1.一種微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)，包括：
半導(dǎo)體塊，包括：
突出結(jié)構(gòu)，包括底面；和
感測(cè)結(jié)構(gòu)；以及
半導(dǎo)體襯底，包括：
導(dǎo)電區(qū)域，包括位于所述感測(cè)結(jié)構(gòu)下方的第一表面，所述第一表面與所述底面基本共面；和
介電區(qū)域，包括第二表面，所述第二表面不設(shè)置在所述第一表面上方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS，還包括：層間介電(ILD)層，包括介電表面，所述介電表面與所述第一表面和所述第二表面共面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的MEMS，還包括：第一鈍化層，位于所述介電表面的頂部上，所述第一鈍化層包括位于所述底面上面的頂側(cè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS，其中，所述導(dǎo)電區(qū)域包括未位于所述感測(cè)結(jié)構(gòu)下方的第三表面，并且所述突出結(jié)構(gòu)包括與所述第三表面接合的外層，所述外層包括錫(Sn)，并且所述導(dǎo)電區(qū)域包括銅。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS，還包括：位于所述第一表面和所述第二表面上方的區(qū)域，并且所述區(qū)域不具有介電材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS，還包括：層間介電(ILD)層，包括介電表面和位于所述介電表面的頂部上的第一鈍化層，所述導(dǎo)電區(qū)域包括鋁銅，并且所述介電區(qū)域是位于所述第一鈍化層上方的第二鈍化層，以及所述導(dǎo)電區(qū)域不在所述感測(cè)結(jié)構(gòu)下方。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS，還包括：鈍化層，位于所述導(dǎo)電區(qū)域、所述介電區(qū)域和所述突出結(jié)構(gòu)下方。
8.一種微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)，包括：
半導(dǎo)體塊，包括：
突出結(jié)構(gòu)，包括底面；和
感測(cè)結(jié)構(gòu)；
半導(dǎo)體襯底，包括：
導(dǎo)電層，包括位于所述感測(cè)結(jié)構(gòu)下方的第一表面，所述第一表面與所述底面基本共面；
上部鈍化層，包括與所述第一表面相鄰的第二表面；和
下部鈍化層，位于所述導(dǎo)電層和所述上部鈍化層下方，所述下部鈍化層包括開(kāi)口。
9.一種制造微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的方法，包括：
接收半導(dǎo)體襯底；
在所述半導(dǎo)體襯底上方形成導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層包括感測(cè)表面；
在所述導(dǎo)電層上方形成介電層；
去除所述感測(cè)表面上的介電層；以及
接收半導(dǎo)體塊，所述半導(dǎo)體塊包括與所述感測(cè)表面對(duì)應(yīng)的感測(cè)結(jié)構(gòu)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述半導(dǎo)體塊包括突出結(jié)構(gòu)，并且所述導(dǎo)電層包括凹部，以及將所述突出結(jié)構(gòu)接合至橫向離開(kāi)所述凹部的導(dǎo)電層。