粘合片及電子器件的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明的主要目的在于提供切割時(shí)芯片不飛散、可容易拾取、不易發(fā)生粘合劑殘留的粘合片。所述粘合片通過在基材上層疊光固化型粘合劑層而成，該光固化型粘合劑含有(甲基)丙烯酸酯共聚物、光聚合性化合物、多官能異氰酸酯固化劑、光聚合引發(fā)劑及增粘樹脂，所述增粘樹脂是完全或部分氫化的萜烯酚樹脂。
【專利說(shuō)明】粘合片及電子器件的制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及粘合片及使用該粘合片的電子器件的制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 半導(dǎo)體晶圓或基板在貼合粘合片后，進(jìn)行切斷成元件小片（切割）、粘合片的拉伸 (擴(kuò)展）、自粘合片剝離元件小片（拾?。┑雀鞑襟E。希望在這些步驟中所使用的粘合片 (切割膠帶）對(duì)在切割步驟中被切斷的元件小片（芯片）具有充分的粘合力，并且在拾取步 驟時(shí)粘合力減小至沒有粘合劑殘留的程度。
[0003] 作為粘合片，有在對(duì)紫外線及/或電子射線等活性光線具有透過性的基材上，涂 布在紫外線等作用下進(jìn)行聚合固化反應(yīng)的粘合劑層而成的粘合片。該粘合片采用在切割步 驟后，對(duì)粘合劑層照射紫外線等，使粘合劑層聚合固化來(lái)降低粘合力后，拾取被切斷的芯片 的方法。
[0004] 作為這樣的粘合片，專利文獻(xiàn)1及專利文獻(xiàn)2中公開了藉由在基材面上，例如涂布 能經(jīng)由活性光線而三維網(wǎng)狀化且含有在分子內(nèi)具有光聚合性不飽和雙鍵的化合物（多官 能性低聚物）而成的粘合劑的粘合片。
[0005] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0006] 專利文獻(xiàn)
[0007] 專利文獻(xiàn)1 :日本特開昭60-196956號(hào)公報(bào)
[0008] 專利文獻(xiàn)2 :日本特開昭60-223139號(hào)公報(bào)


【發(fā)明內(nèi)容】

[0009] 發(fā)明所要解決的課題
[0010] 在半導(dǎo)體晶圓或基板的加工步驟中，為了使切割步驟所切斷的元件小片（芯片） 不飛散，有在粘合片的粘合劑中含有增粘樹脂的情況，但存在照射活性光線時(shí)，增粘樹脂發(fā) 揮不良影響，引起粘合劑的固化障礙，有拾取步驟時(shí)無(wú)法剝離或發(fā)生粘合劑殘留的情況。還 存在增粘樹脂會(huì)經(jīng)時(shí)地滲出至半導(dǎo)體晶圓或基板表面的情況。
[0011] 因此，本發(fā)明的主要目的在于提供切割時(shí)芯片不飛散、可容易拾取、不易發(fā)生粘合 劑殘留的粘合片。
[0012] 用于解決課題的手段
[0013] 本
【發(fā)明者】們提供粘合片，其為在基材上層疊光固化型粘合劑層而成的粘合片，其 中，光固化型粘合劑含有（甲基）丙烯酸酯共聚物、光聚合性化合物、多官能異氰酸酯固化 齊?、光聚合引發(fā)劑及增粘樹脂，該增粘樹脂是完全或部分氫化的萜烯酚樹脂。
[0014] 在本發(fā)明的一個(gè)方案中，前述完全或部分氫化的萜烯酚樹脂的羥值為50?250。 另外，前述完全或部分氫化的萜烯酚樹脂的氫化率為30?100%。
[0015] 另外，在本發(fā)明的一個(gè)方案中，前述光固化型粘合劑含有100質(zhì)量份的（甲基）丙 烯酸酯共聚物、5?200質(zhì)量份的光聚合性化合物、0. 5?20質(zhì)量份的多官能異氰酸酯固化 劑、0. 1?20質(zhì)量份的光聚合引發(fā)劑及0. 5?100質(zhì)量份的完全或部分氫化的萜烯酚樹脂。
