專利名稱：等離子體顯示器面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有包含由紫外線激發(fā)的熒光體的熒光體層的等離子體顯示器面板。
背景技術(shù)：
等離子體顯示器面板(以下稱作“PDP”)的顯示圖像的品質(zhì)在很大程度上受熒光體層的殘光特性的左右。如果將從熒光體層的發(fā)光強(qiáng)度達(dá)到最大值的時間點到發(fā)光強(qiáng)度達(dá)到最大值的1/10的時間點的時間設(shè)為殘光時間，則殘光時間越短，PDP的顯示圖像的品質(zhì)就越是提高。作為熒光體層中所含的綠色熒光體，已知有Zn2SiO4 = Mn或(Y，Gd) BO3: Tb (例如專利文獻(xiàn)1、2、3及4)。為了縮短殘光時間，將這些綠色熒光體例如與殘光時間短的(Y，Gd) Al3(BO3)4 = Tb混合。另夕卜，為了縮短Si2SiO4 = Mn自身的殘光時間，而提高作為發(fā)光中心的錳 (Mn)的濃度。專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 日本特開平10-195428號公報專利文獻(xiàn)2 日本特開2006-274137號公報專利文獻(xiàn)3 日本特開平11-86735號公報專利文獻(xiàn)4 日本特開2001-236893號公報

發(fā)明內(nèi)容
PDP具備前面板、與前面板相對配置的背面板、和形成于背面板上的熒光體層。熒光體層具有包含Si2SiO4Mn和(Y^，Gdx) 3A15012 Ce (其中，0彡χ彡1)的綠色熒光體層。對于 Zn2SiO4:Mn，相對于Si的含量與Mn的含量的總計來說的Mn的含量為8原子％以上且10原子％以下，并且相對于Si的含量來說的Si的含量與Mn的含量的總計為197原子％以上202 原子 ％ 以下。(Y1-X，GcQ3Al5O12: Ce 的含量相對于 Zn2SiO4 = Mn 的含量與(Y^，GcQ3Al5O12: Ce 的含量的總計為20重量％以上且50重量％以下。


圖1是表示實施方式的PDP的結(jié)構(gòu)的分解立體圖。其中，10PDP，11前面基板，12掃描電極，1加、13a透明電極，12b、13b總線電極，13 維持電極，14顯示電極，15電介質(zhì)層，16保護(hù)層，17背面基板，18數(shù)據(jù)電極，19基底電介質(zhì)層，22隔壁，22a縱隔壁，22b橫隔壁，23a紅色熒光體層，2 綠色熒光體層，23c藍(lán)色熒光體層，M放電單元
具體實施例方式[1. PDP 的構(gòu)成]
如圖1所示，PDPlO將前面基板11與背面基板17相面對地配置。在玻璃制的前面基板11上，形成有多個由平行地配置的掃描電極12和維持電極 13構(gòu)成一對的顯示電極14。本實施方式中，掃描電極12及維持電極13被依照掃描電極 12、維持電極13、維持電極13、掃描電極12的順序排列。掃描電極12在寬度大的透明電極 12a上層疊有寬度小的總線電極12b。維持電極13也相同，在寬度大的透明電極13a上層疊有寬度小的總線電極13b。透明電極12a、13a包含氧化銦(ITO)、氧化錫(SnO2)、氧化鋅 (ZnO)等導(dǎo)電性的金屬氧化物?？偩€電極12b、l!3b是為了提高導(dǎo)電性而形成的，包含銀(Ag) 等金屬ο在前面基板11上，形成有覆蓋顯示電極14的電介質(zhì)層15。電介質(zhì)層15的膜厚約為40 μ m。電介質(zhì)層15由氧化鉍(Bi2O3)系低熔點玻璃或氧化鋅(SiO)系低熔點玻璃形成。在電介質(zhì)層15上，形成有包含氧化鎂(MgO)的保護(hù)層16。