專利名稱：一種白光電致發(fā)光器件的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種光電子器件領域，尤其是涉及一種白光電致發(fā)光器件。
背景技術：
1987年，美國Eastman Kodak公司的C. W. Tang和VanSlyke報道了有機電致發(fā)光研究中的突破性進展。利用超薄薄膜技術制備出了高亮度，高效率的雙層有機電致發(fā)光器件(OLED)。在該雙層結構的器件中，IOV下亮度達到lOOOcd/m2，其發(fā)光效率為I. 511m/W、壽命大于100小時。OLED的發(fā)光原理是基于在外加電場的作用下，電子從陰極注入到有機物的最低未 占有分子軌道(LUMO)，而空穴從陽極注入到有機物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復合、形成激子，激子在電場作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能。發(fā)光材料是影響發(fā)光效率的最重要的因素，發(fā)光材料可以分為熒光材料(即藍光材料)和磷光材料(即紅光磷光材料和/或綠光磷光材料)，熒光材料由于三線態(tài)躍遷受阻，因此，只能通過單線態(tài)的輻射失活而發(fā)光，三線態(tài)激子與單線態(tài)激子的比例約為3 I ；而由于熒光材料只有25wt%的激子可以有效的利用，剩下的75wt%都通過非輻射衰減，能量以熱的形式釋放，使器件溫度升高，從而減少器件的壽命，而磷光材料則由于金屬原子自身較強的自旋耦合作用，因此，使得原來不可能的三線態(tài)躍遷成為可能，因此，發(fā)光效率大大提高，目前綠光磷光材料和紅光磷光材料的發(fā)光效率都比較好，材料穩(wěn)定性較高，而藍光材料的壽命和穩(wěn)定性都不太好，制約了藍光的發(fā)光。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于提供一種可以提高發(fā)光效率的白光電致發(fā)光器件。本發(fā)明的技術方案如下—種白光電致發(fā)光器件，該器件為層狀結構，該層狀結構依次為基底/導電層/空穴注入層/空穴傳輸層/電子阻擋層/第一藍光發(fā)光層/第一阻擋層/紅光磷光發(fā)光層/間隔層/綠光磷光發(fā)光層/第二阻擋層/第二藍光發(fā)光層/空穴阻擋層/電子傳輸層/電子注入層/陰極層；所述第一藍光發(fā)光層和第二藍光發(fā)光層的材質均為空穴傳輸材料中摻雜藍光材料，且空穴傳輸材料為主體材料，藍光材料的摻雜質量百分比為5-20Wt% ；所述紅光磷光發(fā)光層的材質為鈹配合物材料中摻雜紅光磷光材料，且鈹配合物材料為主體材料，紅光磷光材料的摻雜質量百分比為0. 5-5wt% ；所述綠光磷光發(fā)光層的材質為鈹配合物材料中摻雜綠光磷光材料，且鈹配合物材料為主體材料，綠光磷光材料的摻雜質量百分比為5_20wt %。在上述白光電致發(fā)光器件中基底和導電層可以采用ITO(氧化銦錫)玻璃，其中，玻璃為基底，ITO為導電層；
藍光材料為Perylene (花)、二萘嵌苯衍生物(TBPe)、三苯胺二苯乙烯衍生物(DPAVBi或DPAVB)、三苯胺連萘基乙烯衍生物(BDAVBi)或苯乙烯衍生物(BCzVB或BCzVBi)中的任一種；空穴傳輸材料為2- 丁基-9，10- 二 -(2-萘基)蒽(TBADN)、N，N' -二(3-甲基苯基)-N，V - 二苯基-4，f -聯(lián)苯二胺(Tro)、4，f，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4' -二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N，N' _(1-萘基)州，& - 二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(NPB)、1，3，5-三苯基苯(TDAPB)或酞菁銅(CuPc)中的任一種；紅光磷光材料為二(2-甲基-二苯基喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir (MDQ)2(acac))、二(I-苯基異喹啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir (piq)2 (acac))或三(I-苯基-異喹啉)合銥(Ir(piq)3)； 綠光磷光材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy) 3)、乙酰丙酮酸二(2_苯基吡啶)銥(Ir (ppy)2 (acac))或乙酰丙酮酸二(2_對苯氧基苯基卩比唳)銥((Oppy) 2 Ir (acac))中的任一種；鈹配合物材料為吩基吡啶鈹(B^p2)、10-羥基苯并喹啉鈹(BeBq2)、8_羥基喹啉鈹(BeqQ2)、2-甲基_8_羥基喹啉鈹(BeMQ2)、8_羥基喹啉鈹(BeQ2)、或7_丙基_8羥基喹啉鈹(BePrQ2)中的任一種；第一、第二阻擋層的材料分別為上述鈹配合物材料中的任一種，與紅光磷光材料和綠光林光材料一致；間隔層的材料由上述空穴傳輸材料和電子傳輸材料共同摻雜混合組成，空穴傳輸材料與電子傳輸材料的質量比為I : 1-1 5,且電子傳輸材料為為2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4_ 噁二唑(PBD)、8_ 羥基喹啉鋁(Alq3)、2，5_ 二(I-萘基)- I，3，4- 二唑(BND)、4，7-二苯基- I，10-菲羅啉(Bphen) ,1,2,4-三唑衍生物(如 TAZ)、N-芳基苯并咪唑(TPBI)或喹喔啉衍生物(TPQ)中的任一種；空穴注入層采用三氧化鑰(MoO3)、三氧化鎢(WO3)、VOx或五氧化二釩(V2O5)中的任一種；.空穴傳輸層與電子阻擋層分別采用1，1_ 二 [4_[N，N' -二 (p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、N，N，- 二 (3-甲基苯基)-N，N，- 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(TPD) ,4,4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N，N，-(I-萘基)-N，N，- 二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(NPB)、1，3，5-三苯基苯(TDAPB)或酞菁銅CuPc中的任一種；電子傳輸層與空穴阻擋層分別采用2-(4-聯(lián)苯基)-5_(4-叔丁基)苯基_1，3，4-噁二唑(PBD)、8_ 羥基喹啉鋁(Alq3)、2，5-二(I-萘基)_1，3，4_ 二唑(BND)、4，7_ 二苯基-1,10-菲羅啉(Bphen) ,1,2,4-三唑衍生物(如TAZ)、N-芳基苯并咪唑(TPBI)或喹喔啉衍生物(TPQ)中的任一種；電子注入層為Cs2C03、CsN3、LiF、CsF、CaF2、MgF2 或者 NaF 中的任一種；陰極層的材料可以為銀(Ag)、鋁(Al)、銀鎂(Ag-Mg)合金或金(Au)中的任一種。