專利名稱：用于處理用于半導(dǎo)體基底的運送和大氣下儲存的運輸支撐件的方法,以及用于實施這種 ...的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于處理用于基底的運送和大氣下儲存的運輸支撐件的方法，例如用于半導(dǎo)體晶片或分劃板的運輸盒，該運輸支撐件可能已經(jīng)經(jīng)歷了之前的使用液體的清 潔過程，例如用純水清洗。本發(fā)明還包括用于實施這種方法的處理站。
背景技術(shù)：
運輸和儲存盒(pods)形成在大氣壓力下的與基底運輸和使用環(huán)境分開的受限制 空間，用于一個或更多基底的運輸和儲存。在半導(dǎo)體制造工業(yè)，這些盒被用于運輸基底，例如半導(dǎo)體晶片或分劃板，將其從一 個設(shè)備運輸?shù)搅硪粋€上，或者在兩個制造階段之間儲存基底。區(qū)別尤其是存在于用于運輸和儲存晶片的前方開口一體盒(FOUP)和用于運輸和 儲存分劃板(reticles)的分劃板SMIF盒(RSP)、底部開口標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械界面盒(SMIF盒)、“開 匣”盒、以及用于運輸用于太陽能工業(yè)的基底的盒之間。這些運輸盒由諸如聚碳酸酯這樣的材料制造，在某些情況下，可能使污染物集中， 尤其是有機(jī)的、基的、胺、酸和摻雜性污染物(AMC)，這可能是來自運輸盒的制造及/或它們 的使用。此外，在半導(dǎo)體制造過程中，運輸盒被操作，這引起污染顆粒的形成，而污染顆粒 停留在運輸盒的壁上，因而污染壁。附著在運輸盒的壁上的顆粒隨后會變松，落在儲存在這 些盒中的基底上并損壞基底。因此計劃經(jīng)常性清潔這些盒，用諸如去離子水沖洗盒。這個清洗階段持續(xù)5到7 分鐘之間，隨之而來是更長時間的干燥階段(在5至8小時之間)，包括例如其中運輸盒被 由紅外輻射加熱的熱空氣的對流加熱以及被離心的階段，跟著的是其中將運輸盒留在露天 的階段。殘余的清潔流體，尤其是水蒸汽是主要的需要除去的污染物。干燥階段的缺點是它不足夠有效。用于通過對流以進(jìn)行加熱的空氣的溫度被限制到50°C，因為需要避免損壞制造運 輸盒的材料以及避免它變形而導(dǎo)致它不適于自動機(jī)器使用。結(jié)果這樣的溫度太低而無法去 除所有殘余液體。同樣地，被離心的運輸盒的旋轉(zhuǎn)速度受到限制以致不產(chǎn)生新的污染顆粒。結(jié)果殘留的水仍被截留在盒的壁中。還注意到干燥是不一致的。運輸盒具有復(fù)雜的幾何結(jié)構(gòu)，包括許多死區(qū)，這些死區(qū)難以接近并且捕捉濕氣以 及其他外來物質(zhì)。此外，運輸盒不是全部來自相同的制造過程，并且某些盒可能比其他盒需要在露天中干燥更長時間。而且，某些盒壁是新的，而其他盒壁則已經(jīng)被經(jīng)常處理并且呈現(xiàn)出更多孔的表面。即使長時間在露天中，某些運輸盒仍殘留濕氣。此外，在露天中干燥要求運輸盒幾個小時都不動。平均來說，讓盒的壁的退吸作用 流達(dá)到足夠低和可接受的水平，需要5到8個小時。制造商因此規(guī)劃安裝大的干燥室，其中儲存運輸盒，同時等待盒完全干燥。同樣地，要求大的運輸盒隊(fleet)。這些清潔室的安裝和后勤管理，其中清潔度、空氣的溫度、濕度和壓力必須被時不 時地調(diào)整，構(gòu)成主要的且昂貴的投資。此外，日益苛刻的污染標(biāo)準(zhǔn)迫使制造商提高對運輸盒的清潔頻率，因此進(jìn)一步增 大對儲存它們同時等待干燥階段結(jié)束所需要的空間。因此，需要確保更有效且更快地清潔例如運輸盒等運輸支撐件。一個困難是制造運輸支撐件的材料通常是多孔的，容易包含需要被去除或阻塞的 外來物質(zhì)。另一個困難是運輸支撐件不支撐接觸清潔，這會冒著產(chǎn)生污染顆粒的風(fēng)險。考慮了微波輻射加熱殘余濕氣以及幫助除去它的可能性。然而，該方法不能與新 一代運輸盒一起使用，因為其包括不能被接地的射頻波識別裝置和金屬元件。另一個限制是運輸支撐件的表面污染必須是最小的一般運輸支撐件的內(nèi)表面一 定不能包含任何大于65nm的顆粒，它一定不能包含任何濕氣，并且它一定不能包含干擾電 荷。

發(fā)明內(nèi)容
因而本發(fā)明的目的是提出一種用于運輸支撐件的方法和處理站，其在相當(dāng)程度上 改善和加速外來物質(zhì)的移除，尤其是分子污染化合物(AMC，V0C)及/或清洗階段后的濕氣， 用于減小它們的不動時間并且保證運輸支撐件的壁有令人滿意的清潔度。實際上，本發(fā)明目的在于保證處理在十分鐘以內(nèi)，不會降低運輸支撐件的品質(zhì)或 者使運輸支撐件變形，并且不會產(chǎn)生干擾靜電電荷。為此，本發(fā)明提出一種處理用于基底的運送和儲存的運輸支撐件的方法，包括處 理階段，在該階段期間，運輸支撐件上的待處理的表面受到低于大氣壓的氣態(tài)壓力和紅外 輻射的結(jié)合作用，以從所述待處理的表面去除外來物質(zhì)。由于作用在所述待處理的表面的低于大氣壓的氣態(tài)壓力和紅外輻射的這種結(jié)合 作用，外來物質(zhì)的移除特別地快速和完整，提供一種在要求時間(換句話說，在10分鐘)內(nèi) 具有清潔的運輸支撐件的意想不到的方式，并且不會使運輸支撐件降級或變形。為了實現(xiàn)讓處理時間盡可能短，大約在10分鐘內(nèi)，目的是盡可能大地減小所述待 處理地表面所受到的氣態(tài)壓力。然而，太低的壓力加速蒸發(fā)并且同時降低液體的溫度，并且 避免要被除去的液體外來物的凝固是重要的，因為這種凝固會在相當(dāng)程度上延長用于去除 這些外力物體的時間，并且使其幾乎不可能檢測出處理過程的結(jié)束，意味著得到的清潔質(zhì) 量是不令人滿意的。為了避免這種不合時宜的凝固，在本發(fā)明的方法期間，可以有利地保證低于大氣壓的壓力保持為大于要被除去的液體外來物質(zhì)的相圖的三態(tài)點的壓力。