專利名稱:曝光系統(tǒng)和曝光方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及液晶顯示的光刻工藝技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種曝光系統(tǒng)和曝 光方法。
背景技術(shù):
液晶顯示面板(Liquid Crystal Display panel)是液晶顯示裝置的重要組 成部分。液晶顯示面板的一般制程,主要是依據(jù)電路設(shè)計的需求,反復(fù)進行 成膜、制版、蝕刻、光阻剝離等不同的模塊操作,經(jīng)由數(shù)道步驟后完成陣列 基板,然后再配合另一片上面有彩色濾光片的玻璃,進行液晶的注入等,始 完成制作液晶顯示面板。制版工程一般包括涂抹、曝光、顯影等工藝。制版 工程的要項為光阻涂抹均勻度、附著度、對位精度控制、線寬損失值、影像 殘留等。雖然制版工程的制程技術(shù)復(fù)雜,但其基本原理卻簡單。首先是在玻 璃基板表面上覆上一層感光材料(即光阻),后用平行光經(jīng)過以玻璃為主體 的光罩后,便打在這層感光材料上。光罩上面有圖案,這些圖案將使入射光 反射,使透過光罩的光束也具備光罩上相同的圖形,此光罩上的圖案傳遞到 基板表面的光阻上的步驟稱之為"曝光(exposure)"。而后將光阻層所轉(zhuǎn)移 的潛在圖案顯現(xiàn)出來,此步驟稱為"顯影(development)"。
在液晶顯示領(lǐng)域中,傳統(tǒng)的曝光工藝中采用的光罩為固定的光罩,即一 旦光罩制作完成,該光罩所曝光圖案就被固定下來,不可更改。例如在諸 如薄膜晶體管(TFT, Thin Film Transistor)陣列基板的制程中,通常約需 ll張不同的光罩,并且對應(yīng)于不同型號的產(chǎn)品,需要與之對應(yīng)的一套光罩, 所以產(chǎn)品開發(fā)的成本會顯著增加。另外,如果光罩上定義的圖案有錯誤,該 錯誤同樣是不可修正的,這就給使用帶來了極大的不便。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施方式提出 一種曝光系統(tǒng),從而實現(xiàn)對曝光圖案的調(diào)節(jié)控制。 本發(fā)明實施方式提出 一 種曝光方法,從而實現(xiàn)對曝光圖案的調(diào)節(jié)控制。
本發(fā)明實施方式的技術(shù)方案包括
一種曝光系統(tǒng)(10),包括微反射鏡裝置(100)、弧形反射鏡(200)、 光源(300)、聚光鏡(400)和基板(600),所述基板(600)上依次有薄 膜(700)和光阻劑(800),所述弧形反射鏡(200)、聚光鏡(400)以及 微反射鏡裝置(100)的幾何中心在同一直線上;
所述光源(300)發(fā)出的光線入射到所述弧形反射鏡(200),經(jīng)第一次 反射形成第一反射光線,所述第一反射光線經(jīng)過聚光鏡(400)形成平行光 線入射到所述微反射鏡裝置(100),經(jīng)第二次反射形成第二反射光線,所 述第二反射光線投射到位于所述薄膜(700)上的光阻劑(800)的上表面, 通過調(diào)節(jié)所述微反射鏡裝置(100)的反射角控制所述光阻劑(800)的上表 面的曝光圖像形狀。
一種曝光方法,包括
光源發(fā)出的光線入射到弧形反射鏡,經(jīng)第 一次反射形成第 一反射光線; 所述第一反射光線經(jīng)過聚光鏡后形成平行光線再入射到微反射鏡裝置; 所述微反射鏡裝置經(jīng)第二次反射形成第二反射光線,將所述第二反射光 線投射到位于基板上的薄膜上的光阻劑的上表面,并通過調(diào)節(jié)所述微反射鏡 裝置針對所述第二反射光線的反射角控制所述光阻劑的上表面的曝光圖像 形狀。
從上述技術(shù)方案可以看出,在本發(fā)明實施方式的曝光系統(tǒng)中,微反射鏡 裝置可以針對入射光線調(diào)節(jié)反射角。光源發(fā)出的光線入射到弧形反射鏡經(jīng)第 一次反射形成第一反射光線,第一反射光線經(jīng)過聚光鏡形成平行光線入射到 微反射鏡裝置。通過調(diào)節(jié)微反射鏡裝置的反射角,可以控制光阻劑的上表面 的曝光圖像形狀。因此,應(yīng)用本發(fā)明實施方式后,通過調(diào)節(jié)微反射鏡裝置的反射角,可以對曝光圖案進行控制調(diào)節(jié),從而可以重復(fù)利用曝光系統(tǒng)形成各 種曝光圖案,這就顯著節(jié)約了成本。