[0016] 另外，在本發(fā)明的一個(gè)方案中，前述光固化型粘合劑是具有羥基的（甲基）丙烯酸 酯共聚物、具有羥基的光聚合引發(fā)劑與完全或部分氫化的萜烯酚樹脂通過使用異氰酸酯固 化劑化學(xué)鍵合而成。
[0017] 進(jìn)而，本發(fā)明還提供一種電子器件的制造方法，其為使用權(quán)利要求1?5所述的前 述粘合片的電子器件的制造方法，其包括：在粘合于環(huán)框上的前述粘合片上粘貼半導(dǎo)體晶 圓或基板的粘貼步驟；切割前述半導(dǎo)體晶圓或前述基板而形成半導(dǎo)體芯片或半導(dǎo)體器件的 切割步驟；對(duì)前述粘合片照射活性光線的光照射步驟；拉伸粘合片以擴(kuò)大前述半導(dǎo)體芯片 或前述半導(dǎo)體器件彼此的間隔的擴(kuò)展步驟；以及自前述粘合片拾取前述半導(dǎo)體芯片或前述 半導(dǎo)體器件的拾取步驟。
[0018] 發(fā)明效果
[0019] 依照本發(fā)明，能夠提供切割時(shí)芯片不飛散、可容易拾取、不易發(fā)生粘合劑殘留的粘 合片。

【具體實(shí)施方式】
[0020] 以下，說(shuō)明用于實(shí)施本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。應(yīng)予說(shuō)明，以下說(shuō)明的實(shí)施方式表示 本發(fā)明的代表性實(shí)施方式的一個(gè)例子，本發(fā)明的范圍不應(yīng)由此被狹義地解釋。
[0021] 1.粘合片
[0022] 本發(fā)明的粘合片的特征為：在基材上層疊光固化型粘合劑層（以下也簡(jiǎn)稱為"粘 合劑層"）而成，光固化型粘合劑含有（甲基）丙烯酸酯共聚物、光聚合性化合物、多官能異 氰酸酯固化劑、光聚合引發(fā)劑及增粘樹脂，該增粘樹脂是完全或部分氫化的萜烯酚樹脂。
[0023] (1-1)(甲基）丙烯酸酯共聚物
[0024](甲基）丙烯酸酯共聚物是僅（甲基）丙烯酸酯單體的聚合物，或（甲基）丙烯酸 酯單體與乙烯基化合物單體的共聚物。應(yīng)予說(shuō)明，所謂的（甲基）丙烯酸酯是丙烯酸酯及 甲基丙烯酸酯的總稱。（甲基）丙烯酸等含有（甲基）的化合物等也同樣是在名稱中具有 "甲基"的化合物與不具有"甲基"的化合物的總稱。
[0025] 作為（甲基）丙烯酸酯的單體，可舉出例如：（甲基）丙烯酸丁酯、（甲基）丙烯 酸2- 丁酯、（甲基）丙烯酸叔丁酯、（甲基）丙烯酸戊酯、（甲基）丙烯酸辛酯、（甲基）丙 烯酸2-乙基己酯、（甲基）丙烯酸壬酯、（甲基）丙烯酸癸酯、（甲基）丙烯酸月桂酯、（甲 基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸異丙酯、（甲基）丙烯酸十三酯、（甲 基）丙烯酸肉豆蘧酯、（甲基）丙烯酸鯨蠟酯、（甲基）丙烯酸十八酯、（甲基）丙烯酸環(huán)己 酯、（甲基）丙烯酸異冰片酯、（甲基）丙烯酸二環(huán)戊烯基酯、（甲基）丙烯酸芐酯、（甲基） 丙烯酸甲氧基乙酯、（甲基）丙烯酸乙氧基乙酯、（甲基）丙烯酸丁氧基甲酯及（甲基）丙 烯酸乙氧基正丙酯。
[0026] 作為能夠與（甲基）丙烯酸酯單體共聚的乙烯基化合物單體，可舉出具有羥基、羧 基、環(huán)氧基、酰胺基、氨基、羥甲基、磺酸基、氨基磺酸基或（亞）磷酸酯基這個(gè)官能團(tuán)組中的 一種以上的含官能團(tuán)單體。
[0027] 作為具有羥基的單體，有例如：（甲基）丙烯酸2-羥基乙酯、（甲基）丙烯酸2-羥 基丙酯、（甲基）丙烯酸4-羥基丁酯。
[0028] 作為具有羧基的單體，有例如：（甲基）丙烯酸、巴豆酸、馬來(lái)酸、馬來(lái)酸酐、衣康 酸、富馬酸、丙烯酰胺-N-乙醇酸及肉桂酸。
[0029] 作為具有環(huán)氧基的單體，有例如：烯丙基縮水甘油醚及（甲基）丙烯酸縮水甘油 醚。
[0030] 作為具有酰胺基的單體，有例如：（甲基）丙烯酰胺。
[0031] 作為具有氨基的單體，有例如：（甲基）丙烯酸N，N_二甲基氨基乙酯。
[0032] 作為具有羥甲基的單體，有例如：N-羥甲基丙烯酰胺。
