專利名稱：：在晶片襯底上沉積、釋放和封裝微機(jī)電器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明屬于MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))領(lǐng)域，特別是屬于在一個(gè)晶片上制作多個(gè)微機(jī)電器件的方法的領(lǐng)域。本發(fā)明的主題涉及在一個(gè)晶片上制造多個(gè)MEMS器件、通過去掉犧牲材料而釋放該MEMS結(jié)構(gòu)、將該晶片與另一晶片結(jié)合、切單(singulating)晶片部件，以及封裝其上具有一個(gè)或多個(gè)MEMS器件的晶片部件部分，而不損壞其上的MEMS微結(jié)構(gòu)。根據(jù)本文的實(shí)施例，可以制作多種的微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的器件，包括加速計(jì)、DC繼電器與RF開關(guān)、光交叉連接與光開關(guān)、微透鏡、反射鏡與分束器、濾波器、振蕩器與天線系統(tǒng)組件、可變電容器和電感器、開關(guān)濾波器組、諧振梳狀驅(qū)動(dòng)器與諧振束、以及用于直接觀察和投影顯示的微鏡陣列。圖1A至圖1E是描述形成微鏡的一種方法的剖面圖；圖2是一個(gè)微鏡的頂視圖，示出了用于截取圖1A至圖1E剖面的線1-1；圖3A至圖3E是描述與圖1A至圖1E相同方法的剖面圖，但沿另一不同的剖切線；圖4是一個(gè)微鏡的頂視圖，示出了用于截取圖3A至圖3E剖面的線3-3；圖5是兩個(gè)襯底部件的等軸視圖，一個(gè)具有微鏡，另一個(gè)具有電路和電極；圖6是使用中的組裝的器件的剖面圖；圖7是本發(fā)明的一種方法的流程圖；圖8是具有多個(gè)芯片區(qū)域的晶片襯底的頂視圖；圖9A至圖9G是器件組裝的逐個(gè)步驟的視圖；圖10A至圖10B是將要結(jié)合在一起、然后切單的兩個(gè)晶片的頂視圖；圖10C至圖10D是用于結(jié)合一個(gè)晶片(10D)的透光襯底(圖10A)的視圖；圖11A是圖10A和圖10B中的兩個(gè)晶片對(duì)準(zhǔn)時(shí)、但在結(jié)合之前的、沿圖10的線11-11剖切的剖面圖，而圖11B是兩個(gè)晶片結(jié)合之后、但在切單之前的相同的剖面圖；圖12是固定在一個(gè)封裝襯底上的切單后的晶片部件芯片的等軸視圖；和圖13是其上具有微鏡器件的投影系統(tǒng)的圖。具體實(shí)施例方式鏡子制作在同屬于Huibers的美國專利5835256和6046840中公開了MEMS器件(例如可移動(dòng)的微鏡和鏡子陣列)的微加工過程，每個(gè)專利的主題以引用方式合并與此。圖1至圖4示出了在一個(gè)晶片襯底(如一個(gè)透光襯底或一個(gè)包括CMOS或其他電路的襯底)上形成MEMS可移動(dòng)元件(如鏡子)的類似過程。對(duì)于“透光”，其意味著該材料至少在器件工作時(shí)可以透射光(該材料在其上面可以臨時(shí)地具有一個(gè)光阻擋層，以提高制造過程中處理襯底的能力，或具有部分的光阻擋層以降低使用中的光散射。無論如何，對(duì)于可見光的應(yīng)用來說，一部分襯底在使用中最好透射可見光，以便光能夠進(jìn)入該器件，被鏡子反射，并傳會(huì)到器件外。當(dāng)然，并非所有的實(shí)施例都將利用透光襯底)。對(duì)于“晶片”，其意味著任何襯底，在其上形成多個(gè)微結(jié)構(gòu)或微結(jié)構(gòu)陣列，并允許分成多個(gè)芯片，每個(gè)芯片上在其上具有一個(gè)或多個(gè)微結(jié)構(gòu)。盡管不是在所有的情況下，但每個(gè)芯片常常是被單獨(dú)銷售和封裝的一個(gè)器件或產(chǎn)品。在一個(gè)較大的襯底或晶片上形成多個(gè)“產(chǎn)品”或芯片，與單獨(dú)地形成每個(gè)芯片相比，允許較低和較快的制造成本。當(dāng)然，晶片可以是任何尺寸或形狀，但晶片最好可以是傳統(tǒng)圓形的或基本上為圓形的晶片(例如直徑為4寸、6寸或12寸)，以允許在一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的晶片代工工廠中制造。圖1A至圖1E表示微機(jī)械鏡子結(jié)構(gòu)的制造過程。如圖1所示，提供了一個(gè)襯底，如玻璃(例如1737F)、石英、PyrexTM(派熱克斯玻璃)、藍(lán)寶石(或者單獨(dú)的硅或其上具有電路)，等等。圖1A-圖1E的剖面是沿圖2的線1-1截取的。因?yàn)樵撈拭媸茄乜梢苿?dòng)元件的鉸接處截取的，因此可以提供光阻擋層12以阻擋來自鉸接處反射的光(使用過程中通過透光襯底入射的)，潛在地引起衍射并降低了對(duì)比率(如果襯底是透明的)。如圖1B所示，沉積了一個(gè)犧牲層14，例如非晶硅。該沉積層的厚度可以具有寬廣的變化范圍，這取決于可移動(dòng)元件/鏡子的尺寸和所希望的傾斜角度，盡管可為從500到50000，但優(yōu)選為約5000。可替代地，犧牲層可以是聚合物或聚酰亞胺(或甚至是多晶硅，氮化硅，二氧化硅，等等，這取決于所選擇的用來抵抗蝕刻劑的材料以及所選擇的蝕刻劑)。犧牲層蝕刻之后的光刻步驟在犧牲硅上形成孔16A、16B，其可為任何適當(dāng)?shù)某叽?，盡管優(yōu)選具有從0.1到1.5um的直徑，但更優(yōu)選地為約0.7±0.25um。蝕刻被執(zhí)行直到玻璃/石英襯底，或者執(zhí)行到阻擋層，如果存在的話。優(yōu)選地，如果蝕刻了玻璃/石英層，其量要小于2000。在這一點(diǎn)上，如圖1C所示，通過化學(xué)氣相沉積沉積出第一層18。該材料優(yōu)選是通過LPCVD(低壓化學(xué)氣相沉積)或PECVD(等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)沉積的氮化硅或二氧化硅，但是，多晶硅、碳化硅或有機(jī)化合物可以在這一點(diǎn)上被沉積——或鋁、CoSiNx、TiSiNx、TaSiNx和其他三元和更高元的化合物，例如同屬于Reid的2001年7月20日提交的美國專利申請(qǐng)09/910537和2001年6月22日提交的美國專利申請(qǐng)60/300533中所提出的，這兩個(gè)專利通過引用合并于此(當(dāng)然犧牲層和蝕刻劑應(yīng)該與所用材料相適應(yīng))。第一層的厚度可以變化，這取決于可移動(dòng)元件的尺寸和所希望的元件硬度，但是，在一個(gè)實(shí)施例中，該層的厚度是從100到3200，更優(yōu)選地為約1100。對(duì)第一層進(jìn)行光刻和蝕刻，以便在相鄰的可移動(dòng)元件之間形成0.1到25um數(shù)量級(jí)的縫隙，優(yōu)選為約1到2um。如圖1D所示，沉積第二層20(“鉸接”層)。對(duì)于“鉸接層”，其意味著該層定義了這樣的器件的部分，其是活動(dòng)的以允許該器件移動(dòng)?？梢詢H僅為了定義該鉸接或者為了定義該鉸接和其他區(qū)域(例如鏡子)而沉積出鉸接層，。在任何情況下，在沉積鉸接材料之前，均要去掉增強(qiáng)材料。第二(鉸接)層的材料可以與第一層相同(如氮化硅)或者不同(二氧化硅、碳化硅、多晶硅，或鋁、CoSiNx、TiSiNx、TaSiNx或其他三元和更高元的化合物)，可以通過與第一層一樣的化學(xué)氣相沉積沉積來沉積第二層。第二/鉸接層的厚度可以大于或小于第一層，這取決于可移動(dòng)元件的硬度、所希望的鉸接的撓性、所使用的材料，等等。在一個(gè)實(shí)施例中，第二層的厚度從50到2100，優(yōu)選為約500。在另一個(gè)實(shí)施例中，通過PECVD沉積第一層，通過LPCVD沉積第二層。同樣如圖1D所示，沉積了一個(gè)反射和傳導(dǎo)層22。盡管反射/傳導(dǎo)材料優(yōu)選為通過PVD沉積的鋁，但也可以是金、鋁或其他金屬，或者多于一種金屬的合金。金屬層的厚度可為50到2100，優(yōu)選為約500。沉積單獨(dú)的反射和傳導(dǎo)層也是可能的?？梢蕴砑右粋€(gè)可選的金屬鈍化層(未示出)，例如通過PECVD沉積的厚度為10到1100的二氧化硅層。然后，光刻膠在該金屬層上形成圖案，之后是以適當(dāng)?shù)慕饘傥g刻劑對(duì)金屬層進(jìn)行蝕刻。在為鋁層的情況下，可以利用氯(或溴)化學(xué)特性(例如利用具有可選的優(yōu)選為諸如Ar和/或He的惰性稀釋劑的Cl2和/或BCl3(或Cl2、CCl4、Br2、CBr4等等)的等離子/反應(yīng)離子蝕刻)。然后，去掉犧牲層以“釋放”MEMS結(jié)構(gòu)(圖1E)。在圖1A至圖1E所示的實(shí)施例中，第一和第二層都沉積在定義可移動(dòng)(鏡子)元件的區(qū)域中，然而當(dāng)不存在第一層時(shí)，第二層就沉積在鉸接區(qū)域中。利用兩個(gè)以上的層來產(chǎn)生疊層可移動(dòng)元件是可能的，這是人們所希望的，尤其是當(dāng)可移動(dòng)元件的尺寸增大時(shí)，例如為了在一個(gè)光開關(guān)中切換光束?？梢蕴峁┒鄠€(gè)層來代替圖1C中的單個(gè)層18，而且也可以提供多個(gè)層來代替層20，代替層22?；蛘?，層20和層22可以是單個(gè)的層，例如一個(gè)純金屬層或一個(gè)合金層或一個(gè)例如電介質(zhì)或半導(dǎo)體與一種金屬混合的層。美國臨時(shí)專利申請(qǐng)60/228007公開了這些單個(gè)層或多個(gè)層所使用的一些材料(其主題通過參考合并于此)，其可包括金屬合金和電介質(zhì)或者金屬與氮、氧或碳(特別是過渡金屬)的化合物。在一個(gè)實(shí)施例中，在鉸接區(qū)域去除增強(qiáng)層，隨后沉積鉸接層，并一起圖案化增強(qiáng)層和鉸接層。增強(qiáng)層和鉸接層的這一共同的圖案化可以利用相同的蝕刻劑來進(jìn)行(例如，如果這兩個(gè)層的材料相同)，或者連續(xù)地利用不同的蝕刻劑來進(jìn)行。增強(qiáng)層和鉸接層可以利用氯化學(xué)特性或氟(或其他鹵化物)化學(xué)特性來蝕刻(例如利用下列物質(zhì)的等離子/反應(yīng)離子蝕刻F2、CF4、CHF3、C3F8、CH2F2、C2F6、SF6等等，或者更可能的是以上物質(zhì)的組合或具有另外的氣體，例如CF4/H2，SF6/Cl2，或利用超過一種以上的蝕刻物例如CF2Cl2，所有的可能均利用一種或多種可選的惰性稀釋劑)。當(dāng)然，如果增強(qiáng)層和鉸接層使用了不同的材料，那么在蝕刻每層時(shí)應(yīng)采用不同的蝕刻劑?？商娲?，可以在第一(增強(qiáng))和/或第二(鉸接)層之前沉積反射層。無論是否在鉸接材料之前或者在鉸接材料和增強(qiáng)材料之前沉積，都最好在沉積和圖案化鉸接材料之前，圖案化(例如在鉸接區(qū)域中被去除)該金屬。圖3A至圖3E表示沿不同剖切線(圖4中的剖切線3-3)的同樣的過程，并示出了沉積在透光襯底10上沉積的可選的阻擋層12，隨后是犧牲層14、層18和20，以及金屬層22。圖1A至圖1E與圖3A至圖3E中的剖面分別沿圖2和圖4中的基本上為正方形的鏡子而截取的。但是，鏡子不必為方形，而可以具有其他的可以降低衍射和增加對(duì)比率的形狀。這些鏡子公開在llkov等人的美國臨時(shí)專利申請(qǐng)60/229246中，其主題通過引用合并于此。此外，鏡子鉸接可以是該臨時(shí)申請(qǐng)所述的扭轉(zhuǎn)鉸接。還應(yīng)該說明的是，由于可以使用許多其他的方法和材料，因此上面所提到的材料和方法僅是一些示例而已。