本發(fā)明的白光電致發(fā)光器件，藍光發(fā)光層與紅光、綠光兩個磷光發(fā)光層之間的第一、第二阻擋層，可有效阻擋藍光發(fā)光層單線態(tài)的擴散，使藍光材料的三線態(tài)激子擴散到紅光和綠光兩個磷光發(fā)光層中輻射躍遷發(fā)光，第一、二阻擋層使用與紅光及綠光磷光發(fā)光層主體一樣的材料，即鈹配合物材料，有利于能量傳輸，而紅光與綠光磷光發(fā)光層之間的間隔層可以抑制界面三線態(tài)激子濃度淬滅，提高發(fā)光效率；同時，間隔層由空穴傳輸材料與電子傳輸材料共摻雜所構成，可以進一步提高空穴傳輸能力與電子傳輸能力，從而提高激子復合幾率，最終提高發(fā)光效率。


圖I為本發(fā)明的白光電致發(fā)光器件的結構示意圖；圖2為實施例I的白光電致發(fā)光器件能級圖；圖3為實施例I的白光電致發(fā)光器件與參比白光電致發(fā)光器件的發(fā)光效率圖；其中，曲線I為實施例I的能量效率-亮度曲線。曲線2為對比例的能量效率-亮度曲線。
具體實施方式

本發(fā)明提供的一種白光電致發(fā)光器件，如圖I所示，該器件為層狀結構，該層狀結構依次為基底11/導電層12/空穴注入層13/空穴傳輸層14/電子阻擋層15/第一藍光發(fā)光層161/第一阻擋層162/紅光磷光發(fā)光層163/間隔層164/綠光磷光發(fā)光層165/第二阻擋層166/第二藍光發(fā)光層167/空穴阻擋層17/電子傳輸層18/電子注入層19/陰極層20 ;其中,第一藍光發(fā)光層161/第一阻擋層162/紅光磷光發(fā)光層163/間隔層164/綠光磷光發(fā)光層165/第二阻擋層166/第二藍光發(fā)光層167這一復合層結構構成了該電致發(fā)光器件的發(fā)光層16 ;在該電致發(fā)光器件的發(fā)光層16中,所述第一藍光發(fā)光層161和第二藍光發(fā)光層167的厚度均為5-15nm,兩者的材質均選用空穴傳輸材料作為主體材料摻雜藍光材料，且藍光材料的摻雜質量百分比為5-20Wt%;所述紅光磷光發(fā)光層163的厚度為5-15nm，其材質選用鈹配合物材料作為主體材料摻雜紅光磷光材料，且紅光磷光材料的摻雜質量百分比為0. 5-5wt%;所述綠光磷光發(fā)光層165的厚度為1-lOnm，其材質選用鈹配合物材料作為主體材料摻雜綠光磷光材料，且綠光磷光材料的摻雜質量百分比為5-20wt %。在上述白光電致發(fā)光器件中，每一有機功能層均采用蒸鍍技術依次進行蒸鍍制備的。本發(fā)明的白光電致發(fā)光器件，各功能層的材質及制備工藝技術如下基底和導電層可以采用現(xiàn)有一體化的ITO(氧化銦錫)玻璃，其中，玻璃為基底，ITO為導電層；藍光材料為Perylene (茈)、二萘嵌苯衍生物(TBPe)、三苯胺二苯乙烯衍生物(DPAVBi或DPAVB)、三苯胺連萘基乙烯衍生物(BDAVBi)或苯乙烯衍生物(BCzVB或BCzVBi)中的任一種；空穴傳輸材料為2- 丁基-9，10- 二- (2-萘基)蒽(TBADN)、N，N' -二(3-甲基苯基)-N，V - 二苯基-4，f -聯(lián)苯二胺(Tro)、4，f，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4' -二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N，N' _(1-萘基)州，& - 二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(NPB)、1，3，5-三苯基苯(TDAPB)或酞菁銅(CuPc)中的任一種；紅光磷光材料為二(2-甲基-二苯基喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir (MDQ)2(acac))、二(I-苯基異喹啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir (piq)2 (acac))或三(I-苯基-異喹啉)合銥(Ir(piq)3))中的任一種；綠光磷光材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy) 3)、乙酰丙酮酸二(2_苯基吡啶)銥(Ir (ppy)2 (acac)))或者乙酰丙酮酸二(2_對苯氧基苯基卩比唳)銥中的任一種；鈹配合物材料為吩基吡啶鈹 印 2)、10-羥基苯并喹啉鈹(BeBq2)、8_羥基喹啉鈹(BeqQ2)、2-甲基_8_羥基喹啉鈹(BeMQ2)、8_羥基喹啉鈹(BeQ2)、或7_丙基_8羥基喹啉鈹(BePrQ2)中的任一種；第一、第二阻擋層的材料分別為上述鈹配合物材料中的任一種，與紅光磷光材料和綠光林光材料一致，且第一、第二阻擋層的厚度均為I-IOnm ；間隔層的材料由上述空穴傳輸材料和電子傳輸材料共同摻雜混合組成，空穴傳輸材料與電子傳輸材料的質量比為I : 1-1 5，間隔層的厚度為I-IOnm;間隔層中的電子傳輸材料為為2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑(PBD)、8-羥基喹啉鋁(Alq3)、2，5_ 二(I-萘基)-1，3，4_ 二唑(BND)、4，7_ 二苯基 _1，10-菲羅啉(Bphen) ,1,2,4-三唑衍生物(如TAZ)、N-芳基苯并咪唑(TPBi)或喹喔啉衍生物(TPQ)中的任一種； 空穴注入層的材料為三氧化鑰(MoO3)、三氧化鎢(WO3)、V0X或五氧化二釩(V2O5)中的任一種，優(yōu)選為MoO3 ;其中，空穴注入層厚度為5-40nm，優(yōu)選厚度為5nm ；空穴傳輸層和電子阻擋層的材料分別為1，1_ 二 [4_[N，N' - 二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、N，N’_ 二(3-甲基苯基)-N，N’_ 二苯基-4，4’_聯(lián)苯二胺(TH))、4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N，N，-(I-萘基)-N，N，- 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(NPB)、1，3，5-三苯基苯(TDAPB)或酞菁銅(CuPc)中的任一種，空穴傳輸層和電子阻擋層的厚度分別為5-80nm ;其中，空穴傳輸層優(yōu)選NPB，優(yōu)選厚度為40nm，電子阻擋層優(yōu)選為TCTA，優(yōu)選厚度為5nm;電子傳輸層和空穴阻擋層的材料分別為2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基)苯基_1，3，4-噁二唑(PBD)、8_ 羥基喹啉鋁(Alq3)、2，5-二(I-萘基)-I，3，4_ 二唑(BND)、4，7_ 二苯基-1,10-菲羅啉(Bphen) ,1,2,4-三唑衍生物(如TAZ)、N-芳基苯并咪唑(TPBi)或喹喔啉衍生物(TPQ)。