[0033] 其中，為了防止對(duì)粘附體的污染，優(yōu)選含有具有能與異氰酸酯固化劑反應(yīng)的羥基 的單體。
[0034] (1-2)光聚合性化合物
[0035] 作為光聚合性化合物，可使用例如：三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四丙 烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二季 戊四醇六丙烯酸酯、1，4-丁二醇二丙烯酸酯、1，6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸 酯、三聚氰酸三乙基丙烯酸酯、市售的丙烯酸酯類低聚物等。
[0036] 作為光聚合性化合物，除了上述丙烯酸酯類化合物，還可使用氨基甲酸酯丙烯酸 酯低聚物。氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物通過使末端異氰酸酯氨基甲酸酯預(yù)聚物與具有羥基 的（甲基）丙烯酸酯反應(yīng)而得，所述末端異氰酸酯氨基甲酸酯預(yù)聚物通過使聚酯型或聚醚 型等多羥基化合物與多元異氰酸酯化合物反應(yīng)而得。
[0037] 多元異氰酸酯化合物可以使用例如：2, 4-甲苯二異氰酸酯、2, 6-甲苯二異氰酸 酯、1，3-二甲苯二異氰酸酯、1，4-二甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷-4, 4-二異氰酸酯、三甲 基六亞甲基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯等。另外，具有羥基的 (甲基）丙烯酸酯可以使用例如：（甲基）丙烯酸-2-羥基乙酯、（甲基）丙烯酸-2-羥基 丙酯、聚乙二醇（甲基）丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、縮水甘油二（甲基）丙烯酸酯、二 季戊四醇單羥基五丙烯酸酯等。
[0038] 作為光聚合性化合物，從紫外線等照射后的粘合劑固化良好方面考慮，優(yōu)選具有4 個(gè)以上乙烯基的氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物。
[0039] 光聚合性化合物的摻合量，相對(duì)于100質(zhì)量份的（甲基）丙烯酸酯共聚物，優(yōu)選為 5質(zhì)量份以上200質(zhì)量份以下，更優(yōu)選為20質(zhì)量份以上120質(zhì)量份以下。若減少光聚合性 化合物的摻合量，則放射線照射后的粘合片的剝離性降低，容易發(fā)生半導(dǎo)體芯片的拾取不 良。另一方面，若增加光聚合性化合物的摻合量，則由于切割時(shí)的粘合劑的撥起而容易發(fā)生 拾取不良，同時(shí)因反應(yīng)殘?jiān)a(chǎn)生微小的粘合劑殘留，成為污染的原因。
[0040] (1-3)多官能異氰酸酯固化劑
[0041] 多官能異氰酸酯固化劑為具有2個(gè)以上異氰酸酯基的多官能異氰酸酯固化劑，例 如可以使用芳香族多異氰酸酯、脂肪族多異氰酸酯、脂環(huán)族多異氰酸酯、它們的二聚物或三 聚物、加成物等。
[0042] 作為芳香族多異氰酸酯，有例如：1，3-亞苯基二異氰酸酯、4, 4' -二苯基二異氰酸 酯、1，4-亞苯基二異氰酸酯、4, 4' -二苯基甲烷二異氰酸酯、2, 4-甲苯二異氰酸酯、2, 6-甲 苯二異氰酸酯、4, 4'-甲苯胺二異氰酸酯、2, 4, 6-三異氰酸酯基甲苯、1，3, 5-三異氰酸酯基 苯、聯(lián)茴香胺二異氰酸酯、4, 4' -二苯基醚二異氰酸酯、4, 4'，4"-三苯基甲烷三異氰酸酯、 ω，ω ' -二異氰酸酯-1，3_二甲基苯、ω，ω ' -二異氰酸酯-1，4_二甲基苯、ω，ω ' -二異 氰酸酯-1，4-二乙基苯、1，4-四甲基苯二甲基二異氰酸酯及1，3-四甲基苯二甲基二異氰酸 酯。