例如，本發(fā)明中可以使用SandiaSUMMiT處理(美國Sandia國家實(shí)驗(yàn)室開發(fā)的超平多層MEMS技術(shù))(將多晶硅用于結(jié)構(gòu)層)或CronosMUMPS處理(Cronos公司的多用戶MEMS工藝)(也是將多晶硅用于結(jié)構(gòu)層)。同樣，一個(gè)MOSIS處理(AMIABN-1.5umCMOS處理)可以應(yīng)用于本發(fā)明，例如，在Mehreganyetal.，ThinSolidFilms，v.355-356，pp.518-524，1999中所公開的MUSiC處理(將多晶SiC用于結(jié)構(gòu)層)。同樣，這里所公開的犧牲層和蝕刻劑只是示例性的。例如，可以使用并利用HF(或HF/HCI)來去除一個(gè)二氧化硅犧牲層，或可以利用ClF3或BrF3來去除一個(gè)硅犧牲層。同樣一個(gè)PSG犧牲層可以利用緩沖HF來去除，或者諸如聚酰亞胺之類的有機(jī)犧牲層可以在等離子氧干法釋放步驟中去除。當(dāng)然蝕刻劑和犧牲層材料應(yīng)該根據(jù)所使用的結(jié)構(gòu)材料來選擇。同樣，盡管上文提到PVD和CVD，但可以利用其他薄膜沉積方法沉積這些層，這些方法包括旋涂、濺射、陽極電鍍、氧化、電鍍和汽化。在第一個(gè)晶片上形成如圖1至圖4的微結(jié)構(gòu)之后，最好去除犧牲層以釋放這些微結(jié)構(gòu)(本例中是微鏡)。雖然釋放優(yōu)選在晶片級(jí)上執(zhí)行，但也可以在芯片級(jí)上執(zhí)行。圖1E和圖3E表示在它們的釋放狀態(tài)下的微結(jié)構(gòu)。如圖1E所示，柱2對(duì)襯底10上的釋放的微結(jié)構(gòu)進(jìn)行支撐。同樣，盡管每個(gè)鏡子的鉸接可以在與上文提到的鏡子元件(和/或形成為同樣的沉積步驟的一部分)相同的平面上形成，但它們也可以在不同的平面上離開并平行于鏡子元件而形成，并作為單獨(dú)的處理步驟。疊加型的鉸接公開在先前提到的美國專利6046840的圖11和12中，并在Huibers等人于2000年8月3日提交的專利申請(qǐng)“ADeflectableSpatialLightModulatorHavingSuperimposedHingeandDeflectableElement”中進(jìn)行了詳盡說明，其主題通過引用被合并于此。無論是否形成如附圖所示的一個(gè)犧牲層，或者用于疊加型鉸接中的兩個(gè)(或多個(gè))犧牲層，優(yōu)選利用各向同性的蝕刻劑來去除這些犧牲層，這將在下文中討論。在上述步驟之后，這些鏡子的“釋放”可以立即被執(zhí)行，或在組裝的地方從晶片代工工廠出貨之后進(jìn)行。底板第二或“下部”襯底(底板)芯片在芯片的頂部金屬層上包括一個(gè)巨大的電極陣列。每個(gè)電極利用靜電控制微顯示器的一個(gè)像素(上部可選透光襯底上的一個(gè)微鏡)。在底板表面上的每個(gè)電極上的電壓決定其相應(yīng)的微顯示器像素是否在光學(xué)上“開”(on)或“關(guān)”(off)，在微顯示器上形成一個(gè)可見圖像。底板的細(xì)節(jié)和產(chǎn)生脈寬調(diào)制的灰度或彩色圖像的方法公開在Richards的美國專利申請(qǐng)09/564069中，其主題通過引用被合并于此。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，顯示器像素本身是二進(jìn)制的，總是全“開”或全“關(guān)”的，因此底板的設(shè)計(jì)是純數(shù)字的。盡管微鏡可以在模擬模式中工作，但模擬器件不是必須的。為了簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)，底板的I/O和控制邏輯運(yùn)行于與標(biāo)準(zhǔn)邏輯電平如5V或3.3V兼容的電壓上。為了使可用來驅(qū)動(dòng)像素的電壓最大化，底板的陣列電路可由單獨(dú)的電源供電，優(yōu)選以較高的電壓。底板的一個(gè)實(shí)施例可以在一個(gè)代工5V邏輯處理中制造。鏡子電極運(yùn)行在0-5V，或如果可靠性允許時(shí)可以高于5V。底板也可以在較高的電壓處理中制造，例如一個(gè)代工閃存處理中利用了該處理的高電壓器件。底板也可以在具有較大幾何形狀的晶體管的高電壓處理中被構(gòu)建，這些晶體管能夠在12V或更高電壓下工作。較高電壓的底板能夠產(chǎn)生一個(gè)顯著擺動(dòng)的電極電壓，其高于較低電壓底板提供的5-7V電壓，這樣促使像素更加強(qiáng)壯。在數(shù)字模式中，可以設(shè)定每個(gè)電極為兩個(gè)狀態(tài)(on/off)之一，使該狀態(tài)持續(xù)，直到電極的這一狀態(tài)再次被寫入。具有每像素一個(gè)比特的類似RAM的結(jié)構(gòu)是完成該任務(wù)的一種體系結(jié)構(gòu)。一個(gè)示例是基于SRAM的像素單元。替代的公知的存儲(chǔ)元件，例如鎖存器或DRAM(旁路晶體管正電容器(passtransistorpluscapacitor))也是可能的。如果使用動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)元件(例如類似DRAM的單元)，所希望的是它可以被遮蔽以不受入射光的影響，否則入射光可能引起泄漏?；叶然蛉噬珗D像的感覺將通過調(diào)制像素的快速開關(guān)而產(chǎn)生，例如根據(jù)上述的Richards的美國專利申請(qǐng)09/564069號(hào)中的方法。為了對(duì)此進(jìn)行支持，最好是底板允許陣列以隨機(jī)訪問的方式被寫入，但是比一次一行(row-at-a-time)要細(xì)的粒度通常是不必要的。主要是因?yàn)榘l(fā)熱的原因，希望最小化能量消耗。降低電能的耗散將增加光/熱的能量分配，使微顯示器能夠承受更多高效燈泡的熱量。此外，取決于微顯示器的組裝方式(晶片到晶片的結(jié)合+偏移切割)，可以優(yōu)選所有的I/O焊盤全在芯片的一側(cè)。為了使所完成的器件的成本最小，希望最小化引腳的數(shù)量。例如，在數(shù)據(jù)總線上復(fù)用行地址或其他不經(jīng)常使用的控制信號(hào)可以用可忽略的吞吐量的損失(百分之幾，例如對(duì)于每行數(shù)據(jù)的地址信息，一個(gè)時(shí)鐘周期是可接受的)來消除用于這些功能的單獨(dú)的引腳。數(shù)據(jù)總線、時(shí)鐘和少量的控制信號(hào)(5或更少)，所有這些都是必需的。在使用中，可以利用200W或更大的弧光燈來照射芯片。其熱和光載波效應(yīng)可以導(dǎo)致特殊的布圖強(qiáng)度(layoutefforts)，使金屬層在活動(dòng)電路上盡可能的“不透明”，以反射入射光能量，使光載波和熱效應(yīng)最小化?？梢园ㄒ粋€(gè)單片(on-chip)PN二極管以測(cè)量芯片的溫度。在一個(gè)實(shí)施例中，分辨率是XGA，1024×768像素，盡管其他分辨率是可能的。像素間距優(yōu)選為5到24um(例如14um)。電極陣列自身的尺寸由像素間距和分辨率決定。因此一個(gè)14umXGA器件的像素陣列將是14.336×10.752mm。組裝完成對(duì)上部和下部襯底(晶片)的處理之后(例如下部晶片上的電路/電極，上部晶片上的微鏡)，上下晶片被結(jié)合在一起。兩個(gè)襯底的這種結(jié)合使一個(gè)襯底上的微鏡被放置在靠近另一個(gè)襯底上的電極的位置。這一布局在圖5和圖6中被示出，這些圖將在下面進(jìn)一步描述。組裝晶片和將晶片部件分離成單個(gè)的芯片的方法在某些方面與液晶器件的組裝方法相類似，Stefanov等人的、名稱為“AsymmetricalScribeandSeparationMethodofManufacturingLiquidCrystalDevicesonSiliconWafers”的美國專利5963289中公開了該方法，在此通過引用將該專利并入。許多結(jié)合方法是可能的，例如粘粘合劑結(jié)合(例如，環(huán)氧樹脂的、硅樹脂的、低K材料和其他粘合劑——本文將進(jìn)一步描述)，陽極結(jié)合，壓力結(jié)合(例如利用金或銦)、金屬共晶結(jié)合、焊接結(jié)合、熔化結(jié)合，或技術(shù)上已知的其他晶片結(jié)合工藝。無論上部和下部晶片是否由相同或不同的材料制成(硅、玻璃、電介質(zhì)、多層晶片等等)，首先可以檢查它們的(圖7的流程圖中的步驟30)可見缺陷、劃痕、顆粒等。檢查之后，晶片可通過工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)清潔方法處理(步驟32)。這些包括在溶劑、表面活性劑溶液和/或去離子化(DI)水中的擦洗、刷洗、或超聲波清潔。優(yōu)選在這一點(diǎn)釋放鏡子(步驟34)。在應(yīng)用環(huán)氧樹脂或結(jié)合之前立即進(jìn)行釋放是最好的(除了在釋放和結(jié)合之間進(jìn)行一個(gè)可選的粘附處理)。對(duì)于硅犧牲層來說，釋放可以在二氟化氙和一個(gè)可選稀釋劑(如氮和/或氦)氣體中。當(dāng)然，可以使用其他的蝕刻劑，包括諸如三氟化溴和三氯化溴之類的鹵間化合物。釋放優(yōu)選是一種自發(fā)的化學(xué)蝕刻，這不要求等離子或其他外部能量來蝕刻硅犧牲層。蝕刻后，通過使用抗粘附層(如自組裝單層)來處理器件的剩余物以用于粘附(步驟36)。該層優(yōu)選通過將器件放置在液體或氣體硅烷中來形成，液體或氣體硅烷優(yōu)選為一種鹵硅烷，尤其優(yōu)選氯硅烷。當(dāng)然，許多不同的硅烷在本領(lǐng)域是已知的，它們能夠?yàn)镸EMS結(jié)構(gòu)提供抗粘附能力，包括在Maboudian等人的“SelfAssembledMonolayersasAnti-StictionCoatingsforMEMSCharacteristicsandRecentDevelopments”中所提出的各種三氯硅烷，以及其他非氟化(或部分或全部氟化的)烷基三氯硅烷，優(yōu)選是那些具有至少十個(gè)碳原子的碳鏈的材料，優(yōu)選部分或全部被氟化。(十三氟代-1，1，2，2-四氫辛基)Gelest公司的三氯硅烷是一個(gè)示例。其他三氯硅烷(優(yōu)選被氟化)如那些具有苯基的物質(zhì)或其他具有環(huán)狀結(jié)構(gòu)的有機(jī)基也是可能的。本發(fā)明所使用的各種氣相潤滑劑描述于美國專利6004912、6251842和5822170中，每個(gè)都通過引用合并于此。為了把兩個(gè)晶片結(jié)合在一起，隔離物被混合到密封劑材料中(步驟38)。球體或桿形式的隔離物典型地被分配和分散到晶片之間，以提供單元縫隙控制和鏡子反射的一致性與空間。隔離物可以被分配在顯示器的墊圈區(qū)域，因此在密封分配之前被混合到墊圈密封材料中。這可以通過常規(guī)的混合處理來實(shí)現(xiàn)。上部和下部晶片之間的縫隙的最終目標(biāo)優(yōu)選為1到10um，盡管其他縫隙是可能的，這取決于所形成的MEMS器件。當(dāng)然這取決于被封裝的MEMS結(jié)構(gòu)的類型，以及其是被表面微機(jī)械加工還是被體(bulk)微機(jī)械加工。球體或桿狀可以由玻璃或塑料制成，優(yōu)選是塑性變形材料?？商娲兀綦x物的柱子可以在這些襯底中的至少一個(gè)上制成。在一個(gè)實(shí)施例中，只在陣列的一個(gè)側(cè)面上提供柱子/隔離物。