本實(shí)用新型涉及一種高氣體阻隔性手機(jī)制程保護(hù)膜。
背景技術(shù):
手機(jī)生產(chǎn)行業(yè)中制程保護(hù)膜的使用較為廣泛,例如背光組件中的導(dǎo)光板、偏光膜及擴(kuò)散膜在組裝過程中都需要采用制程保護(hù)膜進(jìn)行保護(hù)。原先的制程保護(hù)膜通常以聚乙烯層作為基材層,其上設(shè)置膠粘劑層,基材層僅僅起到遮擋的作用,無法有效的防止生產(chǎn)過程中的酸液侵蝕(尤其是對(duì)邊緣腐蝕的電容屏實(shí)施保護(hù)處理時(shí))。為此,目前的一類制程保護(hù)膜都在基材層上涂覆耐酸膠粘劑層,通過耐酸膠粘劑層與目標(biāo)物表面接觸能夠防止基材層輕易剝落。
然而在實(shí)際的生產(chǎn)過程中,我們發(fā)現(xiàn)已知的上述制程保護(hù)膜還缺乏優(yōu)良的氣體阻隔性能,因?yàn)樵诰唧w的手機(jī)組裝及部件修復(fù)處理過程中,電器部件在一定的溫度條件下其內(nèi)部腐蝕性材料會(huì)以氣體的形式蒸發(fā)覆蓋至保護(hù)膜表面,對(duì)其進(jìn)行侵蝕,從基材層外表面及四周腐蝕產(chǎn)品,最終導(dǎo)致產(chǎn)品報(bào)廢。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本實(shí)用新型目的是:提供一種高氣體阻隔性手機(jī)制程保護(hù)膜,該制程保護(hù)膜能夠有效防止氣化的酸性腐蝕物質(zhì)侵蝕基材層的背面,對(duì)產(chǎn)品提供更好的阻隔保護(hù)作用。
本實(shí)用新型的技術(shù)方案是:一種高氣體阻隔性手機(jī)制程保護(hù)膜,包括基材層、設(shè)置于基材層下表面上的第一耐酸膠粘劑層以及設(shè)置于第一耐酸膠粘劑層下表面上的離型膜層;其特征在于所述基材層的上表面上設(shè)有第二耐酸膠粘劑層,而第二耐酸膠粘劑層的上表面設(shè)有氣體阻隔層,所述氣體阻隔層為聚偏二氯乙烯層。
進(jìn)一步的,本實(shí)用新型中所述基材層和氣體阻隔層的厚度比為4:5~1:1。
進(jìn)一步的,本實(shí)用新型中所述第二耐酸膠粘劑層與第一耐酸膠粘劑層的厚度比為3:5~1:1。
優(yōu)選的,本實(shí)用新型中所述氣體阻隔層的厚度為60~100μm。
優(yōu)選的,本實(shí)用新型中所述第二耐酸膠粘劑層的厚度為4~80μm。
進(jìn)一步的,本實(shí)用新型中所述基材層為聚乙烯層、聚氯乙烯層和雙向拉伸聚丙烯層中的一種。
本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是:
1、本實(shí)用新型提供的這種制程保護(hù)膜,由于在基材層的上表面(背面)進(jìn)一步增加了專門的氣體阻隔層,該阻隔層能夠有效防止氣化的酸性腐蝕物質(zhì)侵蝕基材層的背面,給產(chǎn)品提供更好的阻隔保護(hù)作用,大大提高產(chǎn)品質(zhì)量。
2、本實(shí)用新型中的耐酸膠粘劑層采用雙層結(jié)構(gòu),分別設(shè)于基材層兩面,其中之一承擔(dān)常規(guī)的與產(chǎn)品表面的粘結(jié)作用,而另一層則阻隔酸性腐蝕液體或物質(zhì)經(jīng)基材層向后傳輸至氣體阻隔層,兩層耐酸膠粘劑層相互作用給予本實(shí)用新型更好的耐酸防護(hù)性能。
3、本實(shí)用新型通過控制基材層和氣體阻隔層的厚度比,確保一定的氣體阻隔性能的前提下,控制生產(chǎn)成本(主要是限制聚偏二氯乙烯的用量),成本節(jié)約達(dá)10~20%,有助于提高產(chǎn)品市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,帶來極為可觀的經(jīng)濟(jì)效益。
4、本實(shí)用新型運(yùn)用于實(shí)際的手機(jī)生產(chǎn),經(jīng)長(zhǎng)期試驗(yàn)統(tǒng)計(jì),其氣體阻隔性能提升了10~15%。
附圖說明
下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述:
圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
其中:1、基材層;2、第一耐酸膠粘劑層;3、離型膜層;4、第二耐酸膠粘劑層;5、氣體阻隔層。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例1:如圖1所示為本實(shí)用新型高氣體阻隔性手機(jī)制程保護(hù)膜的一種具體實(shí)施方式,其具有基材層1、設(shè)置于基材層1下表面上的第一耐酸膠粘劑層2以及設(shè)置于第一耐酸膠粘劑層2下表面上的離型膜層3;主要改進(jìn)在于所述基材層1的上表面上設(shè)有第二耐酸膠粘劑層4,而第二耐酸膠粘劑層4的上表面設(shè)有氣體阻隔層5,所述氣體阻隔層5為聚偏二氯乙烯層。
本實(shí)施例中所述基材層1為聚乙烯層,其厚度為80μm。
本實(shí)施例中所述氣體阻隔層5的厚度為100μm,故基材層1與該氣體阻隔層5的厚度比為4:5。
本實(shí)施例中所述第一耐酸膠粘劑層2的厚度為20μm,而所述第二耐酸膠粘劑層4的厚度為12μm,故其與第一耐酸膠粘劑層2的厚度比為3:5。
實(shí)施例2:依舊參考圖1所示,本實(shí)用新型高氣體阻隔性手機(jī)制程保護(hù)膜的另一種具體實(shí)施方式,其具有基材層1、設(shè)置于基材層1下表面上的第一耐酸膠粘劑層2以及設(shè)置于第一耐酸膠粘劑層2下表面上的離型膜層3;主要改進(jìn)在于所述基材層1的上表面上設(shè)有第二耐酸膠粘劑層4,而第二耐酸膠粘劑層4的上表面設(shè)有氣體阻隔層5,所述氣體阻隔層5為聚偏二氯乙烯層。
本實(shí)施例中所述基材層1為雙向拉伸聚丙烯層,其厚度為100μm。
本實(shí)施例中所述氣體阻隔層5的厚度為100μm,故基材層1與該氣體阻隔層5的厚度比為1:1。
本實(shí)施例中所述第一耐酸膠粘劑層2的厚度為60μm,而所述第二耐酸膠粘劑層4的厚度為60μm,故其與第一耐酸膠粘劑層2的厚度比為1:1。
當(dāng)然上述實(shí)施例只為說明本實(shí)用新型的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn),其目的在于讓熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人能夠了解本實(shí)用新型的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施,并不能以此限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。凡根據(jù)本實(shí)用新型主要技術(shù)方案的精神實(shí)質(zhì)所做的修飾,都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。