同時，所關(guān)心的是，提高紅外輻射的效率以便將要去除的外來物質(zhì)置于足夠高的溫度下以避免它們的固化，同時保持該溫度在可允許的溫度界限以下，超出所述溫度界限 運輸支撐件可能被降級，例如變形使得它不適于利用機(jī)器人，或者例如材料的結(jié)構(gòu)改變使 其多孔而易受污染。由于這個原因，優(yōu)選紅外輻射應(yīng)具有最大強(qiáng)度在要去除的外來物質(zhì)的吸收波長附 近的發(fā)射光譜。優(yōu)選地，紅外輻射可以是間歇輻射，其包括初始的連續(xù)階段將所述待處理的表面 設(shè)定到適當(dāng)溫度。因而該輻射優(yōu)選作用到要被除去的水基外來物質(zhì)上，該初始階段被用于 加速所述設(shè)定到適當(dāng)溫度這一過程，因而在相當(dāng)程度上減少處理時間。此外，這用于分開地 控制紅外發(fā)射光譜以及待處理的表面的溫度。實際上，為了進(jìn)行間歇輻射，有利的是測量測試溫度，其表示待處理的表面的溫 度，并且可以根據(jù)所述測試溫度控制紅外輻射，以使保持待處理表面的所述溫度在低于最 大可允許溫度閾值的溫度設(shè)定附近。由此，允許盡可能地接近最大可允許溫度，因而減少處 理時間。同樣為了減少處理時間的目的，盡可能地將壓力設(shè)定低，低于大氣壓的氣態(tài)壓力 能有利地被測量以及與壓力設(shè)定相比較，以便根據(jù)比較結(jié)果控制調(diào)整壓力的手段，例如抽 吸速度、抽吸傳導(dǎo)率、氣態(tài)流注入傳導(dǎo)率，以便使所述低于大氣壓氣態(tài)壓力到壓力設(shè)定附近 并將其保持在該水平上。如前面所指出的那樣，除去外來物質(zhì)的一個困難在于運輸支撐件的復(fù)雜形狀。這 個復(fù)雜形狀包括陷阱區(qū)域或凹陷，外來物質(zhì)會積聚在其中并因而難以去除。從這些凹陷除去外來物質(zhì)的時間可以通過允許局部化的氣態(tài)流被注入到接近待 處理的表面上的外來物質(zhì)被俘獲的至少一個區(qū)域處的階段而被進(jìn)一步減少。局部化的氣態(tài) 流有助于該陷阱區(qū)域的污染元素的去除，在相當(dāng)程度上減少了處理時間。所用的氣體例如 可以是氮或氦，氦更為有效并且允許進(jìn)一步縮短處理時間。在處理過程結(jié)束處，可以有利地包括調(diào)節(jié)階段，在該階段期間，待處理的表面受到 溫度至環(huán)境溫度左右的逐步下降以及同時隨著清潔氣流的注入受到氣態(tài)壓力的至大氣壓 力的逐步上升，清潔氣流沒有要被除去的外來物質(zhì)。在該階段期間使用清潔氣流，以使待處理表面區(qū)域被清潔氣體分子飽和，于是在 壓力上升以及冷卻過程中，通過海綿效應(yīng)避免待處理表面被環(huán)境大氣再次污染。清潔氣流應(yīng)該有利地選擇為處于足夠低的速度，例如在大約大氣壓力下低于 0. 4m/s，但是廣泛分布以允許較高的流動速率，從而避免產(chǎn)生干擾靜電電荷以及夾帶污染 性顆粒。有了這樣的相當(dāng)多但是低速的氣態(tài)流，蒸汽相(steam phase)被抽空到接近液狀 殘渣，因而改變液_汽平衡，由此加速了處理。因為經(jīng)濟(jì)和安全的原因，在低于大氣壓的過程的結(jié)束處，優(yōu)選使用氮或空氣。根據(jù)有利的實施例，能夠測量參數(shù)，該參數(shù)表示外來物質(zhì)從待處理的表面上移除， 并且一旦該代表性參數(shù)到達(dá)參照值則中斷處理。以這種方式，適應(yīng)所述處理到由傳輸支撐件在處理之前表現(xiàn)的實際情況，可以確保有效處理。例如，代表性參數(shù)可以是運輸支撐件的重量，或者在真空泵的出口處的AMC或濕 度的量，或者在密封的室中的氣態(tài)壓力。根據(jù)另一方面，本發(fā)明計劃一種用于基底的運送和儲存的運輸支撐件處理站，包 括
-密封室，用于連接到抽吸裝置并適于接受帶有待處理表面的至少一個運輸支撐 件，-至少一個紅外輻射源，適合用于讓所述待處理表面經(jīng)受紅外輻射，-控制裝置，適于將抽吸裝置以及用于讓所述待處理表面經(jīng)受紅外輻射的紅外輻 射源控制成為低于大氣壓力的氣態(tài)壓力和紅外輻射的結(jié)合作用。這樣的站被用來實施上面限定的方法，以及獲得非常短的處理時間和有效的處理。優(yōu)選地，處理站應(yīng)包含至少一個溫度傳感器，放置在密封室中，并適于測量代表待 處理的表面的溫度的測試溫度。因此，可以一直知道待處理表面的溫度，并且如果需要的話，記住該溫度以保證沒 有降級。實際上，根據(jù)一個特定實施例，溫度傳感器包含測試層，其由類似于構(gòu)成待處理的 運輸支撐件的材料制成，并且是低厚度的，其一個表面受到所述紅外輻射，而其相對的表面 與溫度探針接觸。這樣，溫度傳感器能存在于密封室中，在用于插入或移除運輸支撐件在密封室的 階段期間，溫度傳感器不需要移動或者被裝設(shè)電線。在原理上，測試層的溫度與待處理的表面的溫度非常相似，由于測試層的低厚度， 溫度探針能測量與待處理表面的溫度非常接近的溫度。優(yōu)選地，控制裝置應(yīng)該包括紅外控制程序，其檢查由溫度傳感器產(chǎn)生的溫度數(shù)據(jù)， 當(dāng)由溫度傳感器測得的溫度比起溫度設(shè)定(temperaturesetting)被降低超過預(yù)定差時， 溫度設(shè)定自身溫度低于最大可允許溫度閾值，該程序觸發(fā)紅外輻射源的電源，并且當(dāng)溫度 傳感器測得的溫度超出所述溫度設(shè)定大于預(yù)定差時，該程序中斷紅外輻射的電源。這樣，處理站被用于保持溫度盡可能接近最大可允許溫度閾值，以進(jìn)一步減少處 理時間。有益的是，紅外輻射源能夠基本照射在包含要被除去的外來物質(zhì)的待處理表面區(qū) 域上，尤其是凹陷區(qū)域和其他陷阱區(qū)域。