在另一個(gè)實(shí)施例中，柱子/隔離物可以在陣列中本身中制成?？梢允褂闷渌哂谢虿痪哂懈綦x物的結(jié)合劑，包括陽極結(jié)合或利用圖案化的共晶體或金屬的金屬壓力結(jié)合。然后，墊圈密封材料可以希望的圖案分配到底部襯底上(步驟40)，這通常是以包括利用注射器和印刷(絲網(wǎng)印刷、膠版印刷或輥筒印刷)的、自動(dòng)控制的液體分配器的兩種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)方法之一來進(jìn)行。當(dāng)利用注射器時(shí)，它相對(duì)于多個(gè)部分沿X-Y軸移動(dòng)。注射器尖端被限制于正好在具有墊圈材料的部分之上，通過針的正向壓力對(duì)該部分施加壓力。正向壓力的提供可以是通過齒輪驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)施力的機(jī)械柱塞，和/或通過空氣活塞和/或通過螺絲鉆的使用來加壓。這種分配方法提供最高的分辨率和處理控制，但提供了較少的吞吐量。然后，兩個(gè)晶片被對(duì)齊(步驟42)--最好是在1微米之內(nèi)。相對(duì)的電極或活動(dòng)觀察區(qū)域的對(duì)齊要求對(duì)準(zhǔn)相對(duì)襯底上的襯底基準(zhǔn)。這一工作通常是在具有鏡頭放大功能的視頻相機(jī)的幫助下來完成。該機(jī)器的復(fù)雜性程度從人工到具有模式識(shí)別能力的全自動(dòng)。無論復(fù)雜程度如何，它們均完成下列處理1.在陣列中所有功能器件的外圍附近和其之外的位置上分配很少量的UV固化粘合劑；2.在設(shè)備能力范圍內(nèi)對(duì)準(zhǔn)相對(duì)襯底的基準(zhǔn)；和3.對(duì)襯底和粘層加壓，以通過剩下的結(jié)合處理(例如內(nèi)部環(huán)氧的硬化)來固定晶片到晶片的對(duì)齊。在UV或熱壓力機(jī)中，通過對(duì)先前所粘結(jié)的疊層進(jìn)行加壓來設(shè)定最后的縫隙(步驟44)。在UV壓力機(jī)中，通常的程序是將襯底裝載到一個(gè)壓力機(jī)中，此處加壓壓盤中的至少一個(gè)或兩個(gè)是石英的，以允許來自UV燈的UV輻射不衰減地傳遞到墊圈密封環(huán)氧樹脂。暴露時(shí)間和通量率是處理參數(shù)，其取決于設(shè)備和粘結(jié)材料。加熱進(jìn)行固化的環(huán)氧樹脂要求熱壓力機(jī)的頂部和底部壓盤被加熱。在加壓壓盤間所產(chǎn)生的力典型地可以是許多磅。利用加熱進(jìn)行固化的環(huán)氧樹脂的情況下，在初始加壓之后，這些陣列典型地被傳送到一個(gè)多層加壓夾具中，在此它們可以繼續(xù)被加壓和后固化4-8小時(shí)。一旦這些晶片已經(jīng)結(jié)合在一起形成一個(gè)晶片部件，該部件可以被分離為單個(gè)的芯片(步驟46)。硅襯底和玻璃劃線器被放置在各自的襯底上，并沿至少一個(gè)方向上是一種偏移關(guān)系。然后分離成多個(gè)單元，結(jié)果使得每個(gè)單元在一個(gè)側(cè)面上具有一個(gè)結(jié)合焊盤凸緣和在相對(duì)的側(cè)面上具有一個(gè)玻璃電接觸凸緣?？梢酝ㄟ^下面任一種方法從陣列中分離出多個(gè)部分。當(dāng)在一個(gè)劃線機(jī)中使用傳統(tǒng)固態(tài)相機(jī)來觀察和對(duì)齊，陣列(首先是玻璃)襯底的劃線順序是重要的。這一限制一直存在，除非安裝有特殊的紅外線觀察相機(jī)，其可以透過硅，因此允許觀察前表面的金屬基準(zhǔn)。劃線工具與劃線基準(zhǔn)對(duì)齊和被處理。在玻璃中作為結(jié)果的劃出的線被用作參考標(biāo)記，以對(duì)齊硅襯底劃線道。這些劃線道可以與玻璃襯底劃線一致或均勻地偏離。然后多個(gè)部分通過對(duì)兩個(gè)襯底上的劃線進(jìn)行開口而從該陣列中分離出來。利用市場(chǎng)上可買到的剪切機(jī)或支點(diǎn)折斷機(jī)自動(dòng)折斷。這些部分也可由手工分離。分離也可以通過玻璃劃線和硅襯底的部分切割來進(jìn)行。在墊圈分配處，切割需要一個(gè)額外的步驟。在存在高壓水噴射的情況下進(jìn)行切割。填充端口區(qū)域不允許潮濕，否則將會(huì)損害MEMS結(jié)構(gòu)。因此，在墊圈分配處，一個(gè)額外的墊圈壓片必須分配在晶片的周圍。每個(gè)劃線/切割道的一端最初必須保持敞開，以在對(duì)齊和加壓處理過程中讓空氣排出。在陣列已經(jīng)被加壓并且墊圈材料固化之后，利用墊圈或端密封材料來封閉排氣口。如上所述，然后玻璃被對(duì)齊和劃線。晶片的切割是從硅的底板進(jìn)行的，其中切割道相對(duì)于如上所述的玻璃劃線道對(duì)齊。然后晶片被切割為其厚度的50％-90％的深度。多個(gè)部分如上所述被分離?？商娲?，在部分分離之前玻璃和硅襯底可以被部分地切割。利用與上面所述的同樣的墊圈密封機(jī)構(gòu)、開口和密封處理，切割道與玻璃襯底上的基準(zhǔn)對(duì)準(zhǔn)。玻璃被切割為其厚度的50％-90％的深度。如上所述，硅襯底被切割和分離為多個(gè)部分。如上文所描述的示例，參見圖8，其中已經(jīng)在晶片5上形成了45個(gè)芯片區(qū)域。每個(gè)芯片區(qū)域3(具有一個(gè)長度A和一個(gè)高度B)包括一個(gè)或多個(gè)(最好是釋放的)微結(jié)構(gòu)。在投影系統(tǒng)的微鏡陣列的情況下，每個(gè)芯片優(yōu)選具有至少1000面可移動(dòng)的鏡子，更可能的是介于100000與10000000個(gè)鏡子之間(較高分辨率可以具有介于1到6百萬可移動(dòng)元件)。當(dāng)然，如果微結(jié)構(gòu)是一個(gè)DC繼電器或RFMEMS開關(guān)(或甚至是用于一個(gè)光開關(guān)的多個(gè)鏡子)，這有可能遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于幾百萬個(gè)的微結(jié)構(gòu)，更可能是少于100或甚至少于10(或甚至是單個(gè)的結(jié)構(gòu))。當(dāng)然，如果在每個(gè)芯片區(qū)域只有一些微結(jié)構(gòu)，則在大多數(shù)情況下這些芯片區(qū)域自身可被制造得更小。同樣，芯片區(qū)域不需要是矩形的，盡管該形狀有助于環(huán)氧樹脂的沉積和切單。如圖9A所示，四個(gè)芯片區(qū)域3a到3d在晶片5上形成(在大多數(shù)情況下，形成更多的芯片，但為了便于說明只標(biāo)出了4個(gè))。每個(gè)芯片區(qū)域3a到3d包括已經(jīng)在適當(dāng)?shù)奈g刻劑中被釋放的一個(gè)或多個(gè)微結(jié)構(gòu)。如圖9B所示，環(huán)氧樹脂能夠以小球31a到31d的形式沿芯片區(qū)域的每側(cè)被應(yīng)用，或作為在芯片區(qū)域的每個(gè)拐角處的小球32a到32d?；蛘?，環(huán)氧樹脂帶33a和33b可以沿每個(gè)芯片的兩側(cè)應(yīng)用，或單個(gè)的帶34可以基本上環(huán)繞一個(gè)整個(gè)的芯片而應(yīng)用。當(dāng)然，許多的其他的結(jié)構(gòu)是可能的，盡管所希望的是，芯片不全部由一個(gè)環(huán)氧墊圈圍繞，因?yàn)楫?dāng)兩個(gè)晶片在完全或部分地環(huán)氧固化時(shí)，這將防止空氣或其他氣體的排出。當(dāng)然對(duì)于較高的制造量來說，最好是在全部的晶片上利用通常的環(huán)氧樹脂應(yīng)用方法(圖9B中的不同類型的應(yīng)用是只為說明的目的)。同樣，在環(huán)氧樹脂被應(yīng)用的區(qū)域可首先具有沉積在該區(qū)域的一個(gè)犧牲層(由于環(huán)氧樹脂在壓力下的擴(kuò)大，所以最好是大于小球或環(huán)氧帶的一個(gè)區(qū)域)。犧牲材料也可以被應(yīng)用到全部晶片，除了其上具有微結(jié)構(gòu)的區(qū)域之外。同樣，導(dǎo)電的環(huán)氧樹脂(或其他粘合劑)可以被使用，以使具有電路和電極的晶片與其上具有MEMS的晶片之間實(shí)現(xiàn)電接觸。在圖9C中，密封晶片25與具有微結(jié)構(gòu)(和可選電路)的下部襯底晶片5彼此接觸。這兩個(gè)晶片之間的最后的縫隙可以是允許兩個(gè)晶片結(jié)合在一起并被均勻切單的任何尺寸。因?yàn)閴|圈小球在受到壓力時(shí)將擴(kuò)張(因而在具有密集定位的芯片區(qū)域的一個(gè)晶片上占據(jù)有價(jià)值的地盤(realestate))，較可取的是縫隙的尺寸大于1um，優(yōu)選大于10um?？p隙的尺寸可以通過提供微加工的隔離物或與環(huán)氧樹脂(如25um隔離物)相混合的隔離物而被調(diào)節(jié)。然而，根據(jù)微結(jié)構(gòu)的類型和施加的壓力的量，隔離物可能是不必需的。圖9D示出了結(jié)合在一起第一晶片5與密封晶片25。在密封晶片25和第一(下部)晶片5上都提供有水平和垂直劃線或部分的切割線21a和21b(未示出晶片5上的線)。優(yōu)選地，兩個(gè)晶片上的劃線至少在二者(水平或垂直)之一中彼此稍稍偏離。當(dāng)晶片完全被切割為單獨(dú)的芯片時(shí)(見圖9E)，該偏離劃線或部分的切割要考慮每個(gè)芯片上的凸緣。在芯片3c的凸緣6上的電連接4在去除密封晶片部分之前要考慮芯片的電測(cè)試。如果芯片在微結(jié)構(gòu)的電測(cè)試中失敗，那么就不需要去除密封晶片，整個(gè)芯片可以被丟棄。再參見圖5，示出了部分的已結(jié)合晶片部件芯片10的頂透視圖。當(dāng)然，在圖1-圖5中所示出的鏡子形狀是示例性的，許多其他鏡子結(jié)構(gòu)是可能的，如在2000年12月7日的llkov的美國專利申請(qǐng)09/732445中所提出的結(jié)構(gòu)，在此通過引用并入。為清楚起見，只有2×2的網(wǎng)格配置中的4個(gè)像素單元54、54a、54b、54c在圖5中被表示。像素單元54、54a、54b、54c的像素間距例如為12微米。“像素間距”被定義為相鄰像素單元的相同部分之間的距離。反射的可偏轉(zhuǎn)元件(如鏡子48、48a、48b和48c)，每個(gè)與各自的像素單元54、54a、54b和54c相對(duì)應(yīng)，它們被結(jié)合到在不可反射位置的透光襯底52的下表面上。這樣，在圖5中鏡子48、48a、48b和48c通過透光襯底52是可見的。為清楚起見，在鏡子48、48a、48b和48c與透光襯底52之間如果存在光阻擋孔層56，它們只以虛線表示，以表示出在下面的鉸接50、50a、50b和50c。例如，分開相鄰鏡子的距離可以是0.5微米或更少。透光襯底52是由可以經(jīng)受后續(xù)處理溫度的材料制成。例如，透光襯底52可以是500微米厚的4英寸石英晶片500。這些石英晶片廣泛地從例如位于USAat960RinconCircle，SanJonse，Calif.95131的Hoya公司得到?；蛘?，襯底可以是玻璃，如Corning1737或CorningEagle2000或其他適當(dāng)?shù)耐腹庖r底。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，襯底是可以透過可見光的，可以是顯示器等級(jí)的玻璃。從圖6中可以看到，透光襯底52由隔離物44以間隔分開的關(guān)系結(jié)合到例如一個(gè)MOS型的襯底62上。