[0043] 作為脂肪族多異氰酸酯，有例如：三亞甲基二異氰酸酯、四亞甲基二異氰酸酯、六 亞甲基二異氰酸酯、五亞甲基二異氰酸酯、1，2-亞丙基二異氰酸酯、2, 3-亞丁基二異氰酸 酯、1，3-亞丁基二異氰酸酯、十二亞甲基二異氰酸酯及2, 4, 4-三甲基六亞甲基二異氰酸 酯。
[0044] 作為脂環(huán)族多異氰酸酯，有例如：3_異氰酸甲酯基-3, 5, 5-三甲基環(huán)己基異 氰酸酯、1，3-環(huán)戊烷二異氰酸酯、1，3-環(huán)己烷二異氰酸酯、1，4-環(huán)己烷二異氰酸酯、甲 基-2, 4-環(huán)己烷二異氰酸酯、甲基-2, 6-環(huán)己烷二異氰酸酯、4, 4'-亞甲基-雙（環(huán)己基異 氰酸酯）、1，4-雙（異氰酸甲酯基）環(huán)己烷及1，4-雙（異氰酸甲酯基）環(huán)己烷。
[0045] 作為二聚物或三聚物、加成物，有例如：二苯基甲烷二異氰酸酯的二聚物、六亞甲 基二異氰酸酯的三聚物、三羥甲基丙烷與甲苯二異氰酸酯的加成物、三羥甲基丙烷與六亞 甲基二異氰酸酯的加成物。
[0046] 上述多異氰酸酯中，優(yōu)選具有3個(gè)以上異氰酸酯基的多異氰酸酯，特別優(yōu)選六亞 甲基二異氰酸酯的三聚物、三羥甲基丙烷與甲苯二異氰酸酯的加成物、三羥甲基丙烷與六 亞甲基二異氰酸酯的加成物。
[0047] 多官能異氰酸酯固化劑的摻合比，相對(duì)于100質(zhì)量份的（甲基）丙烯酸酯共聚物， 優(yōu)選為〇. 5質(zhì)量份以上20質(zhì)量份以下，更優(yōu)選為1. 0質(zhì)量份以上10質(zhì)量份以下。多官能異 氰酸酯固化劑若為0.5質(zhì)量份以上，則由于粘合力并不太強(qiáng)，因此可抑制拾取不良的產(chǎn)生， 進(jìn)而藉由具有羥基的光聚合引發(fā)劑與完全或部分氫化的萜烯酚樹脂的化學(xué)鍵合，可抑制光 聚合引發(fā)劑與完全或部分氫化的萜烯酚樹脂向粘合劑表面的滲出所造成的污染，多官能異 氰酸酯固化劑若為20質(zhì)量份以下，則粘合力不降低，在切割時(shí)維持半導(dǎo)體芯片的保持性。
[0048] (1-4)光聚合引發(fā)劑
[0049] 光聚合引發(fā)劑使用本偶姻、本偶姻烷基醚類、苯乙酮類、蒽醌類、噻噸酮類、縮酮 類、二苯甲酮類或咕噸酮類等。
[0050] 作為本偶姻，有例如：本偶姻、本偶姻甲基醚、本偶姻乙基醚、本偶姻丙基醚等。
[0051] 作為苯乙酮類，有例如：本偶姻烷基醚類、苯乙酮、2, 2-二甲氧基-2-苯乙酮、 2, 2- _乙氧基-2-苯乙麗、1, I- _氣苯乙麗等。
[0052] 作為蒽醌類，有2-甲基蒽醌、2-乙基蒽醌、2-叔丁基蒽醌、1-氯蒽醌等。
[0053] 作為噻噸酮類，有例如：2, 4-二甲基噻噸酮、2, 4-二異丙基噻噸酮、2-氯噻噸酮、 2, 4-二異丙基噻噸酮等。
[0054] 作為縮酮類，有例如：苯乙酮二甲基縮酮、苯偶酰二甲基縮酮、苯偶酰二苯基硫化 物、四甲基秋蘭姆單硫化物、偶氮二異丁腈、聯(lián)芐、聯(lián)乙酰、β -氯蒽醌等。
[0055] 其中，為了防止對(duì)粘附體的污染，優(yōu)選具有能與異氰酸酯固化劑反應(yīng)的羥基的 2-羥基-1-{4-[4-(2-羥基-2-甲基-丙?；?芐基]-苯基}-2-甲基-丙-1-酮（BASF Japan CORPORATION 制，產(chǎn)品名 IRGACURE127)等。
[0056] 光聚合引發(fā)劑的摻合量，相對(duì)于100質(zhì)量份的（甲基）丙烯酸酯聚合物，優(yōu)選為 〇. 1質(zhì)量份以上20質(zhì)量份以下。摻合量若過少，則放射線照射后的粘合片的剝離性降低，容 易發(fā)生半導(dǎo)體芯片的拾取不良。另一方面，摻合量若過多，則光聚合引發(fā)劑滲出至粘合劑表 面，成為污染的原因。
[0057] 光聚合引發(fā)劑中，視需要也可組合并用1種或2種以上現(xiàn)有公知的光聚合促進(jìn)劑。 光聚合促進(jìn)劑可使用苯甲酸類或叔胺等。作為叔胺，可舉出三乙胺、四乙基五胺、二甲基氨 基醚等。
