專利名稱：曝光方法和系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種曝光方法和系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
隨著超大規(guī)模集成電路(ULSI，Ultra Large Scale htegration)的飛速發(fā)展，集成電路制造工藝變得越來越復(fù)雜和精細(xì)，對曝光效果的要求也越來越嚴(yán)格。對于目前0. 16和0. 18技術(shù)節(jié)點(diǎn)的光刻工藝來說，薄膜的厚度的波動(dòng)會(huì)導(dǎo)致光刻曝光能力的極大波動(dòng)，從而影響到器件CD(關(guān)鍵尺寸)，使得器件CD超出規(guī)格(簡稱00S)或超出控制線(簡稱00C)，從而造成不必要的返工，延長了器件的生產(chǎn)周期。為了解決上述問題，現(xiàn)有技術(shù)中一般都采用手動(dòng)更新曝光能量的方法來維護(hù)光刻過程曝光能量的穩(wěn)定，但由于生產(chǎn)過程中產(chǎn)品太多，操作非常繁瑣，增加了工作人員的工作量，同時(shí)也增加了產(chǎn)生錯(cuò)誤的幾率。下面以位于金屬前介質(zhì)層與有源區(qū)之間的氮化硅層(以下簡稱S-D-G SIN層)為例，對現(xiàn)有技術(shù)的方法進(jìn)行詳細(xì)說明。在局部互連工藝中，形成金屬前介質(zhì)層之前，往往會(huì)在有源區(qū)表面上淀積一層氮化硅作為阻擋層，將有源區(qū)保護(hù)起來，避免后續(xù)摻雜的金屬前介質(zhì)層對有源區(qū)產(chǎn)生污染，這層氮化硅層的厚度在1625 A左右，各批產(chǎn)品之間的氮化硅層厚度都會(huì)有一定的波動(dòng)?，F(xiàn)有技術(shù)在進(jìn)行光刻之前，都會(huì)先采用能量反饋系統(tǒng)自動(dòng)收集并存儲(chǔ)S-D-G SIN層的厚度，在光刻過程中按照以下步驟對每批次產(chǎn)品進(jìn)行曝光。步驟1 提供第一批次晶片，該批次晶片被依次分為多個(gè)部分，所述晶片包括S-D-G SIN層和金屬前介質(zhì)層；步驟2 對所述第一批次晶片中的第一晶片進(jìn)行曝光，得出該批次晶片曝光能量的基準(zhǔn)值；步驟3 根據(jù)預(yù)先存儲(chǔ)的S-D-G SIN層的厚度，依次查詢出各部分晶片S_D_G SIN層的厚度；步驟4 根據(jù)該批次晶片曝光能量的基準(zhǔn)值，以及預(yù)設(shè)的曝光能量調(diào)整值與S-D-GSIN層厚度的對照表格，如下表所示，計(jì)算得出每部分晶片的曝光能量修正值；表一曝光能量調(diào)整值與S-D-G SIN層厚度的對應(yīng)關(guān)系
S-D-G SIN 層厚度(A)曝光能量調(diào)整值(mj/cm2 )1560-15801. 41580-160011600-162001620-1640-11640-1660-2 步驟5 按照各部分晶片的曝光能量修正值，依次對各部分晶片進(jìn)行曝光，直至完成該批次晶片的曝光。
上述方法雖然在一定程度上能夠調(diào)整光刻的曝光能量，但實(shí)際上，采用上述方式進(jìn)行曝光之后的器件的CD仍然會(huì)出現(xiàn)誤差，造成不必要的返工，延長了產(chǎn)品的生產(chǎn)周期。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供一種曝光方法和系統(tǒng)，避免了因曝光能量修正值的誤差而導(dǎo)致的器件CD超出規(guī)格或超出控制線，從而縮短了產(chǎn)品的生產(chǎn)周期。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實(shí)施例提供了如下技術(shù)方案一種曝光方法，包括提供第一批次晶片，該批次晶片被依次分為一個(gè)或多個(gè)部分；對所述第一批次晶片中的第一晶片進(jìn)行曝光，得出該批次晶片曝光能量的基準(zhǔn)值；根據(jù)預(yù)先存儲(chǔ)的膜層的厚度，依次查詢出各部分晶片對應(yīng)的膜層厚度；根據(jù)該批次晶片曝光能量的基準(zhǔn)值，以及預(yù)設(shè)的曝光能量調(diào)整值與膜層厚度的對應(yīng)關(guān)系表達(dá)式，計(jì)算得出各部分晶片的曝光能量修正值；按照各部分晶片的曝光能量修正值，依次對各部分晶片進(jìn)行曝光。