本實(shí)用新型涉及一種大顆粒鉆石合成用輔助部件，具體地說是一種大顆粒鉆石合成用定位生長裝置。

背景技術(shù)：

大顆粒鉆石是以高純度石墨為原料，利用高溫高壓作用下形成。目前國內(nèi)合成大顆粒鉆石的工藝是：將高純度石墨和觸媒按比例混合后壓制成棒柱狀，裝入石墨加熱管內(nèi)，兩端再放上加熱片，最后再裝入葉臘石合成腔內(nèi)，兩端再裝上導(dǎo)電鋼圈，在六面頂壓機(jī)上經(jīng)高溫高壓實(shí)現(xiàn)生長條件。這一組裝技術(shù)中，由于植入高純度石墨的晶種是顆粒狀單晶，所以通常使用的組裝塊裝置中合成芯柱中的晶種極易偏析與游離，導(dǎo)致晶種位置的錯(cuò)位，形成晶種的連聚，這種結(jié)構(gòu)的合成組裝裝置已使用多年，但是它的不足是晶種連聚后，隨著沉積于晶種上的碳原子逐漸增加，合成的大顆粒鉆石進(jìn)而形成了連聚，完整規(guī)則的大顆粒高品級(jí)鉆石難以生長，合成的大顆粒鉆石質(zhì)量也較差，嚴(yán)重影響產(chǎn)品的質(zhì)量和產(chǎn)量。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本實(shí)用新型的目的在于提供一種大顆粒鉆石合成用定位生長裝置，用于解決以上的不足。

為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本實(shí)用新型提供一種大顆粒鉆石合成用定位生長裝置，所述大顆粒鉆石合成用定位生長裝置至少包括：

定位篩和插管盤，所述定位篩的本體為盤狀結(jié)構(gòu)，包括水平的底部和設(shè)置在底部上的凸緣，所述底部上設(shè)置若干插孔，所述插管盤包括底盤和導(dǎo)入管，所述底盤為平板狀結(jié)構(gòu)，所述底盤上設(shè)置若干孔，所述導(dǎo)入管為兩端開口的管狀結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)入管垂直的設(shè)置在底盤的孔上且導(dǎo)入管的空心部與孔吻合，所述插管盤上的導(dǎo)入管能夠同時(shí)插入定位篩上的插孔。

所述定位篩的底部和所述插管盤的底盤都是圓形，且兩者直徑大小相等。

所述定位篩上的插孔是均勻分布，所述導(dǎo)入管也均勻分布在底盤上。

所述插孔是圓形，所述導(dǎo)入管的橫截面也是圓形。

所述插孔的直徑為1.2～1.4毫米。

所述導(dǎo)入管的外徑為1.0～1.2毫米，長度為3～5厘米，管壁的厚度為0.2-0.3毫米。

所述插孔的數(shù)量為100-200，所述導(dǎo)入管的數(shù)量為100-200。

所述插孔的數(shù)量與所述導(dǎo)入管的數(shù)量相等。

所述大顆粒鉆石合成用定位生長裝置采用鎳鈷合金制成。

如上所述，本實(shí)用新型具有以下有益效果：

由于物料間有定位生長裝置的均勻間隔，

1.在高溫高壓合成大顆粒鉆石的過程中，晶種保持定位生長，阻止了晶種的偏析與游離，減少了晶種間的連晶聚晶的生長；

2.晶種周圍的碳源分布均勻，使得晶種的生長條件更優(yōu)，有利于完整晶型的生長，能夠獲得粒徑更大的完整大顆粒鉆石以及提高了完整晶型的比例；

3.溫度場及壓力場均勻，相當(dāng)于擴(kuò)大了有效合成腔體，單產(chǎn)率高，并且均勻穩(wěn)定的溫度及壓力有利于大顆粒鉆石的高品質(zhì)生長，純凈度更高。

附圖說明

圖1顯示為本實(shí)用新型整體結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2顯示為本實(shí)用新型插管盤的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3顯示為圖2中的局部A的放大圖。

圖4顯示為本實(shí)用新型使用狀態(tài)參考圖。

元件標(biāo)號(hào)說明

1 插管盤

11 底盤

12 導(dǎo)入管

2 定位篩

21 底部

2101 插孔

22 凸緣

3 加熱裝置

具體實(shí)施方式

以下由特定的具體實(shí)施例說明本實(shí)用新型的實(shí)施方式，熟悉此技術(shù)的人士可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本實(shí)用新型的其他優(yōu)點(diǎn)及功效。

