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碳納米管復(fù)合材料及其制備方法

文檔序號:4448224閱讀:222來源:國知局
專利名稱:碳納米管復(fù)合材料及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種納米復(fù)合材料及其制備方法,尤其涉及一種碳納米管復(fù)合材料及其制備方法。
背景技術(shù)
自1991年日本NEC公司的Iijima發(fā)現(xiàn)碳納米管(Carbon Nanotube,CNT)以來(Iilima S.,Nature,1991,354,56-58),碳納米管引起了科學(xué)界及產(chǎn)業(yè)界的極大重視,是近年來國際科學(xué)研究的熱點(diǎn)。碳納米管具有與金剛石相同的熱導(dǎo)和獨(dú)特的力學(xué)性能,如抗張強(qiáng)度達(dá)100Gpa,模量高達(dá)1TGPa,且耐強(qiáng)酸、強(qiáng)堿,600℃以下基本不氧化等,利用碳納米管作為填充物與工程材料復(fù)合成為碳納米管研究的一個(gè)重要方向。
特別地,碳納米管與聚合物的復(fù)合可以實(shí)現(xiàn)材料的優(yōu)勢互補(bǔ)或加強(qiáng)。碳納米管具有較大的長徑比和中空的結(jié)構(gòu),具有優(yōu)異的力學(xué)性能,可作為一種超級纖維,對復(fù)合材料起到增強(qiáng)作用。同時(shí)由于碳納米管的特殊電性能,形成的復(fù)合材料可具有抗靜電、微波吸收和電磁屏蔽等性能。此外,碳納米管具有優(yōu)異的導(dǎo)熱性能,將碳納米管摻到高分子基體材料中結(jié)成一體,然后通過模壓方式可制成一種復(fù)合材料。該方法制成的復(fù)合材料主要應(yīng)用于發(fā)熱元件與散熱器之間,利用碳納米管的導(dǎo)熱性能使該復(fù)合材料具有良好的熱傳導(dǎo)性。然而,碳納米管除了具有優(yōu)異的導(dǎo)熱性能外,其也具有良好的導(dǎo)電性能,如,碳納米管的電阻率僅為10Ω·cm。上述方法制得的復(fù)合材料僅利用碳納米管的導(dǎo)熱性能,而在現(xiàn)有的大規(guī)模集成電路與大功率微電子器件領(lǐng)域中,碳納米管作所具有的良好的導(dǎo)電性能體現(xiàn)出潛在的應(yīng)用前景。如,使用生長在基板上的突出的碳納米管陣列圖形,替代集成芯片上的金屬管腳引線,將芯片直接扣合在碳納米管陣列圖形上,以實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電的目的。然而,實(shí)際應(yīng)用時(shí),由于需要根據(jù)需求在每個(gè)基板上都生長碳納米管陣列圖形,工藝復(fù)雜、難于控制且不利于大規(guī)模應(yīng)用。另外,突出的碳納米管陣列圖形與基板結(jié)合不牢固,在應(yīng)用中碳納米管容易散落并造成芯片短路,造成嚴(yán)重?fù)p失。
有鑒于此,有必要提供一種制備方法簡單,能實(shí)現(xiàn)大規(guī)模制備并應(yīng)用,且同時(shí)具有優(yōu)異的導(dǎo)電性能與導(dǎo)熱性能的碳納米管復(fù)合材料。

發(fā)明內(nèi)容以下,將以若干實(shí)施例說明一種碳納米管復(fù)合材料,其包括一聚合物材料以及分布于該聚合物材料中的多個(gè)碳納米管,該碳納米管復(fù)合材料形成有一第一表面及相對于第一表面的第二表面,所述多個(gè)碳納米管在該聚合物材料中按照預(yù)定圖案均勻分布,每個(gè)碳納米管的兩端分別伸出所述碳納米管復(fù)合材料的第一表面及第二表面。
一種碳納米管復(fù)合材料,其包括一聚合物材料以及分布于該聚合物材料中的多個(gè)碳納米管,該聚合物材料形成有一第一表面及相對于第一表面的第二表面,其中,所述多個(gè)碳納米管在該聚合物材料中按照預(yù)定的圖案均勻分布,每個(gè)碳納米管的兩端分別伸出所述聚合物材料的第一表面及第二表面。