保護(hù)層16的膜厚約為 O-Sum0保護(hù)層16是包含以氧化鎂(MgO)為主體的堿土類金屬氧化物的薄膜層。保護(hù)層 16是為了保護(hù)電介質(zhì)層15免受離子濺射而形成的。另外，保護(hù)層16還是為了使放電開始電壓等放電特性穩(wěn)定而形成的。在玻璃制的背面基板17上，形成有平行地配置的多個數(shù)據(jù)電極18。數(shù)據(jù)電極18 包含以銀(Ag)等作為主成分的導(dǎo)電性高的材料。覆蓋數(shù)據(jù)電極18地形成有基底電介質(zhì)層19?；纂娊橘|(zhì)層19是氧化鉍(Bi2O3) 系低熔點玻璃等。在基底電介質(zhì)層19中，為了反射可見光也可以混合氧化鈦(TiO2)粒子。在基底電介質(zhì)層19上形成有隔壁22。隔壁22由縱隔壁2 和與縱隔壁2 正交的橫隔壁22b以井字形構(gòu)成。在隔壁22中，包含低熔點玻璃材料。如果要使畫面尺寸與 42英寸的全高清電視一致，則例如隔壁22的高度為0. Imm 0. 15mm,相鄰的縱隔壁2 的間距為0. 15讓。在基底電介質(zhì)層19的表面與隔壁22的側(cè)面中，形成有熒光體層23。熒光體層23 包含發(fā)出紅色光的紅色熒光體層23a、發(fā)出綠色光的綠色熒光體層2 及發(fā)出藍(lán)色光的藍(lán)色熒光體層23c。紅色熒光體層23a、綠色熒光體層2 及藍(lán)色熒光體層23c夾隔著縱隔壁 2 依次形成。前面基板11與背面基板17以使顯示電極14與數(shù)據(jù)電極18交叉的方式相對配置。前面基板11與背面基板17的外周部由玻璃料等密封材料(未圖示)密封。在密封了的前面基板11與背面基板17之間，形成有放電空間。在放電空間中，以約6X IO4Pa的壓力封入了例如包含氙氣(Xe)等的放電氣體。放電空間由隔壁22分隔為多個分區(qū)。在顯示電極14與數(shù)據(jù)電極18交叉的部分形成有放電單元M。通過在具有各色的熒光體層23的放電單元M內(nèi)產(chǎn)生放電，各色的熒光體層23就會發(fā)光。這樣PDPlO就可以顯示圖像。而且， PDPlO的結(jié)構(gòu)并不一定限于上述的結(jié)構(gòu)，例如隔壁22的形狀也可以是條紋狀。[2. PDP的制造方法]PDPlO的制造方法包括在前面基板11上形成顯示電極14等的前面板形成工序、 在背面基板17上形成數(shù)據(jù)電極18等的背面板形成工序、和組裝前面基板11和背面基板17 的組裝工序。[2-1.前面板形成工序]
前面板形成工序中，在前面基板11上，形成顯示電極14及電介質(zhì)層15。首先，在前面基板11上，形成掃描電極12及維持電極13。例如，利用濺射法等，在前面基板11中形成ITO薄膜。此后，利用光刻法形成給定圖案的透明電極12a、13a。在總線電極12b、l!3b的材料中，使用了包含Ag、用于粘合Ag的玻璃料、感光性樹脂以及溶劑等的膏劑。利用絲網(wǎng)印刷法等，將總線電極膏劑以覆蓋透明電極12a、13a的方式涂布于前面基板11上。然后，利用干燥爐，除去總線電極膏劑中的溶劑。然后夾隔著給定圖案的光掩模， 將總線電極膏劑曝光。然后將總線電極膏劑顯影，形成總線電極圖案。然后利用燒成爐，以給定的溫度燒成總線電極圖案。由此，除去總線電極圖案中的感光性樹脂。另外，總線電極圖案中的玻璃料熔融。熔融了的玻璃料在燒成后再次玻璃化。透明電極12a與透明電極13a之間的相對狹窄的區(qū)域是產(chǎn)生放電的主間隙。 透明電極12a與透明電極13a之間的相對寬廣的區(qū)域是不產(chǎn)生放電的像素間隙區(qū)域 (inter-pixel gap)0然后，形成覆蓋顯示電極14的電介質(zhì)層15。