請參閱圖1至圖4。須知，本說明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內(nèi)容，以供熟悉此技術(shù)的人士了解與閱讀，并非用以限定本實(shí)用新型可實(shí)施的限定條件，故不具技術(shù)上的實(shí)質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本實(shí)用新型所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本實(shí)用新型所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時(shí)，本說明書中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中間”及“一”等的用語，亦僅為便于敘述的明了，而非用以限定本實(shí)用新型可實(shí)施的范圍，其相對關(guān)系的改變或調(diào)整，在無實(shí)質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)亦視為本實(shí)用新型可實(shí)施的范疇。

如圖1～4所示，本實(shí)用新型提供一種大顆粒鉆石合成用定位生長裝置，所述大顆粒鉆石合成用定位生長裝置至少包括：定位篩和插管盤。

所述定位篩2的本體為盤狀結(jié)構(gòu)，包括水平的圓形的底部21和設(shè)置在底部上的凸緣22，在本實(shí)施例中凸緣環(huán)繞底部的周圍。所述凸緣22與所述底部21垂直，形成底部的支撐部。底部和凸緣的厚度為1.0毫米，一般的可以設(shè)置為1.0～1.2毫米。所述底部21的直徑為40毫米，所述底部21上設(shè)置150個(gè)圓形的插孔2101(在圖1中為結(jié)構(gòu)示意圖，為了便于觀察，減少了插孔和導(dǎo)入管的數(shù)目)，其數(shù)量不受限制，可根據(jù)需要設(shè)定，可以是100～200個(gè)。所述插孔2101均勻的分布在定位篩上。每個(gè)所述插孔的直徑為1.3毫米，一般的可以設(shè)置為1.2～1.4毫米。

如圖1～3，所述插管盤1包括圓形的底盤11和導(dǎo)入管12，底盤的直徑和定位篩的直徑相同。所述底盤11為平板狀結(jié)構(gòu)，厚度為1.0毫米，一般的可以設(shè)置為1.0～1.2毫米。底盤上設(shè)置150個(gè)孔，所述底盤上設(shè)置150個(gè)導(dǎo)入管12，所述導(dǎo)入管為兩端開口的管狀結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)入管的一端連接底盤。所述導(dǎo)入管垂直的設(shè)置在底盤的孔上，即所述導(dǎo)入管12的軸心線與底盤所在的平面垂直，且導(dǎo)入管的空心部與孔吻合，因此保證了每個(gè)導(dǎo)入管都是通暢的。所述150個(gè)導(dǎo)入管12分布的方式與定位篩上插孔2101分布的方式相同，因此每個(gè)導(dǎo)入管都可以一一對應(yīng)的插入插孔。

一般的，所述定位篩和所述插管盤匹配使得插管盤上的導(dǎo)入管能夠同時(shí)插入定位篩上的插孔。優(yōu)選方案是插孔和導(dǎo)入管的個(gè)數(shù)相同且分布一致。

所述導(dǎo)入管的橫截面也是圓形，在本實(shí)施例中其外徑為1.1毫米，長度為4厘米，管壁的厚度是0.25毫米。一般的其外徑可以為1.0～1.2毫米，長度為3～5厘米，管壁的厚度為0.2-0.3毫米。底盤的厚度為1.0毫米。導(dǎo)入管的直徑大小滿足物料均勻分布。

在本實(shí)施例中，所述大顆粒鉆石合成用定位生長裝置是采用鎳鈷合金。

如圖4所示，本實(shí)用新型使用狀態(tài)參考圖，顯示為加入裝置的剖面圖。加熱裝置3中心的圓柱形的腔體為加熱倉。使用時(shí)，將導(dǎo)入管一一對應(yīng)插于定位篩的插孔內(nèi)，然后將整個(gè)裝置依次放入加熱倉，將原料(晶種)通過導(dǎo)入管導(dǎo)入，因此達(dá)到物料的均勻分布。同時(shí)定位篩將插管盤同心定位于加熱倉內(nèi)，從而避免了大顆粒鉆石在合成中由于晶種的偏析和游離對生長胎體的連聚干擾，從而提高產(chǎn)品質(zhì)量和產(chǎn)量。綜上所述，本實(shí)用新型有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點(diǎn)而具高度產(chǎn)業(yè)利用價(jià)值。

上述實(shí)施例僅例示性說明本實(shí)用新型的原理及其功效，而非用于限制本實(shí)用新型。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本實(shí)用新型的精神及范疇下，對上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者在未脫離本實(shí)用新型所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本實(shí)用新型的權(quán)利要求所涵蓋。