所述聚合物材料包括硅膠系列、聚乙烯乙二醇、聚酯、環(huán)氧樹脂系列、缺氧膠系列或壓克力膠系列。
所述多個(gè)碳納米管組成一多壁或單壁碳納米管陣列。
所述多個(gè)碳納米管垂直于所述聚合物材料的第一表面和第二表面。
一種碳納米管復(fù)合材料的制備方法,其包括下述步驟(一)提供一基底,該基底上形成有按照預(yù)定圖案排列的碳納米管陣列;(二)在所述碳納米管陣列的頂端和底端各形成一保護(hù)層;(三)用聚合物材料填充所述碳納米管陣列;(四)去除碳納米管陣列兩端的保護(hù)層,形成碳納米管復(fù)合材料。
步驟(一)進(jìn)一步包括以下步驟提供一基底,該基底至少具有一表面;在上述基底表面形成預(yù)定圖案的催化劑層;在上述催化劑層上形成碳納米管陣列,得到預(yù)定圖案的碳納米管陣列。
基底材料包括玻璃、硅、金屬或其氧化物。
碳納米管陣列的形成方法包括化學(xué)氣相沉積法或激光燒蝕法。
催化劑包括鐵、鎳、鈷、鈀或其任意組合的合金。
步驟(二)中以基底作為碳納米管陣列底端的保護(hù)層。
步驟(二)進(jìn)一步包括以下步驟去除碳納米管陣列底端的基底;在碳納米管陣列的底端形成一保護(hù)層。
保護(hù)層包括一聚酯片。
保護(hù)層進(jìn)一步包括一壓敏膠層。
保護(hù)層的形成方法包括以下步驟提供一聚酯片;在該聚酯片一表面涂敷一層壓敏膠層;將所述聚酯片置于所述碳納米管陣列的上方;輕壓所述聚酯片,使所述聚酯片上涂覆的壓敏膠層覆蓋所述碳納米管陣列的頂端,從而形成保護(hù)層。
聚合物材料包括硅膠系列、聚乙烯乙二醇、聚酯、環(huán)氧樹脂系列、缺氧膠系列或壓克力膠系列。
步驟(三)所述聚合物材料填充方法包括將所述兩端有保護(hù)層的碳奈米管陣列浸入所述聚合物材料的溶液或熔融液中。
進(jìn)一步包括固化所述兩端有保護(hù)層的碳奈米管陣列中填充的聚合物材料的步驟。
所述碳納米管復(fù)合材料的制備方法還包括進(jìn)一步對所述碳納米管復(fù)合材料進(jìn)行反應(yīng)離子蝕刻的步驟。
所述反應(yīng)離子蝕刻包括O2等離子體蝕刻。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,碳納米管復(fù)合材料的制備方法簡單,可利用現(xiàn)有的碳納米管陣列的生長工藝,根據(jù)實(shí)際需要形成分布有預(yù)定圖案的碳納米管陣列的碳納米管復(fù)合材料。因此,所述碳納米管復(fù)合材料能實(shí)現(xiàn)大規(guī)模制備及應(yīng)用。另外,碳納米管復(fù)合材料中碳納米管的兩端均露出,所述碳納米管形成的導(dǎo)電通路可與兩端電極直接電性接觸,而不會(huì)被電阻相對較大的聚合物材料阻隔。同時(shí),由于碳納米管本身具有優(yōu)異的導(dǎo)熱性能,在應(yīng)用中,碳納米管復(fù)合材料在導(dǎo)電的同時(shí)居有良好的熱傳導(dǎo)性能。因此,所述碳納米管復(fù)合材料可應(yīng)用于現(xiàn)有的大規(guī)模集成電路和大功率微電子器件領(lǐng)域中,能有效地解決其熱消耗及散熱問題。另外,碳納米管復(fù)合材料中的碳納米管陣列通過聚合物材料固化成一薄膜,應(yīng)用簡單方便,且復(fù)合材料中的碳納米管不會(huì)發(fā)生脫落現(xiàn)象。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例的碳納米管復(fù)合材料的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是本發(fā)明實(shí)施例的碳納米管復(fù)合材料的縱向剖視示意圖。
圖3是本發(fā)明實(shí)施例同時(shí)制造多種圖案的碳納米管復(fù)合材料的俯視示意圖。
