離型膜、成型體的制造方法、半導(dǎo)體部件和反射器部件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及離型膜、使用該離型膜制造成型體的方法、W及通過該制造方法得到 的半導(dǎo)體部件和反射器部件。
【背景技術(shù)】
[0002] 近年來，隨著電子設(shè)備的高功能化和小型化W及它們的快速普及，作為其中所組 裝的電子部件，要求大量且低成本地提供更小型的部件。在運(yùn)樣的情況下，在電子部件的熱 加工工序中，要求能夠大量且高生產(chǎn)率地合理生產(chǎn)更小形狀的部件。例如，在L邸部件中，其 包裝形態(tài)從更大型的炮彈型變遷為小型薄壁的反射器型，此外，預(yù)計(jì)在今后占據(jù)其主流的 是在基板上安裝大量的L邸忍片后進(jìn)行一體化密封-單片化的包覆成型類型。在運(yùn)樣的情況 下，對于在運(yùn)些電子部件的熱加工工序中使用的離型膜，要求具有更高的成型性、更高的離 型性等越來越高的加工性。
[0003]W往，有人提出了將四氣乙締-乙締系共聚物的膜作為印刷基板成型時所使用的 離型膜(專利文獻(xiàn)1)。
[0004] 還有人提出了一種離型膜，其是由包含4-甲基-1-戊締含量為80質(zhì)量％W上的聚 合物的組合物形成的離型膜，其中，該組合物的烙點(diǎn)為170°C~240°C、半結(jié)晶化時間為70秒 ~220秒(專利文獻(xiàn)2)。
[0005]另外，作為在印刷基板成型時所使用的離型膜，有人提出了如下形成的離型膜:在 乙締系共聚物橡膠100質(zhì)量份中混合聚乙締系樹脂25質(zhì)量份~400質(zhì)量份，對所形成的樹脂 組合物進(jìn)行擠出成型，向所得到的膜照射電離性放射線使其交聯(lián)來形成基礎(chǔ)膜，在該基礎(chǔ) 膜上涂布離型層，從而形成該離型膜(專利文獻(xiàn)3)。
[0006] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0007] 專利文獻(xiàn)
[000引專利文獻(xiàn)1:日本特開2001-206913號公報(bào)
[0009] 專利文獻(xiàn)2:日本特開2006-70252號公報(bào)
[0010] 專利文獻(xiàn)3:日本特開2012-66447號公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011] 發(fā)明所要解決的課題
[0012] 但是，上述任一種離型膜并不能說是充分的。
[0013]具體地說，對于專利文獻(xiàn)1的四氣乙締-乙締系共聚物的膜或聚四氣乙締(PTFE)、 乙締-四氣乙締共聚物化TFE)或聚酷亞胺的膜來說，由于在成型溫度下并無熱收縮，因而在 將膜設(shè)于模具后會引入權(quán)皺，無法準(zhǔn)確地再現(xiàn)模具的形狀。
[0014]對于專利文獻(xiàn)2的離型膜來說，由于成型時的膜的彈性模量過高，因而在電子部件 的熱成型工序中，在成型品中帶有權(quán)皺等，離型膜無法充分地再現(xiàn)模具的形狀。
[0015]對于專利文獻(xiàn)3的膜來說，在加熱成型時完全不收縮，因而在將膜設(shè)于模具后會帶 有權(quán)皺等，無法充分再現(xiàn)模具的形狀。
[0016] 如此，在現(xiàn)有的離型膜中，在通常的熱加工工序中，由于離型膜缺乏柔軟性、并且 膜不會適度地收縮，因此出現(xiàn)離型膜無法恰當(dāng)?shù)卣迟N為模具的模型形狀、在成型品中具有 權(quán)皺等問題。
[0017] 因此，本發(fā)明的目的在于提供在熱成型中能夠提高成型性的離型膜、使用該離型 膜制造成型體的方法、W及通過該制造方法得到的半導(dǎo)體部件和反射器部件。
[0018] 解決課題的手段
