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一種帶高壓靜電的復合霧化濕法脫硫裝置的制作方法

文檔序號:5055548閱讀:243來源:國知局
專利名稱:一種帶高壓靜電的復合霧化濕法脫硫裝置的制作方法
技術(shù)領域
本發(fā)明涉及煙氣脫硫裝置,尤其是指一種帶高壓靜電的復合霧化濕法脫硫裝置。
背景技術(shù)
二氧化硫是目前大氣污染物中數(shù)量較大、影響范圍廣的一種氣態(tài)污染物。隨著人 類社會的飛速發(fā)展,對能源的需求有增無減,環(huán)境污染問題日趨劇烈?;鹆Πl(fā)電因燃煤產(chǎn)生 大量的二氧化硫,因此電廠必須安裝脫硫裝置。目前火力發(fā)電廠大多采用濕法脫硫技術(shù)。石 灰石漿液經(jīng)霧化噴嘴噴出與煙氣反應,從而達到脫硫的目的。霧化性能是影響脫硫效率的關鍵因素之一。霧化是將液體或液_固懸浮體分散成 細小滴粒,增大相互接觸面積,是一種加快化學反應速度,提高脫硫效率的重要手段。液滴 霧化性能好壞對脫硫效率、投資成本和操作維修成本有重要的影響。目前濕法脫硫霧化方式一般有機械霧化、介質(zhì)霧化等方式。其使用霧化噴嘴結(jié)構(gòu) 相對比較簡單,霧化效果不佳。其中機械霧化主要是靠漿液在壓力差作用下產(chǎn)生的高速射 流使?jié){液得到霧化,對壓力的要求比較高,而且噴孔直徑不能太大,流量調(diào)節(jié)范圍比較??; 介質(zhì)霧化是依靠一定壓力的氣體(壓縮空氣或蒸汽)形成高速氣流,使氣體與漿液之間形 成很高的相對速度以達到霧化的目的,動力消耗大(主要是霧化用的壓縮空氣費用高),增 大了煙氣量,廠用電消耗增多,而且要求高速漿液摩擦的表面耐磨性高,對于大容量機組, 噴嘴數(shù)量要求多,其耗能更大,維護檢修復雜且工作量大。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服現(xiàn)有技術(shù)存在的缺點和不足,本發(fā)明的目的在于提供一種霧化效果好、 能耗低的帶高壓靜電的復合霧化濕法脫硫裝置。本發(fā)明的目的通過下述技術(shù)方案實現(xiàn)一種帶高壓靜電的復合霧化濕法脫硫裝 置,包括吸收塔殼體、噴淋層、高壓靜電發(fā)生器、電極組件,所述電極組件設置于吸收塔殼體 的內(nèi)周壁、噴淋層的下端位置,所述電極組件通過導線與高壓靜電發(fā)生器連接。所述電極組件包括依次貼合的絕緣層、充電電極、高分子板,所述充電電極被密封 在絕緣層與高分子板之間,具體方案為,在吸收塔殼體的內(nèi)周壁設置凹槽,絕緣層置于該凹 槽內(nèi),高分子板置于凹槽外并與吸收塔殼體的內(nèi)周壁密封貼合。所述充電電極為正、負兩個電極,沿吸收塔殼體的內(nèi)周壁對稱布置。每個電極沿吸收塔殼體周向的長度為吸收塔殼體圓周的四分之一、高度為2m 3m ο所述充電電極頂部與噴淋層下部之間的距離為0. 5m。所述充電電極的充電電壓約為30kV(可通過自動調(diào)壓裝置調(diào)節(jié),以霧珠荷電但不 放電為宜),充電電流約為50 μ A。相對于現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明具有以下優(yōu)點與有益效果本發(fā)明在現(xiàn)有技術(shù)的基礎上,增加了高壓靜電發(fā)生器和電極組件,電極組件的充電電極由正、負兩個構(gòu)成,正、負兩個電極通過高壓靜電發(fā)生器產(chǎn)生高壓靜電,經(jīng)過霧化的 石灰石漿液,再經(jīng)過正、負兩個電極之間形成的高壓靜電場,使霧化后的石灰石漿液經(jīng)高壓 靜電再霧化,從而霧化效果得以加強,增大了石灰石漿液與煙氣中SO2的接觸面積,更大限 度的捕獲煙氣中S02,加快反應速度,有效提高了脫硫效率;同時由于霧化效率的提高,漿液 的循環(huán)次數(shù)減少,噴嘴的安裝數(shù)量也得以減少。具體說,經(jīng)過機械噴嘴霧化后石灰石漿液再 受到高壓靜電場的作用,使霧化后的石灰石漿液滴表面產(chǎn)生高電荷,液滴因受表面張力、靜 電力及重力聯(lián)合作用而使表面極不穩(wěn)定,分裂成小液滴,從而進一步霧化。噴嘴霧化與靜電 霧化形成復合霧化,達到更好的霧化效果,有效降低投資成本、操作維護成本和能源消耗; 本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單,安裝方便。


圖1是本發(fā)明帶高壓靜電的復合霧化濕法脫硫裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是圖1中A-A截面剖視圖結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式下面結(jié)合實施例及附圖對本發(fā)明作進一步詳細的描述,但本發(fā)明的實施方式不限 于此。實施例如圖1所示,本發(fā)明帶高壓靜電的復合霧化濕法脫硫裝置,包括煙氣進口 1、煙氣 出口 2、吸收塔殼體3、漿池4、循環(huán)泵5、噴淋層6、電極組件、高壓靜電發(fā)生器8。該電極組件 設置于吸收塔殼體3的內(nèi)周壁、噴淋層6的下端位置;如圖2所示,電極組件包括依次貼合 的絕緣層9、充電電極11、高分子板10,所述充電電極11被密封在絕緣層9與高分子板10 之間,具體可以這樣實現(xiàn),在吸收塔殼體1的內(nèi)周壁開設凹槽,絕緣層9置于該凹槽內(nèi),高分 子板10置于凹槽外并與吸收塔殼體1的內(nèi)周壁密封貼合。