本發(fā)明涉及微流體芯片領(lǐng)域，具體涉及一種適合于批量化生產(chǎn)的多層微流體芯片制作方法。

背景技術(shù)：

隨著微流體技術(shù)的發(fā)展，涌現(xiàn)出了各式各樣的微流體芯片，可用于生物醫(yī)學(xué)檢測(cè)、化學(xué)實(shí)驗(yàn)、細(xì)胞培養(yǎng)、生物微粒分選、納米線制作、燃料電池、微能源、微光學(xué)器件、基于流體的傳感器與執(zhí)行器、微流體物理現(xiàn)象研究等諸多領(lǐng)域。但目前此類微流體芯片多采用實(shí)驗(yàn)室手段加工，具有成本高、重復(fù)性差等缺點(diǎn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在至少解決上述技術(shù)問題之一。

為此，本發(fā)明的一個(gè)目的在于提出一種適合于批量化生產(chǎn)的多層微流體芯片制作方法。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例公開了一種適合于批量化生產(chǎn)的多層微流體芯片制作方法，包括以下步驟：提供內(nèi)部結(jié)構(gòu)層，其中，所述內(nèi)部結(jié)構(gòu)層包括多層金屬板，所述多層金屬板上通過刻蝕處理形成微流道結(jié)構(gòu)，所述多層金屬板通過熱壓鍵合或超聲鍵合組裝為一個(gè)整體；提供上部透明蓋板和下部透明蓋板，其中，所述上部透明蓋板上設(shè)置有流入口和流出口；將所述上部透明蓋板、所述內(nèi)部結(jié)構(gòu)層和所述下部透明蓋板膠合封合。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的適合于批量化生產(chǎn)的多層微流體芯片制作方法，微流體芯片由多層構(gòu)成，每層上加工有流道、接口等微結(jié)構(gòu)，通過熱壓、膠合等手段將各層結(jié)構(gòu)組裝為一體。同時(shí)，微流體芯片上具有完全通透的區(qū)域，能夠滿足光學(xué)觀察、光學(xué)檢測(cè)等需求。本方法適合批量生產(chǎn)且成本低。

另外，根據(jù)本發(fā)明上述實(shí)施例的適合于批量化生產(chǎn)的多層微流體芯片制作方法，還可以具有如下附加的技術(shù)特征：

進(jìn)一步地，所述多層金屬板上通過刻蝕處理形成微流道結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括：對(duì)所述多層金屬板上需要進(jìn)行刻蝕處理的部位周圍形成防蝕層；對(duì)需要進(jìn)行刻蝕處理的部位進(jìn)行刻蝕；刻蝕完成后清除所述防蝕層。

進(jìn)一步地，所述防蝕層通過絲網(wǎng)印刷、圖形電鍍、激光刻蝕和光刻圖形化的方式形成。

進(jìn)一步地，所述上部透明蓋板和所述下部透明蓋板的材料為玻璃、石英、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯中的一種或多種。

進(jìn)一步地，所述提供內(nèi)部結(jié)構(gòu)層的步驟中還包括：在所述多層金屬層中的預(yù)設(shè)金屬層的上下兩側(cè)的金屬層的指定位置分別形成上開口和下開口；提供與所述上開口和所述下開口形狀相匹配的第一透明材料層和第二透明材料層；將所述第一透明材料層和所述第二透明材料層分別嵌入所述上開口和所述下開口中。

進(jìn)一步地，所述第一透明材料層和所述第二透明材料層的材料為玻璃、石英、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯中的一種或多種。

進(jìn)一步地，當(dāng)所述上部透明蓋板和所述第一透明材料層的材料相同，和/或所述下部透明蓋板和所述第二透明材料層的材料相同時(shí)，還包括：

將所述第一透明材料層通過熱壓鍵合固化到所述上部透明蓋板上，和/或?qū)⑺龅诙该鞑牧蠈油ㄟ^熱壓鍵合固化到所述下部透明蓋板上，以在所述上部透明蓋板、所述內(nèi)部結(jié)構(gòu)層和所述下部透明蓋板膠合封合時(shí)，將所述第一透明材料層嵌入所述上開口中，和/或?qū)⑺龅诙该鞑牧蠈忧度胨鱿麻_口中。