在多個(gè)微鏡64的附近布置多個(gè)電極63(鏡子被簡化，為了方便只示出了9個(gè))，以使微鏡發(fā)生靜電偏轉(zhuǎn)。入射光束65a在其射入時(shí)將通過非偏轉(zhuǎn)的鏡子在相同的角度被反射，但當(dāng)被鏡子反射時(shí)將被垂直地“偏轉(zhuǎn)”為射出的光束65b。幾千或幾百萬的鏡子的陣列移動(dòng)和偏轉(zhuǎn)光線“垂直地”到投影光學(xué)系統(tǒng)，以及色彩定序器(輪或棱鏡)把連續(xù)的不同顏色的光束導(dǎo)向到鏡子，這導(dǎo)致一個(gè)彩色圖像投影到目標(biāo)上(如投影電視，會(huì)議室投影機(jī)等等)。在圖13中示出了一種類型的投影系統(tǒng)的簡化圖，其中具有反射鏡2的光源1例如弧光燈，通過色彩定序器來引導(dǎo)光(例如彩色輪3，其通過電機(jī)4圍繞旋轉(zhuǎn)軸7旋轉(zhuǎn))，在光進(jìn)入光導(dǎo)管5和光學(xué)系統(tǒng)6之后，使之可以入射到微鏡陣列8，并由微鏡陣列反射，由投影光學(xué)系統(tǒng)9投影到一個(gè)目標(biāo)。上文所述的形成微鏡的方法僅僅是根據(jù)本發(fā)明形成多種不同MEMS器件(無論是否具有電組件)的許多方法的一個(gè)示例。盡管最終MEMS器件的電組件是在單獨(dú)的晶片上形成，而不是上述示例中的微鏡，但在相同的襯底上形成單片的電路和微機(jī)械結(jié)構(gòu)也是可能的。形成MEMS結(jié)構(gòu)的方法可以類似于圖1-圖4所述的方法，如果微結(jié)構(gòu)是微鏡的話(其不同之處是鏡子是在形成電路和電極之后在襯底上形成的)。或者，可以使用本領(lǐng)域公知的在相同襯底上形成單片的電路和微鏡的方法。圖10A和圖10B表示連接在一起并且隨后被切單的兩個(gè)晶片。圖10A是透光封面晶片的頂視圖(具有掩模區(qū)域、吸氣區(qū)域、潤滑區(qū)域和壓力金屬結(jié)合區(qū)域)，而圖10B示出了在底部半導(dǎo)體晶片上(連同用于壓力結(jié)合的一個(gè)金屬區(qū)域)的這種單片形成的鏡子陣列(例如用于一個(gè)空間光調(diào)制器)。首先參照?qǐng)D10B，多個(gè)鏡子陣列71a到71e是在“底部”晶片70上(如一個(gè)硅晶片)形成。在鏡子被釋放之后，用于壓力結(jié)合的一個(gè)金屬被用于每個(gè)鏡子陣列的周圍(區(qū)域73a到73e)。當(dāng)然，在晶片上可以形成更多的陣列(如圖8所示)。在一個(gè)“頂部”晶片80上(如玻璃或石英——最好是顯示器等級(jí)的玻璃)形成掩模81a-81e，它們?cè)趦蓚€(gè)晶片被結(jié)合和切割之后將阻擋每個(gè)芯片周界區(qū)域的可見光到達(dá)鏡子陣列。也如圖10A所示，具有潤滑區(qū)域83a-83e，吸氣材料區(qū)域85a-85e和用于壓力結(jié)合的金屬區(qū)域87a-87e。如果圖10B中的晶片已經(jīng)由自組裝的單層或其他潤滑劑處理，則如果希望的話，在圖10A的晶片上潤滑劑的添加可以被略去(盡管可以提供多種潤滑劑的應(yīng)用)。應(yīng)用在晶片上的潤滑劑如墊圈、帶或滴劑可以是任何適當(dāng)?shù)臐櫥瑒绺鞣N液體或固體有機(jī)物(或混合的有機(jī)-非有機(jī)材料)，這在美國專利5694740、5512374、6024801和5939785中被闡明，每個(gè)專利在此通過引用并入。在一個(gè)實(shí)施例中，三氯硅烷SAM被應(yīng)用到整個(gè)晶片或至少覆蓋微機(jī)械元件的大部分的晶片，硅樹脂被應(yīng)用到潤滑區(qū)域83a-83e。用于壓力結(jié)合的金屬可以是任何用于這種目的的適當(dāng)?shù)慕饘?，例如金或銦?可替代地，如果使用了粘合劑，該粘合劑可以是任何適當(dāng)?shù)恼澈蟿绛h(huán)氧樹脂或硅樹脂粘合劑，并且優(yōu)選具有低氣泡的粘合劑)。當(dāng)然，還存在這些元素的任何組合(或如果結(jié)合方法不同于粘合劑結(jié)合方法的，就根本沒有)。優(yōu)選地，在結(jié)合之前，一個(gè)或多個(gè)掩模、潤滑劑和結(jié)合材料存在于“頂部”晶片80上。同樣，潤滑劑、吸氣和結(jié)合材料可以只用于頂部或底部晶片，或者這兩種晶片上。在一個(gè)替代實(shí)施例中，可以希望的是，把潤滑劑和吸氣劑應(yīng)用到電路和電極周圍的、在兩個(gè)晶片上具有結(jié)合材料的底部晶片上。當(dāng)然，根據(jù)MEMS的應(yīng)用，掩模(或潤滑劑或吸氣劑)可以被略去(如用于非顯示的應(yīng)用)。同樣，帶狀的潤滑劑、吸氣劑和結(jié)合材料不需要完全包圍晶片上的“芯片區(qū)域”，但可以圖9B中所示的多條點(diǎn)來應(yīng)用。如果結(jié)合材料不完全圍繞MEMS芯片區(qū)域，那么最好在切單之前填充結(jié)合材料“縫隙”，以在切單過程中保護(hù)MEMS器件(避免切單方法所造成的顆粒和/或液體損害)。也可能的是，結(jié)合多個(gè)襯底(小于單個(gè)的晶片)到另一個(gè)晶片。在圖10C和圖10D所示的實(shí)施例中，襯底101a-101d是可透射可見光的襯底，其上具有掩模81a-81d，以及潤滑劑區(qū)域83a-83d、吸氣材料區(qū)域85a-85d、和結(jié)合材料區(qū)域87a-87d(如金屬壓力結(jié)合的金或銦)。掩模區(qū)域最好是形成矩形區(qū)域的“畫框”，以阻擋可見光的透射。該安排是希望用于有選擇地阻擋射入到在晶片上所形成的微鏡陣列上的光。在把具有掩模區(qū)域的多個(gè)襯底結(jié)合到晶片之后，晶片被切單為多個(gè)晶片部件部分，然后是如圖12所示的封裝。MEMS晶片可以是由任何適當(dāng)?shù)牟牧现瞥?，這取決于器件的最后應(yīng)用，包括硅、玻璃、鋁、砷化鎵、等等。硅晶片能夠被典型地處理為包括電路。對(duì)于光學(xué)MEMS應(yīng)用來說(如用于光開關(guān)或顯示器的微鏡)，圖10A中的“頂部”晶片優(yōu)選是透明的，如上所述。圖10A中所示的掩模可以是吸收性的或反射性的掩模，例如由TiN、AIN或其他氧化或氮化合物、或聚合物或其他具有足夠光阻擋能力的適當(dāng)材料制成的掩模。該“頂部”晶片也可以并入其他光學(xué)元件，如鏡頭、UV或其他類型的濾光器或抗反射和/或抗刮傷涂層。然后如上所述，兩個(gè)晶片被對(duì)齊、結(jié)合和固化(例如利用UV光或加熱，這取決于所使用的粘合劑類型)和被切單。圖11A是圖10A中沿線11-11的一個(gè)剖面(在與圖10B中的底部晶片70對(duì)齊之后)，而圖10B是在結(jié)合后的(但在切單之前)的同一個(gè)剖面。圖12示出了結(jié)合后的晶片在切單之后的已封裝的晶片部件部分。如圖12所示，下部襯底94被結(jié)合到上部襯底93，下部襯底是由一個(gè)下部封裝襯底90支撐。在下部晶片部分94上的金屬區(qū)域96將被電連接到封裝襯底90上的金屬區(qū)域97。在該圖中可以看出，不同于其他MEMS封裝結(jié)構(gòu)，不需要進(jìn)一步包裝或封裝形成于襯底93和94的晶片部件芯片，因?yàn)镸EMS元件是已經(jīng)被保護(hù)在晶片部件內(nèi)。同樣地，包括兩個(gè)芯片襯底的芯片(例如，透光與半導(dǎo)體，在透光襯底上具有MEMS元件)與周圍環(huán)境密封(優(yōu)選是封閉式的(氣密式的))MEMS元件。微鏡陣列包括固定在第一襯底上的微鏡(優(yōu)選是玻璃或顯示器質(zhì)量的玻璃)，該襯底被結(jié)合到一個(gè)半導(dǎo)體襯底上(優(yōu)選是硅)，半導(dǎo)體襯底依次被結(jié)合到一個(gè)下部封裝襯底，下部封裝襯底并不完全封裝所結(jié)合的芯片襯底(因?yàn)橥腹馀c半導(dǎo)體襯底已經(jīng)封裝了MEMS元件)，這作為對(duì)用于投影顯示的微鏡陣列的標(biāo)準(zhǔn)封裝是一種費(fèi)用較低的替代。同樣，這樣的封裝安排允許提供在晶片層面上的抗粘附處理、吸氣劑等等，進(jìn)一步降低了封裝這一器件的費(fèi)用。可替代地，可能的是，在一個(gè)完全包圍的封裝內(nèi)(具有透光窗口，以允許光進(jìn)出該封裝)完全封裝這兩個(gè)結(jié)合芯片襯底。這種完全包圍的封裝可以是具有例如小于周圍壓力的一個(gè)密封式封裝。密封在一起的結(jié)合芯片襯底之間的壓力可小于1atm，較適當(dāng)?shù)厥切∮?.25atm，最好是小于1Torr。如果是希望很低的壓力，則小于10Torr、小于1Torr或甚至低至100mTorr的襯底之間壓力被使用。吸氣劑、潤滑劑等等可以分布在該包圍的封裝內(nèi)，而不是結(jié)合的襯底內(nèi)。優(yōu)選地，結(jié)合到半導(dǎo)體襯底的透光襯底(或其上具有電路和電極的其他襯底)從周圍的環(huán)境中密封MEMS元件，而且優(yōu)選在小于周圍環(huán)境的壓力下。為了達(dá)到較低的壓力，兩個(gè)襯底(芯片或晶片)在低于大氣壓的壓力下被結(jié)合在一起，并被封閉地(氣密)密封起來(如果是在晶片級(jí)上進(jìn)行的，隨后對(duì)晶片進(jìn)行切單)?；蛘邇蓚€(gè)襯底可以在環(huán)境壓力下結(jié)合，雖然不是封閉的，但隨后在較低壓力下進(jìn)行第二次密封，把所結(jié)合的襯底的內(nèi)部從其周圍環(huán)境中封閉地密封出來。在這種方法的一個(gè)示例中，兩個(gè)襯底首先利用粘合劑結(jié)合(如環(huán)氧樹脂或硅樹脂)，隨后焊接(這可以應(yīng)用焊接或回流焊)或者如果粘合劑的密封性能不足的話，可以利用其他的封閉密封(例如玻璃燒結(jié)密封)。也可能的是，在低于大氣壓的壓力下進(jìn)行兩次密封，或者如果不希望兩個(gè)襯底之間的區(qū)域具有一個(gè)較低的壓力，可在環(huán)境壓力下執(zhí)行這樣的二次密封。另外，可以希望的是，無論是否是在較低的壓力下進(jìn)行密封，都是使用除空氣之外的某種氣體密封這兩個(gè)襯底，例如一種或多種惰性氣體(氮、氦等)，或者如果在封裝內(nèi)存在一定的濕氣，抗粘附劑的效果會(huì)更好的話，那么可以添加濕氣。該封裝也可希望用于電路和MEMS元件都在同一襯底上的單片MEMS器件，以及MEMS元件在與電路不同的襯底上形成的單片MEMS器件。如果在釋放之后，但在襯底結(jié)合之前，一種抗粘附劑分布在MEMS元件上，那么要保護(hù)需要結(jié)合的區(qū)域(例如如果使用了一種粘合劑——要保護(hù)那些將被施加粘合劑的區(qū)域)，隨后是應(yīng)用抗粘附劑，然后是去掉保護(hù)劑或膜，再然后是應(yīng)用結(jié)合劑。對(duì)應(yīng)于后來施加結(jié)合劑的位置，這樣的膜可以條狀或環(huán)狀的形式施用，并可以是由CVD或?yàn)R射所產(chǎn)生的光刻膠或非有機(jī)薄膜。在該替代中，MEMS元件可以被釋放，隨后是應(yīng)用一種抗粘附劑。然后，在結(jié)合劑將被施加的區(qū)域中(以任何圖案——盡管最好是在微鏡陣列的周圍，如果MEMS元件是陣列中的微鏡的話)，所應(yīng)用的抗粘附劑(例如從氯硅烷或烷氧基硅烷中形成的自組裝的單層)將被去除。去除過程可通過下列方式實(shí)現(xiàn)激光切除(最好是在襯底之上聚焦激光)、粒子束、剝離化學(xué)物(如丙酮)的應(yīng)用或者甚至是機(jī)械去除(利用硬的或軟的物體刮擦或利用拋光輪)。本發(fā)明的方法有多種替代方案。為了結(jié)合兩個(gè)晶片，環(huán)氧樹脂可以被用于上部和下部晶片上或其中之一上。