一過(guò)渡和在時(shí)間上緊接著第一過(guò)渡的、材料區(qū)域從液態(tài)聚集態(tài)到固態(tài)聚集態(tài)的第二過(guò)渡。此外，可以根據(jù)能量或熱量在襯底或罩內(nèi)部的空間分布通過(guò)根據(jù)本發(fā)明的方法在空間上有針對(duì)性地將襯底或罩的與襯底或罩的材料區(qū)域相鄰的區(qū)域置于與現(xiàn)有技術(shù)相比升高的溫度上。因此，與現(xiàn)有技術(shù)相比可以降低在襯底或罩中、尤其在進(jìn)入開口區(qū)域中的溫度梯度。由此能夠?qū)崿F(xiàn)，在襯底或罩中、尤其在進(jìn)入開口區(qū)域中的相鄰區(qū)域的在溫度升高時(shí)的熱膨脹和/或在溫度降低時(shí)的熱收縮可以相互補(bǔ)償，并因此與現(xiàn)有技術(shù)相比可以降低在封閉的進(jìn)入開口區(qū)域中、尤其通過(guò)在第三方法步驟之后的冷卻過(guò)程產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力或固有應(yīng)力。局部產(chǎn)生的應(yīng)力或張力的減小或降低是特別有利的，因?yàn)橛纱伺c現(xiàn)有技術(shù)相比可以提高相對(duì)于形成裂紋的阻力，并因此與現(xiàn)有技術(shù)相比可以降低直接在封閉進(jìn)入開口之后、在繼續(xù)加工微機(jī)械構(gòu)件期間或者在產(chǎn)品壽命期間構(gòu)件失效的可能性。通過(guò)避免裂紋尤其能夠?qū)崿F(xiàn)進(jìn)入開口的密封封閉，從而與現(xiàn)有技術(shù)相比降低由于進(jìn)入開口不密封的封閉而限制微機(jī)械構(gòu)件功能的可能性。

通過(guò)根據(jù)本發(fā)明的方法，與現(xiàn)有技術(shù)相比通過(guò)在空間上有針對(duì)性地提高在襯底或罩中的溫度尤其能夠降低在剛剛固化的材料區(qū)域與包圍該材料區(qū)域的材料之間的溫度梯度。該溫度梯度尤其可以在材料區(qū)域固化的時(shí)刻和在時(shí)間上材料區(qū)域剛剛固化之后降低。因此可以有利地實(shí)現(xiàn)，材料區(qū)域的熱收縮基本相當(dāng)于包圍該材料區(qū)域的材料的熱收縮，或者說(shuō)這兩個(gè)熱收縮可以相互補(bǔ)償。因此有利地實(shí)現(xiàn)，與現(xiàn)有技術(shù)相比可以降低在封閉的進(jìn)入開口區(qū)域中、尤其在時(shí)間上在材料區(qū)域冷卻之后產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力。

根據(jù)本發(fā)明，溫度梯度在材料區(qū)域是液態(tài)聚集態(tài)的時(shí)刻上或者說(shuō)位于熔化狀態(tài)中不那么重要，因?yàn)椴牧蠀^(qū)域在該時(shí)刻上基本無(wú)應(yīng)力。但是根據(jù)本發(fā)明例如設(shè)置，在材料區(qū)域處于液態(tài)聚集態(tài)的時(shí)刻上溫度梯度與現(xiàn)有技術(shù)相比也降低。根據(jù)本發(fā)明尤其避免或降低，在時(shí)間上在材料區(qū)域固化之后以這樣的方式建立應(yīng)力，即，剛剛固化的材料區(qū)域比包圍該材料區(qū)域的材料明顯更熱或者說(shuō)熱很多，并由此在冷卻過(guò)程中得到比包圍該材料區(qū)域的較冷材料經(jīng)受更劇烈的/不同的熱膨脹。根據(jù)本發(fā)明設(shè)置，在材料中或者說(shuō)在襯底或罩中在材料區(qū)域固化過(guò)程中和在冷卻過(guò)程中的溫度梯度保持盡可能小，由此在冷卻之后在構(gòu)件中保留的機(jī)械應(yīng)力盡可能小。