因此實際上，紅外輻射源可以包括至少一個源部分，其適合被插入到盒形式的運 輸支撐件內(nèi)。處理時間因而被縮短。為了也減少處理時間，初始?xì)怏w注入裝置也能有利地被設(shè)計成將第一局部化的氣 體流注入到待處理表面的附近。相反地，在再加壓期間，優(yōu)選地讓被注入的氣體以低速產(chǎn)生分布的流。然后第二氣 體注入裝置可以有利地設(shè)計成將清潔氣體流注入到密封室中，與待處理的表面分開。根據(jù)一個有利的實施例，處理站可包括裝置，該裝置用于測量代表外來物質(zhì)從待 處理的表面上的移除的參數(shù)，并且可以設(shè)計讓控制裝置適于在所述代表性參數(shù)到達(dá)參照值時中斷該處理。實際上，處理站可以包括至少一個電子秤，其位置使得能測量至少一個運輸支撐 件的重量并產(chǎn)生重量信號，以及處理該重量信號以從該重量信號推論出處理階段的結(jié)束的
直ο該秤可包含電反饋電路，其包含放置在永久磁鐵的磁場中的至少一個補(bǔ)償繞組以 便能在運輸支撐件對所述秤施加力時產(chǎn)生電磁補(bǔ)償。作為另一個選擇，處理站可以有利地包含在抽吸裝置的真空泵的出口處的濕度及 /或AMC傳感器，及/或密封室的壓力計。處理站可以具有其他特征，可以單獨或結(jié)合采用這些特征，尤其是-放置在室的開口的周界上的墊圈，與室的關(guān)閉蓋相對，并且包括適于壓縮該墊圈 在室的關(guān)閉位置上的至少一個汽缸；-用于衰減振動的裝置，放置在所述站的框架的下側(cè)面和所述底邊之間；-用于氣體種類的控制裝置，包括連接到該室的衍生的激發(fā)單元(derived excitation cell)并包括適合用于在所述單元內(nèi)形成等離子體的電磁激發(fā)天線。處理站還能被連接到用于使用液體清潔運輸支撐件的設(shè)備，其包括將運輸支撐件 從所述清潔設(shè)備運送到所述處理站的裝置。本發(fā)明也適用于包含真空泵和至少一個如前所述的處理站的處理設(shè)備。


結(jié)合附圖，在閱讀本發(fā)明的描述后，其他優(yōu)點和特征會變得顯而易見，在附圖中圖1為流程圖，示出根據(jù)本發(fā)明一個實施例的方法的不同階段；圖2為根據(jù)本發(fā)明一個實施例在打開位置中的處理站的透視側(cè)視圖；圖3呈現(xiàn)的是圖2中的處理站的概觀圖示；圖4呈現(xiàn)的是根據(jù)放置在真空中的時刻，運輸支撐件的測得的重量的進(jìn)展圖；圖5示出水的相圖；圖6示出用水吸收紅外輻射的曲線；圖7、8和9分別地以前視圖、后視圖和橫截面?zhèn)纫晥D示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施 例的溫度傳感器；圖10示出形成圖7到9的溫度傳感器的操作的圖示；和圖11示出圖解說明在該方法中紅外輻射、溫度和壓力的變化的時間圖。
具體實施例方式在這些所附的圖示中，賦予相同的元件以相同的附圖標(biāo)記。為了清楚起見，該方法的階段從100開始被編號，而站的元件從1到60被編號。圖1示出對用于基底的運送和儲存的運輸支撐件的處理方法(在虛線的矩形100 內(nèi))。該方法適用于運輸支撐件1，如圖2所示，支撐件可以例如已經(jīng)經(jīng)歷過使用液體的 諸如圖1中所示的階段101用去離子水清洗人清潔過程。運輸支撐件1是用于運送和在大氣下儲存諸如半導(dǎo)體晶片、分劃板、用于太陽能工業(yè)中的薄膜的基底的裝置。例如，運輸支撐件1是運輸盒的殼體2、盒門3及/或運輸盒本身。運輸盒可以特 別是F0UP類型的一體的運輸盒、SMIF盒、RSP或者“開匣”，或者用于太陽能傳感器的基底 的運輸盒。根據(jù)本發(fā)明的方法特征在于它包括處理階段，在圖3和圖10中示出，在該階段中， 運輸支撐件1被放在連接到真空泵5上的密封室4中(階段102)，運輸支撐件1的待處理 的表面la受到通過真空泵5 (階段103)的低于大氣壓力的氣態(tài)壓力PSA和紅外輻射IR的
結(jié)合作用。壁的處理允許僅在大約10分鐘后就干燥到令人滿意的水平而且使這些壁的脫氣 (degassing)最優(yōu)化。運輸支撐件1的處理目的在于通過干燥和解吸附(desorption)去除液體殘余以 及蒸汽形式的那些物質(zhì)，并且有時甚至是某些固體殘渣，尤其是諸如水的清潔劑。另外觀察到該方法被用于獲得運輸支撐件，對于該方法，可以從一個支撐件到另 一個支撐件上完全再現(xiàn)解吸附流水平以及因此的干燥水平，而不會如現(xiàn)有技術(shù)的方法那樣。在現(xiàn)有技術(shù)的干燥方法中，首先，水汽殘余會殘留嵌入在運輸支撐件1的死區(qū)，并 且其次，脫氣水平取決于運輸支撐件的歷史。本方法的再現(xiàn)性因此用于保證在接著液體清潔后在相同的處理方法后，運輸支撐 件1具有相同水平的清潔度。例如，運輸支撐件1受到前級真空，其中所述低于大氣壓力的壓力(pressure subatmospheric)PSA低于1000毫巴，優(yōu)選在100毫巴左右或10毫巴左右，并且觀察到所述 低于大氣壓力的壓力PSA保持大于要被除去的外來物質(zhì)的相圖的三相點的壓力PT。例如， 在水作為上述要被去除的外來物質(zhì)的情況中，三相點的壓力PT是6毫巴(見圖5)。為了去除運輸支撐件1的壁的脫氣流到更低的水平，在去除待處理的表面la上的 諸如水的液體外來物質(zhì)以后，運輸支撐件1可以經(jīng)受次級真空，其中所述低于大氣壓力的 壓力低于0. 1毫巴，并且優(yōu)選地在0. 001毫巴左右。因此可以設(shè)計成，例如開始使運輸支撐件1經(jīng)受前級抽吸，然后，當(dāng)達(dá)到要求的干 燥水平時，切換到次級抽吸。根據(jù)該方法，運輸支撐件1被紅外輻射IR加熱，而運輸支撐件1經(jīng)受低于大氣壓 力的壓力PSA。運輸支撐件1被紅外輻射IR加熱到預(yù)定溫度。