本發(fā)明涉及二氧化硅提純設備技術領域，尤其涉及一種二氧化硅生產用提純裝置。

背景技術：

納米二氧化硅因為具有很好的耐磨性，以及可以強烈地反射紫外線，當加入到樹脂薄膜時可大大減少紫外線對薄膜的降解作用，從而達到延緩材料老化，并提高薄膜的硬度和抗摩擦能力，因此被廣泛的應用到了薄膜的合和添加中。

因為納米材料對純度要求很高，因此在加工納米二氧化硅粉末之前需要用各種純化設備對石英石進行提純，以滿足納米二氧化硅的性能需求；現(xiàn)有的石英石純化工藝通常按照以下流程進行；擦洗脫泥→磁選→浮選→酸浸→微生物浸出。其中磁選主要用于除去石英砂中的磁性礦物，如可以通過強磁性機除去赤鐵礦、褐鐵礦、黑云母等弱磁性礦物，而強磁性礦物如磁鐵礦則可以通過弱磁選機除去。

現(xiàn)有的磁選設備主要是干粉振動式、筒式和輥式等類型，以上幾種類型的磁選機在清理吸附在磁鐵上的物質比較麻煩，通常不是利用高壓水進行沖洗就是需要通過卸鐵裝置來清理吸附在機器上的磁性物質，此種操作不僅費時費力還浪費資源。

技術實現(xiàn)要素：

為了解決背景技術中存在的技術問題，本發(fā)明提出了一種二氧化硅生產用提純裝置，能夠有效的清除石英砂內所含磁性物質，提高石英砂的純度，工作效率高。

本發(fā)明提出的一種二氧化硅生產用提純裝置，包括箱體、箱蓋、導氣裝置，其中：

箱體內設有橫隔板，橫隔板將箱體內部分隔成第一腔室、第二腔室，橫隔板上設有第一開口、第二開口，第一開口內設有第一活動門，第二開口內設有第二活動門；第一腔室靠近橫隔板一端設有斜板，斜板與第一腔室側壁之間圍成一通道，斜板上設有通孔，第一腔室側壁上設有進氣口，進氣口與通道相通；第二腔室內設有豎隔板，豎隔板將第二腔室分隔成產品室和雜質室，第一開口與產品室相通，第二開口與雜質室相通，產品室內設有第一出料口，雜質室內設有第二出料口；

箱蓋與第一腔室遠離橫隔板一端可拆卸連接，箱蓋靠近第一腔室一側分布有多根柱體，柱體內均設有電磁鐵，電磁鐵與外部電源連接；

導氣裝置與進氣口接通。

優(yōu)選的，箱蓋可相對于箱體做轉動運動。

優(yōu)選的，第一腔室遠離橫隔板一端側壁山設有環(huán)形滑槽，箱蓋上靠近第一腔室一端設有與環(huán)形滑槽滑動配合的環(huán)形凸起，箱蓋與驅動裝置連接。

優(yōu)選的，導氣裝置包括導氣管和風機，導氣管一端與進氣口相通，另一端與風機相接。

優(yōu)選的，斜板為倒圓臺形，斜板一端與橫隔板固定連接，另一端與第一腔室內壁固定連接。

在本發(fā)明中，箱體內設有橫隔板，橫隔板將箱體內部分隔成第一腔室、第二腔室，橫隔板上設有第一開口、第二開口；第一腔室靠近橫隔板一端設有斜板，斜板與第一腔室側壁之間圍成一通道，斜板上設有通孔，第一腔室側壁上設有進氣口，進氣口與通道相通；第二腔室內設有豎隔板，豎隔板將第二腔室分隔成產品室和雜質室，第一開口與產品室相通，第二開口與雜質室相通；箱蓋與第一腔室遠離橫隔板一端活動連接，箱蓋靠近第一腔室一側分布有多根柱體，柱體內均設有電磁鐵，電磁鐵與外部電源連接；導氣裝置與進氣口接通。本發(fā)明工作時，先將箱蓋打開，關閉第一活動門、第二活動門，將適量待提純的二氧化硅加進第一腔室內，蓋上箱蓋，電磁鐵與外部電源接通，導氣裝置向第一腔室內導入空氣，使二氧化硅不斷跳動，磁性物質就不會受到二氧化硅的阻擋從而吸附到柱體上，磁性礦物全部吸附到柱體上時，先打開第一活動門，二氧化硅從第一開口進入產品室并從第一出料口出料，二氧化硅出料完成之后，關閉第一活動門，打開第二活動門，將電磁鐵與外部電源斷開，柱體上吸附的磁選物質脫落從第二開口進入雜質室并從第二出料口出料。本發(fā)明結構簡單，使用方便，能夠有效的清除二氧化硅內所含的磁性物質，提高二氧化硅的質量，工作效率高。