[0058] (1-5)增粘樹脂
[0059] 作為增粘樹脂，優(yōu)選將萜烯酚樹脂完全或部分氫化的萜烯酚樹脂。
[0060] 萜烯酚樹脂例如可藉由使1摩爾的萜烯化合物與0. 1?50摩爾的酚類反應(yīng)而制 造。
[0061] 作為萜烯化合物，可舉出月桂烯、別羅勒烯、羅勒烯、α-菔烯、β-菔烯、雙戊烯、 朽 1檬烯、α_水拜:烯、品烯、廠品烯、廠品二烯、1，8_桉樹腦、1，4_桉樹腦、α-廠 品醇、β_廠品醇、Υ -廠品醇、茨烯、三環(huán)廠、檜烯、對(duì)蓋二烯（paramenthadiene)類、蒈烯 類等。這些化合物中，本發(fā)明特別優(yōu)選使用α-菔烯、β-菔烯、檸檬烯、月桂烯、別羅勒烯、 α -廠品烯。
[0062] 作為酚類，可舉出苯酚、甲酚、二甲苯酚、兒茶酚、間苯二酚、氫醌、雙酚Α等，但不 限于此。
[0063] 萜烯酚樹脂的酚類的比率是25?50摩爾％左右，但不限于此。
[0064] 完全或部分氫化的萜烯酚樹脂的羥值優(yōu)選為50?250。這是因?yàn)榱u值低于50時(shí)， 與異氰酸酯類固化劑的反應(yīng)不充分，滲出至粘合劑表面，成為污染的原因，若大于250則粘 度上升，發(fā)生與（甲基）丙烯酸酯共聚物等的混合不均，從而拾取特性不穩(wěn)定。
[0065] 氫化的方法沒有特別限制，可舉出例如：使用鈀、釕、銠等貴金屬或?qū)⑺鼈冐?fù)載在 活性炭、活性氧化鋁、硅藻土等載體上而得的產(chǎn)品作為催化劑而進(jìn)行氫化的方法。另外，氫 化率可藉由溴值測(cè)定、碘值測(cè)定等來(lái)測(cè)定。
[0066] 完全或部分氫化的萜烯酚樹脂的氫化率優(yōu)選為30%以上，更優(yōu)選為70%以上。這 是因?yàn)榈陀?0%時(shí)，由活性光線的照射所引發(fā)的光聚合性化合物的反應(yīng)障礙導(dǎo)致粘合力沒 有充分降低，拾取性降低。
[0067] 完全或部分氫化的萜烯酚樹脂的摻合比，相對(duì)于100質(zhì)量份的（甲基）丙烯酸酯 共聚物，優(yōu)選為0. 5質(zhì)量份以上100質(zhì)量份以下，更優(yōu)選為1. 0質(zhì)量份以上50質(zhì)量份以下。 完全或部分氫化的萜烯酚樹脂若為0.5質(zhì)量份以上，則由于粘合力并不太低，所以在切割 時(shí)能夠維持半導(dǎo)體芯片的保持性，若為100質(zhì)量份以下，則可抑制拾取不良的發(fā)生。
[0068] 粘合劑層的厚度優(yōu)選為3 μ m以上100 μ m以下，特別優(yōu)選為5 μ m以上20 μ m以下。 粘合劑層若過厚，則粘合力變得過高，拾取性降低。另外，粘合劑層若過薄，則粘合力變得過 低，切割時(shí)的芯片保持性降低，在環(huán)框與片之間有發(fā)生剝離的情況。
[0069] 粘合劑中，也可添加防老化劑、填充劑、紫外線吸收劑及光穩(wěn)定劑等各種添加劑。
[0070] (2)基材
[0071] 作為基材的材料，可舉出例如：聚氯乙烯、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、乙烯-醋酸乙 烯共聚物、乙烯-丙烯酸-丙烯酸酯膜、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、聚乙烯、聚丙烯、丙烯類 共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物，及乙烯_(甲基）丙烯酸共聚物或乙烯_(甲基）丙烯酸_(甲 基）丙烯酸酯共聚物等經(jīng)金屬離子進(jìn)行交聯(lián)而得的離子鍵聚合物樹脂等?；目蔀檫@些樹 脂的混合物或共聚物，也可為由這些樹脂所成的膜或片的層疊體。