其中，空穴阻擋層厚度為3-10nm，優(yōu)選厚度為5nm，空穴阻擋層的材料優(yōu)選為TPBi ;電子傳輸層厚度為40-80nm,優(yōu)選厚度為60nm,電子傳輸層的材料優(yōu)選為Bphen ；電子注入層的材料為Cs2C03、CsN3、LiF、CsF、CaF2、MgF2或者NaF中的任一種，電子注入層的厚度0. 5-5nm ;對于該注入層的材料，也可采用Cs2C03、CsN3、LiF、CsF、CaF2、MgF2或者NaF與電子傳輸材料(如，2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-I，3，4-噁二唑(PBD)、8-羥基喹啉鋁(Alq3)、2，5-二(I-萘基)-1，3，4_ 二唑(BND)、4，7_ 二苯基 _1，10-菲羅啉(Bphen)、1，2，4-三唑衍生物(如TAZ)、N_芳基苯并咪唑(TPBi)或喹喔啉衍生物(TPQ)中的任一種)摻雜組成的混合物中的任一種,摻雜比例為20-60wt%，此時的電子注入層厚度為20-60nm ;就摻雜混合物材料而言，優(yōu)選Bphen CsN3,優(yōu)選摻雜比例為20wt%，此時電子注入層厚度優(yōu)選為40nm ；陰極層的材料可以為銀(Ag)、鋁(Al)、銀鎂(Ag-Mg)合金或金(Au)中的任一種，優(yōu)選Al ;該陰極層的厚度為20-200nm，優(yōu)選厚度為150nm ；本發(fā)明的白光電致發(fā)光器件，用相對穩(wěn)定，性能較好藍光材料與紅光、綠光磷光材料制備的發(fā)光層，由于三線態(tài)激子的擴散長度為IOOnm,單線態(tài)的擴散長度為5nm,為了使熒光材料單線態(tài)激子在熒光層中充分的進行Forster能量轉移，且在藍光發(fā)光層與紅光、綠光兩個磷光發(fā)光層之間的第一、第二阻擋層可有效阻擋藍光發(fā)光層單線態(tài)的擴散，使藍光材料的三線態(tài)激子擴散到紅光和綠光兩個磷光發(fā)光層中福射躍遷發(fā)光，使藍光材料中的75wt%三線態(tài)激子充分得到利用，此處的阻擋層使用的是和紅光或綠光磷光發(fā)光層的主體一樣的材料，即鈹配合物材料，可以有效避免能量傳輸中因為克服勢壘所引起的能量損失，而藍光發(fā)光層的主體材料使用的是窄能隙、電子傳輸性能較好的鈹配合物材料，可以更好的使主體材料的能量轉移到客體材料中，從而形成激子發(fā)光；間隔層由空穴傳輸材料與電子傳輸材料共摻雜所構成，可以進一步提高空穴傳輸能力與電子傳輸能力，從而提高激子復合幾率，最終提高發(fā)光效率。
下面結合附圖，對本發(fā)明的較佳實施例作進一步詳細說明。實施例I一種白光電致發(fā)光器件，其層狀結構依次為玻璃/IT0/Mo03/NPB/TAPC/TBADN:BCzVBi/BeBq2/BeBq2: Ir (MDQ) 2 (acac)/TCTA: TPBi/BeBq2: Ir (ppy) 3/BeBq2/TBADN:BCzVB i/TPB i/Bphen/Bphen:CsN3/A1。首先，將ITO玻璃進行光刻處理，剪裁成所需要的發(fā)光面積，然后依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物，然后對其進行氧等離子處理，處理時間為5-15min，功率為50W ;接著在ITO導電層上依次蒸鍍各有機功能層，得到白光電致發(fā)光器件；其中，空穴注入層的材料為MoO3,厚度為5nm ；空穴傳輸層的材料為NPB，厚度IOnm ；電子阻擋層的材料為TAPC，厚度為5nm ；第一藍光發(fā)光層的藍光材料為BCzVBi，主體材料為TBADN，摻雜質量百分比為15wt% (質量百分比，下同)，該發(fā)光層厚度為IOnm ;第一阻擋層，其主體材料為BeBq2，且該阻擋層厚度為2nm ；紅色磷光發(fā)光層的紅光磷光材料為Ir (MDQ)2 (acac)，主體材料為BeBq2，摻雜質量百分比為0. 5wt%，該紅色磷光發(fā)光層厚度為7nm ；間隔層，厚度為2nm，材料為TCTA TPBi，質量比為I 3 ；綠色磷光發(fā)光層的綠光磷光材料為Ir (ppy)3，主體材料為BeBq2，摻雜比例為7wt%,該綠色磷光發(fā)光層厚度為IOnm ；第二層阻擋層，其主體材料為BeBq2，且該阻擋層厚度為2nm ；第二藍光發(fā)光層的藍光材料為BCzVBi，主體材料為TBADN，摻雜質量百分比為15wt%,該發(fā)光層厚度為IOnm ；空穴阻擋層的材料為TPBi，厚度為IOnm ；電子傳輸層的材料為Bphen,厚度為40nm ；電子注入層的材料為Bphen : CsN3,厚度為0. 5nm, Bphen與CsN3的摻雜質量百分比為60wt% ；陰極層的材料為Al,厚度為80nm。圖2為實施例I的電子發(fā)光器能級圖；從能級圖上可以看到，在阻擋層和磷光層主體材料使用同一材料之后，電子、空穴以及能量的傳輸轉移沒有了勢壘的阻礙，更有利于能量的傳輸，而間隔層則可以有效的降低了紅光-綠光界面的三線態(tài)濃度，避免了三線態(tài)濃度的淬滅，從而提高器件的發(fā)光效率。圖3是該實施例的白光電致發(fā)光器件與參比白光電致發(fā)光器件的發(fā)光效率圖；其中，曲線I為實施例I的能量效率-亮度曲線。曲線2為對比例的能量效率-亮度曲線；參比電致發(fā)光器件的結構玻璃 /IT0/Mo03/NPB/TAPC/TBADN:BCzVBi/BeBq2: Ir (MDQ)2(acac)/BeBq2: Ir (ppy) 3/TBADN: BCzVBi/TPBi/Bphen/Bphen: CsN3Al。從圖3可以看到，在150cd/cm2時，實施例I的器件發(fā)光效率為171m/W，而沒有加入間隔層的參比器件發(fā)光效率為151m/W，而在其他亮度下，實施例I的發(fā)光效率都比參比器件的要高，這說明，當加入阻擋層之后，熒光的三線態(tài)得到擴散，在磷光層進行躍遷，而間隔層則有效的降低了界面處的三線態(tài)濃度，避免了濃度淬滅的發(fā)生，因此，發(fā)光效率得到了提升。