通過測量運輸支撐件1材料的溫度TM控制從輻射IR發(fā)出的能量，以避免超出運 輸支撐件1材料的最大可允許溫度TA。圖11示出對于紅外加熱過程的優(yōu)選實施例。在這種情況中，紅外輻射IR是間歇 的。它有利地包含將待處理的表面la設(shè)定到適當(dāng)?shù)臏囟鹊倪B續(xù)的初始階段E1。然后，紅外 輻射IR被交替地切斷并且恢復(fù)令人滿意的持續(xù)時間，以保持材料的溫度TM在溫度設(shè)定TC 附近。同時，在控制紅外輻射產(chǎn)生裝置的波長頻譜的時候，允許間歇的紅外輻射可允許待處 理的表面la的溫度受到控制。在其中紅外發(fā)射是連續(xù)的初始階段E1期間，材料的溫度TM快速地上升直到達(dá)到溫度設(shè)定Tc。然后溫度TM被保持在溫度設(shè)定TC附近，溫度設(shè)定TC自身低于最大可允許溫 度閾值TA。實際上，表示待處理表面Ia的溫度TM的測試溫度被測量，并根據(jù)所述測試溫度控 制紅外輻射IR 當(dāng)溫度TM超過溫度設(shè)定TC預(yù)定差時，例如1度，中斷該紅外輻射IR。然 后，當(dāng)溫度TM下降到低于溫度設(shè)定TC預(yù)定差時，例如1度，恢復(fù)紅外輻射。結(jié)果是在圖11 的時間圖中所示的溫度TM曲線。此外，紅外輻射IR波長發(fā)射譜線以使得加熱發(fā)生在所述表面上并且在運輸支撐 件1的材料內(nèi)在第一層中的方式被選擇，并且優(yōu)選地發(fā)生在要被除去的液體外來物質(zhì)上。 因此，大約3 μ m的波長對移除水是有利的。也可以選擇讓紅外輻射作用在兩個或更多不同波長上，這些波長易于被兩種或更 多類型的要被除去的元素選擇性地吸收。實際上，該紅外輻射IR可以有利地具有發(fā)射光譜，該發(fā)射光譜的最大強(qiáng)度在要被 除去的外來物質(zhì)的吸收波長附近。溫度設(shè)定TC有利地大于環(huán)境溫度，優(yōu)選在50°C左右。低于大氣壓力的壓力PSA盡可能低是必要的，但是一直地保持高于要被去除的物 質(zhì)的三相點的壓力PT，否則，要被去除的液體物質(zhì)可能凝固，并且它們的去除可能變得非常 緩慢。為此原因，氣態(tài)壓力PSA可以有利地在密封室4內(nèi)被測量并與壓力設(shè)定PC相比較，以 根據(jù)比較結(jié)果控制諸如抽吸速度、抽吸傳導(dǎo)率46、氣態(tài)流注入傳導(dǎo)率18的調(diào)整壓力措施， 以便讓所述低于大氣壓力的壓力PSA在壓力設(shè)定PC附近并且保持其在該水平。已經(jīng)注意到，通過注射被局部化的氣態(tài)流47靠近在運輸支撐件1的待處理表面 Ia上的對外來物質(zhì)的陷阱區(qū)域，在處理中可以獲得相當(dāng)程度的加速。這種局部化的氣態(tài)流 47 (圖10)有利于在待處理表面Ia附近中的分子和顆粒的夾帶。優(yōu)選地，返回到環(huán)境溫度和大氣壓力附近發(fā)生，保持運輸支撐件1在密封室4內(nèi)， 因為冷卻有利于清潔氣體的吸收，而清潔氣體能被用于將密封室4設(shè)定到大氣壓力并且使 待處理表面Ia鈍化。實際上，可以有利地設(shè)計調(diào)節(jié)階段EC(圖11)，在調(diào)節(jié)階段中，在注入沒有要被除 去的外來物質(zhì)的清潔氣體流48的情況下，待處理表面Ia受到氣態(tài)壓力PAS的逐漸升高至 大約大氣壓力Pa附近，以及受到溫度TM的下降至大約環(huán)境溫度Ta。清潔氣體流48 (圖10) 不是局部化的，換句話說，它必須分布在密封室4中。清潔氣體流48被選擇為處于足夠低 的速度下并且廣泛分布以允許高的流動速率，并且避免產(chǎn)生干擾靜電電荷以及污染顆粒在 待處理表面Ia上的夾帶。對于優(yōu)選經(jīng)歷過同樣的在前清洗階段的相同類型的盒，可以假定處理所需要的時 間是大致相同的。在這種情況中，在所述類型的運輸支撐件1的預(yù)定持續(xù)時間特征以后，可 以中斷處理，從這以后，運輸支撐件1受到低于大氣壓力的壓力。根據(jù)在圖1的流程圖上示出的一個有利的變型測量參數(shù)，該參數(shù)是外來物質(zhì)從運 輸支撐件1的待處理表面Ia上去除(階段104)的特征，該參數(shù)的進(jìn)展與參照物相比較(階 段105)，換句話說，該參照物是參照值或參照曲線，其考慮了運輸支撐件1的類型。參照物是運輸支撐件的令人滿意的解吸附水平的特征，并且因此是干燥的特征， 當(dāng)該代表性參數(shù)到達(dá)參照值時，可以中斷處理。
每種類型的運輸支撐件1可以通過一組物理參數(shù)例如尺寸、材料、結(jié)構(gòu)和幾何形狀而被辨別。特別是，有一體類型的盒，例如FOUP型盒、SMIF盒、RSP或“開匣”型盒，或者 用于太陽能傳感器的基底的運輸盒。一旦測得的參數(shù)等于或小于參照值，在密封室4中的壓力然后可以被計劃成盡可 能快地增加到大氣壓力。大氣壓力Pa是運輸支撐件1在它們的使用環(huán)境下的壓力，例如清潔室的大氣壓。當(dāng)測得參數(shù)等于或低于參照值時，解吸附流水平已經(jīng)達(dá)到足夠低的水平。在這種情況中，可以進(jìn)行選擇，或者增大密封室4中的壓力并移出運輸支撐件 1 (階段106)，或者將運輸支撐件1儲存在真空中從而在等待或者被再使用或者釋放密封室 4的空間(階段107)的時候繼續(xù)解吸附它的壁。根據(jù)一種可能性，該特征參數(shù)是在密封室4中的氣體的全部壓力或部分壓力。對抽吸的限制真空狀態(tài)中的全部壓力的測量是密封室4中的被解吸附流的指示 器，主要地來自待處理的運輸支撐件1的脫氣。這種測量方法對于高氣流(大約幾個sccm)是非常有效的。然而，當(dāng)解吸附流較 低時(小于幾個sccm)，這種測量技術(shù)可能缺乏準(zhǔn)確性。此外，當(dāng)氣態(tài)流47被注入到密封室4中，解吸附流的信號可能被注入流的信號淹 沒。