優(yōu)選的，所述曝光能量調(diào)整值與膜層厚度的對應(yīng)關(guān)系表達(dá)式的設(shè)置過程為根據(jù)預(yù)先存儲(chǔ)的曝光能量調(diào)整值與膜層厚度的對照關(guān)系表，對所述對照關(guān)系表進(jìn)行線性模擬，并對模擬結(jié)果進(jìn)行優(yōu)化處理，使模擬結(jié)果與實(shí)際光刻結(jié)果相適配，得出所述對應(yīng)關(guān)系表達(dá)式。優(yōu)選的，所述曝光能量的調(diào)整值為在不同的膜層厚度的情況下，使產(chǎn)品的CD滿足目標(biāo)CD的要求所需增加或減少的曝光能量。優(yōu)選的，所述曝光能量的修正值為在不同的膜層厚度的情況下，使產(chǎn)品的CD滿足目標(biāo)CD的要求的曝光能量。優(yōu)選的，所述曝光膜層為位于金屬前介質(zhì)層與有源區(qū)之間的阻擋層。優(yōu)選的，所述阻擋層材料為氮化硅和氮氧化硅中的至少一種。優(yōu)選的，所述曝光能量調(diào)整值與膜層厚度的對應(yīng)關(guān)系表達(dá)式具體為阻擋層厚度小于或等于1590 A時(shí)，所述對應(yīng)關(guān)系表達(dá)式為y = -0. 02x+32. 8 ；阻擋層厚度大于1590 A時(shí)，所述對應(yīng)關(guān)系表達(dá)式為..1 = -0. 05x+80. 5 ；其中，y表示曝光能量的調(diào)整值，χ表示膜層厚度。優(yōu)選的，進(jìn)行光刻之前，采用光刻設(shè)備的能量反饋系統(tǒng)收集并存儲(chǔ)各批次的各個(gè)部分的膜層厚度。本發(fā)明實(shí)施例還公開了一種曝光系統(tǒng)，包括查詢單元，用于根據(jù)預(yù)先存儲(chǔ)的膜層的厚度，依次查詢出各部分晶片對應(yīng)的膜層
厚度；計(jì)算單元，用于根據(jù)該批次晶片曝光能量的基準(zhǔn)值，以及預(yù)設(shè)的曝光能量調(diào)整值與膜層厚度的對應(yīng)關(guān)系表達(dá)式，計(jì)算得出各部分晶片的曝光能量修正值；控制單元，用于根據(jù)計(jì)算結(jié)果，控制各部分晶片依次按照各自部分的曝光能量修正值進(jìn)行曝光。優(yōu)選的，該系統(tǒng)還包括
存儲(chǔ)單元，用于存儲(chǔ)預(yù)先收集的各部分的膜層厚度、曝光能量調(diào)整值與膜層厚度的對應(yīng)關(guān)系表達(dá)式、各批次晶片曝光能量的基準(zhǔn)值和各部分晶片的曝光能量修正值中的至少一個(gè)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明實(shí)施例提供的曝光方法和系統(tǒng)，通過預(yù)先設(shè)置曝光能量調(diào)整值與膜層厚度的對應(yīng)關(guān)系表達(dá)式，使曝光能量修正值的計(jì)算更加精確，避免了現(xiàn)有技術(shù)中曝光能量調(diào)整值與膜層厚度的對應(yīng)關(guān)系表的區(qū)間跨度過大帶來的曝光能量修正值的計(jì)算誤差，從而使器件的CD滿足目標(biāo)CD的需求，避免了不必要的返工，縮短了產(chǎn)品的生產(chǎn)周期。


通過附圖所示，本發(fā)明的上述及其它目的、特征和優(yōu)勢將更加清晰。在全部附圖中相同的附圖標(biāo)記指示相同的部分。并未刻意按實(shí)際尺寸等比例縮放繪制附圖，重點(diǎn)在于示出本發(fā)明的主旨。圖1為本發(fā)明實(shí)施例一公開的曝光方法的流程圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例一公開的曝光能量調(diào)整值與S-D-G SIN層的厚度的對應(yīng)關(guān)系曲線；圖3為本發(fā)明實(shí)施例一公開的曝光能量調(diào)整值與S-D-G SIN層的厚度的對應(yīng)關(guān)系曲線；圖4為本發(fā)明實(shí)施例二公開的曝光系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。