進(jìn)一步地，所述將所述上部透明蓋板、所述內(nèi)部結(jié)構(gòu)層和所述下部透明蓋板膠合封合進(jìn)一步包括：通過勻膠機(jī)在所述上部透明蓋板和下部透明蓋板上分別旋涂紫外光固化膠，從而在所述上部透明蓋板和下部透明蓋板上分別形成均勻膠層；在所述均勻膠層進(jìn)行預(yù)固化處理；將所述上部透明蓋板、所述內(nèi)部結(jié)構(gòu)層和所述下部透明蓋板對(duì)準(zhǔn)并壓緊；通過紫外光照射完成所述上部透明蓋板、所述內(nèi)部結(jié)構(gòu)層和所述下部透明蓋板之間的封合。

進(jìn)一步地，還包括：在一塊預(yù)設(shè)金屬板上圖形化多個(gè)微流道結(jié)構(gòu)；通過一次刻蝕在所述預(yù)設(shè)金屬板上形成多組所述內(nèi)部結(jié)構(gòu)層；在第一透明基底加工出多組所述上部透明蓋板；在第二透明基底上加工出多組所述下部透明蓋板；將所述第一透明基底、所述預(yù)設(shè)金屬板和所述第二透明基底進(jìn)行膠合后統(tǒng)一切割得到多個(gè)所述多層微流體芯片。

本發(fā)明的附加方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發(fā)明的實(shí)踐了解到。

附圖說明

本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從結(jié)合下面附圖對(duì)實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中：

圖1是本發(fā)明第一實(shí)施例中微流體芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明第一實(shí)施例中微流體芯片的加工流程示意圖；

圖3是本發(fā)明第一實(shí)施例中微流體芯片的功能展現(xiàn)示意圖；

圖4是本發(fā)明第二實(shí)施例中的微流體芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本發(fā)明第二實(shí)施例中的透明薄片嵌入至窗口的示意圖；

圖6是本發(fā)明第二實(shí)施例中的微流體芯片的功能展現(xiàn)示意圖；

圖7是本發(fā)明第三實(shí)施例中的微流體芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8是本發(fā)明實(shí)施例的適合于批量化生產(chǎn)的多層微流體芯片制作方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。

在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語“中心”、“縱向”、“橫向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。此外，術(shù)語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性。

在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。

參照下面的描述和附圖，將清楚本發(fā)明的實(shí)施例的這些和其他方面。在這些描述和附圖中，具體公開了本發(fā)明的實(shí)施例中的一些特定實(shí)施方式，來表示實(shí)施本發(fā)明的實(shí)施例的原理的一些方式，但是應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明的實(shí)施例的范圍不受此限制。相反，本發(fā)明的實(shí)施例包括落入所附加權(quán)利要求書的精神和內(nèi)涵范圍內(nèi)的所有變化、修改和等同物。

以下結(jié)合附圖描述根據(jù)本發(fā)明。

圖8是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的適合于批量化生產(chǎn)的多層微流體芯片制作方法的流程圖。

如圖8所示，本發(fā)明實(shí)施例的適合于批量化生產(chǎn)的多層微流體芯片制作方法，包括以下步驟：

S1：提供內(nèi)部結(jié)構(gòu)層。其中，內(nèi)部結(jié)構(gòu)層包括多層金屬板，多層金屬板上通過刻蝕處理形成微流道結(jié)構(gòu)，多層金屬板通過熱壓鍵合或超聲鍵合組裝為一個(gè)整體。其中，金屬板的材料為醫(yī)用級(jí)304或316不銹鋼、鈦合金等，具有良好的抗蝕性能。金屬板的厚度在0.01～2mm之間，刻蝕最小線寬可達(dá)50μm，刻蝕精度可達(dá)±5μm，側(cè)壁垂直度近似90°。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，上述多層金屬板上通過刻蝕處理形成微流道結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括：首先對(duì)多層金屬板上需要進(jìn)行刻蝕處理的部位周圍形成防蝕層，其次對(duì)需要進(jìn)行刻蝕處理的部位進(jìn)行刻蝕，最后刻蝕完成后清除防蝕層。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，防蝕層通過絲網(wǎng)印刷、圖形電鍍、激光刻蝕和光刻圖形化的方式形成。