另外,在本發(fā)明實施方式中,可以利用圖形精縮棱鏡將微反射鏡裝置反 射的第二反射光線投射到光阻劑的上表面,基于調(diào)節(jié)光阻劑與圖形精縮棱鏡 的距離,可以調(diào)節(jié)圖形精縮棱鏡的縮放比例,從而進一步調(diào)節(jié)光阻劑的上表 面的曝光圖像面積,這就能夠提供更多面積大小選項的曝光圖像。
圖1為本發(fā)明一實施方式的曝光系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖2為本發(fā)明一實施方式的曝光系統(tǒng)中圖形精縮棱鏡的工作原理示意
圖3為本發(fā)明一實施方式的曝光光強和正性光阻劑的溶解率之間的響 應(yīng)關(guān)系曲線圖4為本發(fā)明一實施方式中使用圖形精縮棱鏡對曝光圖案連續(xù)性的影 響對比示意圖5為本發(fā)明一實施方式的曝光方法流程示意圖。
具體實施例方式
為使本發(fā)明實施方式的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚,下面結(jié)合附圖 對本發(fā)明實施方式作進一步的詳細闡述。
在本發(fā)明實施方式中,微反射鏡裝置能夠針對入射光線調(diào)節(jié)反射角,因 此通過調(diào)節(jié)微反射鏡裝置上復(fù)數(shù)個微反射鏡的反射角可以對曝光圖案進行 控制調(diào)節(jié)。
比如,在投影儀領(lǐng)域,目前普遍采用的是數(shù)字光處理系統(tǒng)(DLP, Digital Light Processing )。數(shù)字光處理系統(tǒng)采用核心元件數(shù)字微反射鏡裝置(DMD, Digital Mirror Device )來控制該數(shù)字光處理系統(tǒng)中的光束。DMD是由美國 德州儀器(TI, Texas Instruments )公司研制出來的一種微投影型顯示元件。
6下面結(jié)合圖1說明本發(fā)明實施方式的曝光系統(tǒng)采用數(shù)字微鏡反射裝置的工 作原理。
圖1為本發(fā)明一實施方式的曝光系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖。
如圖1所示,其為本發(fā)明一實施方式的采用數(shù)字微反射鏡裝置的曝光系
統(tǒng)10。曝光系統(tǒng)10包括微反射鏡裝置100、弧形反射鏡200、光源300、聚 光鏡400、基板600,基板600上依次有薄膜700和光阻劑800。弧形反射 鏡200、聚光鏡400以及微反射鏡裝置100的幾何中心在同一直線上。
優(yōu)選的,數(shù)字微反射鏡裝置100包括基底IOI、復(fù)數(shù)個支撐部102, 復(fù)數(shù)個微反射鏡103以及多個電極(圖1中未示出)。支撐部102通過扭臂 梁鉸鏈固定微反射鏡103?;?01上可以集成有多個存儲器(圖1中未示 出),每一存儲器具有兩條尋址電極和兩個搭接電極,該多個電極通過從外 部輸入電壓信號產(chǎn)生靜電場以控制支撐部102的運動,然后固定在支撐部 102上的微反射鏡103可以分別相對于基底101逆時針旋轉(zhuǎn)10?;蝽槙r針旋 轉(zhuǎn)10°。微反射鏡103尺寸為16pm*16^im,微反射鏡之間的距離為lpm。其 中,該數(shù)字微反射鏡裝置的設(shè)置為基底101所在的平面與水平面的夾角為 20°。
優(yōu)選的,曝光系統(tǒng)10還包括圖形精縮棱鏡500,該圖形精縮棱鏡500 被設(shè)置于微反射鏡裝置100與基板600上的光阻劑800之間。進一步地,該 圖形精縮棱鏡500的縮小比例為5: 1。
優(yōu)選的,曝光系統(tǒng)IO還包括光闌900,該光闌900 ^皮:沒置于光源300 與聚光鏡400之間,光闌900的幾何中心與光源300以及聚光鏡400的幾何 中心在同一直線上。