對于該方法，也可以包括額外的凈化階段，該凈化階段包括凈化氣體填充操作， 在該填充操作期間，凈化氣體被引入到密封室4 ；以及凈化氣體抽吸操作，在該抽吸操作期 間，凈化氣體和初始?xì)怏w的混合物通過抽吸從密封室4中抽出。根據(jù)另一種可能性，該特征參數(shù)是運輸支撐件1的測得重量。該重量值隨著外來物質(zhì)的去除以及運輸支撐件1的壁的被脫氣流而變化。該測量優(yōu)選地可以從真空泵5的穩(wěn)態(tài)開始，以避免由于例如運輸支撐件1所經(jīng)歷 的浮力以及在密封室4中的流移動而導(dǎo)致的對測量的干擾。圖4為其中縱坐標(biāo)上給定以克為單位的重量P，而橫坐標(biāo)上給定以小時、分鐘和秒 為單位的時間T的圖示。曲線150表示根據(jù)當(dāng)密封室4被放置在真空中時的時間測得的運 輸支撐件1的重量。應(yīng)注意到支撐件1的重量隨著時間的增加而減小。運輸支撐件1的壁在真空中脫 氣。因此，重量測量是運輸支撐件1的處理水平的良好的指示器。根據(jù)另一種可能性，參照物可以是在真空泵5的出口處的濕度或AMC的量。有利地，參照物可以是該特征參數(shù)的預(yù)定義的時間變化。因而，當(dāng)壓力或者測得的重量的時間變化變得太低時，根據(jù)時間的解吸附流可能 不再是足夠高以證明應(yīng)當(dāng)將運輸支撐件1保持在真空中。備選地，參照物可以是預(yù)定義的閾值數(shù)值。為了說明根據(jù)本發(fā)明的處理方法的有效性，對放置在密封室4中并且經(jīng)受了本發(fā) 明的不同作用的樣品進(jìn)行了測試。在所有情況中，在樣品上使用了紅外輻射IR。在兩種情況中比較處理的速度，第一種情況是在大氣壓力下而第二種情況是在接 近水的三相點壓力下(10毫巴)在接近三相點的壓力下的情況種速度的增加是67%。
通過比較導(dǎo)致冰形成的過渡低壓(6毫巴)以及在整個干燥時間內(nèi)保證不會形成任何冰的正確壓力(6. 7毫巴)，也測試了正確維持壓力的重要性。速度上的增加是57%。 對于相同壓力50毫巴，然后研究了插入氣態(tài)流以保證維持該壓力的效果。與沒有氣態(tài)流的 處理相比，插入氣態(tài)流允許速度增加13%。然后研究了待處理的表面Ia相對于插入的氣態(tài)流的位置的效果。發(fā)現(xiàn)，通過設(shè)置 待處理的表面Ia的位置在注入氣態(tài)流的路徑中，可以在速度上得到19%的增益。也研究了被注入的氣體的性質(zhì)的效果。使用氦，與注入氮相比，在相同的條件下在 速度上得到22%的增加。此外，在FOUP型運輸支撐件上進(jìn)行測試，測量在處理之后的運輸支撐件的殘余脫 氣a)在通過紅外輻射(50°C)在大氣壓力Pa下加熱一個小時以后，殘余脫氣為 2. 5sccm，b)在放置在真空中并且沒有額外加熱的情況下1小時以后，殘余脫氣為 0. 77sccm，c)在放置在真空中并且用紅外輻射(50°C )額外加熱一小時以后，殘余脫氣為 0. 6sccm0這表明真空和紅外輻射的結(jié)合的協(xié)同作用。根據(jù)本發(fā)明，如圖2所示，還設(shè)計了用于運輸支撐件1的處理站10，該支撐件用于 基底的運送和大氣下儲存，用于實施如前所述的處理方法。站10包含至少一個密封室4，優(yōu)選地安裝在框架7上。處理站10的密封室4被設(shè)計連接到抽吸裝置真空泵5上(見圖3)，并適于接受帶 有待處理表面的至少一個運輸支撐件1，例如用于基底的運輸盒。處理站10包含至少一個紅外輻射源49，適于使運輸支撐件1的待處理表面Ia經(jīng) 受紅外輻射IR。圖2示出接受4個FOUP型運輸盒的處理站10。根據(jù)第一變型，真空泵5是前級真空泵。備選地，真空泵5可以包含要被連接到前級真空泵上的管道以及在所述前級真空 泵的上游的該管道的分支，被設(shè)計以連接到次級泵上，以便在實施該處理方法時能夠從前 級抽吸切換到次級抽吸。密封室4優(yōu)選地是圓筒形的，并由不銹鋼制成以承受被放在真空中。它也包含開 口 9，開口可以被關(guān)閉蓋11阻塞，關(guān)閉蓋有利地安裝在鉸鏈13上(圖2)。關(guān)閉蓋11有利地在正面14上包含至少一個窗口 15，窗口由例如玻璃制成，允許操 作者檢查是否運輸支撐件1出現(xiàn)在里面。有利的是，窗口 15設(shè)計在每個運輸支撐件的高度。此外，關(guān)閉蓋11的正面14有利地包含塔狀物16，用于顯示處理站10的工作狀態(tài)， 以及顯示屏(無法看見)，該顯示屏連接到處理站10的CPU17(圖3)上。如在圖3和10中能看到的那樣，密封室4包含引入清潔氣體60的裝置，例如引入 干燥氮氣的裝置，以在處理運輸支撐件1以后將密封室4設(shè)定到大氣壓下。當(dāng)運輸支撐件1是運輸盒時，可以有利地被打開放置在密封室4中，以便當(dāng)將它放置在真空中時不會使盒的壁變形。為此，處理站10包含例如被設(shè)計支撐每個運輸支撐件1的擱架23、25。如圖2中能看到的那樣，處理站10優(yōu)選地包括第一系列擱架23，盒的外殼2放 置在所述第一系列擱架23上；和第二系列擱架25，相應(yīng)的門3放置在所述第二系列擱架25 上。有利的是，第二系列擱架25在關(guān)閉蓋11的內(nèi)部凹陷27中在垂直位置上支撐門3。第二系列擱架25的擱架還包含鎖定突起29以保持盒的門3位于它下方。為了限制尺寸以及簡化對運輸支撐件1的接近，處理站10被設(shè)計為適于在密封室 4的固定部分中接受支撐件1的大塊部分，以及在關(guān)閉蓋11的凹陷27中接受第二部分。密封室4還包含門墊板31，其放置在開口 9的周圍，以便當(dāng)關(guān)閉蓋11在關(guān)閉位置 (未示出)時密封該密封室4。也設(shè)計處理站10以包含至少一個汽缸33，優(yōu)選地是氣動的，安裝在密封室4的鉸 鏈13的關(guān)節(jié)上，以能夠壓迫門墊板31在密封室4的關(guān)閉位置。