根據(jù)本發(fā)明的方法的另一優(yōu)點(diǎn)是，借助于將能量或熱量有針對(duì)性地在空間上引入到襯底或罩中可以熱激活位錯(cuò)的運(yùn)動(dòng)。因此有利地能夠通過(guò)熱激活的位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)或者說(shuō)通過(guò)變簡(jiǎn)單的位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)使襯底或罩至少部分地或者說(shuō)至少部分局部地在進(jìn)入開口區(qū)域中、尤其在時(shí)間上在第二過(guò)渡之后塑性地變形。因此與現(xiàn)有技術(shù)相比，可以借助于有針對(duì)性地引入能量或熱量降低或減小由于塑性變形而局部產(chǎn)生的應(yīng)力或者說(shuō)應(yīng)力峰值。

根據(jù)本發(fā)明的方法對(duì)于在第三方法步驟中應(yīng)用激光點(diǎn)焊方法的方法尤其有利，因?yàn)橥ㄟ^(guò)根據(jù)本發(fā)明的方法由于點(diǎn)焊而在進(jìn)入開口區(qū)域中或者說(shuō)在封閉的進(jìn)入開口區(qū)域中能夠局部地有效降低引入到材料中的應(yīng)力，或者說(shuō)能夠再分布到更加遠(yuǎn)離進(jìn)入開口的區(qū)域中。局部產(chǎn)生的應(yīng)力的減小或降低是尤其有利的，因?yàn)橛纱伺c現(xiàn)有技術(shù)相比可以提高相對(duì)于形成裂紋的阻力，并且由此與現(xiàn)有技術(shù)相比可以降低直接在封閉進(jìn)入開口之后、在繼續(xù)加工微機(jī)械構(gòu)件期間或者在產(chǎn)品壽命期間構(gòu)件失效的可能性。

根據(jù)本發(fā)明，吸收部分的延伸尺度例如指的是吸收部分基本上垂直于主延伸平面的延伸尺度。替代地或附加地，吸收部分的延伸尺度例如指的是吸收部分的基本平行于主延伸平面的延伸尺度。在此尤其指的是襯底或罩的區(qū)域，在該區(qū)域中能量或熱量的吸收大于零，或者說(shuō)大于預(yù)給定的能量或熱量的吸收。與本發(fā)明相關(guān)地，吸收強(qiáng)度例如理解為在吸收區(qū)域內(nèi)部的基本垂直于主延伸平面的空間延伸尺度的強(qiáng)度分布。替代地或附加地，吸收強(qiáng)度例如理解為在吸收區(qū)域內(nèi)部的基本平行于主延伸平面的空間延伸尺度的強(qiáng)度分布。在此可以在空間上有針對(duì)性地調(diào)節(jié)強(qiáng)度分布的吸收強(qiáng)度值。在此例如設(shè)置，強(qiáng)度分布設(shè)置為恒定的，或者設(shè)置為隨著與襯底或罩的背離第一空穴的表面的距離的增加而變化。例如設(shè)置，吸收強(qiáng)度隨著與襯底或罩的背離第一空穴的表面的距離增加而持續(xù)地降低。在此例如設(shè)置，在襯底或罩中90％的吸收是在表面與距離表面1μm之間的區(qū)域中實(shí)現(xiàn)。此外例如設(shè)置，吸收強(qiáng)度隨著與背離第一空穴的襯底或罩的表面的距離的增加而基本上指數(shù)地降低。在此例如設(shè)置，在襯底或在罩中90％的吸收是在表面與距離表面1μm之間的區(qū)域中實(shí)現(xiàn)。此外例如設(shè)置，吸收強(qiáng)度隨著與襯底或罩的背離第一空穴的表面的距離的增加首先增加，然后經(jīng)過(guò)最大值并且接著降低。在此例如設(shè)置，在距離表面1μm與距離表面50μm之間、優(yōu)選在距離表面5μm與距離表面30μm之間、尤其優(yōu)選在距離表面10μm與距離表面20μm之間的區(qū)域中實(shí)現(xiàn)在襯底或在罩中90％的吸收。此外例如設(shè)置，吸收強(qiáng)度隨著與襯底或罩的背離空穴的表面的距離增加首先基本恒定，然后降低并且接著基本恒定。在此例如設(shè)置，在表面與距離表面1μm之間的區(qū)域中實(shí)現(xiàn)在襯底或在罩中90％的吸收。通過(guò)如上所述吸收部分的延伸尺度和在吸收部分中的吸收強(qiáng)度能夠有利地實(shí)現(xiàn)，將能量或熱量基本上三維可控制地在襯底或罩中引入。最后，吸收部分指的是襯底或罩的區(qū)域，在該區(qū)域中實(shí)現(xiàn)在襯底或罩中90％的吸收。