在圖1所示的示范性曝光系統(tǒng)中,數(shù)字微反射鏡裝置IOO可以通過多個 電極電連接到個人電腦(圖l中未示出),從而通過個人電腦的編程控制能 夠得到曝光工作所需的圖案。
較優(yōu)的,弧形反射鏡200的形狀可以為橢圓的弧形,聚光鏡400可以為 凸透鏡。其中,弧形反射鏡200 、聚光鏡400、光闌900以及數(shù)字微反射鏡
7裝置100的幾何中心在同一直線上。.更進一步地,弧形反射鏡200與聚光鏡 400的焦點重合并且與其幾何中心在同一直線上,光源300位于弧形反射鏡 200與聚光鏡400的同 一 焦點處。
光源300發(fā)出的光線入射到弧形反射鏡200的內(nèi)表面經(jīng)過第 一次反射, 第一反射光線按照原入射光線的路徑經(jīng)過光闌900,入射到聚光鏡400。因 為光源300位于聚光鏡400的焦點處,所以第一反射光線經(jīng)過聚光鏡400后 變成平行光線,該平行光線照射數(shù)字微反射鏡裝置100的微反射鏡103,該 平行光的入射方向垂直于數(shù)字微反射鏡裝置100的基底101,該平行光相對
于該微反射鏡103以第一入射角e入射,以反射角e被第二次反射,該第二
反射光線再次以平行光入射圖形精縮棱鏡500。
在該示范性曝光系統(tǒng)10中,通過調(diào)節(jié)光闌卯0的孔隙寬度,可以控制 第一反射光線的寬度,從而控制入射數(shù)字微反射裝置100的平行光線的寬 度。此時,在該數(shù)字微反射鏡裝置100中,向設(shè)置于基底101上的多個電極 輸入一電壓信號,該多個電極產(chǎn)生靜電場以控制復(fù)數(shù)個支撐部102上的復(fù)數(shù) 個4效反射鏡103分別相對于基底101逆時針旋轉(zhuǎn)10?;蝽槙r針i走轉(zhuǎn)10°。其 中,入射到逆時針旋轉(zhuǎn)10。的微反射鏡上的平行光被第二次反射并將該第二 反射光線反射經(jīng)過圖形精縮棱鏡500投射在位于薄膜700上的光阻劑800上
表面。入射到順時針旋轉(zhuǎn)10°的平行光#:反射到光阻劑800以外的無效區(qū)域,
其中,通過調(diào)節(jié)控制逆時針旋轉(zhuǎn)10。的微反射鏡的數(shù)目或順時針旋轉(zhuǎn)10°的
微反射鏡的數(shù)目來達到調(diào)節(jié)控制附載在第二反射光線上的圖形,從而達到調(diào)
節(jié)控制投射在位于薄膜700上的光阻劑800上表面的圖形。
在該實施方式中,若光阻劑800上需要曝光,微反射鏡103相對于基底 101逆時針旋轉(zhuǎn)10°,則入射到微反射鏡103上的第一反射光線與微反射鏡 103之間的夾角為10°,第二反射光線相對于第一反射光線逆時針偏轉(zhuǎn)20。, 第二反射光線垂直于待曝光的光阻劑800平面;若光阻劑800上有不需要曝 光的部分,微反射鏡相對于基底101順時針旋轉(zhuǎn)10°,反射光線順時針偏轉(zhuǎn) 10°,則入射微反射鏡103的第一反射光線與微反射鏡103之間的夾角也為10°,第二反射光線相對于第一反射光線順時針偏轉(zhuǎn)20。,則第二反射光線被
第二次反射到光阻劑外的其他區(qū)域,即光阻劑800上無光線照射。
以上結(jié)合圖1詳細闡述了數(shù)字微反射鏡裝置100的具體結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域技 術(shù)人員可以意識到,這種闡述是示范性而并非窮舉目的。實際上,數(shù)字微反 射鏡裝置IOO還可以具有其它類似結(jié)構(gòu)。比如數(shù)字微反射鏡裝置IOO可以 不采用電極,而是通過由電機控制的機械結(jié)構(gòu)或磁控制結(jié)構(gòu)來控制其上的微 反射鏡103的轉(zhuǎn)動。
下面再詳細描述圖形精縮棱4竟500的工作原理。
利用圖形精縮棱鏡500可以將數(shù)字微反射鏡裝置IOO反射的第二反射光 線投射到位于基板600上的薄膜700上的光阻劑800的上表面,并根據(jù)縮放 比例調(diào)節(jié)光阻劑800的上表面的曝光圖像面積。優(yōu)選地,本實施例中的圖形 精縮棱鏡500可以采用凸透鏡,進一步地,通過調(diào)節(jié)基板600上的光阻劑 800與圖形精縮棱鏡500之間的距離,可以控制圖形精縮棱鏡500的具體縮 ;改比例。