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，環(huán)氧樹脂被用在晶片的周圍以及完全或基本上圍繞晶片上的每個(gè)芯片/陣列。隔離物被混合到環(huán)氧樹脂中，以導(dǎo)致在結(jié)合之后晶片之間分離預(yù)定的量。這些隔離物把上部和下部晶片以彼此空間上分離的方式固定一起。隔離物的作用是把上部和下部晶片固定在一起，并同時(shí)造成一個(gè)間隔，其中可移動(dòng)鏡子元件可以移動(dòng)。可替代地，隔離物層可包括微加工的壁面或突出物。或者在上部和下部晶片之間可結(jié)合一個(gè)或多個(gè)晶片，并在對(duì)應(yīng)于每個(gè)鏡子陣列的區(qū)域中去除(例如通過蝕刻)多個(gè)部分(因而在陣列中提供可移動(dòng)元件的偏轉(zhuǎn)空間)?？梢栽谏喜亢拖虏烤g對(duì)齊和結(jié)合之前在這些中間晶片中去除那些要去除的多個(gè)部分，或者一結(jié)合到上部或下部晶片上，就蝕刻晶片。如果隔離物是微加工的隔離物，它們可以在下部晶片上形成，隨后是鄰接微加工的隔離物的環(huán)氧樹脂、聚合物或其他粘合劑的分布(如多部分的環(huán)氧樹脂，或加熱或UV固化的粘合劑)。粘合劑和隔離物不需要共同定位，而且可以沉積在下部襯底晶片上的不同區(qū)域中?？梢允褂脡毫Y(jié)合材料來替代膠合，這考慮到上部和下部晶片的結(jié)合。在下部晶片(或上部晶片)上微加工的隔離物可由聚酰亞胺或SU-8光刻膠來制成。代替微加工，當(dāng)粘合劑被放置于下部晶片上時(shí)，隔離物可以是粘合劑內(nèi)的預(yù)定大小的球或桿。在粘合劑內(nèi)提供的隔離物可由玻璃或塑料構(gòu)成，或甚至由金屬構(gòu)成，只要隔離物不妨礙上部晶片中的可移動(dòng)元件的靜電激勵(lì)。無論隔離物的類型及制作和粘合隔離物到晶片的方法是什么，隔離物最好是從1到250微米，該尺寸很大部分地取決于可移動(dòng)鏡元件的大小和偏轉(zhuǎn)的預(yù)期角度。如果鏡子陣列是用于投影顯示陣列或用于光開關(guān)，與上部和下部晶片的平面在方向上正交的隔離物大小最好是從1到100微米，一些應(yīng)用中，該尺寸優(yōu)選為1到20微米，或者甚至小于10微米。無論微結(jié)構(gòu)和電路是形成在相同晶片上還是形成在不同晶片上，當(dāng)微結(jié)構(gòu)通過去除犧牲層而釋放時(shí)，粘附力減少劑可應(yīng)用于晶片上的微結(jié)構(gòu)(微鏡、微繼電器，等等)，以減小在接觸另一層的微結(jié)構(gòu)或接觸相同或相對(duì)襯底上結(jié)構(gòu)時(shí)的粘結(jié)力。雖然這種粘附力減少劑是公知的，但在本發(fā)明中該試劑優(yōu)選在晶片結(jié)合之前(或在晶片結(jié)合之后但在切割之前)應(yīng)用于晶片，而不是應(yīng)用于切單后的芯片或者用于該芯片的封裝。各種粘附力減少劑包括各種三氯硅烷，以及本領(lǐng)域公知的用于減少微機(jī)電器件的粘附的其他硅烷和硅氧烷，如本文其他地方所提到的。此外，在上文提及的晶片結(jié)合之前，可將一種吸氣劑或分子清除劑應(yīng)用于晶片。吸氣劑可以是濕氣、氫、粒子或其他吸氣劑。吸氣劑應(yīng)用于被釋放MEMS結(jié)構(gòu)周圍(或在這些結(jié)構(gòu)的一個(gè)陣列的周圍，沿著或臨近這個(gè)陣列，例如微鏡陣列的情況)的晶片，當(dāng)然最好不接觸被釋放結(jié)構(gòu)。如果使用濕氣吸氣劑，則金屬氧化物或沸石可以是用于吸收和結(jié)合晶片的材料(例如，StayDrySD800，StayDrySD1000，StayDryHiCap2000——均來自Cookson電子公司)?；蛘撸墒褂靡环N組合吸氣劑，如一種濕氣和粒子吸氣劑(StayDryGA2000-2)或一種氫和濕氣吸氣劑(StayDryH2-3000)。吸氣劑可應(yīng)用于任一晶片，并且如果所使用的結(jié)合方法是粘合結(jié)合，則吸氣劑可應(yīng)用在環(huán)氧樹脂小球或條的附近，優(yōu)選在環(huán)氧樹脂與微結(jié)構(gòu)之間，而且可在應(yīng)用粘合劑之前或之后(優(yōu)選在任何粘合劑應(yīng)用到晶片之前)被應(yīng)用。在一個(gè)實(shí)施例中，在任一個(gè)(或兩個(gè))襯底中形成的槽或其他腔中提供了一種吸氣劑(或者多種吸氣劑，如果使用了一種以上類型的吸氣劑的話)。例如，沿著一個(gè)微鏡陣列的一側(cè)或多側(cè)延伸的一個(gè)槽(或環(huán)繞陣列的整個(gè)周邊)可在沉積出犧牲層和薄膜之前形成(或在微鏡釋放之前或之后的末尾)。這個(gè)槽(或腔)可形成在一個(gè)硅襯底中(例如，如果被形成為上文所述的雙襯底方式，則在其上具有電路和電極，或者，如果被形成為單片，則在其上具有電路、電極和微鏡)?；蛘?，吸氣劑的這個(gè)槽或腔可形成于玻璃襯底中。也可能的是，在兩個(gè)襯底中形成一個(gè)槽或腔，在其中沉積相同或不同的吸氣劑。從上文可以看出，本發(fā)明的方法包括，制造一個(gè)MEMS器件，例如空間光調(diào)制器，通過提供一個(gè)第一晶片，提供一個(gè)第二晶片，在第一晶片上形成電路和多個(gè)電極，在第一或第二晶片中的任一個(gè)上形成多個(gè)可偏轉(zhuǎn)元件，對(duì)齊第一和第二晶片，把第一和第二晶片結(jié)合在一起以形成一個(gè)晶片部件，把晶片部件分離為單獨(dú)的芯片，并封裝單獨(dú)的芯片。每個(gè)芯片可包括可偏轉(zhuǎn)反射元件的一個(gè)陣列。反射元件對(duì)應(yīng)直視(direct-view)或投影顯示器中的像素。每個(gè)芯片中的反射元件數(shù)量是從6000到大約6百萬或更多，這取決于顯示器的分辨率。在本發(fā)明的方法中，第一晶片優(yōu)選是玻璃、硼硅酸鹽、鋼化玻璃、石英或藍(lán)寶石，或可以是另一種材料的透光晶片。第二晶片可以是一種電介質(zhì)或半導(dǎo)體晶片，例如砷化鎵或硅。如上文所指出的，利用粘合劑將第一和第二晶片結(jié)合在一起(雖然金屬或陽極結(jié)合也是可能的，這取決于MEMS結(jié)構(gòu)和微加工類型)。釋放可通過提供任何合適的蝕刻劑來執(zhí)行，包括來自鹵間化合物、惰性氣體氟化物、氣相酸，或氣體溶劑的蝕刻劑。而且釋放之后，優(yōu)選進(jìn)行粘附處理(例如一種硅烷，如氯硅烷)。此外，可在應(yīng)用粘性減小的結(jié)合劑之前或之后，以及在應(yīng)用粘合劑(如果一種粘結(jié)方法被選擇)之前或之后將吸氣劑應(yīng)用到晶片。優(yōu)選地，從釋放到結(jié)合的時(shí)間小于12小時(shí)，并且優(yōu)選小于6小時(shí)。本發(fā)明并不必限于直視或投影顯示器。本發(fā)明適用于許多中不同類型的MEMS器件，包括壓力和加速傳感器、MEMS開關(guān)或在晶片上形成或釋放的其他MEMS器件。本發(fā)明也不必限于在一個(gè)晶片上形成可釋放MEMS元件和在另一晶片上形成電路。如果MEMS和電路都以單片形式形成在相同的晶片上，則第二晶片(玻璃、硅或其他材料)可以晶片級(jí)結(jié)合，這是接著MEMS器件釋放進(jìn)行的，但是先于把晶片分成單個(gè)芯片。如果MEMS器件是微鏡，由于這些元件的易碎性，這就特別有用。雖然本發(fā)明是針對(duì)任何MEMS器件的，但利用本發(fā)明，可使用用于投影顯示器或光開關(guān)的特殊的鏡子和方法，例如在下面的專利中所述的那些鏡子和方法，1998年11月10日頒布的Huibers的美國專利5835256；2000年4月4日頒布的Huibers的美國專利6046840；2001年1月22日提交的True等人的美國專利申請(qǐng)09/767632；2000年5月3日提交的Richards的09/564069；2000年7月17日提交的Huibers等人的09/617149；2000年8月3日提交的Huibers等人的09/631536；2000年7月27日提交的Huibers的09/626780；2001年5月22日提交的Patel等人的60/293092；2000年8月11日提交的Huibers等人的09/637479；和2000年9月8日提交的Huibers的60/231041。如果MEMS器件是一個(gè)鏡子，則可使用2000年12月7日提交的llkov等人的美國專利申請(qǐng)09/732445中公開的特殊鏡子形狀。此外，MEMS器件并不必是一個(gè)微鏡，而是可替代為任何MEMS器件，包括上述申請(qǐng)所公開的以及2000年12月13日提交的Huibers的申請(qǐng)60/240552中所公開的。另外，犧牲材料和去除它們的方法可以是2001年6月15日提交的Reid等人的美國專利申請(qǐng)60/298529中所公開的那些方法。最后，MEMS器件的組裝和封裝可以是，例如2001年3月15日提交的美國專利申請(qǐng)60/276222中所公開的那些。這些專利和申請(qǐng)中的每一個(gè)在此通過引用并入。盡管根據(jù)特定實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述。但是，熟悉本領(lǐng)域的人都會(huì)意識(shí)到，根據(jù)本文所述的實(shí)施例，可以有許多變化。權(quán)利要求1.一種用于制造空間光調(diào)制器的方法，其包括在第一或第二襯底上形成多個(gè)可偏轉(zhuǎn)反射元件；將所述第一和第二襯底結(jié)合在一起，形成一個(gè)襯底部件；將所述襯底部件結(jié)合到一個(gè)封裝襯底上，該封裝襯底并不完全封裝所述襯底部件，從而形成一個(gè)暴露的和被封裝的襯底部件；和用引線將所述襯底部件結(jié)合到所述封裝襯底。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括將所述暴露的和被封裝的襯底部件置入一個(gè)投影系統(tǒng)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述的反射元件對(duì)應(yīng)于直視或投影顯示器中的像素。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中每個(gè)芯片中的反射元件的數(shù)量是從15萬到大約6百萬。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一襯底是一個(gè)透光襯底，或者是一個(gè)具有一層或多層的、當(dāng)其被去除時(shí)成為一個(gè)透光襯底的襯底。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述第一襯底是玻璃、硼硅酸鹽、鋼化玻璃、石英或藍(lán)寶石。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第二襯底是電介質(zhì)或半導(dǎo)體襯底。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述第二襯底包括砷化鎵或硅。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一和第二襯底利用粘合劑結(jié)合在一起。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述結(jié)合劑是環(huán)氧樹脂。