其次，本發(fā)明結(jié)合示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí)，為便于說明，表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會(huì)不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外，在實(shí)際制作中應(yīng)包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。正如背景技術(shù)部分所述，采用現(xiàn)有技術(shù)中的曝光方法，不僅工作量大，而且最后曝光后得出的器件CD往往會(huì)出現(xiàn)誤差，發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，出現(xiàn)上述問題的原因是預(yù)先存儲(chǔ)的曝光能量調(diào)整值與S-D-G SIN層厚度的對應(yīng)關(guān)系中，S-D-G SIN層厚度的跨度過大，進(jìn)而使得對曝光能量進(jìn)行修正時(shí)，曝光能量調(diào)整值不夠精確，導(dǎo)致曝光能量修正值不準(zhǔn)確，從而導(dǎo)致曝光后器件CD的誤差。舉例說來，從表一中可以看出S-D-G SIN層厚度區(qū)間的跨度為20 A，在這種厚度跨度范圍內(nèi)，均認(rèn)為使用相同的能量值，但實(shí)際上，對于某個(gè)跨度區(qū)間的首尾兩個(gè)S-D-GSIN層厚度來說，其曝光能量是有差別的；并且，對于實(shí)際曝光能量幾乎相同的S-D-G SIN層厚度來說，按照上述表格計(jì)算出的曝光能量修正值卻大有不同，如1619 A和1621 A，這兩個(gè)厚度曝光能量基本相同，但在上述表格中卻位于兩個(gè)區(qū)間，因此造成曝光能量的誤差較大，進(jìn)而影響到器件的CD。實(shí)施例一基于此，本實(shí)施例提供了一種曝光方法，該方法的流程圖如圖1所示，包括以下步驟步驟SlOl 提供第一批次晶片，該批次晶片被依次分為一個(gè)或多個(gè)部分；需要說明的是，曝光過程中的每批次晶片多被均勻的分為多個(gè)部分，以便于曝光過程的控制，避免因曝光過程的失誤導(dǎo)致更多晶片需返工。每批次晶片的分割方式可與前層形成膜層的過程相結(jié)合，根據(jù)膜層厚度的特點(diǎn)對曝光過程的每批次晶片進(jìn)行分割。一般情況下，每批次晶片分割的結(jié)果都是每部分內(nèi)的晶片的膜層厚度相近，或者每部分內(nèi)的晶片膜層厚度所需的曝光能量基本相同，這樣在加快生產(chǎn)速度的前提下，進(jìn)一步減小了曝光誤差。當(dāng)然，根據(jù)上述分割要求，每批次晶片可以平均分，也可以不平均分，只要分割后的每部分晶片滿足上述要求即可。另外，每批次晶片分為幾個(gè)部分也可根據(jù)實(shí)際情況而定，這里不再贅述。步驟S102 對所述第一批次晶片中的第一晶片進(jìn)行曝光，得出該批次晶片曝光能
量的基準(zhǔn)值；其中，得出所述曝光能量基準(zhǔn)值的過程可為，采用經(jīng)驗(yàn)值對第一批次的第一晶片進(jìn)行試驗(yàn)性曝光，之后根據(jù)曝光后的器件CD與目標(biāo)CD的差值情況，適當(dāng)調(diào)整曝光能量，使曝光后的器件CD與目標(biāo)CD的差值在誤差范圍內(nèi)，最終調(diào)整后的曝光能量，即為該批次晶片最優(yōu)的曝光能量，也就是該批次晶片的曝光能量基準(zhǔn)值。一般情況下，每批次晶片的曝光能量相差不大，各部分晶片曝光能量的調(diào)整范圍均在預(yù)設(shè)的曝光能量調(diào)整范圍之內(nèi)，因此對于每一批次晶片，只需得出一個(gè)曝光能量基準(zhǔn)值即可。當(dāng)然，如果為了使曝光能量更加精確，還可以對每批次晶片中的各部分晶片的第一晶片進(jìn)行曝光，得出各部分晶片曝光能量的基準(zhǔn)值，但是考慮到生產(chǎn)速度，一般選用前者即可，即每批次晶片只需一個(gè)曝光能量基準(zhǔn)值。步驟S103 根據(jù)預(yù)先存儲(chǔ)的膜層的厚度，依次查詢出各部分晶片對應(yīng)的膜層厚度；需要說明的是，在形成所述膜層之后，進(jìn)行光刻之前，均會(huì)采用光刻設(shè)備的能量反饋系統(tǒng)收集并存儲(chǔ)各批次的各個(gè)部分的膜層厚度，以便于后續(xù)曝光過程中，查詢各部分晶片對應(yīng)的膜層厚度。