[0019] 本發(fā)明人為了達(dá)成上述課題進(jìn)行了深入研究，結(jié)果完成了本發(fā)明。即，本發(fā)明如下 所述。
[0020] [1]-種離型膜，其在120°C于MD方向和TD方向各自的熱收縮率為5%W上。
[0021] [2巧日[1]中所述的離型膜，其在110°C于MD方向和TD方向各自的熱收縮率為2%W 上。
[0022] [3巧日[1]或[2]中所述的離型膜，其具備離型層W及基材層，基材層包含聚締控樹 月旨，利用DSC測定的基材層的烙點(diǎn)為128°C~210°C。
[0023] [4]如[3]中所述的離型膜，其中，基材層的聚締控樹脂發(fā)生了交聯(lián)；該離型膜在 120°C于MD方向和TD方向各自的應(yīng)力-應(yīng)變曲線中無屈服點(diǎn)，并且，100%伸長負(fù)荷B相對于 50 %伸長負(fù)荷A的比B/A為1.5W上;該離型膜在120°C于MD方向和TD方向各自的熱收縮力為 0.40N/cmW下。
[0024] [引如[3]或[4]中所述的離型膜，其中，離型層包含氣系化合物。
[0025] [6巧日[3]~[5]的任一項(xiàng)所述的離型膜，其中，基材層的聚締控樹脂通過電離性放 射線進(jìn)行了交聯(lián)。
[0026] [7]-種成型體的制造方法，其包括下述工序:將[1]~[6]的任一項(xiàng)所述的離型膜 固定在模具上的工序;在模具上使離型膜收縮從而除掉離型膜的權(quán)皺的工序;將樹脂供給 至模具，使樹脂成型的成型工序；W及將離型膜剝下的工序。
[0027] [引如[7]中所述的成型體的制造方法，其進(jìn)一步包括在模具內(nèi)配置基板的工序， 該基板安裝有半導(dǎo)體忍片，在成型工序中，將半導(dǎo)體忍片利用樹脂密封。
[0028] [9巧日[7]中所述的成型體的制造方法，其進(jìn)一步包括在模具內(nèi)配置引線框架的工 序，在成型工序中，使樹脂成型于引線框架。
[0029] [10]-種半導(dǎo)體部件，其通過[引中所述的成型體的制造方法制造。
[0030] [11]-種反射器部件，其通過[9]中所述的成型體的制造方法制造。
[0031] 發(fā)明的效果
[0032] 對于本發(fā)明的離型膜來說，通過具有上述的熱收縮率，與現(xiàn)有技術(shù)相比，能夠提高 熱成型中的成型性。對于使用本發(fā)明的離型膜制造成型體的方法來說，在要求高生產(chǎn)率的 成型體的制造中，不需要模具的清掃工序，而且能夠劃時代地降低離型膜的權(quán)皺等不良，能 夠飛躍性地提高生產(chǎn)率。
【具體實(shí)施方式】
[0033] 下面對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。需要說明的是，本發(fā)明并不限于W下的 實(shí)施方式，可W在其要點(diǎn)的范圍內(nèi)進(jìn)行各種變形來實(shí)施。
[0034]在本實(shí)施方式的離型膜中，在120°C于MD方向（縱向、流動方向）和TD方向（橫向、寬 度方向）各自的熱收縮率為5%W上。另外，在110°C于MD方向和TD方向各自的熱收縮率優(yōu)選 為2 %W上。該熱收縮率按照測定法ASTMD2732進(jìn)行測定。另外，上述"MD方向和TD方向各自 的熱收縮率"與"MD方向和TD方向的熱收縮率都"的含義相同。
[0035]熱收縮率在120°C小于5%的情況下，將膜置于模具上抽真空時，膜不能準(zhǔn)確地追 隨模具，在膜上帶有權(quán)皺，在成型體上也會帶有權(quán)皺。在熱收縮率為5%W上時，膜被沒有權(quán) 皺地置于模具上，因而能夠充分地再現(xiàn)模具的形狀。