在電介質(zhì)層15的材料中，使用了包含電介質(zhì)玻璃料、樹脂和溶劑等的電介質(zhì)膏劑。例如，利用模具涂布法，以給定的厚度覆蓋掃描電極12及維持電極13地將電介質(zhì)膏劑涂布于前面基板11上。然后，利用干燥爐，除去電介質(zhì)膏劑中的溶劑。最后，利用燒成爐，以給定的溫度燒成電介質(zhì)膏劑。由此，除去電介質(zhì)膏劑中的樹脂。另外，電介質(zhì)玻璃料熔融。熔融了的玻璃料在燒成后再次玻璃化。這里， 除了將電介質(zhì)膏劑進(jìn)行模具涂布的方法以外，也可以使用絲網(wǎng)印刷法、旋涂法等。另外，還可以利用CVD(Chemical Vapor Deposition)法等來形成成為電介質(zhì)層15的膜。利用以上的前面板形成工序，在前面基板11上形成顯示電極14及電介質(zhì)層15。[2-2.背面板形成工序]背面板形成工序中，在背面基板17上，形成數(shù)據(jù)電極18、基底電介質(zhì)層19、隔壁 22、熒光體層23及密封材料(未圖示)。首先，在背面基板17上，形成數(shù)據(jù)電極18。在數(shù)據(jù)電極18的材料中，使用了包含用于確保導(dǎo)電性的Ag、用于粘合Ag的玻璃料、感光性樹脂和溶劑等的數(shù)據(jù)電極膏劑。例如， 利用絲網(wǎng)印刷法，將數(shù)據(jù)電極膏劑以給定的厚度涂布于背面基板17上。然后，利用干燥爐， 除去數(shù)據(jù)電極膏劑中的溶劑。然后夾隔著給定圖案的光掩模，將數(shù)據(jù)電極膏劑曝光。然后將數(shù)據(jù)電極膏劑顯影，形成數(shù)據(jù)電極圖案。最后，利用燒成爐，以給定的溫度燒成數(shù)據(jù)電極圖案。由此，除去數(shù)據(jù)電極圖案中的感光性樹脂。另外，數(shù)據(jù)電極圖案中的玻璃料熔融。熔融了的玻璃料在燒成后再次玻璃化。這里，除了將數(shù)據(jù)電極膏劑進(jìn)行絲網(wǎng)印刷的方法以外， 也可以使用濺射法、蒸鍍法等。然后，形成基底電介質(zhì)層19。在基底電介質(zhì)層19的材料中，使用了包含電介質(zhì)玻璃料、樹脂和溶劑等的基底電介質(zhì)膏劑。例如，利用絲網(wǎng)印刷法，將基底電介質(zhì)膏劑以給定的厚度覆蓋數(shù)據(jù)電極18地涂布于形成有數(shù)據(jù)電極18的背面基板17上。然后，利用干燥爐， 除去基底電介質(zhì)膏劑中的溶劑。最后，利用燒成爐，以給定的溫度燒成基底電介質(zhì)膏劑。由此，除去基底電介質(zhì)膏劑中的樹脂。另外，電介質(zhì)玻璃料熔融。熔融了的玻璃料在燒成后再次玻璃化。這里，也可以使用模具涂布法、旋涂法等。另外，也可以利用CVD法等來形成成為基底電介質(zhì)層19的膜。然后，利用光刻法，形成隔壁22。在隔壁22的材料中，使用了包含填充劑、用于粘合填充劑的玻璃料、感光性樹脂和溶劑等的隔壁膏劑。例如，利用模具涂布法，以給定的厚度將隔壁膏劑涂布于基底電介質(zhì)層19上。然后，利用干燥爐，除去隔壁膏劑中的溶劑。然后，夾隔著給定圖案的光掩模，將隔壁膏劑曝光。然后，將隔壁膏劑顯影，形成隔壁圖案。最后，利用燒成爐，以給定的溫度燒成隔壁圖案。由此，除去隔壁圖案中的感光性樹脂。另外， 隔壁圖案中的玻璃料熔融。熔融了的玻璃料在燒成后再次玻璃化。這里，除了光刻法以外， 也可以使用噴砂法等。然后，形成熒光體層23。在熒光體層23的材料中，使用了包含熒光體材料、粘合劑和溶劑等的熒光體膏劑。例如，利用分配器涂布法，以給定的厚度將熒光體膏劑涂布于相鄰的隔壁22之間。也就是說，在隔壁22之間的基底電介質(zhì)層19之上以及隔壁22的側(cè)面涂布熒光體膏劑。然后，利用干燥爐，除去熒光體膏劑中的溶劑。最后，利用燒成爐，以給定的溫度燒成熒光體膏劑。