與本發(fā)明相關(guān)地，可以如此理解概念“微機(jī)械構(gòu)件”，即該概念不僅包括微機(jī)械構(gòu)件而且包括微電子機(jī)械構(gòu)件。

本發(fā)明優(yōu)選設(shè)置用于制造具有一個(gè)空穴的微機(jī)械構(gòu)件或者說(shuō)用于具有一個(gè)空穴的微機(jī)械構(gòu)件。但是本發(fā)明例如也設(shè)置用于具有兩個(gè)空穴或者具有多于兩個(gè)即三個(gè)、四個(gè)、五個(gè)、六個(gè)或多于六個(gè)空穴的微機(jī)械構(gòu)件。

優(yōu)選地，通過(guò)借助于激光將能量或熱量引入到襯底或罩的吸收該能量或熱量的部分中來(lái)封閉進(jìn)入開口。在此優(yōu)選將能量或熱量在時(shí)間上先后地分別引入到多個(gè)微機(jī)械構(gòu)件的襯底或罩的吸收部分中，這些微機(jī)械構(gòu)件例如在一個(gè)晶片上共同制造。但是替代地也設(shè)置為，將能量或熱量在時(shí)間上并行地引入到多個(gè)微機(jī)械構(gòu)件的襯底或罩的各個(gè)吸收部分中，例如在使用多個(gè)激光束或者說(shuō)激光裝置的情況下。

在從屬權(quán)利要求以及參照附圖的描述中可給出本發(fā)明的有利構(gòu)型和擴(kuò)展方案。

根據(jù)優(yōu)選的擴(kuò)展方案設(shè)置，罩與襯底包圍第二空穴，其中，在第二空穴中存在第二壓力并且包含具有第二化學(xué)組分的第二氣體混合物。

根據(jù)優(yōu)選的擴(kuò)展方案設(shè)置，根據(jù)所使用的激光束的激光波長(zhǎng)調(diào)節(jié)吸收部分的延伸尺度并且調(diào)節(jié)在吸收部分中的吸收強(qiáng)度。由此能夠有利地實(shí)現(xiàn)，充分利用襯底或罩的整體吸收特性，以便將能量或熱量有針對(duì)性地引入到襯底或罩中。

與本發(fā)明相關(guān)地，激光器的激光束理解為連續(xù)或者不連續(xù)發(fā)射的電磁射線。激光器例如是脈沖激光器或者連續(xù)波激光器。此外，根據(jù)本發(fā)明設(shè)置，連續(xù)波激光器這樣運(yùn)行：連續(xù)地發(fā)射電磁射線，或者說(shuō)連續(xù)地入射到襯底或罩的吸收部分上。此外設(shè)置，電磁射線入射到襯底或罩的吸收部分上并且被該部分至少部分地吸收。

根據(jù)優(yōu)選的擴(kuò)展方案設(shè)置，根據(jù)襯底或罩的材料調(diào)節(jié)吸收部分的延伸尺度并且調(diào)節(jié)在吸收部分中的吸收強(qiáng)度。由此能夠有利地調(diào)節(jié)空間結(jié)構(gòu)化的吸收特性。

根據(jù)優(yōu)選的擴(kuò)展方案設(shè)置，根據(jù)襯底或罩的摻雜調(diào)節(jié)吸收部分的延伸尺度并且調(diào)節(jié)在吸收部分中的吸收強(qiáng)度。由此能夠以有利的方式特別準(zhǔn)確地調(diào)節(jié)吸收區(qū)域的延伸尺度和在吸收區(qū)域中的吸收強(qiáng)度。

根據(jù)優(yōu)選的擴(kuò)展方案設(shè)置，根據(jù)襯底或罩的溫度調(diào)節(jié)吸收部分的延伸尺度并且調(diào)節(jié)在吸收部分中的吸收強(qiáng)度。由此以有利的方式提供襯底或罩的整體吸收特性的進(jìn)一步影響可能性。

根據(jù)優(yōu)選的擴(kuò)展方案設(shè)置，根據(jù)在襯底中和/或在襯底上或者在罩中和/或在罩上的層和/或結(jié)構(gòu)調(diào)節(jié)吸收部分的延伸尺度并且調(diào)節(jié)在吸收部分中的吸收強(qiáng)度。由此能夠有利地提供吸收部分的不同深度輪廓和在深度輪廓內(nèi)部的不同吸收強(qiáng)度。