實施例2一種白光電致發(fā)光器件，其層狀結構依次為玻璃/IT0/W03/Tro/TAPC/TPD:TBPe/BeqQ2/BeqQ2: Ir (MDQ) 2 (acac) /TBADN: PBD/BeqQ2: Ir (ppy) 3/BeqQ2/TCTA:花 /AIq3/BND/ Cs2C03/Ag。首先，將ITO玻璃進行光刻處理，剪裁成所需要的發(fā)光面積，然后依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物，然后對其進行氧等離子處理，處理時間為lOmin，功率為50W ;接著在ITO導電層上依次蒸鍍各有機功能層，得到白光電致發(fā)光器件；其中，空穴注入層的材料為WO3,厚度為IOnm ；空穴傳輸層的材料為TPD，厚度5nm ；電子阻擋層的材料為TAPC，厚度為20nm ；第一藍光發(fā)光層的藍光材料為TBPe，主體材料為TPD，摻雜質量百分比為10wt%，該發(fā)光層厚度為15nm ；第一阻擋層，其主體材料為BeqQ2，且該阻擋層厚度為Inm ；紅色磷光發(fā)光層的紅光磷光材料為Ir (MDQ)2 (acac)，主體材料為BeqQ2，摻雜質量百分比為I. 5wt%，該紅色磷光發(fā)光層厚度為IOnm ；間隔層，厚度為10nm，材料為TBADN PBD，質量比為I I ；綠色磷光發(fā)光層的綠光磷光材料為Ir (ppy)3，主體材料為BeqQ2，摻雜比例為15wt%，該綠色磷光發(fā)光層厚度為5nm ；第二層阻擋層，其主體材料為BeqQ2，且該阻擋層厚度為IOnm ；第二藍光發(fā)光層的藍光材料為茈，主體材料為TCTA，摻雜質量百分比為5wt%，該發(fā)光層厚度為15nm ；空穴阻擋層的材料為Alq3,厚度為5nm ；電子傳輸層的材料為BND，厚度為80nm ；電子注入層的材料為Cs2CO3,厚度為5nm ；陰極層的材料為Ag,厚度為20nm。實施例3一種白光電致發(fā)光器件，其層狀結構依次為玻璃/ITO/VOx/TCTA/NPB/TCTA: DPAVBi/BeqQ2/BeqQ2: Ir (piq) 2 (acac) /CBP: Alq3/BeqQ2: Ir (ppy) 2 (acac)) /BeMQ2/TDAPB: DPAVB/BND/TAZ/CsN3/Ag-Mg。首先，將ITO玻璃進行光刻處理，剪裁成所需要的發(fā)光面積，然后依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物，然后對其進行氧等離子處理，處理時間為15min，功率為50W ;接著在ITO導電層上依次蒸鍍各有機功能層，得到白光電致發(fā)光器件；其中，空穴注入層的材料為V0X，厚度為40nm ；空穴傳輸層的材料為TCTA，厚度80nm ；電子阻擋層的材料為NPB，厚度為60nm ；第一藍光發(fā)光層的藍光材料為DPAVBi，主體材料為TCTA，摻雜質量百分比為20wt %，該發(fā)光層厚度為5nm ；
第一阻擋層，其主體材料為BeqQ2，且該阻擋層厚度為2nm ；紅色磷光發(fā)光層的紅光磷光材料為Ir (piq)2 (acac),主體材料為BeqQ2,摻雜質量百分比為5wt%,該紅色磷光發(fā)光層厚度為IOnm ；間隔層，厚度為lnm，材料為CBP Alq3，質量比為I 2 ；綠色磷光發(fā)光層的綠光磷光材料為Ir (ppy)2 (acac)),主體材料為BeqQ2,摻雜比例為5wt%，該綠色磷光發(fā)光層厚度為15nm ；第二層阻擋層，其主體材料為BeMQ2，且該阻擋層厚度為Inm ；第二藍光發(fā)光層的藍光材料為DPAVB，主體材料為TDAPB，摻雜質量百分比為20wt %，該發(fā)光層厚度為5nm ；空穴阻擋層的材料為BND，厚度為3nm ；電子傳輸層的材料為TAZ，厚度為80nm ；電子注入層的材料為CsN3,厚度為5nm ；陰極層的材料為Ag-Mg,厚度為200nm。實施例4一種白光電致發(fā)光器件，其層狀結構依次為玻璃/IT0/V205/TDAPB/CuPc/CBP : BDAVBi/BePrQ2/BePrQ2: Ir(piq)3/TDAPB:Bphen/BePrQ2: Ir (ppy) 3/BePrQ2/CuPc:BCzVB i/TDAPB/TPBI/Bphen:CsN3/A1。首先，將ITO玻璃進行光刻處理，剪裁成所需要的發(fā)光面積，然后依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物，然后對其進行氧等離子處理，處理時間為5-15min，功率為50W ;接著在ITO導電層上依次蒸鍍各有機功能層，得到白光電致發(fā)光器件；其中，空穴注入層的材料為V2O5,厚度為30nm ；空穴傳輸層的材料為TDAPB，厚度20nm ；電子阻擋層的材料為CuPc,厚度為5nm ；第一藍光發(fā)光層的藍光材料為BDAVBi，主體材料為CBP，摻雜質量百分比為8wt%,該發(fā)光層厚度為12nm ;第一阻擋層，其主體材料為BePrQ2，且該阻擋層厚度為Snm ；紅色磷光發(fā)光層的紅光磷光材料為Ir(piq)3，主體材料為BePrQ2,摻雜質量百分比為2. 5wt%，該紅色磷光發(fā)光層厚度為13nm ；間隔層，厚度為2nm，材料為TDAPB Bphen，質量比為I 4 ；綠色磷光發(fā)光層的綠光磷光材料為Ir(ppy)3，主體材料為BePrQ2，摻雜比例為8wt%,該綠色磷光發(fā)光層厚度為14nm ；第二層阻擋層，其主體材料為BePrQ2，且該阻擋層厚度為5nm ；第二藍光發(fā)光層的藍光材料為BCzVBi，主體材料為CuPc，摻雜質量百分比為6wt%,該發(fā)光層厚度為12nm ;空穴阻擋層的材料為TDAPB，厚度為60nm ；電子傳輸層的材料為TPBI，厚度為20nm ；電子注入層的材料為LiF，厚度為2.5nm;陰極層的材料為Au,厚度為50nm。
實施例5 一種白光電致發(fā)光器件，其層狀結構依次為玻璃/IT0/Mo03/TAPC/TAPC/NPB : BDAVBi/BeBq2/BeBq2: Ir (MDQ) 2 (acac) /TDAPB : TPBi/BeBq2: Ir (ppy) 3/BeBq2/TBADN:BCzVBi/TPQ/Bphen/CsF/Al。首先，將ITO玻璃進行光刻處理，剪裁成所需要的發(fā)光面積，然后依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物，然后對其進行氧等離子處理，處理時間為7min，功率為50W ;接著在ITO導電層上依次蒸鍍各有機功能層，得到白光電致發(fā)光器件；其中，空穴注入層的材料為MoO3，厚度為30nm ；