比如,圖2為本發(fā)明一實施方式的曝光系統(tǒng)中圖形精縮棱鏡500的工作 原理示意圖。在圖2中,基板600上的光阻劑800與圖形精縮棱鏡500的距 離L為該圖形精縮棱鏡500焦距f的1.2倍。依據(jù)成像原理,入射圖形精縮 棱鏡500的平行光線的寬度被縮小至原寬度的1/5,相應(yīng)地,入射至光阻劑 800上表面的潛在圖案的面積縮小為原圖案的1/25。
在本實施方式中,以基板600為陣列基板為例來進行示例性說明。薄膜 晶體管陣列基板上的圖案一般為線狀圖案,最小線寬為4pm 5^im。在本實 施方式中,圖1中的數(shù)字微反射鏡裝置IOO所在的平面為物平面,如圖2所 示,圖形精縮棱鏡500為凸透鏡,視為物鏡,光阻劑800所在的平面視為像 平面,依據(jù)瑞利公式
w-kl承人/NA
其中,kl為物理及相關(guān)工藝因子,為常數(shù),kl-1.2, NA為物鏡數(shù)值孔 徑,NA=nsina, n為物4竟與光阻劑800之間i某質(zhì)折射率,ot為物鏡孔徑角
9的1/2,X為波長。在本實施方式中采用I線(波長?i為365nm)光源,NA-0.73, 則該曝光系統(tǒng)能夠分辨得的最小線寬為0.6pm。
在數(shù)字微反射鏡100裝置的微反射鏡103之間具有l(wèi)pm的間隙,則對 于該相鄰的微反射鏡103之間的該間隙,入射的光線不會被第二次反射,當(dāng) 微反射鏡103向第二方向偏轉(zhuǎn)-10。時,第二反射光線照射到光阻劑800之外 的區(qū)域,數(shù)字微反射鏡裝置100上的數(shù)字微反射鏡103之間的間隙與微反射 鏡10 3向第二方向偏轉(zhuǎn)-10 °的面積之和垂直映射到光阻劑800上的區(qū)域不會 被曝光,經(jīng)過本實施方式中5: 1倍率的圖形精縮棱鏡500,光阻劑800上 不會被曝光的區(qū)域的線寬為
(1+16+1) *cos20o/5=3.38nm。
該值3.38nm大于圖形精縮棱鏡500的分辨率0.6pm,故該線寬值滿足 薄膜晶體管陣列基板制造工藝對最小線寬的要求。
光阻劑800—般為感光材料,在本實施方式中可以使用正光阻劑,纟皮孩t 反射鏡103反射的平行光經(jīng)過圖形精縮棱鏡500后,照射在光阻劑800的上 表面,因為復(fù)數(shù)個孩^反射鏡103可以分別相對于基底101逆時針旋轉(zhuǎn)10。和 順時針旋轉(zhuǎn)10°,可以通過調(diào)節(jié)控制分別逆時針旋轉(zhuǎn)10?;蝽槙r針旋轉(zhuǎn)10° 的微反射鏡的數(shù)目使得其反射的第二反射光線形成不同的圖案,該第二反射 光線照射在感光材料上,使得光阻劑800上表面具有了潛在的圖案,始完成 曝光工藝。而后將光阻劑上表面所具有的潛在的圖案顯現(xiàn)出來,則始完成顯 影工藝。該顯影工藝同公知技術(shù)的顯影工藝,故此處不再作贅述。
圖3為本發(fā)明一實施方式的曝光光強和正性光阻劑的溶解率之間的響 應(yīng)關(guān)系曲線圖。當(dāng)曝光光強很小時,光阻劑不會溶解,隨著曝光光強的增大, 光阻劑在曝光光強達到某一特殊值時會溶解。光阻劑由不溶解到溶解有一曝 光光強的極窄的過渡區(qū)域,此區(qū)域的光強范圍為AE,此光強范圍的中間點
位置處的曝光光強為& ,稱之為閾值光強。當(dāng)曝光光強大于此閾值光強時, 光阻劑能夠溶解,當(dāng)曝光光強小于此閾值光強時,光阻劑不能溶解。圖4為本發(fā)明 一 實施方式中使用圖形精縮棱鏡500對曝光圖案連續(xù)性的 影響對比示意圖。在數(shù)字微反射鏡裝置100上的微反射鏡103之間具有l(wèi)pm 的間隙,由于微反射鏡103的反射鏡面大部分進行的是鏡面反射,由于實際 的微反射鏡103具有一定的厚度,當(dāng)該微反射鏡103轉(zhuǎn)過一個角度時,該微 反射鏡103的邊緣與第一反射光線發(fā)生接觸,然后該第一反射光線在微反射 鏡103之間的間隙處發(fā)生不規(guī)則的散射,故在該微反射鏡103之間的間隙之 間具有一定程度的光能量分布,如圖4中所示。