圖4是本發(fā)明實(shí)施例的碳納米管復(fù)合材料的制備方法的流程示意圖。
圖5是本發(fā)明實(shí)施例在基底上生長碳納米管陣列的示意圖。
圖6是圖5中碳納米管陣列頂端形成保護(hù)層的示意圖。
圖7是圖6中碳納米管陣列兩端均形成保護(hù)層并在碳納米管陣列中注入聚合物材料的示意圖。
圖8是圖7中碳納米管陣列去除保護(hù)層后的示意圖。
圖9是本發(fā)明實(shí)施例的碳納米管復(fù)合材料的導(dǎo)電性能的示意圖。
具體實(shí)施方式下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明實(shí)施例作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。
請參閱圖1和圖2,本發(fā)明實(shí)施例提供一種碳納米管復(fù)合材料10,其包括一聚合物材料12以及分布于該聚合物材料12中的碳納米管陣列14。該碳納米管復(fù)合材料10形成有一第一表面102及相對于第一表面的第二表面104。該碳納米管陣列14分別和碳納米管復(fù)合材料10的第一表面102和第二表面104基本垂直,且每個(gè)碳納米管的兩端分別在該碳納米管復(fù)合材料10的第一表面102和第二表面104露出。所述聚合物材料12包括有機(jī)材料,如硅膠系列、聚乙烯乙二醇、聚酯、樹脂系列、缺氧膠系列或壓克力膠系列等。
請參閱圖3,本發(fā)明實(shí)施例提供一種可根據(jù)實(shí)際需要形成預(yù)定圖案的碳納米管復(fù)合材料20,其包括一聚合物材料22以及按照預(yù)定圖案分布于該聚合物材料22中的碳納米管陣列24,該碳納米管陣列24的兩端分別露出碳納米管復(fù)合材料20的相對兩表面。根據(jù)不同需要,該碳納米管復(fù)合材料20中的碳納米管陣列24可形成不同圖案,如圓形、方形、矩形、橢圓形等。本發(fā)明實(shí)施例碳納米管復(fù)合材料20在實(shí)際應(yīng)用中,可根據(jù)集成芯片管腳位置制備形成預(yù)定圖案的碳納米管陣列24的碳納米管復(fù)合材料20,并將該碳納米管復(fù)合材料20置于芯片與基板之間,利用碳納米管陣列24良好的導(dǎo)電性能電性連接芯片與基板。同時(shí)利用碳納米管陣列24優(yōu)異的導(dǎo)熱性能將芯片工作產(chǎn)生的熱量散發(fā)出去。
請一并參閱圖4至圖8,本發(fā)明實(shí)施例還提供一種原位注模法(In-situInjection Molding)制備碳納米管復(fù)合材料30,其包括下述步驟步驟100,提供一基底32,并在所述基底32上形成預(yù)定圖案的碳納米管陣列34。所述基底32的材料包括耐高溫的固體材料,如高溫玻璃、硅、金屬及其氧化物等。優(yōu)選地,本實(shí)施例中基底32的材料采用硅。所述碳納米管陣列34的形成方法采用現(xiàn)有技術(shù)中用來制備碳納米管陣列的方法如化學(xué)氣相沉積法、激光燒蝕法等。本實(shí)施例中采用化學(xué)氣相沉積法,首先在基底32上形成預(yù)定圖案的催化劑層(圖未示),然后在高溫下通入碳源氣以形成碳納米管陣列34。所述催化劑包括鐵、鎳、鈷、鈀等過渡金屬或其任意組合的合金。本實(shí)施例中采用鐵。所述碳源氣包括甲烷、乙烯、丙烯、乙炔、甲醇及乙醇等。本實(shí)施例中采用乙烯。具體方法為以硅為基底32,在硅基底32上通過光刻形成預(yù)定圖案厚度為5nm厚的鐵膜(圖未示),并在空氣中300℃的條件下進(jìn)行退火;然后在化學(xué)氣相沉積腔體(Chemical Vapor DepositionChamber)中700℃的條件下以乙烯為碳源氣生長碳納米管陣列34。所述碳納米管陣列34直立在所述硅基底32上,高度約為0.3mm。