根據(jù)優(yōu)選的擴(kuò)展方案設(shè)置，這樣根據(jù)層和/或結(jié)構(gòu)調(diào)節(jié)吸收部分的延伸尺度并且調(diào)節(jié)在吸收部分中的吸收強(qiáng)度：所述層和/或所述結(jié)構(gòu)是沉積的層和/或結(jié)構(gòu)。由此能夠有利地制造具有由現(xiàn)有技術(shù)公知的層技術(shù)方法的不同深度輪廓。

根據(jù)優(yōu)選的擴(kuò)展方案設(shè)置，這樣根據(jù)層和/或結(jié)構(gòu)調(diào)節(jié)吸收部分的延伸尺度并且調(diào)節(jié)在吸收部分中的吸收強(qiáng)度：所述層和/或結(jié)構(gòu)是摻雜的層和/或結(jié)構(gòu)。由此能夠有利地實(shí)現(xiàn)吸收率非常敏感的調(diào)節(jié)。

本發(fā)明的另一主題是具有襯底和與襯底連接并且與襯底包圍第一空穴的罩的微機(jī)械構(gòu)件，其中，在第一空穴中存在第一壓力并且包含具有第一化學(xué)組分的第一氣體混合物，其中，襯底或罩包括封閉的進(jìn)入開口，其中，襯底或罩包括在將能量或熱量引入到襯底或罩的吸收部分中之后通過(guò)調(diào)節(jié)吸收部分的延伸尺度并且通過(guò)調(diào)節(jié)在吸收部分中的吸收強(qiáng)度用于使在襯底中或在罩中產(chǎn)生的應(yīng)力最小化而固化的并且封閉進(jìn)入開口的材料區(qū)域。由此以有利的方式提供緊湊的、機(jī)械牢固的并且成本有利的具有調(diào)節(jié)的第一壓力的微機(jī)械構(gòu)件。根據(jù)本發(fā)明的方法的所述優(yōu)點(diǎn)相應(yīng)地也適用于根據(jù)本發(fā)明的微機(jī)械構(gòu)件。

根據(jù)優(yōu)選的擴(kuò)展方案設(shè)置，微機(jī)械構(gòu)件包括

-用于引入能量或熱量的襯底或罩的材料和/或

-用于引入能量或熱量的襯底或罩的摻雜和/或

-用于引入能量或熱量的在襯底中和/或在襯底上或者在罩中和/或在罩上的層和/或結(jié)構(gòu)。由此能夠有利地實(shí)現(xiàn)，所述微機(jī)械構(gòu)件具有特別小的機(jī)械應(yīng)力或者說(shuō)僅在進(jìn)入開口區(qū)域中具有小于臨界的機(jī)械應(yīng)力的機(jī)械應(yīng)力，因此相對(duì)于裂紋形成是特別牢固的。

根據(jù)優(yōu)選的擴(kuò)展方案設(shè)置，罩與襯底包圍第二空穴，其中，在第二空穴中存在第二壓力并且包含具有第二化學(xué)組分的第二氣體混合物。由此以有利的方式提供緊湊的、機(jī)械牢固的且成本有利的具有設(shè)定的第一壓力和第二壓力的微機(jī)械構(gòu)件。

根據(jù)優(yōu)選的擴(kuò)展方案設(shè)置為，第一壓力小于第二壓力，其中，在第一空穴中布置有用于測(cè)量轉(zhuǎn)速的第一傳感器單元，并且在第二空穴中布置有用于測(cè)量加速度的第二傳感器單元。由此以有利的方式提供機(jī)械牢固的用于測(cè)量轉(zhuǎn)速和測(cè)量加速度的微機(jī)械構(gòu)件，該微機(jī)械構(gòu)件不僅對(duì)于第一傳感器單元而且對(duì)于第二傳感器單元具有優(yōu)化的運(yùn)行條件。

附圖說(shuō)明

圖1以示意性視圖示出根據(jù)本發(fā)明的示例實(shí)施方式的具有敞開的進(jìn)入開口的微機(jī)械構(gòu)件。

圖2以示意性視圖示出根據(jù)圖1的具有封閉的進(jìn)入開口的微機(jī)械構(gòu)件。

圖3以示意性視圖示出根據(jù)本發(fā)明的示例實(shí)施方式的用于制造微機(jī)械構(gòu)件的方法。

圖4、圖5和圖6以示意性視圖示出根據(jù)本發(fā)明的示例實(shí)施方式調(diào)節(jié)吸收部分的延伸尺度和調(diào)節(jié)在吸收部分中的吸收強(qiáng)度。