在圖4中上半部分坐標(biāo)示意 圖中,在lpm的間隙處垂直映射到光阻劑上的平行光線的曝光光強在閾值 光強之下,因此在顯影后光阻劑會有殘留(如圖4中上半部分坐標(biāo)示意圖中, 在橫軸上具有模糊區(qū)域的光阻劑殘留)。在圖4中下半部分坐標(biāo)示意圖中, 采用5: l倍率的圖形精縮棱鏡500,第二反射光線經(jīng)過該5: l倍率的圖形 精縮棱鏡500,不會曝光的模糊區(qū)域?qū)挾茸優(yōu)樵瓉淼?/5,即0.2|iim,此時垂 直映射到光阻劑800上表面的曝光光強在閾值光強值之上,因此顯影后光阻 劑不會有殘留,這樣即可以形成連續(xù)的被蝕刻掉的薄膜區(qū)域。
以上結(jié)合圖2、圖3和圖4詳細描述了圖形精縮棱鏡500的工作原理。 本領(lǐng)域技術(shù)人員可以意識到,如果不期望高精度地調(diào)節(jié)光阻劑的上表面的曝 光圖像面積,或者基于成本節(jié)約等其它因素考量,可以去除圖形精縮棱鏡 500。此時,可以直接將第二反射光線投射到位于薄膜700上的光阻劑800 的上表面以形成曝光圖像。
基于上述分析,本發(fā)明實施方式還提出了一種曝光方法。
圖5為本發(fā)明一實施方式的曝光方法流程示意圖。
如圖5所示,該方法包括
步驟501:光源發(fā)出的光線入射到弧形反射鏡,經(jīng)第一次反射形成第一 反射光線;
步驟502:第一反射光線經(jīng)過聚光鏡后形成平行光線再入射到微反射鏡 裝置;
步驟503:微反射鏡裝置經(jīng)第二次反射形成第二反射光線,將第二反射光線投射到位于基板上的薄膜上的光阻劑的上表面,并通過調(diào)節(jié)微反射鏡裝 置針對第二反射光線的反射角控制光阻劑的上表面的曝光圖像形狀。
在該方法中,可以進一 步利用圖形精縮棱鏡將微反射鏡裝置反射的第二 反射光線投射到位于基板上的薄膜上的光阻劑的上表面,并根據(jù)縮放比例調(diào) 節(jié)光阻劑的上表面的曝光圖像面積。優(yōu)選的,可以通過調(diào)節(jié)基板上的光阻劑 與圖形精縮棱鏡之間的距離來控制具體的縮》丈比例。
在該方法中,還可以進一步包括,利用與弧形反射鏡、聚光鏡以及微反 射鏡裝置的幾何中心在同 一直線上的光闌,調(diào)節(jié)第 一反射光線的寬度。
本發(fā)明雖然以較佳實施方式公開如上,但其并不是用來限定本發(fā)明,任 何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),都可以做出可能的變動 和修改,因此本發(fā)明的保護范圍應(yīng)當(dāng)以本發(fā)明權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1、一種曝光系統(tǒng)(10),其特征在于,包括微反射鏡裝置(100)、弧形反射鏡(200)、光源(300)、聚光鏡(400)和基板(600),所述基板(600)上依次有薄膜(700)和光阻劑(800),所述弧形反射鏡(200)、聚光鏡(400)以及微反射鏡裝置(100)的幾何中心在同一直線上;所述光源(300)發(fā)出的光線入射到所述弧形反射鏡(200),經(jīng)第一次反射形成第一反射光線,所述第一反射光線經(jīng)過聚光鏡(400)形成平行光線入射到所述微反射鏡裝置(100),經(jīng)第二次反射形成第二反射光線,所述第二反射光線投射到位于所述薄膜(700)上的光阻劑(800)的上表面,通過調(diào)節(jié)所述微反射鏡裝置(100)的反射角控制所述光阻劑(800)的上表面的曝光圖像形狀。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光系統(tǒng)(10),其特征在于,進一步在所述微 反射鏡裝置(100)和基板(600)之間包括圖形精縮棱鏡(500),用于將所述 微反射鏡裝置(100)反射的第二反射光線投射到位于所述基板(600)上的薄 膜(700 )上的光阻劑(800 )的上表面,并根據(jù)縮放比例調(diào)節(jié)所述光阻劑(800 ) 的上表面的曝光圖像面積。