[0072] 基材膜的原材料優(yōu)選使用離子鍵聚合物樹脂。離子鍵聚合物樹脂中，若使用將具 有乙烯單元、甲基丙烯酸單元及（甲基）丙烯酸烷基酯單元的共聚物經(jīng)Na+、K+、Zn 2+等金屬 離子進(jìn)行交聯(lián)而得的離子鍵聚合物樹脂，則切削屑抑制效果顯著，故而優(yōu)選使用。
[0073] 基材可為由上述材料所成的單層或多層的膜或片，也可為層疊由不同材料所成的 膜等而得的基材。基材的厚度為50?200 μ m，優(yōu)選為70?150 μ m。
[0074] 優(yōu)選對(duì)基材實(shí)施抗靜電處理。作為抗靜電處理，有在基材中摻合抗靜電劑的處理、 在基材表面上涂布抗靜電劑的處理、利用電暈放電的處理。
[0075] 作為抗靜電劑，可使用例如：季銨鹽單體等。作為季銨鹽單體，可舉出例如：二甲 基氣基乙基（甲基）丙稀酸醋季鹽化物、-乙基氣基乙基（甲基）丙稀酸醋季鹽化物、甲基 乙基氣基乙基（甲基）丙稀酸醋季鹽化物、對(duì)-甲基氣基苯乙稀季鹽化物及對(duì)-乙基氣基 苯乙烯季鹽化物。其中，優(yōu)選為二甲基氨基乙基甲基丙烯酸酯季鹽化物。
[0076] 2.電子器件的制造方法
[0077] 依順序說(shuō)明本發(fā)明的電子器件的制造方法的具體步驟。
[0078] (2-1)粘貼步驟
[0079] 首先，于粘貼步驟中，將粘合片粘貼于半導(dǎo)體晶圓（或基板）與環(huán)框上。晶圓可為 硅晶圓及氮化鎵晶圓、碳化硅晶圓、藍(lán)寶石晶圓等目前廣泛使用的晶圓?；蹇蔀橐詷渲?封了芯片的封裝基板、LED封裝基板等廣泛使用的基板。
[0080] (2-2)切割步驟
[0081] 于切割步驟中，將硅晶圓等切割而形成半導(dǎo)體芯片或半導(dǎo)體器件。
[0082] (2-3)光照射步驟
[0083] 于光照射步驟中，自基材側(cè)，對(duì)光固化型粘合劑層照射紫外線等活性光線。作為紫 外線的光源，可使用低壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、金屬鹵化物燈。另外，還可使 用電子射線代替紫外線，電子射線的光源可使用α射線、β射線、 Y射線。
[0084] 藉由光照射，粘合劑層被三維網(wǎng)狀化而固化，粘合劑層的粘合力降低。此時(shí)，如上 所述，即使將本發(fā)明的粘合片加溫，也不會(huì)出現(xiàn)過度地粘合于晶圓等情況，故藉由紫外線等 的照射而得到粘合力的充分降低。
[0085] (2-4)擴(kuò)展步驟/拾取步驟
[0086] 于擴(kuò)展步驟/拾取步驟中，為了擴(kuò)大半導(dǎo)體芯片或半導(dǎo)體器件彼此的間隔而將粘 合片拉伸，以針銷等頂起芯片或器件。然后，以真空筒夾或空氣鑷子等吸附芯片或器件，自 粘合片的粘合劑層剝離而拾取。此時(shí)，本發(fā)明的粘合片由于藉由紫外線等的照射而得到粘 合力的充分降低，故芯片或器件與粘合劑層之間的剝離變?nèi)菀?，得到良好的拾取性，也不發(fā) 生粘合劑殘留等不良。
[0087] 實(shí)施例
[0088] <實(shí)施例1 >
[0089] 依照"表1"中所示的配比來(lái)調(diào)制光固化型粘合劑。將此光固化型粘合劑涂布于聚 對(duì)苯二甲酸乙二酯制的隔離膜上，并且涂布使干燥后的粘合層的厚度成為20 μ m。將該粘合 層層疊在基材膜上，于40°C下熟化7日，得到粘合片。
[0090] 基材膜為以乙烯-甲基丙烯酸-甲基丙烯酸烷基酯共聚物的Zn鹽作為主體的離 子鍵聚合物樹脂，使用經(jīng)T模頭擠出MFR值為1. 0g/10分鐘（JIS K7210，210°C )、熔點(diǎn)86°C、 含有 Zn2+離子的材料（DU PONT-MITSUI POLYCHEMICALS CORPORATION 制，編號(hào)：HM1855)而 成膜為100 μ m的基材膜。
[0091] [光固化型粘合劑]
[0092] [(甲基）丙烯酸酯共聚物]
[0093] A-1 :綜研化學(xué)株式會(huì)社制SK_Dynel496 ;96%的丙烯酸-2-乙基己酯、4%的丙烯 酸-2-羥基乙酯的共聚物，藉由溶液聚合而得。