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述環(huán)氧樹脂包括預(yù)定直徑的球或桿。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述襯底部件通過劃線和折斷被分離為單個(gè)芯片。13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述襯底部件在分離為單個(gè)芯片之前要測(cè)試其異常性。14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括在所述第一和第二襯底之間提供一個(gè)間隔襯底。15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括在所述第一和第二襯底結(jié)合之前，在這兩個(gè)襯底或其中之一上提供微加工的隔離物。16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述粘合劑由自動(dòng)控制的液體分配器通過注射器分配。17.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述粘合劑由絲網(wǎng)印刷、膠版印刷或輥筒印刷來分配。18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述注射器為了進(jìn)行分配沿X-Y坐標(biāo)移動(dòng)。19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述對(duì)齊包括相對(duì)襯底上的襯底基準(zhǔn)的對(duì)準(zhǔn)。20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中所述對(duì)準(zhǔn)利用具有鏡頭擴(kuò)大功能的視頻相機(jī)來完成。21.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述第二襯底是玻璃或石英襯底。22.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述襯底的結(jié)合包括UV或用熱進(jìn)行固化的環(huán)氧樹脂的分配。23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中所述結(jié)合進(jìn)一步包括施加10kg的力或更多的力。24.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述對(duì)齊包括把所述第一襯底上的每個(gè)可偏轉(zhuǎn)元件與所述第二襯底上的至少一個(gè)電極對(duì)齊。25.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述襯底部件的分離包括在所述第一和第二襯底上形成劃線。26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中所述劃線以在至少一個(gè)方向上的彼此偏移的關(guān)系放置。27.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中所述分離進(jìn)一步包括沿劃線利用剪切機(jī)或支點(diǎn)折斷機(jī)來折斷所述襯底部件。28.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述襯底部件的分離包括在每個(gè)襯底上部分地切割，隨后沿切割線折斷。29.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述切割是在存在高壓水噴射的情況下進(jìn)行的。30.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述結(jié)合包括在所述襯底的每個(gè)陣列的周圍附近應(yīng)用密封劑。31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的方法，進(jìn)一步包括在所述襯底中的至少一個(gè)的周圍應(yīng)用密封劑。32.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述結(jié)合包括應(yīng)用粘合劑和隔離物，該隔離物的尺寸從1到100微米。33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其中所述隔離物的尺寸從1到20微米。34.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述多個(gè)可偏轉(zhuǎn)元件是反射鏡元件，并且是在所述第二襯底上形成的，所述第二襯底是透光襯底，至少在從其上去除了所有的表面涂層的情況下。35.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述微加工隔離物包括一種有機(jī)材料。36.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其中所述隔離物是玻璃或塑料隔離物。37.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述可偏轉(zhuǎn)元件的形成包括表面微機(jī)械加工或體微機(jī)械加工。38.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述第一襯底上形成所述多個(gè)可偏轉(zhuǎn)元件。39.根據(jù)權(quán)利要求38所述的方法，其中在形成所述多個(gè)可偏轉(zhuǎn)元件之前形成所述電路或多個(gè)電極，其中所述多個(gè)可偏轉(zhuǎn)元件在所述第一襯底的所述多個(gè)電極的上面形成。40.根據(jù)權(quán)利要求39所述的方法，其中在所述第二襯底上形成多個(gè)光阻擋掩模。41.根據(jù)權(quán)利要求40的方法，其中當(dāng)所述襯底部件被切單為襯底部件芯片時(shí)，在每個(gè)襯底部件芯片內(nèi)的一個(gè)第二襯底部分上布置一個(gè)光阻擋掩模。42.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述第二襯底上形成所述的多個(gè)可偏轉(zhuǎn)元件。43.根據(jù)權(quán)利要求42的方法，其中當(dāng)所述第一和第二襯底被對(duì)齊和結(jié)合在一起時(shí)，所述第二襯底上的每個(gè)所述可偏轉(zhuǎn)元件布置在所述第一襯底的相應(yīng)電極的附近。44.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括封裝所述的襯底部件芯片。45.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述的可偏轉(zhuǎn)元件是具有鋸齒狀或Z字形邊緣的微鏡。46.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括將粘附力減少劑施加到一個(gè)或兩個(gè)襯底上，施加時(shí)間是在這兩個(gè)襯底結(jié)合之前或之后，但在該襯底部件被切單為芯片之前。47.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括將吸氣劑施加到一個(gè)或兩個(gè)襯底上，施加時(shí)間是在這兩個(gè)襯底結(jié)合成一個(gè)襯底部件之前。48.根據(jù)權(quán)利要求47所述的方法，其中所述的吸氣劑是分子、氫和/或粒子吸氣劑。49.根據(jù)權(quán)利要求47所述的方法，其中所述的吸氣劑是粒子和濕氣吸氣劑。50.根據(jù)權(quán)利要求47所述的方法，其中所述的吸氣劑是能夠吸收濕氣。51.根據(jù)權(quán)利要求46所述的方法，其中所述的粘附力減少劑是施加到所述可偏轉(zhuǎn)元件的硅烷。52.根據(jù)權(quán)利要求46所述的方法，其中所述的粘附力減少劑是氯硅烷。53.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括在結(jié)合和切單所述結(jié)合襯底為多個(gè)結(jié)合襯底芯片部分之前將所述襯底對(duì)齊。54.根據(jù)權(quán)利要求53所述的方法，其中所述襯底的對(duì)齊精度是1微米或更小。55.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述投影系統(tǒng)包括一個(gè)光源、一個(gè)色彩定序器和投影光學(xué)系統(tǒng)。56.一種形成微鏡陣列的方法，其包括提供一個(gè)第一襯底；提供一個(gè)第二襯底；在所述第一和第二襯底上形成多個(gè)微鏡元件；在低于大氣壓的壓力下將所述第一和第二襯底結(jié)合在一起，以形成一個(gè)襯底部件；和將所述襯底部件切單為單獨(dú)的芯片，每個(gè)芯片包括結(jié)合后的第一和第二襯底，其間在低于大氣壓的環(huán)境中具有微鏡元件。57.根據(jù)權(quán)利要求56所述的方法，其中所述微鏡元件是通過在犧牲層上沉積結(jié)構(gòu)膜，并釋放這些結(jié)構(gòu)膜以去除所述犧牲層而形成的，其中所述釋放包括提供一種蝕刻劑，該蝕刻劑選自鹵間化合物、惰性氣體氟化物、氣相酸或氣體溶劑。58.根據(jù)權(quán)利要求57所述的方法，其中在所述釋放之后是粘附處理。59.根據(jù)權(quán)利要求58所述的方法，其中所述粘附處理包括利用硅烷的處理。60.根據(jù)權(quán)利要求58所述的方法，其中所述粘附處理之后是所述的結(jié)合。61.根據(jù)權(quán)利要求60所述的方法，其中從釋放到結(jié)合的時(shí)間小于6小時(shí)。62.根據(jù)權(quán)利要求56所述的方法，其中所述第一襯底是一個(gè)透光襯底，或者是一個(gè)具有一層或多層的、當(dāng)其被去除時(shí)成為一個(gè)透光襯底的襯底。63.根據(jù)權(quán)利要求62所述的方法，其中所述第一襯底是玻璃、硼硅酸鹽、鋼化玻璃、石英或藍(lán)寶石。64.根據(jù)權(quán)利要求56所述的方法，其中所述第二襯底是電介質(zhì)或半導(dǎo)體晶片。65.根據(jù)權(quán)利要求64所述的方法，其中所述第二襯底包括砷化鎵或硅。66.根據(jù)權(quán)利要求65所述的方法，其中所述第一和第二襯底利用粘合劑結(jié)合在一起。67.根據(jù)權(quán)利要求66所述的方法，其中所述粘合劑是一種環(huán)氧樹脂。68.根據(jù)權(quán)利要求67所述的方法，其中所述環(huán)氧樹脂包括預(yù)定直徑的球或桿。69.根據(jù)權(quán)利要求66所述的方法，其中所述襯底部件通過劃線和折斷被分離為單個(gè)芯片。70.根據(jù)權(quán)利要求56所述的方法，其中所述襯底部件在分離為單個(gè)芯片之前要測(cè)試其異常性。71.根據(jù)權(quán)利要求56所述的方法，進(jìn)一步包括在所述第一和第二襯底之間提供一個(gè)間隔襯底。72.根據(jù)權(quán)利要求56所述的方法，進(jìn)一步包括在所述第一和第二襯底結(jié)合之前，在這兩個(gè)襯底或其中之一上提供微加工的隔離物。73.根據(jù)權(quán)利要求66所述的方法，其中所述粘合劑由自動(dòng)控制的液體分配器通過一個(gè)注射器來分配。