[0036] 在120°C的熱收縮率的下限值優(yōu)選為5%。上限值優(yōu)選為50%、更優(yōu)選為30%、進(jìn)一 步優(yōu)選為20%。運(yùn)些下限值和上限值可W自由組合構(gòu)成數(shù)值范圍。例如，該熱收縮率優(yōu)選為 5%~50%、更優(yōu)選為5%~30%、進(jìn)一步優(yōu)選為5 %~20 %。在熱收縮率為50 %W下時，在將 膜置于模具上抽真空的工序中更不容易產(chǎn)生不利狀況。
[0037]在110°C的熱收縮率為2%W上的情況下，在將膜置于模具上抽真空時，膜準(zhǔn)確地 追隨模具，因而膜不容易帶有權(quán)皺，能夠進(jìn)一步充分地再現(xiàn)模具的形狀。
[0038] 在110°C的熱收縮率的下限值優(yōu)選為2%。上限值優(yōu)選為30%、更優(yōu)選為20%、進(jìn)一 步優(yōu)選為10%。運(yùn)些下限值和上限值可W自由組合構(gòu)成數(shù)值范圍。例如，該熱收縮率優(yōu)選為 2%~30%、更優(yōu)選為2%~20%、進(jìn)一步優(yōu)選為2 %~10 %。在熱收縮率為30 %W下時，在將 膜置于模具上抽真空的工序中更不容易產(chǎn)生不利狀況。
[0039] 本實(shí)施方式的離型膜例如為具備離型層W及包含聚締控樹脂的基材層的至少2層 的多層離型膜，可W具有由離型層和基材層運(yùn)2層形成的構(gòu)成。
[0040] 利用DSC測定的基材層的烙點(diǎn)(在具有多個峰的情況下為最大值)的下限值優(yōu)選為 128°C。上限值優(yōu)選為210°C、更優(yōu)選為160°C、進(jìn)一步優(yōu)選為150°C。運(yùn)些下限值和上限值可 W自由組合構(gòu)成數(shù)值范圍。例如，該烙點(diǎn)優(yōu)選為128°C~210°C、更優(yōu)選為128°C~160°C、進(jìn) 一步優(yōu)選為128°C~150°C。烙點(diǎn)為128°CW上時，在將膜置于模具上抽真空的工序中不容易 產(chǎn)生不利狀況。另外，在烙點(diǎn)為2i〇°CW下時，在成型溫度下容易產(chǎn)生適度的收縮，權(quán)皺不容 易引入到成型體上。
[0041]基材層例如包含聚締控樹脂作為主成分。聚締控樹脂是W單純的締控(olefin)類 或締控(alkene)作為單元分子進(jìn)行合成的高分子。作為聚締控樹脂，可W舉出聚乙締系樹 月旨、聚丙締系樹脂、聚締控系聚合物合金、聚下締系樹脂、聚甲基戊締樹脂等。
[0042] 作為上述聚乙締系樹脂，可W舉出聚乙締、乙締-a-締控共聚物等。
[0043] 作為聚乙締，可W舉出高密度聚乙締、中密度聚乙締、低密度聚乙締、超低密度聚 乙締等。高密度聚乙締可利用菲利普法、標(biāo)準(zhǔn)法、齊格勒法等通常公知的方法制造。作為中 密度聚乙締，可W舉出線性中密度聚乙締等。作為低密度聚乙締，可W舉出線性低密度聚乙 締化LDPE)、高壓法低密度聚乙締等。需要說明的是，高壓法低密度聚乙締是通過所謂高壓 法(本體聚合法)制造的低密度聚乙締。作為超低密度聚乙締，可W舉出線性超低密度聚乙 締(VLD陽)等。
[0044] 作為上述乙締-a-締控共聚物，優(yōu)選乙締與碳原子數(shù)為3~20的a-締控的共聚物， 更優(yōu)選乙締與碳原子數(shù)為3~12的a-締控的共聚物。作為a-締控，可W舉出丙締、1-下締、1-戊締、1-己締、1-辛締、4-甲基-1-戊締等，它們可W使用1種或?qū)⑶山鞼上合用。
[0045] 另外，作為上述乙締-a-締控共聚物，乙締與選自丙締共聚單體、下締共聚單體、己 締共聚單體和辛締共聚單體中的至少一種共聚單體的共聚物通常容易獲得，可W優(yōu)選使 用。
[0046] 作為聚乙締系樹脂，優(yōu)選乙締與a-締控(丙締、1-下締、1-戊締、1-己締、1-辛締、4-甲基-1-戊締、3-甲基-1-戊締、1-癸締、1-十二碳締、1-十四碳締、1-十六碳締、1-十八碳締、 1-二十碳締等）的共聚物，也可W為乙締與兩種Q-締控(丙締、1-下締、1-戊締、1-己締、1-