具體實(shí)施方式

在不同的附圖中相同的部件總是設(shè)置有相同的參考標(biāo)記，并因此通常也分別只命名或提及一次。

在圖1和圖2中示出根據(jù)本發(fā)明的示例實(shí)施方式的微機(jī)械構(gòu)件1的示意性視圖，該微機(jī)械構(gòu)件在圖1中具有敞開的進(jìn)入開口11并且在圖2中具有封閉的進(jìn)入開口11。在此微機(jī)械構(gòu)件1包括襯底3和罩7。襯底3和罩7相互間優(yōu)選密封地連接并且共同包圍第一空穴5。微機(jī)械構(gòu)件1例如如此構(gòu)造，使得襯底3和罩7附加地共同包圍第二空穴。然而，第二空穴在圖1中和在圖2中未示出。

例如在第一空穴5中、尤其在如圖2中所示的進(jìn)入開口11封閉的情況下存在第一壓力。此外，在第一空穴5中包含具有第一化學(xué)組分的第一氣體混合物。此外，例如在第二空穴中存在第二壓力，并且在第二空穴中包含具有第二化學(xué)組分的第二氣體混合物。優(yōu)選地，進(jìn)入開口11布置在襯底3中或罩7中。在這里的本實(shí)施例中，進(jìn)入開口11示例性地布置在罩7中。然而，根據(jù)本發(fā)明對(duì)此替代地也可以設(shè)置，進(jìn)入開口11布置在襯底3中。

例如設(shè)置，第一空穴5中的第一壓力小于第二空穴中的第二壓力。例如也設(shè)置，在第一空穴5中布置有在圖1中和圖2中未示出的用于轉(zhuǎn)速測(cè)量的第一微機(jī)械傳感器單元，而在第二空穴中布置有在圖1和圖2中未示出的用于加速度測(cè)量的第二微機(jī)械傳感器單元。

在圖3中以示意性視圖示出根據(jù)本發(fā)明的示例實(shí)施方式的用于制造微機(jī)械構(gòu)件1的方法。在此，

-在第一方法步驟101中，在襯底3中或在罩7中構(gòu)造連接第一空穴5與微機(jī)械構(gòu)件1的周圍環(huán)境9的、尤其是狹長(zhǎng)的進(jìn)入開口11。圖1示例性地示出在第一方法步驟101之后的微機(jī)械構(gòu)件1。此外，

-在第二方法步驟102中，調(diào)節(jié)第一空穴5中的第一壓力和/或第一化學(xué)組分或者說(shuō)使第一空穴5通過(guò)進(jìn)入通道以所期望的氣體和所期望的內(nèi)壓力充滿。此外例如，

-在第三方法步驟103中，通過(guò)借助于激光將能量或熱量引入到襯底3的或罩7的吸收部分21中來(lái)封閉進(jìn)入開口11。例如替代地也設(shè)置，

-在第三方法步驟103中，僅優(yōu)選通過(guò)激光局部加熱環(huán)繞進(jìn)入通道的區(qū)域并且密封地封閉進(jìn)入通道。因此有利地可能的是，根據(jù)本發(fā)明的方法也可設(shè)置其他不同于激光器的能量源來(lái)封閉進(jìn)入開口11。圖2示例性地示出第三方法步驟103之后的微機(jī)械構(gòu)件1。

在時(shí)間上在第三方法步驟103之后，在圖2中示例性示出的橫向區(qū)域15中在罩7的背離空穴5的表面上以及在垂直于橫向區(qū)域15到微機(jī)械構(gòu)件1的表面上的投影、即沿著進(jìn)入開口11并且向著第一空穴5的方向的深度中產(chǎn)生機(jī)械應(yīng)力。該機(jī)械應(yīng)力、尤其是局部的機(jī)械應(yīng)力尤其存在于罩7的在第三加工步驟103中過(guò)渡到液態(tài)聚集態(tài)并且在第三方法步驟103后過(guò)渡到固態(tài)聚集態(tài)并且封閉進(jìn)入開口11的材料區(qū)域13與罩7的在第三方法步驟103中保持固態(tài)聚集態(tài)的剩余區(qū)域之間的界面上和界面附近。在此罩7的在圖2中封閉進(jìn)入開口11的材料區(qū)域13尤其關(guān)于它的橫向的、尤其平行于表面延伸的延伸尺度或成形部而言并且尤其關(guān)于它的垂直于橫向延伸尺度、尤其垂直于表面延伸的大小或造型結(jié)構(gòu)而言僅視為示意性的或者說(shuō)示意性地示出。