74.根據(jù)權(quán)利要求66所述的方法，其中所述粘合劑由絲網(wǎng)印刷、膠版印刷或輥筒印刷來分配。75.根據(jù)權(quán)利要求73所述的方法，其中所述注射器為了進(jìn)行分配沿X-Y坐標(biāo)移動(dòng)。76.根據(jù)權(quán)利要求56所述的方法，其中所述對(duì)齊包括相對(duì)襯底上的襯底基準(zhǔn)的對(duì)準(zhǔn)。77.根據(jù)權(quán)利要求76所述的方法，其中所述對(duì)準(zhǔn)利用具有鏡頭擴(kuò)大功能的視頻相機(jī)來完成。78.根據(jù)權(quán)利要求64所述的方法，其中所述第一和第二襯底的形狀基本上是圓形，直徑為從4到12英寸。79.根據(jù)權(quán)利要求67所述的方法，其中所述襯底的結(jié)合包括UV或用熱進(jìn)行固化的環(huán)氧樹脂的分配。80.根據(jù)權(quán)利要求79所述的方法，其中所述結(jié)合進(jìn)一步包括施加10kg的力或更大的力。81.根據(jù)權(quán)利要求56所述的方法，其中所述對(duì)齊包括把所述第一襯底上的每個(gè)可偏轉(zhuǎn)元件與所述第二襯底上的至少一個(gè)電極對(duì)齊。82.根據(jù)權(quán)利要求56所述的方法，其中所述襯底部件的分離包括在所述第一和第二襯底上形成劃線。83.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中所述劃線以在至少一個(gè)方向上的彼此偏移的關(guān)系放置。84.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中所述分離進(jìn)一步包括沿劃線利用剪切機(jī)或支點(diǎn)折斷機(jī)來折斷所述襯底部件。85.根據(jù)權(quán)利要求56所述的方法，其中所述襯底部件的分離包括在每個(gè)襯底上部分地切割，隨后沿切割線折斷。86.根據(jù)權(quán)利要求56所述的方法，其中所述切割是在存在高壓水噴射的情況下進(jìn)行的。87.根據(jù)權(quán)利要求56所述的方法，其中所述結(jié)合包括在所述襯底的每個(gè)陣列的周圍附近應(yīng)用密封劑。88.根據(jù)權(quán)利要求87所述的方法，進(jìn)一步包括在所述襯底中的至少一個(gè)的周圍應(yīng)用密封劑。89.根據(jù)權(quán)利要求56所述的方法，其中所述結(jié)合包括應(yīng)用粘合劑和隔離物，該隔離物的尺寸從1到100微米。90.根據(jù)權(quán)利要求89所述的方法，其中所述隔離物的尺寸從1到20微米。91.根據(jù)權(quán)利要求90所述的方法，其中所述多個(gè)可偏轉(zhuǎn)元件是反射鏡元件，并且是在第二襯底上形成的，所述第二襯底是透光襯底，至少在從其上去除了所有的表面涂層的情況下。92.根據(jù)權(quán)利要求89所述的方法，其中所述微加工隔離物包括一種有機(jī)材料。93.根據(jù)權(quán)利要求89所述的方法，其中所述隔離物是玻璃或塑料隔離物。94.根據(jù)權(quán)利要求56所述的方法，其中所述微鏡被提供在一個(gè)陣列中，該陣列包括100000到10000000個(gè)微鏡。95.根據(jù)權(quán)利要求56所述的方法，進(jìn)一步包括將所述襯底部件結(jié)合和引線結(jié)合到一個(gè)封裝襯底上，該封裝襯底不完全封裝所述襯底部件。96.根據(jù)權(quán)利要求95所述的方法，其中不完全封裝所述襯底部件的所述封裝襯底固定在一個(gè)投影系統(tǒng)內(nèi)。97.根據(jù)權(quán)利要求56所述的方法，進(jìn)一步包括將粘附力減少劑施加到一個(gè)或兩個(gè)襯底上，施加時(shí)間是在這兩個(gè)襯底結(jié)合之前或之后，但在該襯底部件被切單為芯片之前。98.根據(jù)權(quán)利要求56所述的方法，進(jìn)一步包括將吸氣劑施加到一個(gè)或兩個(gè)襯底上，施加時(shí)間是在這兩個(gè)襯底結(jié)合成一個(gè)襯底部件之前。99.根據(jù)權(quán)利要求96所述的方法，其中所述投影系統(tǒng)包括一個(gè)光源、色彩定序器和投影光學(xué)系統(tǒng)。100.根據(jù)權(quán)利要求99所述的方法，其中所述光源是一個(gè)弧光燈。101.根據(jù)權(quán)利要求100所述的方法，其中所述色彩定序器是一個(gè)色彩輪。102.根據(jù)權(quán)利要求97所述的方法，其中所述的粘附力減少劑是施加到可偏轉(zhuǎn)元件的硅烷。103.根據(jù)權(quán)利要求97所述的方法，其中所述的粘附力減少劑是氯硅烷。104.根據(jù)權(quán)利要求96所述的方法，其中在所述第二襯底上形成多個(gè)光阻擋掩模。105.根據(jù)權(quán)利要求104所述的方法，其中當(dāng)所述襯底部件被切單為襯底部件芯片時(shí)，在每個(gè)襯底部件芯片內(nèi)的一個(gè)第二襯底部分上布置一個(gè)光阻擋掩模。106.一種制作微鏡陣列的方法，其包括提供一個(gè)第一晶片；提供一個(gè)第二晶片；在所述第一晶片上形成電路和多個(gè)電極，以形成一個(gè)電路和電極陣列；在所述第一或第二晶片上形成多個(gè)可偏轉(zhuǎn)微鏡元件，以形成一個(gè)微鏡陣列；在形成所述多個(gè)可偏轉(zhuǎn)微鏡元件以及電路和電極陣列之前或之后，在所述微鏡陣列和/或電路和電極陣列的附近形成一個(gè)槽或腔；將粘附力減少劑和/或吸氣劑沉積到所述的槽或腔中；對(duì)齊所述第一和第二晶片；將所述第一和第二晶片結(jié)合在一起以形成一個(gè)晶片部件；和將所述晶片部件分離為單獨(dú)的晶片部件芯片。107.根據(jù)權(quán)利要求106所述的方法，其中粘附力減少劑被沉積到一個(gè)晶片的槽或腔中，吸氣劑被沉積到另一個(gè)晶片的槽或腔中。108.根據(jù)權(quán)利要求107所述的方法，其中所述的粘附力減少劑以液體或固體形式應(yīng)用到所述槽或腔中。109.根據(jù)權(quán)利要求106所述的方法，其中在所述兩個(gè)晶片結(jié)合在一起之前，吸氣劑被沉積到一個(gè)或兩個(gè)晶片的槽或腔中。110.根據(jù)權(quán)利要求109所述的方法，其中所述吸氣劑是分子、氫和/或粒子吸氣劑。111.根據(jù)權(quán)利要求110所述的方法，其中所述吸氣劑是粒子和濕氣吸氣劑。112.根據(jù)權(quán)利要求110所述的方法，其中所述吸氣劑能夠吸收濕氣。113.根據(jù)權(quán)利要求107所述的方法，其中所述粘附力減少劑包括碳和氟。114.根據(jù)權(quán)利要求106所述的方法，其中吸氣劑被沉積到所述槽或腔中，氣相的粘附力減少劑被用于覆蓋微鏡陣列。115.根據(jù)權(quán)利要求114所述的方法，其中所述的氣相粘附力減少劑是氟化硅烷。116.根據(jù)權(quán)利要求115所述的方法，其中所述氟化硅烷具有一個(gè)至少8個(gè)碳原子的烷基鏈。117.根據(jù)權(quán)利要求106所述的方法，其中所述第一和第二晶片在低于大氣壓的壓力下結(jié)合。118.根據(jù)權(quán)利要求117所述的方法，其中所述單個(gè)晶片組裝。119.根據(jù)權(quán)利要求106所述的方法，其中所述晶片中的一個(gè)是其上具有一個(gè)或多個(gè)矩形掩模的玻璃或石英晶片。120.根據(jù)權(quán)利要求119所述的方法，其中所述晶片中的一個(gè)包括一個(gè)微鏡陣列，而所述晶片中的另一個(gè)透射可見光。121.根據(jù)權(quán)利要求120所述的方法，其中透射可見光的所述晶片包括一個(gè)或多個(gè)可見光阻擋區(qū)域。122.根據(jù)權(quán)利要求121所述的方法，其中所述可見光阻擋區(qū)域基本上是矩形。123.根據(jù)權(quán)利要求106所述的方法，其中當(dāng)所述晶片部件被切單為晶片部件芯片時(shí)，在每個(gè)晶片部件芯片內(nèi)的一個(gè)第二襯底部分上布置一個(gè)光阻擋掩模。124.一種制造MEMS器件的方法，其包括在一個(gè)第一晶片上形成多個(gè)MEMS器件；提供一個(gè)第二晶片；將所述第一和第二晶片封閉地結(jié)合和密封在一起，成為一個(gè)襯底部件；和將所述的封閉的襯底部件切單為多個(gè)封閉地密封的襯底部件芯片，每個(gè)芯片包括一個(gè)MEMS元件。125.根據(jù)權(quán)利要求124所述的方法，其中所述MEMS元件是微鏡。126.根據(jù)權(quán)利要求125所述的方法，其中每個(gè)襯底部件芯片包括一個(gè)微鏡陣列。127.根據(jù)權(quán)利要求126所述的方法，其中所述第一晶片是一個(gè)玻璃或石英晶片。128.根據(jù)權(quán)利要求124所述的方法，其中電路和多個(gè)電極是在結(jié)合之前在所述第二晶片上形成的。129.根據(jù)權(quán)利要求128所述的方法，其中所述第二襯底是一個(gè)硅襯底。130.根據(jù)權(quán)利要求124所述的方法，進(jìn)一步包括將一個(gè)襯底部件芯片結(jié)合到一個(gè)第三封裝襯底上，該第三封裝襯底不完全封裝所述襯底部件，從而形成一個(gè)暴露的和被封裝的襯底部件。131.根據(jù)權(quán)利要求130所述的方法，進(jìn)一步包括將所述襯底部件芯片引線結(jié)合到所述第三襯底上。132.根據(jù)權(quán)利要求130所述的方法，進(jìn)一步包括將所述被封裝的襯底部件連接到一個(gè)投影系統(tǒng)。133.根據(jù)權(quán)利要求124所述的方法，其中所述的封閉地結(jié)合和密封是在低于大氣壓的壓力下進(jìn)行的。134.根據(jù)權(quán)利要求124所述的方法，其中通過以下方式將所述第一晶片結(jié)合到所述第二晶片粘合劑結(jié)合、陽極結(jié)合、共晶結(jié)合、玻璃燒結(jié)結(jié)合和/或焊接結(jié)合。135.根據(jù)權(quán)利要求134所述的方法，其中至少兩種類型的結(jié)合被用于將第一晶片與第二晶片封閉地結(jié)合和密封在一起。136.根據(jù)權(quán)利要求124所述的方法，其中在靠近被形成或?qū)⒈恍纬傻腗EMS元件的所述第一或第二晶片中形成一個(gè)槽。137.根據(jù)權(quán)利要求133所述的方法，其中所述的封閉地密封的襯底部件芯片包括在小于大氣壓的環(huán)境氣體中的微鏡元件。138.根據(jù)權(quán)利要求124所述的方法，其中所述的封閉結(jié)合和密封是在不同于空氣的一種氣體中進(jìn)行的。139.根據(jù)權(quán)利要求138所述的方法，其中所述的封閉結(jié)合和密封是在一種包括惰性氣體的氣體中進(jìn)行的。140.根據(jù)權(quán)利要求139所述的方法，其中所述惰性氣體包括氮、氬或氦。141.根據(jù)權(quán)利要求124所述的方法，進(jìn)一步包括在將所述晶片封閉結(jié)合和密封之前提供一種氣相的抗粘附材料到MEMS元件。142.根據(jù)權(quán)利要求124所述的方法，其中所述抗粘附材料由硅烷前體形成。143.一個(gè)空間光調(diào)制器，包括一個(gè)包括微鏡陣列的第一襯底；一個(gè)第二襯底，其包括用于對(duì)所述微鏡進(jìn)行靜電激勵(lì)的電路和電極；其中所述第一和第二襯底封閉地結(jié)合在一起，成為一個(gè)襯底部件，以使微鏡從環(huán)境空氣中封閉地密封出來。