1.一種長(zhǎng)余輝發(fā)光材料,其特征在于,其化學(xué)式如式(I)所示:
K1-x-y-z-a-bLiaNabGa1-cAlcGe1-dSidO4:xBi3+,yM2+,zR3+,式(I);
式(I)中,M為Mg、Ca、Sr、Ba和Zn中的一種或多種;
R為Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的一種或多種;
0.0001≤x≤0.20,0≤y≤0.20,0≤z≤0.20,0≤a≤0.20,0≤b≤0.20,0≤c≤0.20,0≤d≤0.20。
2.一種如權(quán)利要求1所述的長(zhǎng)余輝發(fā)光材料的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
A)將含K的化合物、含Na的化合物、含Li的化合物、含M的化合物、含R的化合物、含Ga的化合物、含Al的化合物、含Ge的化合物、含Si的化合物和含Bi的化合物混合研磨,得到混合物;
B)將所述混合物燒結(jié),得到長(zhǎng)余輝發(fā)光材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法,其特征在于,所述含K的化合物為鉀的碳酸鹽或鉀的氧化物;所述含Na的化合物為鈉的碳酸鹽或鈉的氧化物;所述含Li的化合物為鋰的碳酸鹽或鋰的氧化物。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法,其特征在于,所述含M的化合物為含M的氧化物、含M的碳酸鹽或含M的堿式碳酸鹽。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法,其特征在于,所述含R的化合物為含R的氧化物或含R的草酸鹽。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法,其特征在于,所述含Ga的化合物為鎵的氧化物或鎵的碳酸鹽,所述含Al的化合物為鋁的氧化物、鋁的硝酸鹽或鋁的氫氧化物,所述含Ge的化合物為鍺的氧化物或鍺的碳酸鹽,所述含Si的化合物為硅的氧化物或硅酸鹽。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法,其特征在于,所述含Bi的化合物為鉍的氧化物或鉍的碳酸鹽。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法,其特征在于,所述燒結(jié)在空氣氛圍下進(jìn)行,所述燒結(jié)的溫度為800~1300℃,所述燒結(jié)的時(shí)間為2~20小時(shí)。