步驟200,在所述碳納米管陣列34的頂端形成一保護(hù)層36。通過覆蓋一保護(hù)層36將所述碳納米管陣列34中碳納米管的頂端保護(hù)起來。具體方法為在一聚酯片364(Polyester Film)上涂覆一層約0.05mm厚的壓敏膠(PressureSensitive Adhesive)層362,將所述聚酯片364置于所述碳納米管陣列34的上方,輕壓所述聚酯片364,使所述聚酯片364上涂覆的壓敏膠層362覆蓋所述碳納米管陣列34的頂端,從而形成保護(hù)層36。本實(shí)施例中壓敏膠層362選用撫順輕工業(yè)科學(xué)研究所的壓敏膠材料(具體型號為YM881),該壓敏膠層362還可用其他具有粘性較高的材料,如膠水替代,該聚酯片364也可用其他聚合物固體材料替代,如聚乙烯片。本實(shí)施例中壓敏膠層362為可選擇性層,即,可通過將聚酯片364置于碳納米管陣列34上方,并輕壓該聚酯片364使該聚酯片364與碳納米管陣列34的頂端緊密接觸,形成保護(hù)層36。
步驟300,去除所述基底32,并在所述碳納米管陣列34的底端同樣形成一保護(hù)層36。揭去所述碳納米管陣列34底端的基底32,以步驟200的方法在所述碳納米管陣列34的底端同樣形成一保護(hù)層36,從而形成類似注模模具的上下端都有保護(hù)層的碳納米管陣列34。應(yīng)指出的是,本實(shí)施例步驟300為可選擇性步驟,即利用步驟200中形成的保護(hù)層36與基底32也可形成類似注模模具的碳納米管陣列34。該基底32本身可作為碳納米管陣列34的另一保護(hù)層。
步驟400,用聚合物材料38填充所述有保護(hù)層的碳納米管陣列34。將所述兩端有保護(hù)層的碳納米管陣列34浸入聚合物材料38的溶液或熔融液中,使所述聚合物材料38填充所述碳納米管陣列34的空隙,然后取出所述碳納米管陣列34,將所述碳納米管陣列34中填充的聚合物材料38固化或凝固。所述聚合物材料38包括能以液態(tài)填充入碳納米管陣列34中的空隙,然后固化或凝固成固體的有機(jī)材料,如硅膠系列、聚乙烯乙二醇、聚酯、樹脂系列、缺氧膠系列或壓克力膠系列。本實(shí)施例中,所述聚合物材料38選用道康寧(Dow Corning)公司的雙組分硅酮彈性體(具體型號為Sylgard 160)。Sylgard 160混合前為A、B兩部分液體組分組成,混合后會(huì)固化為柔性彈性體。具體步驟為將所述兩端有保護(hù)層的碳納米管陣列34浸入Sylgard 160的溶液中,使溶液填充入碳納米管陣列,所述溶液中Sylgard 160的A、B兩部分液體組分與乙酸乙酯的體積比為1∶1∶1。將填充后的碳納米管陣列34取出后置于真空腔中,在室溫下放置24小時(shí),該溶液會(huì)固化為柔軟彈性體材料。本實(shí)施例填充后的形成的碳納米管復(fù)合材料中碳納米管陣列的質(zhì)量百分比含量為5wt%。
步驟500,去除所述保護(hù)層,形成碳納米管復(fù)合材料110。所述保護(hù)層可直接揭去,剩余的壓敏膠362可選用有機(jī)溶劑溶解消去,從而形成碳納米管復(fù)合材料30。本實(shí)施例中,選用二甲苯作為有機(jī)溶劑溶解所述壓敏膠362。此時(shí),所述碳納米管陣列34中大部分碳納米管的尖端露出所述碳納米管復(fù)合材料30的表面。
本發(fā)明實(shí)施例還可進(jìn)一步包括一反應(yīng)離子蝕刻步驟,以確保所述碳納米管陣列34中所有碳納米管的尖端露出所述碳納米管復(fù)合材料30的表面。本實(shí)施例中采用O2等離子體在壓力為6Pa,功率為150W的條件下對所述碳納米管復(fù)合材料30第一表面及第二表面分別處理15分鐘,所述碳納米管復(fù)合材料30經(jīng)過反應(yīng)離子蝕刻后所有碳納米管的尖端露出所述碳納米管復(fù)合材料30的表面。