[0094] A-2 :日本ΖΕΟΝ CORPORATION制丙烯酸橡膠AR53L ;42%的丙烯酸乙酯、22%的丙 烯酸丁酯、36%的丙烯酸甲氧基乙酯的共聚物，藉由乳液聚合而得。
[0095] [光聚合性化合物]
[0096] B-1 :根上工業(yè)株式會(huì)社制UN-905 ;使異佛爾酮二異氰酸酯的三聚物與以二季戊 四醇五丙烯酸酯作為主成分的丙烯酸酯反應(yīng)而得的光聚合性化合物，乙烯基數(shù)為15個(gè)。 [0097] B-2 :新中村化學(xué)株式會(huì)社制A-TMPT ;三羥甲基丙烷三丙烯酸酯，乙烯基數(shù)為3個(gè)。
[0098] [多官能異氰酸酯固化劑]
[0099] C-1 :日本聚氨酯株式會(huì)社制Coronate L-45E ;2, 4-甲苯二異氰酸酯與三輕甲基丙 烷的加成物。
[0100][光聚合引發(fā)劑]
[0101] D-l :BASF Japan CORPORATION 制 IRGACURE127 ;2_ 羥基-l-{4-[4-(2-羥基-2-甲 基-丙?；?芐基]-苯基} -2-甲基-丙-1-酮。
[0102] D-2 :BASF Japan CORPORATION 制 IRGACURE651 ;苯偶酰二甲基縮酮。
[0103] [增粘樹脂]
[0104] 使1摩爾的α -菔烯（Yasuhara Chemical (株）制α -菔烯，純度95% )與0· 5 摩爾的苯酚（關(guān)東化學(xué)（株）制苯酚，純度99%)反應(yīng)，并且使用GPC測(cè)定的數(shù)均分子量 600、重均分子量800的萜烯酚樹脂，得到Ε-1的部分氫化的萜烯酚樹脂。
[0105] Ε-1 :輕值120、氫化率75%的本公司合成品
[0106] 以下，改變?chǔ)?菔烯與苯酚的摩爾比率進(jìn)行反應(yīng)，并且使用所得的萜烯酚樹脂，得 到完全或部分氫化的萜烯酚樹脂。
[0107] Ε-2 :輕值5、氫化率75%的本公司合成品
[0108] Ε-3 :羥值250、氫化率75%的本公司合成品
[0109] Ε-4 :輕值3、氫化率75%的本公司合成品
[0110] Ε-5 :輕值300、氫化率75%的本公司合成品
[0111] Ε-6 :輕值120、氫化率30%的本公司合成品
[0112] Ε-7 :羥值120、氫化率20%的本公司合成品
[0113] Ε-8 :輕值120、氫化率0%的本公司合成品
[0114] Ε-9 :輕值120、氫化率100%的本公司合成品
[0115] 將所得的粘合片粘貼在形成有虛擬（dummy)電路圖案的直徑為8英寸、厚度為 0. 1_的硅晶圓與環(huán)框上，進(jìn)行切割。然后，進(jìn)行光照射、擴(kuò)展、拾取各步驟。
[0116] 切割步驟的條件如下。
[0117] 切割裝置：DISCO CORPORATION 制 DAD341
[0118] 切割刀：DISC0 CORPORATION 制 NBC-ZH2050-27HEEE
[0119] 切割刀形狀：夕卜徑55. 56mm，刃寬35 μ m，內(nèi)徑19. 05mm
[0120] 切割刀旋轉(zhuǎn)數(shù)：40, OOOrpm
[0121] 切割刀輸送速度：50mm/秒
[0122] 切割尺寸：10mm見方
[0123] 對(duì)粘合片的切入量：40 μ m
[0124] 切削水溫度：25 °C
[0125] 切削水量：1. 〇升/分鐘
[0126] 光照射步驟的條件如下。
[0127] 紫外線照射：高壓水銀燈，照射量為150mJ/cm2
[0128] 擴(kuò)展與拾取步驟的條件如下。
[0129] 拾取裝置：Canon Machinery CORPORATION 制 CAP-300II [0130]擴(kuò)展量：8mm
[0131] 針銷形狀：250 μ mR
[0132] 針銷數(shù)：5根
[0133] 針銷頂起高度：0.3mm
[0134] 于切割步驟及擴(kuò)展與拾取步驟中，進(jìn)行以下的評(píng)價(jià)。