為了進(jìn)一步改善關(guān)閉蓋11在開口 9上的引導(dǎo)，設(shè)計了幾個汽缸33，其均勻地沿處 理站10的鉸鏈13的長度分布。優(yōu)選是三個汽缸33如圖2所示位于鉸鏈的三個關(guān)節(jié)上。為了保證均勻地壓迫門墊板31，還設(shè)計了至少一個引導(dǎo)件35，其由兩個部件構(gòu) 成，首先是銷37，優(yōu)選地連接到蓋11，和其次是對應(yīng)的孔，該孔被放置在密封室4的開口的 周界中，在門墊板31外面。優(yōu)選地應(yīng)該有與鉸鏈關(guān)節(jié)一樣多的引導(dǎo)件35，沿密封室4的開口 9的與包含鉸鏈 13的那一側(cè)相對的一側(cè)均勻地分布，并大致在和汽缸33相同的高度上。因此，當(dāng)關(guān)閉密封室4時，關(guān)閉蓋11首先被在密封室4的開口 9上的銷37引導(dǎo)和 確定中心。其次，一旦被放置到位，汽缸33的致動被用于將關(guān)閉蓋11扣牢在開口 9上，并因 而壓迫門墊板31，密封該室4。這種布局用于限制在門墊板31上在鉸鏈13位置中的剪切約束。備選地，設(shè)計成使關(guān)閉蓋11的至少兩個引導(dǎo)件35大致對稱地放在密封室4的開 口 9的邊緣上以在密封室4的開口 9上對中關(guān)閉蓋11。在該備選實施例中，還設(shè)計為使泵5的尺寸能夠簡單地通過放置密封室4在真空 中而壓迫門墊板31。在圖3和圖10中，處理站10還包括具有CPU17的控制裝置，其首先是設(shè)法使用抽 吸裝置將密封室4放置在低于大氣壓力的壓力下(PSA)，其次是控制紅外輻射源49。這樣， 處理站10適合使待處理表面Ia經(jīng)受低于大氣壓力的氣態(tài)壓力和紅外輻射IR的結(jié)合作用。對于紅外輻射源49的控制，如圖10中所示，有利的是有至少一個溫度傳感器50， 其放置在密封室4中并適用于測量代表待處理表面Ia的溫度TM的測試溫度。溫度傳感器 50被連接到密封室4，并被放置在以和待處理表面Ia相似的方式接受來自輻射源49的紅 外輻射IR的區(qū)域中。確保紅外輻射IR的作用在溫度傳感器50上產(chǎn)生的溫度的上升與待 處理表面Ia所經(jīng)歷的相似。實際上，可以如在圖7到9中所示地制造溫度傳感器50 溫度傳感器可以是基本平面平行的板，其材料與制造待處理的運輸支撐件1的材料相似，例如加碳PEEK，大約60mm 長、約20mm寬、約8mm厚，具有定位孔51和52，用于將溫度傳感器連接到密封室4的壁，并 且具有用于插入溫度探針54的盲孔53。盲孔53被低厚度(大約1毫米的十或二十分之一)的測試層55阻塞，測試層的 一面56經(jīng)受紅外輻射IR，而相反面接觸溫度探針54。測試層55的低厚度e被用于保證熱 慣性低以及溫度傳感器50有良好的反應(yīng)。實際上，CPU控制裝置17包括紅外控制程序，其檢查由溫度傳感器50產(chǎn)生的溫度 數(shù)據(jù)，當(dāng)由溫度傳感器50測得的溫度低于溫度設(shè)定TC超過預(yù)定差并且該溫度自身低于可 允許的溫度閾值TA時，其觸發(fā)紅外輻射源49的電源，當(dāng)由溫度傳感器50測得的溫度高于 所述溫度設(shè)定TC超過預(yù)定差時，其中斷紅外輻射源49的電源。在圖10中所示出的實施例中，運輸支撐件1為中空運輸箱型元件。在這種情況中， 紅外輻射源49有利地包括至少一個源部分49a，其適于插入到箱形式的運輸支撐件1中。 因而，紅外輻射源49盡可能地接近易于俘獲要被除去的外來物質(zhì)的凹陷箱區(qū)域，并減少任 何可能的陰影區(qū)域。仍然在圖10所示的實施例中，處理站還包括初始?xì)怏w注入裝置18，以在待處理表 面Ia的附近產(chǎn)生第一局部化的氣態(tài)流47。這個第一局部化氣態(tài)流47可以被用作在處理過 程中保持在密封室4中的氣態(tài)壓力PSA的手段。在這種情況下，CPU可以管理由初始?xì)怏w 注入裝置18確保的氣態(tài)流速率。然而，對于調(diào)節(jié)階段EC，第二氣體注入裝置60被設(shè)計以注入清潔氣流48進(jìn)入密封 室4中，與待處理表面Ia分開。此外，CPU17可以被連接到用于檢查處理的進(jìn)展的參數(shù)特性的傳感器上。這些傳 感器可以是密封室4的壓力計45 (圖3)及/或秤41及/或在真空泵5的出口處的濕度及 /或AMC傳感器57 (圖10)。備選地或者另外地，為了壓力的測量，用于氣體種類的控制裝置(未顯示)也可以 被使用，包含能夠經(jīng)由閥連接到真空泵5的管道或直接地連接到密封室4以與密封室4的 氣體連通的導(dǎo)出激發(fā)單元(derived excitationcell)。用于氣體種類的控制裝置還包含由發(fā)電機(jī)供電的電磁激發(fā)天線，其以在該單元內(nèi) 形成等離子體的方式放在該單元的周圍。然后，由等離子體發(fā)出的光輻射被檢測并發(fā)送到光學(xué)分光計?？梢杂霉饫w或者用 適合的連接器來進(jìn)行該發(fā)射。光學(xué)分光計產(chǎn)生檢測到的光譜的圖像，并將它們送到例如 CPU17。優(yōu)選地并且為了允許站10完全自動工作，CPU17可以包含識別運輸支撐件1的裝 置，例如條形碼讀碼機(jī)、RFID閱讀機(jī)(換能器)或接受器或接收器。根據(jù)本發(fā)明的另一特定實施例，站10包含至少一個電子秤41，其位置設(shè)置成能夠 測量至少一個運輸支撐件1的測得重量的進(jìn)展。對重量的測量可以和運輸支撐件1的壁的脫氣流相關(guān)聯(lián)，這樣允許確定它們的干 燥進(jìn)展。為了讓測量有意義，對于滿標(biāo)為幾公斤的情況(對FOUP型運輸盒為大約4kg，對 RSP型盒為大約700g)，測量的精度有利地處于百分之一克左右。