圖4、圖5和圖6以示意性視圖示出根據(jù)本發(fā)明的示例實(shí)施方式調(diào)節(jié)吸收部分的延伸尺度和調(diào)節(jié)在吸收部分中的吸收強(qiáng)度。在此設(shè)置，通過(guò)調(diào)節(jié)基本垂直于襯底3或罩7的主延伸平面100的吸收部分的延伸尺度并且通過(guò)調(diào)節(jié)基本垂直于主延伸平面100的吸收部分中的吸收強(qiáng)度而使得在襯底3或罩7中產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力最小化來(lái)實(shí)現(xiàn)能量或熱量的引入。換言之，在圖4、圖5和圖6中示出第三方法步驟103的方法變型方案，其中，通過(guò)有針對(duì)性地影響襯底3或罩7的吸收特性，例如通過(guò)激光束1201，這樣實(shí)現(xiàn)熱量引入或能量引入，使得在襯底3或罩7中的剩余應(yīng)力最小化或者說(shuō)降低到非臨界程度。

替代或附加地，例如也設(shè)置第三方法步驟103的方法變型方案，其中，通過(guò)有針對(duì)性地影響襯底3或罩7的反射特性和/或透射特性，例如通過(guò)激光束1201，這樣實(shí)現(xiàn)能量或熱量引入或者能量引入，使得在襯底3或罩7中的剩余應(yīng)力最小化或者說(shuō)降低到非臨界程度。

例如設(shè)置，根據(jù)所使用的激光束1201的激光波長(zhǎng)調(diào)節(jié)吸收部分的延伸尺度并且調(diào)節(jié)在吸收部分中的吸收強(qiáng)度。在此例如能夠?qū)崿F(xiàn)借助于所使用的激光波長(zhǎng)在激光材料加工時(shí)影響襯底或罩的吸收特性。在此例如波長(zhǎng)或激光波長(zhǎng)的變化對(duì)襯底或罩的吸收特性整體產(chǎn)生影響。例如設(shè)置，借助于有針對(duì)性地調(diào)節(jié)激光波長(zhǎng)，這樣調(diào)節(jié)引入到材料或者說(shuō)襯底3或者罩7中的熱量，使得在冷卻之后、即在時(shí)間上在第三方法步驟103之后，在材料中或者說(shuō)在襯底3或罩7中保留的應(yīng)力與現(xiàn)有技術(shù)相比降低。此外例如也設(shè)置，襯底3或罩7包括硅。在此例如設(shè)置，激光波長(zhǎng)小于1000nm。在此能量或熱量在襯底或罩的背離第一空穴5的表面上特別強(qiáng)烈地被吸收。在此例如到襯底3或罩7的深度中、即從背離第一空穴5的表面向著第一空穴5的方向產(chǎn)生的熱量分布由在襯底3或在罩7中的熱傳導(dǎo)確定。這在圖4中示例性地示出。

在通過(guò)所使用的激光束1201的激光波長(zhǎng)控制能量或熱量的引入并且使用包括硅的襯底3或使用包括硅的罩7的情況下，借助于這種狀況：硅是半導(dǎo)體材料并因此襯底3或罩7的吸收特性強(qiáng)烈地取決于波長(zhǎng)并由此取決于光子的量子能。例如設(shè)置，激光波長(zhǎng)大于1000nm。在此有利的是，對(duì)于波長(zhǎng)大于1000nm，硅的吸收劇烈降低，因?yàn)楣庾幽懿辉僮銐蚩朔苯幽軒?。因此例如通過(guò)使用更長(zhǎng)的波長(zhǎng)有針對(duì)性地調(diào)節(jié)激光束更深的引入。這在圖5中示例性地示出。在此在圖5中示出的吸收部分的基本垂直于主延伸平面100的延伸尺度與在圖4中所示的吸收部分的基本垂直于主延伸平面100的延伸尺度相比增大地示出。在此，增大的延伸尺度例如通過(guò)較大的激光波長(zhǎng)達(dá)到。