空穴傳輸層的材料為TAPC，厚度70nm ；電子阻擋層的材料為TAPC，厚度為50nm ；第一藍光發(fā)光層的藍光材料為BDAVBi，主體材料為NPB，摻雜質量百分比為17wt%,該發(fā)光層厚度為Ilnm;第一阻擋層，其主體材料為BeBq2，且該阻擋層厚度為4nm ；紅色磷光發(fā)光層的紅光磷光材料為Ir (MDQ)2 (acac)，主體材料為BeBq2，摻雜質量百分比為3. 5wt%,該紅色磷光發(fā)光層厚度為6nm ；間隔層，厚度為2nm，材料為TDAPB TPBi，質量比為I : 5;綠色磷光發(fā)光層的綠光磷光材料為Ir (ppy)3，主體材料為BeBq2，摻雜比例為9wt%,該綠色磷光發(fā)光層厚度為4nm ；第二層阻擋層，其主體材料為BeBq2，且該阻擋層厚度為7nm ；第二藍光發(fā)光層的藍光材料為BCzVBi，主體材料為TBADN，摻雜質量百分比為20Wt%，該發(fā)光層厚度為14nm ；空穴阻擋層的材料為TPQ，厚度為4nm;電子傳輸層的材料為Bphen,厚度為70nm ；電子注入層的材料為CsF，厚度為30nm ；陰極層的材料為Al，厚度為180nm。實施例6一種白光電致發(fā)光器件，其層狀結構依次為玻璃/IT0/V205/Tro/TAPC/TBADN: BCzVBi/BeMQ2/BeMQ2: Ir (piq) 3/TBADN: TAZ/BeMQ2: Ir (ppy) 3/BeMQ2/TBADN: BCzVBi/Alq3/BND/CaF2/Au。首先，將ITO玻璃進行光刻處理，剪裁成所需要的發(fā)光面積，然后依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物，然后對其進行氧等離子處理處理時間為8min，功率為50W ;接著在ITO導電層上依次蒸鍍各有機功能層，得到白光電致發(fā)光器件；其中，空穴注入層的材料為V2O5，厚度為25nm;空穴傳輸層的材料為TPD，厚度55nm ；電子阻擋層的材料為TAPC，厚度為15nm ；第一藍光發(fā)光層的藍光材料為BCzVBi，主體材料為TBADN，摻雜質量百分比為18wt%,該發(fā)光層厚度為8nm ；第一阻擋層，其主體材料為BeMQ2，且該阻擋層厚度為3nm ；紅色磷光發(fā)光層的紅光磷光材料為Ir(piq)3，主體材料為BeMQ2，摻雜質量百分比 為4. 5wt%，該紅色磷光發(fā)光層厚度為3nm ；間隔層，厚度為2nm，材料為TBADN TAZ，質量比為I 3 ；綠色磷光發(fā)光層的綠光磷光材料為Ir (ppy)3，主體材料為BeMQ2，摻雜比例為9wt%,該綠色磷光發(fā)光層厚度為6nm ；第二層阻擋層，其主體材料為BeMQ2，且該阻擋層厚度為Snm ；第二藍光發(fā)光層的藍光材料為BCzVBi，主體材料為TBADN，摻雜質量百分比為16wt%,該發(fā)光層厚度為6nm ；空穴阻擋層的材料為Alq3,厚度為7nm ；電子傳輸層的材料為BND，厚度為50nm ；電子注入層的材料為CaF2,厚度為50nm ；陰極層的材料為Au,厚度為120nm。實施例7一種白光電致發(fā)光器件，其層狀結構依次為玻璃/IT0/Mo03/TDAPB/TAPC/TBADN:TBPe/BeqQ2/BeqQ2: Ir (MDQ)2 (acac)/TCTA: TPBi/BeqQ2: Ir (ppy) 3/BeqQ2/TBADN: TBPe/Bphen/Bphen/MgF2/Al。首先，將ITO玻璃進行光刻處理，剪裁成所需要的發(fā)光面積，然后依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物，然后對其進行氧等離子處理處理時間為9min，功率為50W ;接著在ITO導電層上依次蒸鍍各有機功能層，得到白光電致發(fā)光器件；其中，空穴注入層的材料為MoO3，厚度為35nm ；空穴傳輸層的材料為TDAPB，厚度40nm ；電子阻擋層的材料為TAPC，厚度為35nm ；第一藍光發(fā)光層的藍光材料為TBPe，主體材料為TBADN，摻雜質量百分比為IOwt %,該發(fā)光層厚度為5nm ；第一阻擋層,其主體材料為BeqQ2,且該阻擋層厚度為6nm ；紅色磷光發(fā)光層的紅光磷光材料為Ir (MDQ)2 (acac)，主體材料為BeqQ2，摻雜質量百分比為I. 5wt%,該紅色磷光發(fā)光層厚度為8nm ；間隔層，厚度為8nm，材料為TCTA TPBi，質量比為I I ；綠色磷光發(fā)光層的綠光磷光材料為Ir (ppy)3，主體材料為BeqQ2，摻雜比例為7wt%,該綠色磷光發(fā)光層厚度為IOnm ；第二層阻擋層，其主體材料為BeqQ2，且該阻擋層厚度為2nm ；第二藍光發(fā)光層的藍光材料為TBPe，主體材料為TBADN，摻雜質量百分比為IOwt %,該發(fā)光層厚度為5nm ；空穴阻擋層的材料為Bphen,厚度為6nm ；電子傳輸層的材料為Bphen,厚度為30nm ；電子注入層的材料為MgF2,厚度為30nm ；陰極層的材料為Al,厚度為40nm。實施例8 一種白光電致發(fā)光器件，其層狀結構依次為玻璃/IT0/W03/CuPc/TAPC/TBADN: BCzVBi/BeQ2/BeQ2: Ir (MDQ) 2 (acac) /CuPc: TPQ/BeQ2: Ir (ppy) 3/BeQ2/TBADN: BCzVBi/TPBi/Bphen/NaF/Al。首先，將ITO玻璃進行光刻處理，剪裁成所需要的發(fā)光面積，然后依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物，然后對其進行氧等離子處理，處理時間為14min，功率為50W ;接著在ITO導電層上依次蒸鍍各有機功能層，得到白光電致發(fā)光器件；其中，空穴注入層的材料為WO3，厚度為25nm ；空穴傳輸層的材料為CuPc，厚度15nm ；電子阻擋層的材料為TAPC，厚度為65nm ；第一藍光發(fā)光層的藍光材料為BCzVBi，主體材料為TBADN，摻雜質量百分比為15wt%，該發(fā)光層厚度為2nm;第一阻擋層，其主體材料為BeQ2，且該阻擋層厚度為Snm ；紅色磷光發(fā)光層的紅光磷光材料為Ir (MDQ)2 (acac)，主體材料為BeQ2，摻雜質量百分比為3. 5wt%，該紅色磷光發(fā)光層厚度為2nm ；間隔層，厚度為8nm，材料為CuPc TPQ，質量比為I 3 ；綠色磷光發(fā)光層的綠光磷光材料為Ir(ppy)3，主體材料為BeQ2，摻雜比例為8wt%,該綠色磷光發(fā)光層厚度為Ilnm ；第二層阻擋層，其主體材料為BeQ2，且該阻擋層厚度為4nm ；第二藍光發(fā)光層的藍光材料為BCzVBi，主體材料為TBADN，摻雜質量百分比為IOwt該發(fā)光層厚度為14nm ；空穴阻擋層的材料為TPBi，厚度為6nm ；電子傳輸層的材料為Bphen,厚度為80nm ；電子注入層的材料為NaF,厚度為60nm ；陰極層的材料為Al,厚度為170nm。