附圖說明

圖1為本發(fā)明提出的一種二氧化硅生產用提純裝置結構示意圖；

圖2為本發(fā)明提出的一種二氧化硅生產用提純裝置工作時結構示意圖。

具體實施方式

參照圖1、圖2，本發(fā)明提出一種二氧化硅生產用提純裝置，包括箱體1、箱蓋2、導氣裝置，其中：

箱體1內設有橫隔板4，橫隔板4將箱體1內部分隔成第一腔室11、第二腔室，橫隔板4上設有第一開口41、第二開口42，第一開口41內設有第一活動門43，第二開口42內設有第二活動門44；第一腔室11靠近橫隔板4一端設有斜板6，斜板6為倒圓臺形，斜板6一端與橫隔板4固定連接，另一端與第一腔室11內壁固定連接；斜板6與第一腔室11側壁之間圍成一通道113，斜板6上設有通孔61，第一腔室11側壁上設有進氣口112，進氣口112與通道113相通；第二腔室內設有豎隔板5，豎隔板5將第二腔室分隔成產品室12和雜質室13，第一開口41與產品室12相通，第二開口42與雜質室13相通，產品室12內設有第一出料口121，雜質室13內設有第二出料口131。

第一腔室11遠離橫隔板4一端側壁上設有環(huán)形滑槽111，箱蓋2上靠近第一腔室11一端設有與環(huán)形滑槽111滑動配合的環(huán)形凸起23，箱蓋2與驅動裝置7連接。箱蓋2靠近第一腔室11一側分布有多根柱體21，柱體21內均設有電磁鐵22，電磁鐵22與外部電源連接。

如圖1、圖2所示，本實施例中導氣裝置包括導氣管31和風機32，導氣管31一端與進氣口112相通，另一端與風機32相接。

本發(fā)明提出的一種二氧化硅生產用提純裝置，工作時，先將箱蓋2打開，關閉第一活動門43、第二活動門44，將適量待提純的二氧化硅加進第一腔室11內，蓋上箱蓋2，電磁鐵22與外部電源接通，驅動裝置7驅動箱蓋2轉動，柱體21與二氧化硅充分接觸，導氣裝置向第一腔室11內導入空氣，使二氧化硅不斷跳動，磁性物質就不會受到二氧化硅的阻擋從而吸附到柱體21上，磁性礦物全部吸附到柱體21上時，先打開第一活動門43，二氧化硅從第一開口41進入產品室12并從第一出料口121出料，二氧化硅出料完成之后，關閉第一活動門43，打開第二活動門44，將電磁鐵22與外部電源斷開，柱體21上吸附的磁選物質脫落從第二開口42進入雜質室13并從第二出料口131出料。本發(fā)明結構簡單，使用方便，能夠有效的清除二氧化硅內所含的磁性物質，提高二氧化硅的純度，工作效率高。

以上所述，僅為本發(fā)明較佳的具體實施方式，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本發(fā)明揭露的技術范圍內，根據(jù)本發(fā)明的技術方案及其發(fā)明構思加以等同替換或改變，都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內。

技術特征：

技術總結
本發(fā)明提出了一種二氧化硅生產用提純裝置，包括箱體、箱蓋、導氣裝置，箱體內設有橫隔板，橫隔板將箱體內部分隔成第一腔室、第二腔室，橫隔板上設有第一開口、第二開口；第一腔室靠近橫隔板一端設有斜板，斜板與第一腔室側壁之間圍成一通道，斜板上設有通孔，第一腔室側壁上設有進氣口，進氣口與通道相通；第二腔室內設有豎隔板，豎隔板將第二腔室分隔成產品室和雜質室，第一開口與產品室相通，第二開口與雜質室相通；箱蓋與第一腔室遠離橫隔板一端活動連接，箱蓋靠近第一腔室一側分布有多根柱體，柱體內均設有電磁鐵，導氣裝置與進氣口接通。本發(fā)明能夠有效的清除二氧化硅內所含的磁性物質，提高二氧化硅的純度。

技術研發(fā)人員：程志
受保護的技術使用者：安徽正豐再生資源有限公司
技術研發(fā)日：2017.07.25
技術公布日：2017.10.27