由此，除去熒光體膏劑中的樹脂。這里，除了分配器涂布法以外，也可以使用絲網(wǎng)印刷法、噴墨法等。而且，對于熒光體材料，將在后面加以詳述。最后，利用分配器涂布法，在背面基板17的周緣部形成密封材料。在密封材料的材料中，使用了包含玻璃料、粘合劑和溶劑等的密封膏劑。利用分配器涂布法等將密封膏劑涂布于背面基板17的周緣部。然后，利用干燥爐，除去密封膏劑中的溶劑。利用以上的背面板形成工序，在背面基板17上，形成數(shù)據(jù)電極18、基底電介質(zhì)層 19、隔壁22、熒光體層23以及密封材料。[2-3.組裝工序]組裝工序中，將形成有顯示電極14等的前面基板11、與形成有數(shù)據(jù)電極18等的背面電極17組裝。首先，以使顯示電極14與數(shù)據(jù)電極18正交的方式將前面基板11與背面基板17 相對配置。此后，將前面基板11與背面基板17例如用夾子等固定。將固定好的前面基板 11和背面基板17向密封爐內(nèi)搬送。在背面基板17中，形成有排氣孔，在排氣孔處配置有排氣管。排氣管穿過排氣孔與放電空間導(dǎo)通。排氣管與PDPlO內(nèi)排氣裝置及放電氣體導(dǎo)入裝置相連接。作為密封材料，例如可以使用軟化點溫度為380°C的低熔點玻璃。將前面基板 11與背面基板17升溫到超過密封材料的軟化點溫度380°C的溫度，例如升溫到420°C左右。 將前面基板11和背面基板17在該溫度下保持10分鐘左右。這樣，密封材料就會充分地熔融。此后，通過降溫到密封材料的軟化點溫度以下，例如降溫到300°C，而將前面基板11與背面基板17密封。然后將放電空間內(nèi)排氣到達(dá)到lX10_Va左右。其后，利用放電氣體導(dǎo)入裝置將放電氣體導(dǎo)入放電空間。作為放電氣體，以約6X IO4Pa的壓力封入例如Ne與Xe 的混合氣體。最后，將排氣管密封。此后，將前面基板11和背面基板17從密封爐中取出。利用以上的工序，完成PDP10。[3.關(guān)于熒光體材料]本實施方式中，在藍(lán)色熒光體層23c中，例如使用殘光時間短的BaMgAlltlO17 = Eu 的藍(lán)色熒光體材料。在紅色熒光體層23a中，例如使用包含(Y，Gd) (P，V)04:Eu熒光體或 Y2O3 = Eu熒光體中的至少一種的紅色熒光體材料。另外，在綠色熒光體層23b中，使用包含 Zn2SiO4 = Mn禾Π (Y^，Gdx) 3A15012: Ce (其中，0 ^ χ ^ 1)的綠色熒光體材料?；蛘?，使用包含 Zn2SiO4Mn 和 Udx)3(Al1^yGay)5012:Ce(其中，0 彡 χ 彡 1，0 彡 y 彡 0. 5)的綠色熒光體材料。
[3-1.熒光體材料的制造方法]本實施方式中，利用固相反應(yīng)法制作熒光體材料。利用以下的方法制作作為藍(lán)色熒光體材料的BaMgAl1(l017:EU。以符合熒光體組成的方式混合碳酸鋇(BaCO3)、碳酸鎂 (MgCO3)、氧化鋁(Al2O3)及氧化銪(Eu2O3)。將混合物在空氣中以800°C 1200°C燒成。將混合物再在含有氫和氮的混合氣體氣氛中以1200°C 1400°C燒成。利用以下的方法制作作為紅色熒光體材料的(Y，Gd) (P，V)04:Eu。以符合熒光體組成的方式混合氧化釔(Y2O3)、氧化釓(Gd2O3)、氧化釩(V2O5)、五氧化二磷(P2O5)和氧化銪 (EuO2)。將混合物在空氣中以600°C 800°C燒成。將混合物再在含有氧和氮的混合氣體氣氛中以1000°C 1200°C燒成。而且，也可以利用相同的方法制作作為紅色熒光體材料的 Y2O3 = Eu 等。作為綠色熒光體材料，制作混合了 Zn2SiO4 = Mn和(Yh，Gdx) 3A15012 Ce的熒光體材料。綠色熒光體材料的制造方法將在后面詳述。