[0135] (1)芯片保持性
[0136] 芯片保持性基于切割步驟后半導(dǎo)體芯片保持在粘合片上的半導(dǎo)體芯片殘存率，按 以下的基準(zhǔn)來(lái)評(píng)價(jià)。
[0137] 優(yōu)（◎):芯片飛散低于5%
[0138] 良（〇）：芯片飛散為5%以上且低于10%
[0139] 差（X):芯片飛散為10%以上
[0140] (2)拾取性
[0141] 拾取性基于拾取步驟中半導(dǎo)體芯片可拾取的比率，按以下基準(zhǔn)來(lái)評(píng)價(jià)。
[0142] 優(yōu)（◎):芯片的拾取成功率為95%以上
[0143] 良（〇）：芯片的拾取成功率為80%以上且低于95%
[0144] 差（X):芯片的拾取成功率低于80%
[0145] (3)污染性
[0146] 將粘合片粘貼于硅制鏡面晶圓上，20分鐘后用高壓水銀燈以150mJ/cm2照射紫外 線后，剝離粘合片。用顆粒計(jì)數(shù)器來(lái)測(cè)定在硅制鏡面晶圓的粘貼面上所殘留的〇. 28μπι以 上的粒子數(shù)。
[0147] 優(yōu)（◎):顆粒少于500個(gè)
[0148] 良（〇）：顆粒少于2000個(gè)
[0149] 差（X):顆粒為2000個(gè)以上
[0150]
【權(quán)利要求】
1. 一種粘合片，其為在基材上層疊光固化型粘合劑層而成的粘合片，其中，所述光固化 型粘合劑含有（甲基）丙烯酸酯共聚物、光聚合性化合物、多官能異氰酸酯固化劑、光聚合 引發(fā)劑及增粘樹脂，所述增粘樹脂是完全或部分氫化的萜烯酚樹脂。
2. 如權(quán)利要求1所述的粘合片，其中，所述完全或部分氫化的萜烯酚樹脂的羥值為 50 ?250。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的粘合片，其中，所述完全或部分氫化的萜烯酚樹脂的氫化率 為 30 ?100%。
4. 如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的粘合片，其中，所述光固化型粘合劑含有100質(zhì)量 份的（甲基）丙烯酸酯共聚物、5?200質(zhì)量份的光聚合性化合物、0. 5?20質(zhì)量份的多官 能異氰酸酯固化劑、〇. 1?20質(zhì)量份的光聚合引發(fā)劑及0. 5?100質(zhì)量份的完全或部分氫 化的萜烯酚樹脂。
5. 如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的粘合片，其中，所述光固化型粘合劑是具有羥基 的（甲基）丙烯酸酯共聚物、具有羥基的光聚合引發(fā)劑與完全或部分氫化的萜烯酚樹脂通 過使用異氰酸酯固化劑化學(xué)鍵合而成。
6. -種電子器件的制造方法，其為使用權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的粘合片的電子 器件的制造方法，其包括： 在粘合于環(huán)框上的所述粘合片上粘貼半導(dǎo)體晶圓或基板的粘貼步驟， 切割所述半導(dǎo)體晶圓或所述基板以制成半導(dǎo)體芯片或半導(dǎo)體器件的切割步驟， 對(duì)所述粘合片照射活性光線的光照射步驟， 拉伸粘合片以擴(kuò)大所述半導(dǎo)體芯片或所述半導(dǎo)體器件彼此間隔的擴(kuò)展步驟，以及 從所述粘合片拾取所述半導(dǎo)體芯片或所述半導(dǎo)體器件的拾取步驟。
【文檔編號(hào)】C09J11/08GK104066806SQ201280066931
【公開日】2014年9月24日 申請(qǐng)日期:2012年12月27日 優(yōu)先權(quán)日:2012年1月12日
【發(fā)明者】齊藤岳史, 津久井友也 申請(qǐng)人:電氣化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社