具體地，對(duì)刻蝕金屬板的過程包括清潔處理、防蝕處理、刻蝕和去除防蝕層。其中，清潔處理通過使用有機(jī)溶劑、酸堿化學(xué)溶劑、超聲清洗、電解清潔等手段處理金屬板的表面，使其表面無污物，為后續(xù)加工提供特性均一的基底材料。防蝕處理通過絲網(wǎng)印刷、圖形電鍍、激光刻蝕、照相化學(xué)等防刻蝕技術(shù)在金屬板的表面圖形化出防刻蝕材料，將需要刻蝕的部位露出、不需要刻蝕的部位覆蓋上防刻蝕材料?？涛g包括干法刻蝕和濕法刻蝕，采用濕法刻蝕時(shí)，將圖形化后的金屬板放入刻蝕溶液中，通過控制刻蝕劑濃度、溫度和時(shí)間實(shí)現(xiàn)最佳的刻蝕效果，在金屬板上刻蝕出通透的微流道結(jié)構(gòu)。去除防蝕層的過程為通過溶解劑清除金屬板表面的防蝕層。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，提供內(nèi)部結(jié)構(gòu)層的步驟中還包括：

在多層金屬層中的預(yù)設(shè)金屬層的上下兩側(cè)的金屬層的指定位置分別形成上開口和下開口；提供與上開口和下開口形狀相匹配的第一透明材料層和第二透明材料層；將第一透明材料層和第二透明材料層分別嵌入上開口和下開口中。

具體地，微流體芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)由多層構(gòu)成時(shí)，其需要進(jìn)行光學(xué)檢測(cè)的微流道多位于中間的一層。因而若對(duì)中間層微流道進(jìn)行光學(xué)檢測(cè)，必然需要將該部位上下的不透明的金屬層替換為透明材料。可加工適當(dāng)大小的第一透明材料層和第二透明材料層嵌入到相應(yīng)的金屬層中，并用紫外光固化(Ultraviolet Rays，UV)膠將其與金屬層封合。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，第一透明材料層和第二透明材料層的材料為玻璃、石英、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯中的一種或多種。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)上部透明蓋板和第一透明材料層的材料相同，和/或下部透明蓋板和第二透明材料層的材料相同時(shí)，還包括：

將第一透明材料層通過熱壓鍵合固化到上部透明蓋板上，和/或?qū)⒌诙该鞑牧蠈油ㄟ^熱壓鍵合固化到下部透明蓋板上，以在上部透明蓋板、內(nèi)部結(jié)構(gòu)層和下部透明蓋板膠合封合時(shí)，將第一透明材料層嵌入上開口中，和/或?qū)⒌诙该鞑牧蠈忧度胂麻_口中。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，上述將上部透明蓋板、內(nèi)部結(jié)構(gòu)層和下部透明蓋板膠合封合進(jìn)一步包括：

首先通過勻膠機(jī)在上部透明蓋板和下部透明蓋板上分別旋涂紫外光固化膠，從而在上部透明蓋板和下部透明蓋板上分別形成均勻膠層，其次在均勻膠層進(jìn)行預(yù)固化處理，再次將上部透明蓋板、內(nèi)部結(jié)構(gòu)層和下部透明蓋板對(duì)準(zhǔn)并壓緊，最后通過紫外光照射完成上部透明蓋板、內(nèi)部結(jié)構(gòu)層和下部透明蓋板之間的封合。

具體地，在上部透明蓋板和下部透明蓋板上旋涂UV膠，通過控制勻膠機(jī)的轉(zhuǎn)速(數(shù)百至數(shù)千轉(zhuǎn)每分鐘)，在部透明蓋板和下部透明蓋板上形成數(shù)百納米至數(shù)微米厚的均勻膠層。對(duì)膠層進(jìn)行預(yù)固化，而后將外部透明蓋板和內(nèi)部結(jié)構(gòu)對(duì)準(zhǔn)并壓緊，再用紫外光照射完成內(nèi)外結(jié)構(gòu)的封合。壓緊時(shí)可采用一塊厚的石英玻璃，若壓力不夠還可通過壓力機(jī)在石英玻璃上外加壓力。采用一塊厚的石英玻璃主要是考慮到其對(duì)紫外光良好的透過性，并能夠提供均勻的壓力分布。

S2：提供上部透明蓋板和下部透明蓋板，其中，上部透明蓋板上設(shè)置有流入口和流出口。

具體地，上部透明蓋板和下部透明蓋板為內(nèi)部結(jié)構(gòu)層提供接口、保護(hù)和光學(xué)檢測(cè)的功能。通過機(jī)加工或激光切割的手段在上部透明蓋板和下部透明蓋板上加工出通孔，以與內(nèi)部結(jié)構(gòu)層中的微流道相連，從而作為微流體芯片的流入或流出接口。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，上部透明蓋板和下部透明蓋板的材料為玻璃、石英、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯中的一種或多種。