Si2SiO4 = Mn被制作為，相對于Si的含量和 Mn的含量的總計來說的Mn的含量為8原子％以上且10原子％以下。另夕卜，Zn2SiO4:Mn被制作為，相對于Si的含量來說的Si的含量與Mn的含量的總計為197原子％以上且202原子％ 以下。以使(Y^，GcQ3Al5O12: Ce 的含量相對于 Zn2SiO4:Mn 的含量與(Y^，GcQ3Al5O12: Ce 的含量的總計為20重量％以上且50重量％以下的方式制作。另夕卜，也可以制作混合了 Zn2SiO4 = Mn和(Y^x，G(Ix)3(Al^yGay)5O12ICe的熒光體材料。該情況下，以使(Yh，Gdx) 3 (Al1^Gay)5O12:Ce的含量相對于Zn2SiO4 = Mn的含量和(Y^， G(Ix)3(Al^Gay)5O12ICe的含量的總計為30重量％以上且80重量％以下的方式制作。這里，利用Zn2SiO4 = Mn的從粒子表面算起IOnm以內(nèi)的范圍中的X射線光電子分光分析(X-ray Photoelectron Spectroscopy)來測定SuMn及Si的含量。X射線光電子分光分析是研究物質(zhì)的表面附近IOnm以內(nèi)的元素的樣子的方法。在X射線光電子分光分析中，例如可以使用掃描型光電子分光分析裝置(Ulvuc Phi公司制)。ZruMn及Si的含量是基于由X射線光電子分光分析得到的SuSi及Mn的原子比率算出的值。也就是說，以[Mn/ (Zn+Mn) X 100 (原子％ )]來表示相對于Si的含量與Mn的含量的總計來說的Mn的含量。 另外，以[(al+Mn)/SiX100(原子(％)]來表示相對于Si的含量來說的Si的含量與Mn的含量的總計。另夕卜，優(yōu)選Zn2SiO4 = Mn的平均粒徑為(Yx，Gd1J3Al5O12 = Ce的平均粒徑以上。這是因為，PDPlO的亮度相對地提高。(Yx, Gd1J3Al5O12 = Ce具有吸收可見光的特性。另外， (Yx, Gd1J3Al5O12 = Ce還具有粒徑越小則越難吸收可見光的特性。由此，通過設(shè)為上述構(gòu)成，來自Zn2SiO4 = Mn及(Y^，G(Ix)3(Al^yGay)5O12ICe的綠色發(fā)光中的可見光因被(Υ^， Gcg3(Al1IGay)5O12 = Ce吸收而受到抑制。本實施方式中，Si2SiO4 = Mn的平均粒徑(D50)為 2 μ m 以上且 3 μ m 以下。另夕卜，(Yx>Gd1^x) 3A15012 Ce 及 Zn2SiO4:Mn Udx) 3 (Al1^yjGay) 5012 Ce 的平均粒徑(D50)為Iym以上且3μ以下。[3-2.綠色熒光體材料的制造方法]下面，對Zn2Si04:Mn、(Y^、Gdx)3A15012Ce 及(Y1^x, G(Ix)3(Al1-^ Gay)5012:Ce 的制造方法進(jìn)行詳細(xì)說明。(I)Zn2SiO4 = Mn 的制造方法使用固相反應(yīng)法、液相法或液體噴霧法來制作Zn2Si04:Mn。固相反應(yīng)法是通過將氧化物、碳氧化物原料與熔劑燒成來制作熒光體材料的方法。液相法是通過將熒光體材料的前驅(qū)體熱處理來制作熒光體材料的方法。熒光體材料的前驅(qū)體是通過將有機(jī)金屬鹽或硝酸鹽在水溶液中水解，并根據(jù)需要加入堿等而沉淀來生成的。液體噴霧法是將含有熒光體材料的原料的水溶液向加熱了的爐子中噴霧來制作熒光體材料的方法。本實施方式的Si2SiO4 = Mn不會特別地受到制作方法的影響。這里作為一個例子對借助固相反應(yīng)法的Si2SiO4 = Mn的制造方法進(jìn)行敘述。首先，作為原料使用氧化鋅(SiO)、二氧化硅(SiO2)、碳酸錳(MnCO3)。