步驟S104 根據(jù)該批次晶片曝光能量的基準(zhǔn)值，以及預(yù)設(shè)的曝光能量調(diào)整值與膜層厚度的對應(yīng)關(guān)系表達(dá)式，計(jì)算得出各部分晶片的曝光能量修正值；其中，所述曝光能量調(diào)整值與膜層厚度的對應(yīng)關(guān)系表達(dá)式的設(shè)置過程為根據(jù)預(yù)先存儲(chǔ)的曝光能量調(diào)整值與膜層厚度的對照關(guān)系表，對所述對照關(guān)系表進(jìn)行線性模擬，并對模擬結(jié)果進(jìn)行優(yōu)化處理，使模擬結(jié)果與實(shí)際光刻結(jié)果相適配，得出所述對應(yīng)關(guān)系表達(dá)式。該過程中，只需采用相應(yīng)的模擬軟件，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)中使用的曝光能量調(diào)整值與膜層厚度的對照關(guān)系表，得出曝光能量調(diào)整值與膜層厚度的對應(yīng)關(guān)系曲線，之后采用歷史數(shù)據(jù)對所述對應(yīng)關(guān)系曲線進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整，使其與實(shí)際光刻結(jié)果相適配即可，之后根據(jù)該對應(yīng)關(guān)系曲線得出所述對應(yīng)關(guān)系表達(dá)式。除了上述方法，還可以將歷史曝光能量或曝光能量調(diào)整值、對應(yīng)的膜層厚度以及對應(yīng)的實(shí)際光刻結(jié)果數(shù)據(jù)進(jìn)行模擬，得出曝光能量調(diào)整值與膜層厚度的對應(yīng)關(guān)系曲線，之后采用歷史數(shù)據(jù)對所述對應(yīng)關(guān)系曲線進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整，使其與實(shí)際光刻結(jié)果相適配即可，之后根據(jù)該對應(yīng)關(guān)系曲線得出所述對應(yīng)關(guān)系表達(dá)式。需要說明的是，本實(shí)施例中所述曝光能量的調(diào)整值為，在不同的膜層厚度的情況下，使產(chǎn)品的CD滿足目標(biāo)CD的要求所需增加或減少的曝光能量。所述曝光能量的修正值為在不同的膜層厚度的情況下，使產(chǎn)品的CD滿足目標(biāo)CD的要求的曝光能量，即根據(jù)所述對應(yīng)關(guān)系表達(dá)式，計(jì)算得出各部分膜層厚度對應(yīng)的曝光能量調(diào)整值，之后采用曝光能量調(diào)整值對曝光能量基準(zhǔn)值進(jìn)行增加或減少相應(yīng)數(shù)值之后得到的曝光能量。步驟S105 按照各部分晶片的曝光能量修正值，依次對各部分晶片進(jìn)行曝光。該步驟可采用計(jì)算機(jī)系統(tǒng)直接根據(jù)計(jì)算出的曝光能量修正值，自動(dòng)調(diào)整曝光設(shè)備，進(jìn)而避免了因人為操作帶來的失誤。實(shí)際的生產(chǎn)過程為每批次晶片的各部分晶片依次進(jìn)行曝光，即第一部分曝光完成之后，再進(jìn)行第二部分的曝光，本實(shí)施例對曝光能量的修正過程也是如此，即第一部分晶片進(jìn)行曝光時(shí)，先對第一部分的第一晶片進(jìn)行曝光，將該晶片最佳的曝光能量作為該批次晶片的曝光能量基準(zhǔn)值，之后根據(jù)第一部分晶片的膜層厚度，利用所述對應(yīng)關(guān)系表達(dá)式計(jì)算出該膜層厚度對應(yīng)的曝光能量的調(diào)整值，進(jìn)而得出第一部分的曝光能量修正值，采用計(jì)算出的第一部分的曝光能量修正值對第一部分剩余晶片進(jìn)行曝光；第一部分晶片曝光完成后，再進(jìn)行第二部分晶片的曝光，進(jìn)行第二部分的曝光時(shí)，也以第一部分第一晶片的曝光能量作為第二部分的曝光能量基準(zhǔn)值，之后根據(jù)第二部分的膜層厚度，利用所述對應(yīng)關(guān)系表達(dá)式計(jì)算出該膜層厚度對應(yīng)的曝光能量調(diào)整值，進(jìn)而得出第二部分曝光能量的修正值，采用計(jì)算出的第二部分的曝光能量修正值對第二部分所要晶片進(jìn)行曝光，采用上述方法依次循環(huán)，依次對各個(gè)批次的晶片進(jìn)行曝光。