請參閱圖9,本發(fā)明實(shí)施例的碳納米管復(fù)合材料以平行于碳納米管陣列的方向?yàn)榭v向,以垂直于碳納米管陣列的方向?yàn)闄M向。由于碳納米管本身沿其縱向的電導(dǎo)率大于其橫向的電導(dǎo)率,本發(fā)明碳納米管復(fù)合材料的縱向的電導(dǎo)率大于其橫向的電導(dǎo)率。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明實(shí)施例的碳納米管復(fù)合材料中碳納米管陣列中的碳納米管兩端均從碳納米管復(fù)合材料的表面露出,所述碳納米管形成的導(dǎo)電、導(dǎo)熱通路可與熱接觸面直接接觸,而不會(huì)被電阻、熱阻相對較大的聚合物材料阻隔。因此,所述碳納米管復(fù)合材料可進(jìn)一步降低電阻、熱阻,提升導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能。另外,由于本發(fā)明實(shí)施例的碳納米管復(fù)合材料中碳納米管陣列可根據(jù)實(shí)際需要任意圖案化,其在具有良好導(dǎo)電性能的基礎(chǔ)上又具有優(yōu)異的導(dǎo)熱性能,且,該碳納米管復(fù)合材料中的碳納米管陣列通過固化的聚合物材料固定形成一薄膜,應(yīng)用簡單方便,碳納米管不易脫落。因此,本發(fā)明實(shí)施例的碳納米管復(fù)合材料能應(yīng)用于現(xiàn)有的大規(guī)模集成電路和大功率為電子器件領(lǐng)域中。
可以理解的是,對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思做出其他各種相應(yīng)的改變和變形,而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種碳納米管復(fù)合材料,其包括一聚合物材料以及分布于該聚合物材料中的多個(gè)碳納米管,該聚合物材料形成有一第一表面及相對于第一表面的第二表面,其特征在于,所述多個(gè)碳納米管在該聚合物材料中按照預(yù)定的圖案均勻分布,每個(gè)碳納米管的兩端分別伸出所述聚合物材料的第一表面及第二表面。
2.如權(quán)利要求1所述的碳納米管復(fù)合材料,其特征在于,所述聚合物材料包括硅膠系列、聚乙烯乙二醇、聚酯、環(huán)氧樹脂系列、缺氧膠系列或壓克力膠系列。
3.如權(quán)利要求1所述的碳納米管復(fù)合材料,其特征在于,所述多個(gè)碳納米管組成一多壁或單壁碳納米管陣列。
4.如權(quán)利要求1所述的碳納米管復(fù)合材料,其特征在于,所述多個(gè)碳納米管垂直于所述聚合物材料的第一表面和第二表面。
5.一種碳納米管復(fù)合材料的制備方法,其包括下述步驟(一)提供一基底,該基底上形成有按照預(yù)定圖案排列的碳納米管陣列;(二)在所述碳納米管陣列的頂端和底端各形成一保護(hù)層;(三)用聚合物材料填充所述碳納米管陣列;(四)去除碳納米管陣列兩端的保護(hù)層,形成碳納米管復(fù)合材料。
6.如權(quán)利要求5所述的碳納米管復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,所述步驟(一)進(jìn)一步包括以下步驟提供一基底,該基底至少具有一表面;在上述基底表面形成預(yù)定圖案的催化劑層;在上述催化劑層上形成碳納米管陣列,得到預(yù)定圖案的碳納米管陣列。
7.如權(quán)利要求6所述的碳納米管復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,所述基底材料包括玻璃、硅、金屬或其氧化物。
8.如權(quán)利要求6所述的碳納米管復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,所述碳納米管陣列的形成方法包括化學(xué)氣相沉積法或激光燒蝕法。
9.如權(quán)利要求6所述的碳納米管復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,所述催化劑包括鐵、鎳、鈷、鈀或其任意組合的合金。
