專利名稱：高溫還原爐的進(jìn)、出氣管裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種高溫還原爐配件，尤其是一種用于高溫還原爐所使 用的進(jìn)、出氣管裝置。
技術(shù)背景傳統(tǒng)的高溫還原爐的進(jìn)、出氣管是采用內(nèi)部設(shè)置進(jìn)氣管、外部設(shè)置回氣管形式，由于還原反應(yīng)一般是在110(TC左右進(jìn)行，由于鋼的良好導(dǎo)熱性，外 部設(shè)置回氣管方式容易導(dǎo)致進(jìn)、出氣管裝置的外壁溫度過高，從而導(dǎo)致降低 進(jìn)、出氣管與還原爐底板之間密封圈的壽命。尤其是在多晶硅制備工藝?yán)铮?傳統(tǒng)的高溫還原爐的進(jìn)、出氣管使得制的的多晶硅品質(zhì)較差。 發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，提供一種外部設(shè)置進(jìn) 氣管、內(nèi)部設(shè)置回氣管形式并能有效延長進(jìn)、出氣管與還原爐底板之間密封 圈的壽命的高溫還原爐的進(jìn)、出氣管裝置。按照實(shí)用新型提供的技術(shù)方案，在尾氣出氣管的外面套接筒狀外殼，在 外殼上設(shè)有原料氣體進(jìn)氣管，外殼的周壁上開設(shè)若干回氣孔，在尾氣出氣管 與外殼之間架設(shè)有柱形管，回氣孔利用柱形管與尾氣出氣管相連通，外殼上 設(shè)置若干原料氣體噴出口，原料氣體由原料氣體進(jìn)氣管通入，經(jīng)外殼與尾氣 出氣管圍成的通道從原料氣體噴出口向還原爐內(nèi)噴出?；貧饪滓詫ΨQ狀開設(shè)在外殼的外壁上，且每個回氣孔等高設(shè)置，回氣孔 的數(shù)目與柱形管的數(shù)目一致。回氣孔共有4個，分別設(shè)置在外殼的外壁上。本實(shí)用新型外部設(shè)置進(jìn)氣管、內(nèi)部設(shè)置回氣管形式并能有效延長進(jìn)、出 氣管與還原爐底板之間密封圈的壽命，有利于制備更高品質(zhì)的多晶硅。

圖1是本實(shí)用新型的整體結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
如圖所示在尾氣出氣管2的外面套接筒狀外殼5，在外殼5上設(shè)有原 料氣體進(jìn)氣管1，外殼5的周壁上開設(shè)若干回氣孔3，在尾氣出氣管2與外殼 5之間架設(shè)有柱形管4連通，回氣孔3利用柱形管4與尾氣出氣管2相連通， 外殼5的頂部開設(shè)若干原料氣體噴出口 6，原料氣體由原料氣體進(jìn)氣管1通 入，經(jīng)外殼5與尾氣出氣管2的外壁圍成的通道，從原料氣體噴出口6向還 原爐內(nèi)噴出。其中，回氣孔3最好以對稱狀開設(shè)在外殼5的外壁上，且每個回氣孔3 等高設(shè)置，回氣孔3的數(shù)目與柱形管4的數(shù)目一致，回氣孔3共有四個，分 別設(shè)置在外殼5的外壁上。還原爐的進(jìn)出氣管設(shè)在還原爐底盤中心位置，為套管式結(jié)構(gòu)，四個回氣 孔3均勻分布于原料氣體進(jìn)氣管1與尾氣出氣管2的四周，與四個柱形管4 連通內(nèi)部的尾氣出氣管2。原料混合氣體從外殼5與尾氣出氣管2外壁的內(nèi) 部夾道里進(jìn)氣通過原料氣體噴出口 6以噴射狀射向還原爐，回氣從內(nèi)部的主 管道回氣。本實(shí)用新型的工作過程是內(nèi)部回氣，外部進(jìn)氣。由于氣體之間的熱量 傳遞，可以降低原料氣體進(jìn)氣管1與尾氣出氣管2的管外壁溫度，從而解決 頻繁更換密封墊圈的問題，且整個還原爐只設(shè)一個原料氣體進(jìn)氣管1與尾氣 出氣管2，更有利于保證還原爐的密閉性，降低整個爐底盤的制造難度。本實(shí)用新型的高溫還原爐的進(jìn)、出氣管裝置是三氯氫硅和氫氣反應(yīng)制備 多晶硅的原料氣體進(jìn)氣管以及還原尾氣出氣氣管。此進(jìn)出氣管設(shè)計(jì)涉及整個 還原爐的氣體動態(tài)系統(tǒng)平衡，并最終影響多晶硅的產(chǎn)品質(zhì)量，使用本實(shí)用新 型后，可以制得更高品質(zhì)的多晶硅。
權(quán)利要求1、一種高溫還原爐的進(jìn)、出氣管裝置，其特征是在尾氣出氣管(2)的外面套接筒狀外殼(5)，在外殼(5)上設(shè)有原料氣體進(jìn)氣管(1)，外殼(5)的周壁上開設(shè)有若干回氣孔(3)，在尾氣出氣管(2)與外殼(5)之間架設(shè)有柱形管(4)，回氣孔(3)利用柱形管(4)與尾氣出氣管(2)相連通，外殼(5)上開設(shè)若干原料氣體噴出口(6)，原料氣體由原料氣體進(jìn)氣管(1)通入，經(jīng)外殼(5)與尾氣出氣管(2)圍成的通道，從原料氣體噴出口(6)向還原爐內(nèi)噴出。
2、 如權(quán)利要求1所述的高溫還原爐的進(jìn)、出氣管裝置，其特征是回氣 孔(3)以對稱狀開設(shè)在外殼(5)的外壁上，且每個回氣孔(3)等高設(shè)置， 回氣孔(3)的數(shù)目與柱形管(4)的數(shù)目一致。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高溫還原爐的進(jìn)、出氣管裝置，其特征是: 回氣孔(3)共有4個，分別設(shè)置在外殼(5)的外壁上。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種高溫還原爐配件，尤其是一種用于高溫還原爐所使用的進(jìn)、出氣管裝置，按照實(shí)用新型提供的技術(shù)方案，它在尾氣出氣管外面套接筒狀外殼，在外殼上設(shè)有原料氣體進(jìn)氣管，外殼周壁上開設(shè)的若干回氣孔，在尾氣出氣管外壁與外殼內(nèi)壁之間架設(shè)有柱形管連通，回氣孔利用柱形管與尾氣出氣管相連通，外殼上開設(shè)若干原料氣體噴出口，原料氣體由原料氣體進(jìn)氣管通入經(jīng)過外殼與尾氣出氣管所夾而形成的通道后從原料氣體噴出口向還原爐內(nèi)噴出。本實(shí)用新型外部設(shè)置進(jìn)氣管、內(nèi)部設(shè)置回氣管形式并能有效延長進(jìn)、出氣管與還原爐底板之間密封圈的壽命，有利于制備更高品質(zhì)的多晶硅。
文檔編號F27D7/00GK201050940SQ20072003917
公開日2008年4月23日 申請日期2007年5月31日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月31日
發(fā)明者周大榮, 軍 王 申請人:無錫中彩科技有限公司