為了限制由于外部環(huán)境導(dǎo)致的干擾，還設(shè)計讓處理站10包括減弱振動的手段(未 示出)，其放置在站的框架7的較低面和地板之間，優(yōu)選地在站10的足44下面。如果站10適合包含幾個運輸支撐件1并且為了限制費用，通過檢查單個運輸支撐 件1來確定運輸支撐件1的干燥進(jìn)展。
在運輸支撐件是相同類型并且從相同的在前清潔階段中取出的情況下，可以認(rèn)為 從運輸支撐件1的測量中得到的信息可以應(yīng)用到所有運輸支撐件1的干燥的進(jìn)展中。因此，如圖2所示，處理站10包含例如三個擱架或固定平臺23，設(shè)計為每個接受 FOUP型運輸箱的一個外殼2并且還包括在移動平臺43下面的秤41，適于測量FOUP型運輸 箱的第四個外殼2的重量。有利的是，秤41包含電子反饋電路，其包含至少一個補(bǔ)償繞組，繞組放在永久磁 體的磁場中的，以便在運輸支撐件1施加力到秤41上時能產(chǎn)生電磁補(bǔ)償。在讀零之后，平衡秤41所需要的補(bǔ)償力與平臺43上的重量成比例，并且因而電流 的強(qiáng)度被轉(zhuǎn)換成重量。根據(jù)一個變型實施例，處理站10被連接運輸支撐件的清洗設(shè)備(未示出)。在該變型中，站10及/或該設(shè)備被設(shè)計以包含運送運輸支撐件1的裝置，用于從 清洗設(shè)備運輸?shù)教幚碚?0的密封室4。例如，運送裝置是用于運輸支撐件1的操作機(jī)器人或傳送帶。在一個或更多處理站10與清洗設(shè)備(未示出)之間也可以有轉(zhuǎn)移室。還可以具有包括真空泵5和至少一個處理站的處理設(shè)備，優(yōu)選地適于接收單個 FOUP類型傳輸支撐件1。因此，在運行中，處理站10適于實施跟在清洗階段之后的處理方法。開始是放置運輸支撐件1在使用蓋11關(guān)閉的密封室4中。然后，使用泵5排空容納在密封室4中的氣體，并產(chǎn)生紅外輻射IR。根據(jù)脫濕程度的參數(shù)特征的進(jìn)展與參照物的比較結(jié)果，可以有利地停止氣體通過 泵的排空以及紅外輻射IR。然后，留下運輸支撐件1以冷卻并且通過清潔氣體通過第二氣體引入裝置60的引 入增大密封室4的壓力到大氣壓，然后打開關(guān)閉蓋11以從密封室4中移出運輸支撐件1。根據(jù)另一個實施例，處理站10還可包括清洗裝置58，例如固定的或移動的噴口， 具有流出裝置59，在真空處理階段之前允許運輸支撐件1在密封室4本身內(nèi)被直接地清洗。 因而避免了操作設(shè)備的使用，連通相關(guān)的再污染的風(fēng)險。減少了總的處理時間。通過同時 清污以及對清洗設(shè)備它們自身的控制，處理的有效性也提高了。還降低了費用并節(jié)省空間。通過根據(jù)本發(fā)明的運輸支撐件的處理方法，以及通過使用根據(jù)本發(fā)明的實施該方 法的處理站，運輸支撐件1被放置在真空中，它的待處理表面Ia被選擇性地加熱。這有利 于在運輸支撐件1的壁上液體的蒸發(fā)，尤其是有利于在支撐件的材料的第一層中液體的蒸 發(fā)，并且因而加速用于外來物質(zhì)的去除的處理。本發(fā)明并不限于已經(jīng)明確描述的這些實施例，而是包括在本領(lǐng)域技術(shù)人員的可想 到范圍內(nèi)的任何變型和概括。
權(quán)利要求
一種用于運送和儲存基底的運輸支撐件(1)的處理方法，其特征在于所述方法包括處理階段，在所述處理階段期間，在所述運輸支撐件(1)上的待處理表面(1a)受到低于大氣壓力的氣態(tài)壓力(PSA)和紅外輻射(IR)的結(jié)合作用，以從所述待處理表面(1a)除去外來物質(zhì)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述低于大氣壓力的壓力(PSA)大于要 被除去的外來物質(zhì)的相圖的三相點的壓力(PT)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于所述紅外輻射(IR)提供的發(fā)射譜線 的最大強(qiáng)度在所述要被除去的外來物質(zhì)的吸收波長附近。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一所述的方法，其特征在于所述紅外輻射(IR)是間歇輻射。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于所述間歇紅外輻射(IR)包括將所述待處 理表面(la)設(shè)定到適當(dāng)溫度的連續(xù)初始階段(E1)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的方法，其特征在于對代表所述待處理表面(la)的溫度 (TM)的測試溫度進(jìn)行測量，并且根據(jù)所述測試溫度控制所述紅外輻射(IR)以保持所述待 處理表面的所述溫度(TM)在低于最大可允許溫度閾值(TA)的溫度設(shè)定(TC)附近。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一所述的方法，其特征在于所述低于大氣壓力的氣態(tài)壓力 (PSA)被測量并與壓力設(shè)定(PC)相比較，以根據(jù)比較結(jié)果控制調(diào)整壓力的手段，例如抽吸 速度、抽吸傳導(dǎo)率、氣態(tài)流注入傳導(dǎo)率，以使所述低于大氣壓力的氣態(tài)壓力(PSA)到達(dá)所述 壓力設(shè)定(PC)附近并保持壓力在該水平。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一所述的方法，其特征在于所述方法包括局部化的氣態(tài)流 (47)被注入到在所述待處理表面(la)上的用于外來物質(zhì)的至少一個俘獲區(qū)域附近的階 段。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一所述的裝置，其特征在于它包括調(diào)節(jié)階段(EC)，在該階 段期間，在不包含要被除去的外來物質(zhì)的清潔氣體流(48)注入的情況下，所述待處理表面 (la)經(jīng)受氣態(tài)壓力(PSA)逐漸上升至大氣壓力(Pa)附近，和經(jīng)受溫度(TM)逐漸下降至環(huán) 境溫度(Ta)附近。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于所述清潔氣體流(48)被選擇為處于足 夠低的速度但是廣泛地分布，以允許高的流量并且因而避免干擾靜電電荷的產(chǎn)生以及污染 性顆粒的夾帶。