3、 根據(jù)權(quán)利要求l或2所述的曝光系統(tǒng)(10),其特征在于,所述微反射 鏡裝置(100 )包括基底(101 )、復(fù)數(shù)個支撐部(102 )、復(fù)數(shù)個微反射鏡(103 ) 以及至少兩個電極,所述支撐部(102)通過扭臂梁鉸鏈固定微反射鏡(103), 該至少兩個電極通過輸入電壓信號產(chǎn)生靜電場以控制所述支撐部(102)的運動, 從而控制固定在所述支撐部(102)上的微反射鏡(103)轉(zhuǎn)動。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的曝光系統(tǒng)(10),其特征在于,所述復(fù)數(shù)個孩t反 射鏡(103 )可以相對于基底(101)逆時針旋轉(zhuǎn)10°或順時針旋轉(zhuǎn)10° 。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的曝光系統(tǒng)(10),其特征在于,進一步包括 與所述弧形反射鏡(200)、聚光鏡(400)以及微反射鏡裝置(100)的幾何中 心在同一直線上的光闌(900),用于調(diào)節(jié)所述第一反射光線的寬度。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的曝光系統(tǒng)(10),其特征在于,所述圖形精縮棱鏡(500)為凸透鏡。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的曝光系統(tǒng)(10),其特征在于,所述基板(600) 上的光阻劑(800)與圖形精縮棱鏡(500)的距離,為該圖形精縮棱鏡(500) 焦距的1.2倍。
8、 一種曝光方法,其特征在于,包括光源發(fā)出的光線入射到弧形反射鏡,經(jīng)第一次反射形成第一反射光線; 所述第一反射光線經(jīng)過聚光鏡后形成平行光線再入射到微反射鏡裝置; 所述微反射鏡裝置經(jīng)第二次反射形成第二反射光線,將所述第二反射光線 才殳射到位于基板上的薄膜上的光阻劑的上表面,并通過調(diào)節(jié)所述纟敖反射鏡裝置 針對所述第二反射光線的反射角控制所述光阻劑的上表面的曝光圖像形狀。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的曝光方法,其特征在于,該方法進一步包括利用圖形精縮棱鏡將所述微反射鏡裝置反射的所述第二反射光線投射到位 于所述基板上的薄膜上的光阻劑的上表面,并根據(jù)縮放比例調(diào)節(jié)所述光阻劑的 上表面的曝光圖像面積。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的曝光方法,其特征在于,通過調(diào)節(jié)所述基板上 的光阻劑與圖形精縮棱鏡之間的距離控制所述縮放比例。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種曝光系統(tǒng)(10),包括微反射鏡裝置(100)、弧形反射鏡(200)、光源(300)、聚光鏡(400)和基板(600),基板(600)上依次有薄膜(700)和光阻劑(800),光源(300)發(fā)出的光線入射到弧形反射鏡(200),經(jīng)第一次反射形成第一反射光線,第一反射光線經(jīng)過聚光鏡(400)形成平行光線入射到微反射鏡裝置(100),經(jīng)第二次反射形成第二反射光線,第二反射光線投射到位于薄膜(700)上的光阻劑(800)的上表面,通過調(diào)節(jié)微反射鏡裝置(100)的復(fù)數(shù)個微反射鏡(103)的反射角可以控制光阻劑(800)的上表面的曝光圖像形狀。本發(fā)明還公開了一種曝光方法。
文檔編號G03F7/20GK101551600SQ20091013595
公開日2009年10月7日 申請日期2009年5月5日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月5日
發(fā)明者崔宏青, 鐘德鎮(zhèn) 申請人:昆山龍騰光電有限公司