氧化鋅作為成為Zn2SiO4 = Mn的鋅供給源的材料(以下稱作“Si材料”)，直接使用高純度(純度為99%以上)的材料。另外，除了如上所述的直接使用氧化鋅的方法以外， 也可以使用利用制造過程中的燒成工序間接地獲得氧化鋅的方法。該情況下，使用高純度 (純度為99%以上)的氫氧化鋅、碳酸鋅、硝酸鋅、鹵化鋅、草酸鋅等。二氧化硅作為成為Zn2SiO4 = Mn的硅供給源的材料(以下稱作“Si材料”)，例如可以使用高純度(純度為99%以上)的材料。另外，也可以使用將硅酸乙酯等烷氧基硅化合物水解而得的硅的氫氧化物。以往的方法的特征在于，通過使上述材料中的Si材料的組成比率比化學(xué)計量比更高地混合，而獲得高亮度的熒光體。但是，本實施方式的制造方法與以往的方法不同，其特征在于，使Si材料的組成比率比化學(xué)計量比更高地混合。作為成為Zn2SiO4 = Mn的錳供給源的材料(以下稱作“Mn材料”)，除了碳酸錳以外， 也可以使用氫氧化錳、硝酸錳、鹵化錳、草酸錳等。這些Mn材料是通過經(jīng)由制造過程中的燒成工序來間接地獲得氧化錳的方法。當(dāng)然，也可以直接使用氧化錳。作為具體的原料的配合的一例，本實施方式中，MnCO3為0. 16mol,ZnO為1. 86mol， SiO2為1. OOmolo以該配合比制作的Zn2SiO4IMn中，相對于Zn的含量與Mn的含量的總計來說的Mn的含量為8原子％。另外，相對于Si的含量來說的Si的含量與Mn的含量的總計為202原子％。在Mn材料、Si材料及Si材料的混合中，可以使用V型混合機(jī)、攪拌機(jī)等。例如， 在使用具有粉碎功能的球磨機(jī)的情況下，將Mn材料、Zn材料及Si材料在40°C下混合1小時。像這樣，就制作出熒光體材料的混合粉。而且，也可以使用振動磨、噴射式粉碎機(jī)等。然后，將熒光體材料的混合粉在大氣氣氛中燒成。首先，將混合粉在燒成開始后6 小時左右設(shè)為最高溫度1200°C。將混合粉在最高溫度下維持4小時。其后，用大約12小時將混合粉降溫。像這樣，就制作出Zn2SiO4 = Mn的粉末。而且，燒成時的氣氛并不限于大氣氣氛，也可以在氮?dú)鈿夥罩小⒌c氫的混合氣氛中。另外，最高溫度優(yōu)選為1100°c 1350°C之間。最高溫度的維持時間、升溫時間及降溫時間也可以適當(dāng)?shù)刈兏?2) (Yx、Gd1J 3Α15012 Ce 的制造方法使用固相反應(yīng)法、液相法或液體噴霧法來制作(YpGd1J3Al5O12 = Cetj作為一個例子對借助固相反應(yīng)法的(YpGdh)3Al5O12 = Ce的制造方法進(jìn)行敘述。以符合熒光體組成的方式混合氧化釔化203)、氧化軋(Gd2O3)、氧化鋁(Al2O3)及氧化鈰(CeO2)。在這些原料的混合中，可以使用V型混合機(jī)、攪拌機(jī)等。例如，在使用具有粉碎功能的球磨機(jī)的情況下，將這些原料在40°C下混合1小時。像這樣，就制作出熒光體材料的混合粉。而且，也可以使用振動磨、噴射式粉碎機(jī)等。然后，將熒光體材料的混合粉在大氣氣氛中燒成。首先，將混合粉在燒成開始后3 小時左右設(shè)為最高溫度1100°C。將混合粉在最高溫度下維持4小時。其后，用大約3小時將混合粉降溫。而且，燒成時的氣氛并不限于大氣氣氛，也可以在氮?dú)鈿夥罩?、氮與氫的混合氣氛中。另外，最高溫度優(yōu)選為1000°C 1200°C之間。最高溫度的維持時間、升溫時間及降溫時間也可以適當(dāng)?shù)刈兏?。繼而，將混合粉在含有氧和氮的混合氣體氣氛中燒成。將混合粉在燒成開始后3 小時左右設(shè)為最高溫度1300°C。將混合粉在最高溫度下維持4小時。其后，用大約3小時將混合粉降溫。而且，燒成時的氣氛并不限于大氣氣氛，也可以是氮?dú)鈿夥罩?