本發(fā)明實(shí)施例公開的曝光方法，通過預(yù)先設(shè)置曝光能量調(diào)整值與膜層厚度的對應(yīng)關(guān)系表達(dá)式，使曝光能量修正值的計(jì)算更加精確，最大程度上減小了因膜層厚度區(qū)間分布不合理帶來的曝光能量的計(jì)算誤差，增加了預(yù)測的曝光能量的合理性和準(zhǔn)確性，從而使器件的CD滿足目標(biāo)CD的需求，避免了不必要的返工，縮短了產(chǎn)品的生產(chǎn)周期。同時(shí)，由于本發(fā)明實(shí)施例中是由計(jì)算機(jī)系統(tǒng)自動(dòng)計(jì)算出的曝光能量修正值，并且可以根據(jù)曝光能量的修正值，自動(dòng)調(diào)整曝光設(shè)備，既節(jié)省了操作時(shí)間，也避免了人為調(diào)整曝光能量而帶來的誤差，進(jìn)一步的提高了曝光過程的準(zhǔn)確性，縮短了產(chǎn)品的生產(chǎn)周期。本發(fā)明實(shí)施例中所述的曝光方法，可以應(yīng)用于多種膜層的光刻過程中，如有源區(qū)的光刻過程、通孔的光刻過程、金屬層的光刻過程等，只要各膜層的光刻過程均會(huì)因膜層厚度的不同，而需調(diào)整曝光能量即可，下面以金屬前介質(zhì)層和有源區(qū)之間的阻擋層的光刻過程為例，對本實(shí)施例的曝光方法進(jìn)行詳細(xì)說明。步驟1 提供第一批次晶片，該批次晶片被依次分為多個(gè)部分，所述晶片包括阻擋層和金屬前介質(zhì)層，所述阻擋層材料為氮化硅和氮氧化硅中的至少一種，本實(shí)施例僅以S-D-G SIN層為例進(jìn)行說明；步驟2 對所述第一批次晶片中的第一晶片進(jìn)行曝光，得出該批次晶片曝光能量的基準(zhǔn)值；步驟3 根據(jù)預(yù)先存儲(chǔ)的S-D-G SIN層的厚度，依次查詢出各部分晶片S-D-G SIN層的厚度；步驟4 根據(jù)該批次晶片曝光能量的基準(zhǔn)值，以及預(yù)設(shè)的曝光能量調(diào)整值與S-D-GSIN層厚度的對應(yīng)關(guān)系表達(dá)式，計(jì)算得出各部分晶片的曝光能量修正值；本實(shí)施例中，對預(yù)先存儲(chǔ)的曝光能量調(diào)整值與S-D-G SIN層厚度的對應(yīng)關(guān)系表進(jìn)行線性模擬后的得到曝光能量調(diào)整值與S-D-G SIN層厚度的對應(yīng)關(guān)系曲線，如圖2和圖3所示，根據(jù)S-D-G SIN層厚度分布區(qū)間以及能量大小關(guān)系，并結(jié)合實(shí)際曝光后器件CD的變化特點(diǎn)，將曝光能量調(diào)整值與S-D-G SIN層厚度的對應(yīng)關(guān)系按照S-D-G SIN層厚度分為兩個(gè)范圍，一是S-D-G SIN層厚度小于或等于1590 A的情況，這種情況的關(guān)系曲線如圖2所示，圖2的對應(yīng)關(guān)系曲線根據(jù)表二的對應(yīng)關(guān)系表進(jìn)行線性模擬得出；表二曝光能量調(diào)整值與S-D-G SIN層厚度的對應(yīng)關(guān)系表
權(quán)利要求
1.一種曝光方法，其特征在于，包括提供第一批次晶片，該批次晶片被依次分為一個(gè)或多個(gè)部分；對所述第一批次晶片中的第一晶片進(jìn)行曝光，得出該批次晶片曝光能量的基準(zhǔn)值；根據(jù)預(yù)先存儲(chǔ)的膜層的厚度，依次查詢出各部分晶片對應(yīng)的膜層厚度；根據(jù)該批次晶片曝光能量的基準(zhǔn)值，以及預(yù)設(shè)的曝光能量調(diào)整值與膜層厚度的對應(yīng)關(guān)系表達(dá)式，計(jì)算得出各部分晶片的曝光能量修正值；按照各部分晶片的曝光能量修正值，依次對各部分晶片進(jìn)行曝光。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述曝光能量調(diào)整值與膜層厚度的對應(yīng)關(guān)系表達(dá)式的設(shè)置過程為根據(jù)預(yù)先存儲(chǔ)的曝光能量調(diào)整值與膜層厚度的對照關(guān)系表，對所述對照關(guān)系表進(jìn)行線性模擬，并對模擬結(jié)果進(jìn)行優(yōu)化處理，使模擬結(jié)果與實(shí)際光刻結(jié)果相適配，得出所述對應(yīng)關(guān)系表達(dá)式。