144.根據(jù)權(quán)利要求143所述的空間光調(diào)制器，其中不同于空氣的一種氣體在所述第一和第二襯底之間的封閉環(huán)境中。145.根據(jù)權(quán)利要求144所述的空間光調(diào)制器，進(jìn)一步包括一個(gè)封裝襯底，其不完全封裝所述襯底部件，以形成一個(gè)暴露的和被封裝的襯底部件。146.根據(jù)權(quán)利要求145所述的空間光調(diào)制器，進(jìn)一步包括將所述襯底部件電連接到所述封裝襯底的引線結(jié)合。147.根據(jù)權(quán)利要求145所述的空間光調(diào)制器，其中所述的封裝襯底是一個(gè)基本平的襯底。148.一種投影系統(tǒng)，其包括一個(gè)光源、一個(gè)色彩定序器、如權(quán)利要求143所述的空間光調(diào)制器，以及投影光學(xué)系統(tǒng)。149.一種空間光調(diào)制器，其包括一個(gè)包括微鏡陣列的第一襯底；一個(gè)第二襯底，其包括用于對(duì)所述微鏡進(jìn)行靜電激勵(lì)的電路和電極；其中所述第一和第二襯底利用粘合劑結(jié)合在一起，成為一個(gè)襯底部件。150.根據(jù)權(quán)利要求149所述的空間光調(diào)制器，其中所述第一和第二襯底封閉地結(jié)合在一起，不同于空氣的一種氣體在所述第一和第二襯底之間的封閉環(huán)境中。151.根據(jù)權(quán)利要求150所述的空間光調(diào)制器，進(jìn)一步包括一個(gè)封裝襯底，其不完全封裝所述襯底部件，以形成一個(gè)暴露的和被封裝的襯底部件。152.根據(jù)權(quán)利要求151所述的空間光調(diào)制器，進(jìn)一步包括將所述襯底部件電連接到所述封裝襯底的引線結(jié)合。153.根據(jù)權(quán)利要求152所述的空間光調(diào)制器，其中所述的封裝襯底是一個(gè)基本上平的襯底。154.根據(jù)權(quán)利要求149所述的空間光調(diào)制器，其中所述粘合劑是一種有機(jī)結(jié)合劑。155.根據(jù)權(quán)利要求149所述的空間光調(diào)制器，其中所述粘合劑是一種環(huán)氧樹脂。156.根據(jù)權(quán)利要求149所述的空間光調(diào)制器，其中所述第一和第二襯底之間的縫隙是100微米或更小。157.根據(jù)權(quán)利要求156所述的空間光調(diào)制器，其中所述第一和第二襯底之間的縫隙是10微米或更小。158.一種投影系統(tǒng)，其包括一個(gè)光源、一個(gè)色彩定序器、如權(quán)利要求149所述的空間光調(diào)制器，以及投影光學(xué)系統(tǒng)。159.一種空間光調(diào)制器，其包括一個(gè)包括微鏡陣列的第一襯底；一個(gè)第二襯底，其包括用于對(duì)所述微鏡進(jìn)行靜電激勵(lì)的電路和電極；其中所述第一和第二襯底被結(jié)合在一起成為一個(gè)襯底部件，該襯底部件在其中具有所述微鏡和小于1個(gè)大氣壓壓力的一種氣體。160.根據(jù)權(quán)利要求159所述的空間光調(diào)制器，其中不同于空氣的一種氣體是在所述第一和第二襯底之間的封閉環(huán)境中。161.根據(jù)權(quán)利要求159所述的空間光調(diào)制器，進(jìn)一步包括一個(gè)封裝襯底，其不完全封裝所述襯底部件，以形成一個(gè)暴露的和被封裝的襯底部件。162.根據(jù)權(quán)利要求161所述的空間光調(diào)制器，進(jìn)一步包括將所述襯底部件電連接到所述封裝襯底的引線結(jié)合。163.根據(jù)權(quán)利要求162所述的空間光調(diào)制器，其中所述的封裝襯底是一個(gè)基本上平的襯底。164.根據(jù)權(quán)利要求159所述的空間光調(diào)制器，其中所述襯底部件中的第一和第二襯底之間的壓力小于0.25atm。165.根據(jù)權(quán)利要求160所述的空間光調(diào)制器，其中所述襯底部件中的第一和第二襯底之間的壓力小于50Torr。166.根據(jù)權(quán)利要求161所述的空間光調(diào)制器，其中所述襯底部件中的第一和第二襯底之間的壓力小于10Torr。167.根據(jù)權(quán)利要求162所述的空間光調(diào)制器，其中所述襯底部件中的第一和第二襯底之間的壓力小于1Torr。168.根據(jù)權(quán)利要求163所述的空間光調(diào)制器，其中所述襯底部件中的第一和第二襯底之間的壓力小于100mTorr。169.根據(jù)權(quán)利要求159所述的空間光調(diào)制器，其中所述第一和第二襯底之間的縫隙小于100微米。170.根據(jù)權(quán)利要求169所述的空間光調(diào)制器，其中所述第一和第二襯底之間的縫隙小于10微米。171.一種投影系統(tǒng)，其包括一個(gè)光源、一個(gè)色彩定序器、如權(quán)利要求159所述的空間光調(diào)制器，以及投影光學(xué)系統(tǒng)。172.一種空間光調(diào)制器，其包括一個(gè)包括微鏡陣列的第一襯底；一個(gè)第二襯底，其包括用于對(duì)所述微鏡進(jìn)行靜電激勵(lì)的電路和電極；其中所述第一和第二襯底被結(jié)合在一起成為一個(gè)襯底部件，該襯底部件在其中具有所述微鏡，和靠近所述微鏡的、處于所述第一和第二襯底之間的固體或液體潤滑劑和/或吸氣劑。173.根據(jù)權(quán)利要求172所述的空間光調(diào)制器，其中不同于空氣的一種氣體是在所述第一和第二襯底之間的封閉環(huán)境中。174.根據(jù)權(quán)利要求172所述的空間光調(diào)制器，進(jìn)一步包括一個(gè)封裝襯底，其不完全封裝所述襯底部件，以形成一個(gè)暴露的和被封裝的襯底部件。175.根據(jù)權(quán)利要求174所述的空間光調(diào)制器，進(jìn)一步包括將所述襯底部件電連接到所述封裝襯底的引線結(jié)合。176.根據(jù)權(quán)利要求175所述的空間光調(diào)制器，其中所述的封裝襯底是一個(gè)基本上平的襯底。177.根據(jù)權(quán)利要求172所述的空間光調(diào)制器，其中所述襯底部件中的第一和第二襯底之間的壓力小于1atm。178.根據(jù)權(quán)利要求177所述的空間光調(diào)制器，其中所述襯底部件中的第一和第二襯底之間的壓力小于50Torr。179.根據(jù)權(quán)利要求178所述的空間光調(diào)制器，其中所述襯底部件中的第一和第二襯底之間的壓力小于10Torr。180.根據(jù)權(quán)利要求179所述的空間光調(diào)制器，其中所述襯底部件中的第一和第二襯底之間的壓力小于1Torr。181.根據(jù)權(quán)利要求180所述的空間光調(diào)制器，其中所述襯底部件中的第一和第二襯底之間的壓力小于100mTorr。182.根據(jù)權(quán)利要求172所述的空間光調(diào)制器，其中所述第一和第二襯底之間的縫隙小于100微米。183.根據(jù)權(quán)利要求182所述的空間光調(diào)制器，其中所述第一和第二襯底之間的縫隙小于10微米。184.一種投影系統(tǒng)，其包括一個(gè)光源、一個(gè)色彩定序器、如權(quán)利要求172所述的空間光調(diào)制器，以及投影光學(xué)系統(tǒng)。185.一種空間光調(diào)制器，其包括一個(gè)第一襯底，其包括微鏡陣列和用于對(duì)微鏡進(jìn)行靜電激勵(lì)的電路和電極；一個(gè)透光的第二襯底；所述第一和第二襯底被結(jié)合在一起。186.根據(jù)權(quán)利要求185所述的空間光調(diào)制器，其中不同于空氣的一種氣體是在所述第一和第二襯底之間的封閉環(huán)境中。187.根據(jù)權(quán)利要求185所述的空間光調(diào)制器，進(jìn)一步包括一個(gè)封裝襯底，其不完全封裝所述襯底部件，以形成一個(gè)暴露的和被封裝的襯底部件。188.根據(jù)權(quán)利要求187所述的空間光調(diào)制器，進(jìn)一步包括將所述襯底部件電連接到所述封裝襯底的引線結(jié)合。189.根據(jù)權(quán)利要求188所述的空間光調(diào)制器，其中所述的封裝襯底是一個(gè)基本上平的襯底。190.根據(jù)權(quán)利要求185所述的空間光調(diào)制器，其中所述襯底部件中的第一和第二襯底之間的壓力小于1atm。191.根據(jù)權(quán)利要求190所述的空間光調(diào)制器，其中所述襯底部件中的第一和第二襯底之間的壓力小于50Torr。192.根據(jù)權(quán)利要求191所述的空間光調(diào)制器，其中所述襯底部件中的第一和第二襯底之間的壓力小于10Torr。193.根據(jù)權(quán)利要求192所述的空間光調(diào)制器，其中所述襯底部件中的第一和第二襯底之間的壓力小于1Torr。194.根據(jù)權(quán)利要求193所述的空間光調(diào)制器，其中所述襯底部件中的第一和第二襯底之間的壓力小于100mTorr。195.根據(jù)權(quán)利要求185所述的空間光調(diào)制器，其中所述第一和第二襯底之間的縫隙小于100微米。196.根據(jù)權(quán)利要求195所述的空間光調(diào)制器，其中所述第一和第二襯底之間的縫隙小于10微米。197.一種投影系統(tǒng)，其包括一個(gè)光源、一個(gè)色彩定序器、如權(quán)利要求185所述的空間光調(diào)制器，以及投影光學(xué)系統(tǒng)。198.一種制造空間光調(diào)制器的方法，其包括在一個(gè)半導(dǎo)體襯底上形成電路、電極和微鏡；將一個(gè)透光襯底結(jié)合到所述半導(dǎo)體襯底上，以形成一個(gè)襯底部件；將所述襯底部件結(jié)合到一個(gè)封裝襯底上，該封裝襯底不完全封裝所述襯底部件，以形成一個(gè)暴露的和被封裝的襯底部件；將所述襯底部件引線結(jié)合到封裝襯底上；和把所述暴露的和被封裝的襯底部件放置到一個(gè)投影系統(tǒng)。199.一種制造多個(gè)空間光調(diào)制器的方法，包括在一個(gè)半導(dǎo)體襯底上形成電路、電極和微鏡；將一個(gè)透光襯底結(jié)合到所述半導(dǎo)體襯底上，以形成一個(gè)襯底部件；將所述襯底部件切單為單個(gè)的襯底部件部分，每個(gè)襯底部件包括一個(gè)空間光調(diào)制器；和封裝所述的單個(gè)襯底部件部分。全文摘要本發(fā)明公開了投影系統(tǒng)、空間光調(diào)制器和形成MEMS器件的方法。該空間光調(diào)制器可以具有結(jié)合在一起的兩個(gè)襯底，其中一個(gè)襯底包括一個(gè)微鏡陣列。在這兩個(gè)晶片上或其中之一上沉積了吸氣劑材料和/或固體或液體潤滑劑后，這兩個(gè)襯底可以在晶片級(jí)上結(jié)合。如果需要，這兩個(gè)晶片可以結(jié)合在一起，并且兩個(gè)襯底之間的壓力可以小于大氣壓。文檔編號(hào)B81C99/00GK1659684SQ03813553公開日2005年8月24日申請(qǐng)日期2003年6月11日優(yōu)先權(quán)日2002年6月11日發(fā)明者S·潘特爾,A·赫伊伯斯,P·理查茲,H·史,S·蔣,R·小迪博,T·格羅貝爾尼,D·德林格爾,A·孫,H·N·陳申請(qǐng)人:反射公司