、氮與氫的混合氣氛中。另外，最高溫度優(yōu)選為1200°C 1400°C之間。最高溫度的維持時間、升溫時間及降溫時間也可以適當(dāng)?shù)刈兏Ｏ襁@樣，就制作出(Udh)3Al5O12 = Ce的粉末。(3) (Yh，Gdx) 3 (Al1^y, Gay) 5012 Ce 的制造方法使用固相反應(yīng)法、液相法或液體噴霧法來制作(Y^，G(Ix)3(Al1VGay)5O12 = C^作為一個例子對借助固相反應(yīng)法的(Y1^Gdx)3(AlyGay)5O12 = Ce的制造方法進(jìn)行敘述。以符合熒光體組成的方式混合氧化釔(Y2O3)、氧化釓(Gd2O3)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鈰(CeO2)及氧化鎵(Ga2O3)。在這些原料的混合中，可以使用V型混合機(jī)、攪拌機(jī)等。例如，在使用具有粉碎功能的球磨機(jī)的情況下，將這些原料在40°C下混合1小時。像這樣，就制作出熒光體材料的混合粉。而且，也可以使用振動磨、噴射式粉碎機(jī)等。然后，將熒光體材料的混合粉在大氣氣氛中燒成。首先，將混合粉在燒成開始后3 小時左右設(shè)為最高溫度1100°C。將混合粉在最高溫度下維持4小時。其后，用大約3小時將混合粉降溫。而且，燒成時的氣氛并不限于大氣氣氛，也可以在氮?dú)鈿夥罩小⒌c氫的混合氣氛中。另外，最高溫度優(yōu)選為1000°C 1200°C之間。最高溫度的維持時間、升溫時間及降溫時間也可以適當(dāng)?shù)刈兏?。繼而，將混合粉在含有氧和氮的混合氣體氣氛中燒成。將混合粉在燒成開始后3 小時左右設(shè)為最高溫度1300°C。將混合粉在最高溫度下維持4小時。其后，用大約3小時將混合粉降溫。而且，燒成時的氣氛并不限于大氣氣氛，也可以是氮?dú)鈿夥罩?、氮與氫的混合氣氛中。另外，最高溫度優(yōu)選為1200°C 1400°C之間。最高溫度的維持時間、升溫時間及降溫時間也可以適當(dāng)?shù)刈兏Ｏ襁@樣，就制作出(Y1YGdx)3(AlyGay)5O12 = Ce的粉末。將如上所述地制作的Zn2SiO4 = Mn和(Yx、Gd1J3Al5O12 = Ce以給定的混合比率混合。 或者，將Zn2SiO4 = Mn和(Yh，G(Ix)3(Al1-,, Gay)5012:Ce以給定的混合比率混合。將這些混合物與粘合劑及溶劑等混合，制作出熒光體膏劑。[4.實驗 1]發(fā)明人等為了使用利用上述的制造方法制作出的PDPlO的樣品來確認(rèn)綠色熒光體材料的特性，進(jìn)行了以下的實驗1。實驗1中，作為綠色熒光體，使用了 Si2SiO4 = Mn和 Y3Al5O12:Ce。Zn2SiO4IMn 的平均粒徑(D50)為 2 μ m。Y3Al5O12:Ce 的平均粒徑(D50)為 2 μ m。 實驗1中，制作出變更了 3個條件的樣品1 10。第一個條件是Si2SiO4 = Mn中的[Mn/ (&1+] 11)\100(原子％)]。第二個條件是 Si2SiO4 = Mn 中的[(Zn+Mn)/Si X 100 (原子％ )]。 第三個條件是(Yx、Gd1J3Al5O12: Ce的混合比率(重量％ )。也就是相對于Zn2SiO4 = Mn的含量與(Yh，Gd1J3Al5O12ICe的含量的總計來說的(Yh，GcQ3Al5O12:Ce的含量。而且，實驗1中所用的(YpGdh)3Al5O12 = Ce是χ = 1的情況，然而只要是0彡χ彡1的范圍，就可以得到相同的效果。實驗1中，對所制作的樣品1 10，測定了亮度、顏色再現(xiàn)范圍、殘光時間及地址電壓。在這些測定中，使用了將驅(qū)動電路等與樣品1 10的PDPlO連接而制作的等離子體顯示器裝置。發(fā)明人等基于測定值評價了所制作的樣品1 10。樣品1 10的評價中， 作為比較例使用了使用以往的PDP制作的等離子體顯示器裝置。此外，比較了比較例的測定值和樣品的測定值。表1是樣品1 10的評價結(jié)果。在各項目中如下所示地評價了樣品1 10。而且，第一個條件及第二個條件是通過控制Mn材料、Zn材料及Si材料的混合比率、燒成條件等而調(diào)整的。[表1]