根據(jù)本發(fā)明，例如通過(guò)適配激光波長(zhǎng)來(lái)設(shè)置對(duì)能量滲透深度的控制。在此這樣選擇激光波長(zhǎng)，使得達(dá)到所期望的能量滲透深度。根據(jù)本發(fā)明，例如設(shè)置使用紅外激光。在此例如設(shè)置，激光波長(zhǎng)在780nm到1600nm之間，優(yōu)選在1030nm到1500nm之間，尤其優(yōu)選在1080nm到1100nm之間。替代地例如也設(shè)置，激光波長(zhǎng)在1030nm到1080nm之間。此外替代地設(shè)置，激光波長(zhǎng)在1100nm到1500nm之間。但是根據(jù)本發(fā)明例如也設(shè)置，激光波長(zhǎng)通過(guò)非線性光學(xué)效應(yīng)和可調(diào)的光源或者說(shuō)可調(diào)光源的元件、例如光學(xué)參數(shù)的振蕩器(OPO)和/或光學(xué)參數(shù)的放大器(OPV或OPA))有針對(duì)性地與所使用的襯底或罩中的材料相配合，或者說(shuō)與所期望的吸收部分的延伸尺度和在吸收部分中的吸收強(qiáng)度相配合。

此外例如設(shè)置，根據(jù)襯底3或罩7的材料調(diào)節(jié)吸收部分的延伸尺度并且調(diào)節(jié)在吸收部分中的吸收強(qiáng)度。在此尤其設(shè)置，襯底3或罩7的材料包括硅。在此例如設(shè)置，通過(guò)局部的材料改變和材料更換可以調(diào)節(jié)空間結(jié)構(gòu)化的吸收特性。

此外例如也設(shè)置，調(diào)節(jié)根據(jù)襯底3或罩7的摻雜調(diào)節(jié)吸收部分的延伸尺度并且調(diào)節(jié)在吸收部分中的吸收強(qiáng)度。在此有利地實(shí)現(xiàn)，提高在導(dǎo)電帶中的電子密度和/或提高在價(jià)帶中的空洞密度，并由此提高在長(zhǎng)波長(zhǎng)范圍中的吸收。這例如由此達(dá)到：襯底3或罩7包括硅并且襯底3或罩摻雜有雜質(zhì)原子。

此外例如設(shè)置，根據(jù)襯底3或罩7的溫度調(diào)節(jié)吸收部分的延伸尺度并且調(diào)節(jié)在吸收部分中的吸收強(qiáng)度。在此例如設(shè)置，襯底3或罩7在第三方法步驟103之前和/或在第三方法步驟103期間通過(guò)熱源加熱。這例如設(shè)置為與襯底3或罩7接觸的熱源、例如加熱板，或者也設(shè)置為與襯底3或罩7不接觸的熱源、例如紅外燈。替代地或附加地，例如也設(shè)置由接觸的和不接觸的熱源組成的組合，例如爐子。在使用襯底3或罩7的溫度時(shí)，例如在使用硅時(shí)，有利地利用這種情況：硅隨著溫度升高也在長(zhǎng)波長(zhǎng)范圍中更強(qiáng)烈地吸收。這有利地由此實(shí)現(xiàn)，即，在溫度升高的情況下存在更多光子，以便實(shí)現(xiàn)經(jīng)過(guò)間接能帶隙的過(guò)渡并且更多電子位于導(dǎo)電帶中并由此提供用于吸收的帶內(nèi)過(guò)渡。

此外例如也設(shè)置，根據(jù)在襯底3中和/或在襯底3上或在罩7中和/或在罩7上的層1203和/或結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)調(diào)節(jié)吸收部分的延伸尺度并且調(diào)節(jié)在吸收部分中的吸收強(qiáng)度。在圖6中示例性地示出在罩7中的層。由此能夠有利地實(shí)現(xiàn)，與在均勻材料中的使用相比也可以進(jìn)一步在材料內(nèi)部、即不在襯底3或罩7表面上接收大部分能量。在均勻材料中基本在所照射的表面上根據(jù)郎伯-比爾定律(Lambert-beerschen Gesetz)接收大部分能量。

在使用吸收層和/或結(jié)構(gòu)時(shí)，例如設(shè)置，最大能量沉積設(shè)置在構(gòu)件深度中。換言之，例如設(shè)置，在吸收部分中的吸收強(qiáng)度在與背離第一空穴5的表面基本向著第一空穴5的方向間隔開間距的區(qū)域中具有最大值。為此例如設(shè)置，