11.根據(jù)權(quán)利要求1-10中任一所述的方法，其特征在于代表所述外來物質(zhì)從所述待 處理表面(la)的去除的參數(shù)(諸如所述運輸支撐件的重量、在所述真空泵的出口處的濕度 或AMC的量、在所述密封室中的部分壓力或者全部壓力)被測量，并且當(dāng)所述代表性參數(shù)達(dá) 到參照值時中斷處理。
12.一種用于運輸支撐件(1)的處理站(10)，所述運輸支撐件(1)用于基底的運送和 儲存，其特征在于，所述處理站(10)包括-密封室(4)，用于被連接到抽吸裝置(5，46)并適于接受具有待處理表面(la)的至少 一個運輸支撐件(1)；至少一個紅外輻射源(49)，適于使待處理表面(la)經(jīng)受紅外輻射(IR)；-控制裝置(17)，適于控制所述抽吸裝置(5，46)以及紅外輻射源(49)，用于讓所述待處理表面(la)經(jīng)受低于大氣壓力的壓力(PSA)和紅外輻射(IR)的結(jié)合作用。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的處理站，其特征在于所述處理站包括至少一個溫度傳感 器(50)，所述至少一個溫度傳感器放置在所述密封室(4)中，并適于測量代表所述待處理 表面(la)的溫度(TM)的測試溫度。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的處理站，其特征在于所述溫度傳感器(50)包含測試層 (55)，所述測試層由與構(gòu)成待處理的運輸支撐件(1)的材料相似的材料制成，所述測試層 具有低厚度(e)，所述測試層的一個表面(56)經(jīng)受所述紅外輻射(IR)，并且與其相反的表 面與溫度探針(54)接觸。
15.根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的處理站，其特征在于所述控制裝置(17)包括紅外 控制程序，所述紅外控制程序檢查由所述溫度傳感器(50)產(chǎn)生的溫度數(shù)據(jù)，當(dāng)由所述溫度 傳感器(50)測得的溫度比自身低于最大可允許溫度閾值(TA)的溫度設(shè)定(TC)低超過預(yù) 定差值時，所述紅外控制程序觸發(fā)所述紅外輻射源(49)的供電，當(dāng)由所述溫度傳感器(50) 測得的溫度高于所述溫度設(shè)定(TC)超過預(yù)定差值時，所述紅外控制程序中斷所述紅外輻 射源(49)的供電。
16.根據(jù)權(quán)利要求12-15中任一所述的處理站，其特征在于所述紅外輻射源(49)包 括至少一個源部分(49a)，所述源部分(49a)適于插入到盒形式的運輸支撐件(1)內(nèi)部。
17.根據(jù)權(quán)利要求12-16中任一所述的處理站，其特征在于所述處理站包括初始?xì)怏w 注入裝置(18)，用于在所述待處理表面(la)附近注入第一局部化的氣態(tài)流(47)。
18.根據(jù)權(quán)利要求12-17中任一項所述的處理站，其特征在于所述處理站包括第二 氣體注入裝置(60)，用于與所述待處理表面(la)分離地注入清潔氣流(48)到所述密封室 (4)中。
19.根據(jù)權(quán)利要求12-18中任一項所述的處理站，其特征在于所述處理站包括對代表 外來物質(zhì)從所述待處理表面(la)的去除的參數(shù)進(jìn)行測量的裝置(41，45，17)，并且在于，所 述控制裝置(17)適于在所述代表性參數(shù)到達(dá)參照值時中斷處理。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的處理站，其特征在于，用于代表性參數(shù)的測量裝置包括 -秤(41)，所述秤適于測量運輸支撐件(1)的重量并產(chǎn)生重量信號，以及處理所述重量信號(17)以從所述重量信號推論出所述處理階段的結(jié)束的裝置，-及/或在所述抽吸裝置(5，46)的真空泵(5)的出口處的濕度及/或AMC傳感器(57)， -及/或用于所述密封室(4)的壓力計(45)。
21.根據(jù)權(quán)利要求12-20中任一所述的處理站，其特征在于所述處理站還包括清洗裝置(58)，所述清洗裝置(58)用于直接地在所述密封室(4)自身內(nèi)清洗所述運輸支撐件 ⑴。
全文摘要
本發(fā)明的目的是提供一種用于半導(dǎo)體基底的運送和儲存的運輸支撐件(1)的處理方法，所述支撐件(1)可以首先經(jīng)歷使用液體的清潔操作。該方法包括處理階段，其中運輸支撐件(1)被放置在連接到真空泵(5)的密封室(4)中，并且所述運輸支撐件(1)受到低于大氣壓力的壓力和紅外輻射的結(jié)合作用，以促進(jìn)在運輸支撐件(1)的壁上的外來物質(zhì)的去除。本發(fā)明還涉及用于實施上述方法的用于運輸支撐件(1)的處理站。
文檔編號F26B3/30GK101821573SQ200880110810
公開日2010年9月1日 申請日期2008年8月11日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月13日
發(fā)明者歐文·戈多, 阿諾·法夫雷, 雷米·托萊 申請人:阿爾卡特朗訊