10.如權(quán)利要求5所述的碳納米管復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,步驟(二)中以基底作為碳納米管陣列底端的保護(hù)層。
11.如權(quán)利要求5所述的碳納米管復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,步驟(二)進(jìn)一步包括以下步驟去除碳納米管陣列底端的基底;在碳納米管陣列的底端形成一保護(hù)層。
12.如權(quán)利要求5或11所述的碳納米管復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,所述所述保護(hù)層包括一聚酯片。
13.如權(quán)利要求12所述的碳納米管復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,所述保護(hù)層進(jìn)一步包括一壓敏膠層。
14.如權(quán)利要求13所述的碳納米管復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,所述保護(hù)層的形成方法包括以下步驟提供一聚酯片;在該聚酯片一表面涂敷一層壓敏膠層;將所述聚酯片置于所述碳納米管陣列的上方;輕壓所述聚酯片,使所述聚酯片上涂覆的壓敏膠層覆蓋所述碳納米管陣列的頂端,從而形成保護(hù)層。
15.如權(quán)利要求5所述的碳納米管復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,所述聚合物材料包括硅膠系列、聚乙烯乙二醇、聚酯、環(huán)氧樹脂系列、缺氧膠系列或壓克力膠系列。
16.如權(quán)利要求15所述的碳納米管復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,所述步驟(三)所述聚合物材料填充方法包括將所述兩端有保護(hù)層的碳奈米管陣列浸入所述聚合物材料的溶液或熔融液中。
17.如權(quán)利要求16所述的碳納米管復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,進(jìn)一步包括固化所述兩端有保護(hù)層的碳奈米管陣列中填充的聚合物材料的步驟。
18.如權(quán)利要求5所述的碳納米管復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,所述碳納米管復(fù)合材料的制備方法還包括進(jìn)一步對所述碳納米管復(fù)合材料進(jìn)行反應(yīng)離子蝕刻的步驟。
19.如權(quán)利要求18所述的碳納米管復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,所述反應(yīng)離子蝕刻包括O2等離子體蝕刻。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種碳納米管復(fù)合材料,其包括一聚合物材料以及分布于該聚合物材料中的多個(gè)碳納米管,該聚合物材料形成有一第一表面及相對于第一表面的第二表面,所述多個(gè)碳納米管基本相互平行且在該聚合物材料中均勻分布,每個(gè)碳納米管的兩端分別伸出所述聚合物材料的第一表面及第二表面。本發(fā)明還涉及一種碳納米管復(fù)合材料的制備方法。
文檔編號B29C70/68GK101054467SQ200610060309
公開日2007年10月17日 申請日期2006年4月14日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月14日
發(fā)明者劉長洪, 姚湲, 范守善 申請人:清華大學(xué), 鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司
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