該充電電極11為正、負兩個電 極,沿吸收塔殼體1的內(nèi)周壁對稱設置。充電電極11通過導線與高壓靜電發(fā)生器8連接, 每個電極的長度為吸收塔殼體圓周的四分之一、高度為2m 3m ;充電電極11與噴淋層6之 間的距離約為0. 5m,充電電極11的充電電壓由電壓自動調(diào)節(jié)裝置調(diào)整為30kV左右(保證 不放電為限,具體限度可根據(jù)實際使用情況進行予以變化),充電電流為50 μ A。如上所述,充電電極11的正、負兩個電極通過高壓靜電發(fā)生器8產(chǎn)生高壓靜電, 經(jīng)過霧化的石灰石漿液,在經(jīng)過正、負兩個電極之間形成的高壓靜電場,使霧化后的石灰石 漿液再霧化,以提高霧化效果,增大石灰石漿液與煙氣中SO2的接觸面積,更大限度的捕獲 so2,加快反應速度,提高脫硫效率;同時由于霧化效率的提高,漿液的循環(huán)次數(shù)減少,噴嘴 的安裝數(shù)量得到減少。具體說,經(jīng)過機械噴嘴霧化后石灰石漿液再受到高壓靜電場的作用, 使霧化后的石灰石漿液滴表面產(chǎn)生高電荷,液滴因受表面張力、靜電力及重力聯(lián)合作用而 使表面極不穩(wěn)定,分裂成小液滴,從而進一步霧化。噴嘴霧化與靜電霧化形成復合霧化,達 到更好的霧化效果,有效降低投資成本、操作維護成本和能源消耗。如上所述便可較好的實現(xiàn)本發(fā)明。上述實施例為本發(fā)明較佳的實施方式,但本發(fā)明的實施方式并不受上述實施例的 限制,其他的任何未背離本發(fā)明的精神實質(zhì)與原理下所作的改變、修飾、替代、組合、簡化,均應為等效的置換方式,都包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
一種帶高壓靜電的復合霧化濕法脫硫裝置,包括吸收塔殼體、噴淋層,其特征在于還包括高壓靜電發(fā)生器、電極組件,所述電極組件設置于吸收塔殼體內(nèi)周壁、噴淋層的下端位置,所述電極組件通過導線與高壓靜電發(fā)生器電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶高壓靜電的復合霧化濕法脫硫裝置,其特征在于所述電 極組件包括依次貼合的絕緣層、充電電極、高分子板,所述充電電極被密封在絕緣層與高分 子板之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的帶高壓靜電的復合霧化濕法脫硫裝置,其特征在于所述充 電電極被密封在絕緣層與高分子板之間,具體是,所述吸收塔殼體的內(nèi)周壁設有凹槽,所述 絕緣層置于該凹槽內(nèi),高分子板置于凹槽外并與吸收塔殼體的內(nèi)周壁密封貼合。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的帶高壓靜電的復合霧化濕法脫硫裝置,其特征在于所述充 電電極為正、負兩個電極,沿吸收塔殼體的內(nèi)周壁對稱設置。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的帶高壓靜電的復合霧化濕法脫硫裝置,其特征在于每個電 極的長度為吸收塔殼體圓周的四分之一、高度為2m 3m。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的帶高壓靜電的復合霧化濕法脫硫裝置,其特征在于所述充 電電極與噴淋層之間的距離為0. 5m。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的帶高壓靜電的復合霧化濕法脫硫裝置,其特征在于所述充 電電極的充電電壓通過電壓調(diào)節(jié)裝置調(diào)整,充電電流為50 μ A。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種帶高壓靜電的復合霧化濕法脫硫裝置,包括吸收塔殼體、噴淋層、高壓靜電發(fā)生器、電極組件,電極組件設置于吸收塔殼體的內(nèi)周壁、噴淋層的下端位置,電極組件通過導線與高壓靜電發(fā)生器電連接,電極組件包括依次貼合的絕緣層、充電電極、高分子板,充電電極被密封在絕緣層與高分子板之間的空穴中;經(jīng)過機械噴嘴霧化后石灰石漿液再受到高壓靜電場的作用,使霧化后的石灰石漿液滴表面產(chǎn)生高電荷,液滴因受表面張力、靜電力及重力聯(lián)合作用而使表面極不穩(wěn)定,分裂成小液滴,從而進一步霧化。噴嘴霧化與靜電霧化形成復合霧化,達到更好的霧化效果,有效降低投資成本、操作維護成本和能源消耗;本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單,安裝方便。
文檔編號B01D53/80GK101890290SQ20101022844
公開日2010年11月24日 申請日期2010年7月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月15日
發(fā)明者劉定平, 劉暢, 李小偉, 艾志虎, 高策 申請人:華南理工大學
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