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述曝光能量的調(diào)整值為在不同的膜層厚度的情況下，使產(chǎn)品的CD滿足目標(biāo)CD的要求所需增加或減少的曝光能量。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述曝光能量的修正值為在不同的膜層厚度的情況下，使產(chǎn)品的CD滿足目標(biāo)CD的要求的曝光能量。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述曝光膜層為位于金屬前介質(zhì)層與有源區(qū)之間的阻擋層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述阻擋層材料為氮化硅和氮氧化硅中的至少一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述曝光能量調(diào)整值與膜層厚度的對應(yīng)關(guān)系表達(dá)式具體為阻擋層厚度小于或等于1590 A時(shí)，所述對應(yīng)關(guān)系表達(dá)式為y = -0. 02x+32. 8 ；阻擋層厚度大于1590 A時(shí)，所述對應(yīng)關(guān)系表達(dá)式為y = -0. 05X+80. 5 ；其中，y表示曝光能量的調(diào)整值，χ表示膜層厚度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，進(jìn)行光刻之前，采用光刻設(shè)備的能量反饋系統(tǒng)收集并存儲(chǔ)各批次的各個(gè)部分的膜層厚度。
9.一種曝光系統(tǒng)，其特征在于，包括查詢單元，用于根據(jù)預(yù)先存儲(chǔ)的膜層的厚度，依次查詢出各部分晶片對應(yīng)的膜層厚度；計(jì)算單元，用于根據(jù)該批次晶片曝光能量的基準(zhǔn)值，以及預(yù)設(shè)的曝光能量調(diào)整值與膜層厚度的對應(yīng)關(guān)系表達(dá)式，計(jì)算得出各部分晶片的曝光能量修正值；控制單元，用于根據(jù)計(jì)算結(jié)果，控制各部分晶片依次按照各自部分的曝光能量修正值進(jìn)行曝光。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其特征在于，還包括存儲(chǔ)單元，用于存儲(chǔ)預(yù)先收集的各部分的膜層厚度、曝光能量調(diào)整值與膜層厚度的對應(yīng)關(guān)系表達(dá)式、各批次晶片曝光能量的基準(zhǔn)值和各部分晶片的曝光能量修正值中的至少一
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例公開了一種曝光方法，包括提供第一批次晶片，該批次晶片被依次分為一個(gè)或多個(gè)部分；對所述第一批次晶片中的第一晶片進(jìn)行曝光，得出該批次晶片曝光能量的基準(zhǔn)值；根據(jù)預(yù)先存儲(chǔ)的膜層的厚度，依次查詢出各部分晶片對應(yīng)的膜層厚度；根據(jù)該批次晶片曝光能量的基準(zhǔn)值，以及預(yù)設(shè)的曝光能量調(diào)整值與膜層厚度的對應(yīng)關(guān)系表達(dá)式，計(jì)算得出各部分晶片的曝光能量修正值；按照各部分晶片的曝光能量修正值，依次對各部分晶片進(jìn)行曝光。本發(fā)明通過預(yù)先設(shè)置曝光能量調(diào)整值與膜層厚度的對應(yīng)關(guān)系表達(dá)式，使曝光能量修正值的計(jì)算更加精確，從而使器件的CD滿足目標(biāo)CD的需求，避免了不必要的返工，縮短了產(chǎn)品的生產(chǎn)周期。
文檔編號G03F7/20GK102566288SQ20101059780
公開日2012年7月11日 申請日期2010年12月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月21日
發(fā)明者葉序明, 沈佳, 陳剛, 陳輝, 黃瑋 申請人:無錫華潤上華半導(dǎo)體有限公司, 無錫華潤上華科技有限公司