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示器面板，其具備前面板、與所述前面板相對配置的背面板、和形成于所述背面板上的熒光體層，其特征在于，所述熒光體層具有包含Si2SiO4 = Mn和(Yh，Gdx)3Al5012:Ce的綠色熒光體層，其中， 0彡χ彡1，對于Si2SiO4 = Mn而言，相對于Si的含量與Mn的含量的總計來說的Mn的含量為8原子％以上且10原子％以下，并且相對于Si的含量來說的Si的含量與Mn的含量的總計為 197原子％以上且202原子％以下，所述(Yh，GcQ3Al5O12: Ce的含量相對于所述Zn2SiO4 = Mn的含量與所述(Ix， GcQ3Al5O12: Ce的含量的總計為20重量％以上且50重量％以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示器面板，其中，所述Si2SiO4= Mn的平均粒徑為所述(Y^，GcQ3Al5O12:Ce的平均粒徑以上。
3.一種等離子體顯示器面板，其具備前面板、與所述前面板相對配置的背面板、和形成于所述背面板上的熒光體層，其特征在于，所述熒光體層具有包含Si2SiO4 = Mn和(Yh，Gdx)3(Al1^y, Gay)5012:Ce的綠色熒光體層， 其中，0彡χ彡1，0彡y彡0. 5，對于Si2SiO4 = Mn而言，相對于Si的含量與Mn的含量的總計來說的Mn的含量為8原子％以上且10原子％以下，并且相對于Si的含量來說的Si的含量與Mn的含量的總計為 197原子％以上且202原子％以下，所述(Yh，Gdx) 3 (Al1-,, Gay)5012:Ce的含量相對于所述Zn2SiO4 = Mn的含量與所述(Y^， G(Ix)3(Al^jGay)5O12ICe的含量的總計為30重量％以上且80重量％以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子體顯示器面板，其中，所述Si2SiO4= Mn的平均粒徑為所述(Y1-X，Gdx) 3 (Al1-,, Gay)5012:Ce 的平均粒徑以上。
全文摘要
本發(fā)明提供一種等離子體顯示器面板，其具備前面板、與前面板相對配置的背面板、和形成于背面板上的熒光體層。熒光體層具有包含Zn2SiO4:Mn和(Y1-x，Gdx)3Al5O12:Ce(其中，0≤x≤1)的綠色熒光體層。對于Zn2SiO4:Mn，相對于Zn的含量與Mn的含量的總計來說的Mn的含量為8原子％以上且10原子％以下，并且相對于Si的含量來說的Zn的含量與Mn的含量的總計為197原子％以上且202原子％以下。(Y1-x，Gdx)3Al5O12:Ce的含量相對于Zn2SiO4:Mn的含量與(Y1-x，Gdx)3Al5O12:Ce的含量的總計為20重量％以上且50重量％以下。
文檔編號C09K11/08GK102473570SQ20118000288
公開日2012年5月23日 申請日期2011年4月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月7日
發(fā)明者杉本和彥, 長崎純久 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社