實施例9一種白光電致發(fā)光器件，其層狀結構依次為玻璃/IT0/Mo03/NPB/TAPC/TBADN:BCzVBi/BeBq2/BeBq2: Ir (MDQ) 2 (acac)/TCTA: TPBi/BeBq2: Ir (ppy) 3/BeBq2/TBADN:BCzVB i/TPB i/Bphen/Bphen:CsN3/A1。首先，將ITO玻璃進行光刻處理，剪裁成所需要的發(fā)光面積，然后依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物，然后對其進行氧等離子處理，處理時間為13min，功率為50W ;接著在ITO導電層上依次蒸鍍各有機功能層，得到白光電致發(fā)光器件；其中，空穴注入層的材料為MoO3,厚度為5nm ；空穴傳輸層的材料為NPB，厚度40nm ；電子阻擋層的材料為TAPC，厚度為5nm ；第一藍光發(fā)光層的藍光材料為BCzVBi，主體材料為TBADN，摻雜質量百分比為15wt%,該發(fā)光層厚度為IOnm ；第一阻擋層，其主體材料為BeBq2，且該阻擋層厚度為2nm ； 紅色磷光發(fā)光層的紅光磷光材料為Ir (MDQ)2 (acac)，主體材料為BeBq2，摻雜質量百分比為0. 5wt%，該紅色磷光發(fā)光層厚度為7nm ；間隔層，厚度為2nm，材料為TCTA TPBi，質量比為I 3 ；綠色磷光發(fā)光層的綠光磷光材料為Ir (ppy)3，主體材料為BeBq2，摻雜比例為7wt%,該綠色磷光發(fā)光層厚度為IOnm ；第二層阻擋層，其主體材料為BeBq2，且該阻擋層厚度為2nm ；第二藍光發(fā)光層的藍光材料為BCzVBi，主體材料為TBADN，摻雜質量百分比為15wt%,該發(fā)光層厚度為IOnm ；空穴阻擋層的材料為TPBi，厚度為5nm ；電子傳輸層的材料為Bphen,厚度為60nm ；電子注入層的材料為Bphen CsN3，厚度為40nm，Bphen與CsN3的摻雜質量百分比為20wt% ；陰極層的材料為Al，厚度為150nm。實施例10一種白光電致發(fā)光器件，其層狀結構依次為玻璃/IT0/Mo03/NPB/TAPC/TBADN:BCzVBi/BeBq2/BeBq2: Ir (MDQ) 2 (acac)/TCTA: TPBi/BeBq2: Ir (ppy) 3/BeBq2/TBADN:BCzVB i/TPB i/Bphen/TPB i:CaF2/Al。首先，將ITO玻璃進行光刻處理，剪裁成所需要的發(fā)光面積，然后依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物，然后對其進行氧等離子處理，處理時間為15min，功率為50W ;接著在ITO導電層上依次蒸鍍各有機功能層，得到白光電致發(fā)光器件；其中，空穴注入層的材料為MoO3,厚度為5nm ；空穴傳輸層的材料為NPB，厚度IOnm ；電子阻擋層的材料為TAPC，厚度為5nm ；第一藍光發(fā)光層的藍光材料為BCzVBi，主體材料為TBADN，摻雜質量百分比為15wt%,該發(fā)光層厚度為IOnm ；第一阻擋層，其主體材料為BeBq2，且該阻擋層厚度為2nm ；紅色磷光發(fā)光層的紅光磷光材料為Ir (MDQ)2 (acac)，主體材料為BeBq2，摻雜質量百分比為0. 5wt%，該紅色磷光發(fā)光層厚度為7nm ；間隔層，厚度為2nm，材料為TCTA TPBi，質量比為I 3 ；
綠色磷光發(fā)光層的綠光磷光材料為Ir (ppy)3，主體材料為BeBq2，摻雜比例為7wt%,該綠色磷光發(fā)光層厚度為IOnm ；第二層阻擋層，其主體材料為BeBq2，且該阻擋層厚度為2nm ；第二藍光發(fā)光層的藍光材料為BCzVBi，主體材料為TBADN，摻雜質量百分比為15wt%,該發(fā)光層厚度為IOnm ；空穴阻擋層的材料為TPBi，厚度為IOnm ；電子傳輸層的材料為Bphen,厚度為40nm ；電子注入層的材料為TPBi CaF2，厚度為20nm，TPBi:與CaF2的摻雜質量百分比為 30wt% ； 陰極層的材料為Al，厚度為90nm。實施例11一種白光電致發(fā)光器件，其層狀結構依次為玻璃/IT0/Mo03/NPB/TAPC/TBADN:BCzVBi/BeBq2/BeBq2: Ir (MDQ) 2 (acac)/TCTA: TPBi/BeBq2: Ir (ppy) 3/BeBq2/TBADN:BCzVB i/TPB i/Bphen/TPQ:NaF/Al。首先，將ITO玻璃進行光刻處理，剪裁成所需要的發(fā)光面積，然后依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物，然后對其進行氧等離子處理，處理時間為lOmin，功率為50W ;接著在ITO導電層上依次蒸鍍各有機功能層，得到白光電致發(fā)光器件；其中，空穴注入層的材料為MoO3,厚度為5nm ；空穴傳輸層的材料為NPB，厚度IOnm ；電子阻擋層的材料為TAPC，厚度為5nm ；第一藍光發(fā)光層的藍光材料為BCzVBi，主體材料為TBADN，摻雜質量百分比為15wt%,該發(fā)光層厚度為IOnm ；第一阻擋層，其主體材料為BeBq2，且該阻擋層厚度為2nm ；紅色磷光發(fā)光層的紅光磷光材料為Ir (MDQ)2 (acac)，主體材料為BeBq2，摻雜質量百分比為0. 5wt%，該紅色磷光發(fā)光層厚度為7nm ；間隔層，厚度為2nm，材料為TCTA TPBi，質量比為I : 3;綠色磷光發(fā)光層的綠光磷光材料為Ir (ppy)3，主體材料為BeBq2，摻雜比例為7wt%,該綠色磷光發(fā)光層厚度為IOnm ；第二層阻擋層，其主體材料為BeBq2，且該阻擋層厚度為2nm ；第二藍光發(fā)光層的藍光材料為BCzVBi，主體材料為TBADN，摻雜質量百分比為15wt%,該發(fā)光層厚度為IOnm ；空穴阻擋層的材料為TPBi，厚度為IOnm ；電子傳輸層的材料為Bphen,厚度為40nm ；電子注入層的材料為TPQ NaF,厚度為20nm，TPQ與NaF的摻雜質量百分比為40wt % ；陰極層的材料為Al，厚度為40nm。實施例12一種白光電致發(fā)光器件，其層狀結構依次為玻璃/IT0/Mo03/NPB/TAPC/TBADN :BCzVBi/BeBq2/BeBq2: Ir (MDQ) 2 (acac)/TCTA: TPBi/BeBq2: Ir (ppy) 3/BeBq2/TBADN:BCzVBi/TPBi/Bphen/TPQ:CsF/Al。