S3：將上部透明蓋板、內(nèi)部結(jié)構(gòu)層和下部透明蓋板膠合封合。

需要說明的是：本發(fā)明實(shí)施例的步驟S1和步驟S2之間不限定先后關(guān)系，僅需保證步驟S1和步驟S2均在步驟S3之前即可。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明實(shí)施例額適合于批量化生產(chǎn)的多層微流體芯片制作方法還包括：

在一塊預(yù)設(shè)金屬板上圖形化多個(gè)微流道結(jié)構(gòu)；

通過一次刻蝕在所述預(yù)設(shè)金屬板上形成多組內(nèi)部結(jié)構(gòu)層；

在第一透明基底加工出多組上部透明蓋板；

在第二透明基底上加工出多組下部透明蓋板；

將第一透明基底、預(yù)設(shè)金屬板和第二透明基底進(jìn)行膠合后統(tǒng)一切割得到多個(gè)多層微流體芯片。

為使本領(lǐng)域技術(shù)人員進(jìn)一步理解本發(fā)明，將通過以下實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明。

第一實(shí)施例

圖1是本發(fā)明第一實(shí)施例中微流體芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，本實(shí)施例以一種具有一維聚焦功能的微流體芯片1為例，該微流體芯片的內(nèi)部為單層微流道結(jié)構(gòu)12，上下各有一層透明蓋板11和13，敘述如何加工該芯片。

圖2是本發(fā)明第一實(shí)施例中微流體芯片的加工流程示意圖。如圖2所示，首先，依據(jù)微流體芯片的大小裁剪出合適的板材，本實(shí)施例取4cm×6cm的150μm厚的醫(yī)用級(jí)316不銹鋼薄片21。對(duì)不銹鋼薄片清洗，使其具有一個(gè)清潔的表面，能夠與防蝕層221結(jié)合牢固。將待加工的微流道結(jié)構(gòu)圖形轉(zhuǎn)移到掩膜版上231，采用光繪菲林片作為掩膜版時(shí)，其加工精度可達(dá)±5μm；若需要提高加工精度，可采用鉻版作為掩膜版，其加工精度可達(dá)微米至亞微米級(jí)。涂膠22，在不銹鋼片的正反面涂覆光刻膠作為抗蝕層221，一般采用感光抗蝕干膜。對(duì)準(zhǔn)掩膜版23，將兩片掩膜版對(duì)齊并貼附在抗蝕層的外表面，經(jīng)過曝光24和顯影25后將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到抗蝕層上。濕法刻蝕金屬薄板26，采用HNO₃和H₂SO₄的混酸作為腐蝕劑，控制溫度60～70℃，刻蝕5～15分鐘，直至在不銹鋼薄片上刻蝕出通透的微流道結(jié)構(gòu)121。最后，清除金屬薄板表面的防蝕層27。至此，完成內(nèi)部微流道結(jié)構(gòu)121的加工，得到微流道結(jié)構(gòu)層12。

圖3是本發(fā)明第一實(shí)施例中微流體芯片的功能展現(xiàn)示意圖。如圖3所示，外部透明蓋板11和13可采用玻璃、石英、PC、PMMA等透明材質(zhì)。加工兩個(gè)1mm厚的透明蓋板11和13。第一塊蓋板11上通過機(jī)加工或激光切割的手段在透明蓋板上加工出過孔1111～1114，與內(nèi)部結(jié)構(gòu)中的微流道相連，以作為微流體芯片的流入或流出接口。兩塊蓋板和中間金屬層上還有一些用于安裝用的通孔112、122和131。利用勻膠機(jī)在兩塊透明蓋板上各旋涂一層數(shù)微米厚的UV膠281與282，勻膠機(jī)轉(zhuǎn)速4000～5000rpm。將膠層在紫外燈下照射10～15s，降低膠層的流動(dòng)性。然后將兩塊蓋板和微流道結(jié)構(gòu)對(duì)齊并壓緊，上下可各用一塊2cm厚的石英玻璃板壓住微流體芯片，如果壓力不夠可通過壓力機(jī)外加壓力。之后，將微流體芯片放在紫外燈下照射10～15min，使中間的微流道結(jié)構(gòu)12和外部的兩塊蓋板形11與13成為一個(gè)整體1。

將微流體芯片1的輸入接口1112與泵32相連，注入樣本流34；接口1111和1113與泵32相連，注入鞘液流33；接口1114與廢液瓶36相連。注入液體，觀察直流道37的截面35，則樣本流34被鞘液流33聚焦在流道的水平中心位置，實(shí)現(xiàn)一維聚焦功能。

