本實(shí)用新型屬于PI薄膜生產(chǎn)設(shè)備技術(shù)，特別是涉及一種用于PI薄膜亞胺化的加熱裝置。

背景技術(shù)：

在PI薄膜生產(chǎn)過程中，聚酰胺酸分子要在高溫(＞400℃)下脫水閉環(huán)成聚酰亞胺，傳統(tǒng)生產(chǎn)中采用電熱棒密集的布置在亞胺化爐內(nèi)來實(shí)現(xiàn)加熱，這樣需要消耗大量的電能，但是PI薄膜的熱傳導(dǎo)性很低，對熱能的利用率很低，導(dǎo)致大量的熱能隨尾氣排出室外，造成極大的浪費(fèi)。在PI薄膜生產(chǎn)中，能源費(fèi)用占成本費(fèi)用比例相當(dāng)高，降低電耗刻不容緩。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

實(shí)用新型目的：針對上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供了一種新型的用于PI薄膜亞胺化的加熱裝置。

技術(shù)方案：本實(shí)用新型所述的一種用于PI薄膜亞胺化的加熱裝置，包括上下相對放置的上層加熱組件和下層加熱組件，上層加熱組件和下層加熱組件之間為加熱區(qū)域；上層加熱組件和下層加熱組件均包括至少一塊發(fā)熱元件，發(fā)熱元件背面設(shè)有電極，所述發(fā)熱元件通過電極并排固定在絕緣支架上。

優(yōu)選的，所述發(fā)熱元件為陶瓷紅外線輻射器。使用陶瓷紅外線輻射加熱器，使得水分在紅外線輻射時(shí)有較寬廣的吸收光譜，能有效的提高對熱能的吸收和利用。

進(jìn)一步優(yōu)選的，所述陶瓷紅外線輻射器為弧形?；⌒蔚奶沾杉t外線輻射加熱器剛性得到提高，使得陶瓷板的厚度降低，一方面節(jié)省了材料，另一方面提高了加工時(shí)的成品率。

優(yōu)選的，所述電極與絕緣支架之間通過螺栓固定連接。

在整體布置時(shí)，利用電極的剛性，并通過絕緣之間將發(fā)熱元件并排懸掛在絕緣支架上即可。

一種包括上述加熱裝置的亞胺化爐也在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。

有益效果：本實(shí)用新型的一種用于PI薄膜亞胺化的加熱裝置包括以下優(yōu)勢：(1)弧形的陶瓷紅外線輻射加熱器剛性得到提高，使得陶瓷板的厚度降低，一方面節(jié)省了材料，另一方面提高了加工時(shí)的成品率；(2)使用陶瓷紅外線輻射加熱器，使得水分在紅外線輻射時(shí)有較寬廣的吸收光譜，能有效的提高對熱能的吸收和利用；(3)效率得到提高，使得聚酰胺酸分子快速脫水閉環(huán)成聚酰亞胺，節(jié)省了亞胺化時(shí)間，從而使電能耗用降低了30％左右，能源費(fèi)用大大降低；(4)快速脫水使聚酰亞胺分子量大大提高，產(chǎn)品質(zhì)量也明顯提高，取得了顯著的經(jīng)濟(jì)效益。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型的用于PI薄膜亞胺化的加熱裝置結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是圖1的橫截面圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合具體實(shí)施例對本實(shí)用新型作出詳細(xì)說明。

實(shí)施例1

如圖1所示的用于PI薄膜亞胺化的加熱裝置，包括上下相對放置的上層加熱組件1和下層加熱組件2，上層加熱組件1和下層加熱組件2之間為加熱區(qū)域；上層加熱組件1和下層加熱組件2均包括至少一塊發(fā)熱元件3，發(fā)熱元件3背面設(shè)有電極4，發(fā)熱元件3通過電極4并排固定在絕緣支架5上。其中，發(fā)熱元件3為弧形的陶瓷紅外線輻射；電極4與絕緣支架5之間通過螺栓連接固定，利用電極4的剛性使得發(fā)熱元件3并排懸掛在絕緣支架5上。

當(dāng)實(shí)際使用上述加熱裝置使得PI薄膜亞胺化時(shí)，可以根據(jù)實(shí)際的PI薄膜寬度選擇適當(dāng)個數(shù)的發(fā)熱元件個數(shù)，需要加熱的PI薄膜在牽引器械的牽引下持續(xù)通過加熱區(qū)域，由于弧形的陶瓷紅外線輻射加熱器設(shè)計(jì)，使得PI薄膜的水分在紅外線輻射時(shí)有較寬廣的吸收光譜，能有效的提高對熱能的吸收和利用；整體亞胺化效率得到提高，使得聚酰胺酸分子快速脫水閉環(huán)成聚酰亞胺，節(jié)省了亞胺化時(shí)間，從而使電能耗用降低了30％左右，能源費(fèi)用大大降低；產(chǎn)品質(zhì)量也明顯提高，取得了顯著的經(jīng)濟(jì)效益。