首先，將ITO玻璃進行光刻處理，剪裁成所需要的發(fā)光面積，然后依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物，然后對其進行氧等離子處理處理時間為8min，功率為50W ;接著在ITO導電層上依次蒸鍍各有機功能層，得到白光電致發(fā)光器件；其中，空穴注入層的材料為MoO3,厚度為5nm ；空穴傳輸層的材料為NPB，厚度IOnm ；電子阻擋層的材料為TAPC，厚度為5nm ；第一藍光發(fā)光層的藍光材料為BCzVBi，主體材料為TBADN，摻雜質量百分比為 15wt%,該發(fā)光層厚度為IOnm ；第一阻擋層，其主體材料為BeBq2，且該阻擋層厚度為2nm ；紅色磷光發(fā)光層的紅光磷光材料為Ir (MDQ)2 (acac)，主體材料為BeBq2，摻雜質量百分比為0. 5wt%，該紅色磷光發(fā)光層厚度為7nm ；間隔層，厚度為2nm，材料為TCTA TPBi，質量比為I 3 ；綠色磷光發(fā)光層的綠光磷光材料為Ir(ppy)3，主體材料為BeBq2,摻雜比例為7wt%,該綠色磷光發(fā)光層厚度為IOnm ；第二層阻擋層，其主體材料為BeBq2，且該阻擋層厚度為2nm ；第二藍光發(fā)光層的藍光材料為BCzVBi，主體材料為TBADN，摻雜質量百分比為15wt%,該發(fā)光層厚度為IOnm ；空穴阻擋層的材料為TPBi，厚度為IOnm ；電子傳輸層的材料為Bphen,厚度為40nm ；電子注入層的材料為TPQ CsF，厚度為45nm，TPQ與CsF摻雜質量百分比為50wt% ；陰極層的材料為Al,厚度為180nm。實施例13一種白光電致發(fā)光器件，其層狀結構依次為玻璃/IT0/Mo03/NPB/TAPC/TBADN:BCzVBi/BeBq2/BeBq2: Ir (MDQ) 2 (acac)/TCTA: TPBi/BeBq2: Ir (ppy) 3/BeBq2/TBADN:BCzVB i/TPB i/Bphen/PBD:MgF2/Al。首先，將ITO玻璃進行光刻處理，剪裁成所需要的發(fā)光面積，然后依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物，然后對其進行氧等離子處理處理時間為9min，功率為50W ;接著在ITO導電層上依次蒸鍍各有機功能層，得到白光電致發(fā)光器件；其中，空穴注入層的材料為MoO3,厚度為5nm ；空穴傳輸層的材料為NPB，厚度IOnm ；電子阻擋層的材料為TAPC，厚度為5nm ；第一藍光發(fā)光層的藍光材料為BCzVBi，主體材料為TBADN，摻雜質量百分比為15wt%,該發(fā)光層厚度為IOnm ；第一阻擋層，其主體材料為BeBq2，且該阻擋層厚度為2nm ；
紅色磷光發(fā)光層的紅光磷光材料為Ir (MDQ)2 (acac)，主體材料為BeBq2，摻雜質量百分比為0. 5wt%，該紅色磷光發(fā)光層厚度為7nm ；間隔層，厚度為2nm，材料為TCTA TPBi，質量比為I 3 ；綠色磷光發(fā)光層的綠光磷光材料為Ir (ppy)3，主體材料為BeBq2，摻雜比例為7wt%,該綠色磷光發(fā)光層厚度為IOnm ；第二層阻擋層，其主體材料為BeBq2，且該阻擋層厚度為2nm ；第二藍光發(fā)光層的藍光材料為BCzVBi，主體材料為TBADN，摻雜質量百分比為15wt%,該發(fā)光層厚度為IOnm ；空穴阻擋層的材料為TPBi，厚度為IOnm ； 電子傳輸層的材料為Bphen,厚度為40nm ；電子注入層的材料為PBD MgF2,厚度為35nm，PBD與MgF2的摻雜質量百分比為40wt%陰極層的材料為Al,厚度為50nm。實施例14一種白光電致發(fā)光器件，其層狀結構依次為玻璃/IT0/Mo03/NPB/TAPC/TBADN:BCzVBi/BeBq2/BeBq2: Ir (MDQ) 2 (acac)/TCTA: TPBi/BeBq2: Ir (ppy) 3/BeBq2/TBADN: BCzVBi/TPBi/Bphen/BND: Cs2CO3Al。首先，將ITO玻璃進行光刻處理，剪裁成所需要的發(fā)光面積，然后依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物，然后對其進行氧等離子處理，處理時間為lOmin，功率為50W ;接著在ITO導電層上依次蒸鍍各有機功能層，得到白光電致發(fā)光器件；其中，空穴注入層的材料為MoO3,厚度為5nm ；空穴傳輸層的材料為NPB，厚度IOnm ；電子阻擋層的材料為TAPC，厚度為5nm ；第一藍光發(fā)光層的藍光材料為BCzVBi，主體材料為TBADN，摻雜質量百分比為15wt%,該發(fā)光層厚度為IOnm ；第一阻擋層，其主體材料為BeBq2，且該阻擋層厚度為2nm ；紅色磷光發(fā)光層的紅光磷光材料為Ir (MDQ)2 (acac)，主體材料為BeBq2，摻雜質量百分比為0. 5wt%，該紅色磷光發(fā)光層厚度為7nm ；間隔層，厚度為2nm，材料為TCTA TPBi，質量比為I : 3;綠色磷光發(fā)光層的綠光磷光材料為Ir(ppy)3，主體材料為BeBq2,摻雜比例為7wt%,該綠色磷光發(fā)光層厚度為IOnm ；第二層阻擋層，其主體材料為BeBq2，且該阻擋層厚度為2nm ；第二藍光發(fā)光層的藍光材料為BCzVBi，主體材料為TBADN，摻雜質量百分比為15wt%,該發(fā)光層厚度為IOnm ；空穴阻擋層的材料為TPBi，厚度為IOnm ；電子傳輸層的材料為Bphen,厚度為40nm ；電子注入層的材料為BND Cs2CO3，厚度為40nm，BND與Cs2CO3的摻雜質量百分比為 35wt%
陰極層的材料為Al，厚度為160nm。實施例15一種白光電致發(fā)光器件，其層狀結構依次為玻璃/IT0/Mo03/NPB/TAPC/TBADN:BCzVBi/BeBq2/BeBq2: Ir (MDQ) 2 (acac)/TCTA: TPBi/BeBq2: Ir (ppy) 3/BeBq2/TBADN:BCzVB i/TPB i/Bphen/TAZ:CsN3/A1。首先，將ITO玻璃進行光刻處理，剪裁成所需要的發(fā)光面積，然后依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物，然后對其進行氧等離子處理，處理時間為lOmin，功率為50W ;接著在ITO導電層上依次蒸鍍各有機功能層，得到白光電致發(fā)光器件；其中，空穴注入層的材料為MoO3,厚度為5nm ； 空穴傳輸層的材料為NPB，厚度IOnm ；電子阻擋層的材料為TAPC，厚度為5nm ；第一藍光發(fā)光層的藍光材料為BCzVBi，主體材料為TBADN，摻雜質量百分比為15wt%,該發(fā)光層厚度為IOnm ；第一阻擋層，其主體材料為BeBq2，且該阻擋層厚度為2nm ；紅色磷光發(fā)光層的紅光磷光材料為Ir (MDQ)2 (acac)，主體材料為BeBq2，摻雜質量百分比為0. 5wt%，該紅色磷光發(fā)光層厚度為7nm ；間隔層，厚度為2nm，材料為TCTA TPBi，質量比為I 3 ；綠色磷光發(fā)光層的綠光磷光材料為Ir (ppy)3，主體材料為BeBq2，摻雜比例為7wt%,該綠色磷光發(fā)光層厚度為IOnm ；第二層阻擋層，其主體材料為BeBq2，且該阻擋層厚度為2nm ；第二藍光發(fā)光層的藍光材料為BCzVBi，主體材料為TBADN，摻雜質量百分比為15wt%,該發(fā)光層厚度為IOnm ；空穴阻擋層的材料為TPBi，厚度為IOnm ；電子傳輸層的材料為Bphen,厚度為40nm ；電子注入層的材料為TAZ CsN3，厚度為50nm;TAZ與CsN3的摻雜質量百分比為25wt % ；陰極層的材料為Al，厚度為lOOnm。應當理解的是，上述針對本發(fā)明較佳實施例的表述較為詳細，并不能因此而認為是對本發(fā)明專利保護范圍的限制，本發(fā)明的專利保護范圍應以所附權利要求為準。