-使用低摻雜的硅作為基礎(chǔ)材料，或者說(shuō)襯底3或罩包括低摻雜的硅，并且

-使用激光波長(zhǎng)、例如在1200nm到1400nm之間的激光波長(zhǎng)，低摻雜的硅對(duì)于該激光波長(zhǎng)基本是可穿透的，并且

-在目標(biāo)深度中沉淀出高吸收的層或結(jié)構(gòu)，其中，通過(guò)該高吸收層調(diào)節(jié)所期望的能量分布。這在圖6中示例性地示出。由此能夠有利地實(shí)現(xiàn)，激光束以這種方式可以一直滲透到吸收層/結(jié)構(gòu)，而不會(huì)有值得注意的削弱，并且激光束在吸收層/結(jié)構(gòu)區(qū)域中被有針對(duì)性地吸收。例如設(shè)置，高吸收層或結(jié)構(gòu)包括高摻雜的硅和/或雜質(zhì)材料和/或金屬。

根據(jù)本發(fā)明還示例性地設(shè)置，這樣根據(jù)層1203和/或結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)調(diào)節(jié)吸收部分的延伸尺度并且調(diào)節(jié)在吸收部分中的吸收強(qiáng)度：所述層1203和/或所述結(jié)構(gòu)是沉積的層和/或結(jié)構(gòu)。例如通過(guò)一個(gè)吸收層或者多個(gè)吸收層設(shè)置吸收控制。在此例如設(shè)置，所述一個(gè)層或多個(gè)層埋在微機(jī)械構(gòu)件1中，或者說(shuō)與微機(jī)械構(gòu)件1的表面間隔開地布置。在此例如設(shè)置，

-在第四方法步驟中，以吸收層或者以多個(gè)吸收層對(duì)襯底3或罩7覆層，并且

-在第五方法步驟中，以另一層對(duì)吸收層或者多個(gè)吸收層覆層。

在此例如設(shè)置，所述另一層包括硅或聚合硅或多晶硅。例如也設(shè)置，

-在第六方法步驟中，在所述另一層上淀積另一吸收層，并且

-在第七方法步驟中，在所述另一吸收層上淀積第三層。例如也設(shè)置，此外在相應(yīng)的吸收層上還分別淀積其他吸收層和其他層。以這種方式能夠有利地產(chǎn)生任意的深度輪廓。

此外根據(jù)本發(fā)明設(shè)置，這樣根據(jù)層1203和/或結(jié)構(gòu)調(diào)節(jié)吸收部分的延伸尺度并且調(diào)節(jié)在吸收部分中的吸收強(qiáng)度：所述層1203和/或所述結(jié)構(gòu)是摻雜的層和/或結(jié)構(gòu)。由此通過(guò)相應(yīng)的摻雜輪廓能夠?qū)崿F(xiàn)不同的吸收輪廓。例如設(shè)置，摻雜的層和/或摻雜的結(jié)構(gòu)包括摻雜的硅。在此例如非常敏感地通過(guò)摻雜濃度影響吸收率。由此能夠有利地通過(guò)調(diào)節(jié)摻雜輪廓來(lái)調(diào)節(jié)吸收或者說(shuō)能量沉積的任意深度輪廓。例如設(shè)置，通過(guò)涂覆的摻雜材料源的熱激活擴(kuò)散或者通過(guò)離子注入在硅襯底上構(gòu)造相應(yīng)的層而產(chǎn)生摻雜輪廓。

根據(jù)本發(fā)明例如也設(shè)置，使引入的熱量針對(duì)給出的期望的熔化深度最小化。引入到材料中并且在冷卻后保留的應(yīng)力敏感地取決于所引入的熱量，使得也可以通過(guò)相應(yīng)地適配的吸收管理降低該熱量。除了在第三方法步驟103之后在襯底3或在罩7中產(chǎn)生的應(yīng)力的數(shù)值、符號(hào)和方向以外，應(yīng)力的位置或者說(shuō)空間分布對(duì)于它對(duì)裂紋產(chǎn)生和構(gòu)件失效的影響是重要的。因此應(yīng)力在構(gòu)件深度中相比于在表面上不那么重要。通過(guò)將吸收區(qū)域“埋”到構(gòu)件的深度中也能夠降低裂紋傾向。

最后，根據(jù)本發(fā)明例如也設(shè)置，根據(jù)其他參數(shù)實(shí)現(xiàn)襯底3或罩7的吸收特性或透射特性或反射特性。