第二實(shí)施例

圖4是本發(fā)明第二實(shí)施例中的微流體芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖4所示，本實(shí)施例以一種具有二維聚焦功能的微流體芯片4為例，該微流體芯片的內(nèi)部為三層微流道結(jié)構(gòu)42、43和44，上下各有一層透明蓋板41和45，內(nèi)部還嵌有兩塊用于觀察最內(nèi)層流道43的透明薄片46和47，敘述如何加工該芯片。

采用金屬刻蝕的方法加工出三層微流道結(jié)構(gòu)42、43和44，每層為4cm×6cm的150μm厚的醫(yī)用級(jí)316不銹鋼薄片。內(nèi)部的三層微流道結(jié)構(gòu)通過真空熱壓焊結(jié)的方法組合為一個(gè)整體48。加工兩個(gè)1mm厚的透明蓋板41和45。

對(duì)于該微流體芯片，位于中間層的直微流道431為需要光學(xué)檢測(cè)的區(qū)域。因而該區(qū)域上下層的金屬薄層進(jìn)行了開上窗421和下窗441。加工兩個(gè)與窗口相等大小、與金屬薄層等厚度的透明薄片46和47，將透明薄片嵌入至窗口之中。有兩種嵌入的方式。圖5是本發(fā)明第二實(shí)施例中的透明薄片嵌入至窗口的示意圖。如圖5(A)所示，將透明薄片旋涂一層數(shù)微米厚的UV膠，而后嵌入至窗口中并采用紫外光使其與金屬層封合，防止漏液。如圖5(B)所示，當(dāng)透明薄片和外部透明蓋板的材質(zhì)相同時(shí)，可將透明薄片46和47直接熱壓鍵合在透明蓋板41和46上(例如，選用Borofloat33玻璃，將透明薄片和透明蓋板定位后，抽真空至1e-2bars持續(xù)2.5分鐘，使兩者在范德華力的作用下吸附在一起，之后600℃高溫下加熱6小時(shí))，形成新的透明蓋板521和522，而后待新的透明蓋板與微流道結(jié)構(gòu)封合時(shí)直接嵌入到窗口之中。最后，通過UV膠合的手段將透明蓋板和微流道結(jié)構(gòu)封合為整體，加工出完整的微流體芯片4。

圖6是本發(fā)明第二實(shí)施例中的微流體芯片的功能展現(xiàn)示意圖。如圖6所示，將微流體芯片4的輸入接口62與泵64相連，注入樣本流66；接口61和63與泵65相連，注入鞘液流67；接口68與廢液瓶69相連。注入液體，觀察直流道431的截面60，則樣本流66被鞘液流67聚焦在流道的中心位置，實(shí)現(xiàn)二維聚焦功能。

第三實(shí)施例

圖7是本發(fā)明第三實(shí)施例中的微流體芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖7所示，本實(shí)施例以批量化加工具有二維聚焦功能的微流體芯片為例，可單次加工100個(gè)，敘述如何加工該芯片。

本實(shí)施例取40cm×60cm的150μm厚的醫(yī)用級(jí)316不銹鋼薄片。在40cm×60cm的光繪菲林片上圖形化100個(gè)相同的微流道圖形。通過金屬刻蝕的方法，在3片不銹鋼薄片上加工出微流道結(jié)構(gòu)的三層結(jié)構(gòu)72、73和74，每層上各有100個(gè)重復(fù)圖形。之后將三層不銹鋼薄片熱壓為一個(gè)整體77，并在最外兩層的窗口中各嵌入100片透明薄片76。相應(yīng)地，在2個(gè)40cm×60cm的透明板71和75上各加工出100個(gè)重復(fù)的蓋板結(jié)構(gòu)。通過UV膠合的手段，將透明板封接在三層不銹鋼結(jié)構(gòu)的外層，形成一個(gè)五層板結(jié)構(gòu)78。之后通過激光切割或機(jī)械切割的手段，從五層板結(jié)構(gòu)中切割出100個(gè)功能相同的微流體芯片79。實(shí)際操作中，還可以進(jìn)一步擴(kuò)大陣列數(shù)目，如一次加工500個(gè)微流體芯片。

另外，本發(fā)明實(shí)施例的適合于批量化生產(chǎn)的多層微流體芯片制作方法的其它構(gòu)成以及作用對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言都是已知的，為了減少冗余，不做贅述。

在本說明書的描述中，參考術(shù)語“一個(gè)實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例或示例中。在本說明書中，對(duì)上述術(shù)語的示意性表述不一定指的是相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任何的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。

盡管已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解：在不脫離本發(fā)明的原理和宗旨的情況下可以對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型，本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求及其等同限定。