權利要求
1.一種白光電致發(fā)光器件，其特征在于，該器件為層狀結構，該層狀結構依次為基底/導電層/空穴注入層/空穴傳輸層/電子阻擋層/第一藍光發(fā)光層/第一阻擋層/紅光磷光發(fā)光層/間隔層/綠光磷光發(fā)光層/第二阻擋層/第二藍光發(fā)光層/空穴阻擋層/電子傳輸層/電子注入層/陰極層； 所述第一藍光發(fā)光層和第二藍光發(fā)光層的材質均為空穴傳輸材料中摻雜藍光材料； 所述紅光磷光發(fā)光層的材質為鈹配合物材料中摻雜紅光磷光材料； 所述綠光磷光發(fā)光層的材質為鈹配合物材料中摻雜綠光磷光材料。
2.根據(jù)權利要求I所述的白光電致發(fā)光器件，其特征在于，所述藍光發(fā)光材料為茈、二萘嵌苯衍生物、三苯胺二苯乙烯衍生物、三苯胺連萘基乙烯衍生物或苯乙烯衍生物中的任一種。
3.根據(jù)權利要求I所述的白光電致發(fā)光器件，其特征在于，所述間隔層的材料由所述 空穴傳輸材料與電子傳輸材料共同摻雜混合組成。
4.根據(jù)權利要求I或3所述的白光電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴傳輸材料為2-丁基-9，10-二-(2-萘基)蒽、N，N' -二(3-甲基苯基)-N，N' - 二苯基 _4，4'-聯(lián)苯二胺、4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺、4，4' -二(9-咔唑)聯(lián)苯、N，N' _(1_萘基)-N，N' - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺、1，3，5_三苯基苯或者酞菁銅中的任一種。
5.根據(jù)權利要求4所述的白光電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子傳輸材料為2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑、8-羥基喹啉鋁、2，5_ 二(1_萘基)_1，3.4-二唑、4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、1，2，4-三唑衍生物、N-芳基苯并咪唑或者喹喔啉衍生物中的任一種。
6.根據(jù)權利要求I所述的白光電致發(fā)光器件，其特征在于，所述紅光磷光材料為二(2-甲基-二苯基喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥、二(I-苯基異喹啉)(乙酰丙酮)合銥、或者三(I-苯基-異喹啉)合銥中的任一種。
7.根據(jù)權利要求I所述的白光電致發(fā)光器件，其特征在于，所述綠光磷光材料為三(2-苯基吡啶)合銥、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)銥、或者乙酰丙酮酸二(2-對苯氧基苯基批唳)依中的任一種。
8.根據(jù)權利要求I所述的白光電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一阻擋層和第二阻擋層的材料均為鈹配合物材料。
9.根據(jù)權利要求I或8所述的白光電致發(fā)光器件，其特征在于，所述鈹配合物材料為吩基吡啶鈹、10-羥基苯并喹啉鈹、8-羥基喹啉鈹、2-甲基-8-羥基喹啉鈹、8-羥基喹啉鈹、或者7-丙基-8羥基喹啉鈹中的任一種。
10.根據(jù)權利要求I所述的白光電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴注入層的材料為三氧化鑰、三氧化鶴、VOx或五氧化二fL中的任一種； 所述空穴傳輸層和電子阻擋層的材料分別為1，1_ 二 [4-[N，N' - 二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己燒、N, N’ - _. (3-甲基苯基)_N, N’ - _■苯基-4,4’ -聯(lián)苯_■胺、4,4',4"-三(咔唑-9-基)三苯胺、N，N，-(1-萘基)州，N，- 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺、I，3，5-三苯基苯或酞菁銅中的任一種； 所述電子傳輸層和空穴阻擋層的材料分別為2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3.4-噁二唑、8-羥基喹啉鋁、2，5-二 (I-萘基)-1,3,4- 二唑、4，7- 二苯基-1,10-菲羅啉、·1,2,4-三唑衍生物、N-芳基苯并咪唑或喹喔啉衍生物中的任一種； 所述電子注入層的材料為Cs2C03、CsN3、LiF、CsF、CaF2、MgF2或者NaF中的任一種；以及 所述陰極層的材質為銀、鋁、銀鎂合金或金。
全文摘要
本發(fā)明屬于光電子器件領域，其公開了一種白光電致發(fā)光器件，該器件為層狀結構，該層狀結構依次為基底/導電層/空穴注入層/空穴傳輸層/電子阻擋層/第一藍光發(fā)光層/第一阻擋層/紅光磷光發(fā)光層/間隔層/綠光磷光發(fā)光層/第二阻擋層/第二藍光發(fā)光層/空穴阻擋層/電子傳輸層/電子注入層/陰極層；第一、二藍光發(fā)光層的材質均為空穴傳輸材料中摻雜藍光材料；所述紅光和綠光兩種磷光發(fā)光層的材質分別為鈹配合物材料摻雜紅光和綠光磷光材料。本發(fā)明的白光電致發(fā)光器件，藍光發(fā)光層與紅光、綠光兩個磷光發(fā)光層之間的第一、第二阻擋層，可使藍光材料的三線態(tài)激子擴散到紅光和綠光兩個磷光發(fā)光層中輻射躍遷發(fā)光，進一步提高器件的發(fā)光效率。
文檔編號C09K11/06GK102738399SQ20111008111
公開日2012年10月17日 申請日期2011年3月31日 優(yōu)先權日2011年3月31日
發(fā)明者周明杰, 王平, 陳吉星, 黃輝 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術有限公司