專利名稱：：無基材壓敏粘合片、其生產(chǎn)方法及使用其的研磨方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體晶片保護(hù)用無基材壓敏粘合片、使用該壓敏粘合片研磨半導(dǎo)體晶片背面的方法和生產(chǎn)該壓敏粘合片的方法，在使用該半導(dǎo)體晶片保護(hù)用無基材壓敏粘合片的情況下，即使在將半導(dǎo)體晶片研磨至超薄水平后或者在研磨大直徑晶片后，也幾乎不產(chǎn)生半導(dǎo)體晶片的翹曲。
背景技術(shù)：
：近年來，隨著各種電子器件朝向小型化的趨勢以及隨著IC卡的普及，期望電子部件例如半導(dǎo)體晶片以及其它部件更進(jìn)一步薄型化。因此，需要使至今仍具有約350μm厚度的半導(dǎo)體晶片更加薄型化，從而具有至多約50μm的厚度。為了提高生產(chǎn)性，目前正研究進(jìn)一步增大半導(dǎo)體晶片的直徑。通常，在生產(chǎn)半導(dǎo)體晶片時，將電路圖案形成于晶片的正面，然后將晶片的背面用磨具(grinder)等研磨以具有預(yù)定的厚度。在此階段，出于保護(hù)晶片正面的目的，通常在將壓敏粘合片粘貼至晶片正面時研磨晶片的背面。此外，在將晶片加工以薄型化后，在將壓敏粘合片保持粘貼至晶片正面的同時，將晶片轉(zhuǎn)移至下一步驟。然而，在晶片正面用壓敏粘合片保護(hù)的同時將晶片背面研磨至超薄水平的情況下，經(jīng)研磨的晶片可能經(jīng)常翹曲。翹曲的晶片存在的問題在于，在其輸送期間或在由其剝離壓敏粘合片時晶片經(jīng)常破裂。特別地，在研磨經(jīng)常用于本領(lǐng)域的具有直徑8英寸或12英寸的大尺寸晶片時或者在研磨用于IC卡等的薄晶片時，翹曲的問題很嚴(yán)重。認(rèn)為研磨后晶片的翹曲可能大大地受到保留在粘貼至晶片的壓敏粘合片中的殘余應(yīng)力的影響。當(dāng)超薄地研磨具有粘貼至其上的壓敏粘合片的晶片時，認(rèn)為殘余應(yīng)力可能高于晶片的強(qiáng)度，并且晶片可能由于除去殘余應(yīng)力的力而翹曲。因此，為了降低殘余應(yīng)力，壓敏粘合片的構(gòu)造以各種方式得到改善或改進(jìn)，并提出不產(chǎn)生殘余應(yīng)力的構(gòu)造。例如，專利文獻(xiàn)1提及半導(dǎo)體晶片保護(hù)用壓敏粘合片，其包括基材膜和壓敏粘合劑層，其中基材膜的拉伸彈性模量為0.6GPa。專利文獻(xiàn)2提及用于加工半導(dǎo)體晶片的壓敏粘合片，其包括基材和在所述基材上形成的壓敏粘合劑層，其中壓敏粘合片在其拉伸試驗(yàn)中在伸長率為10%時在1分鐘后的應(yīng)力-松弛率為至少40%。然而，這些壓敏粘合片的性能對于防止在超薄地研磨半導(dǎo)體晶片時或在研磨大直徑晶片時所研磨晶片的翹曲并非總是最佳。因此，期望提供半導(dǎo)體晶片保護(hù)用壓敏粘合片，該壓敏粘合片能夠更有效地防止所研磨晶片的翹曲。隨著近來本領(lǐng)域朝向超薄地研磨晶片的趨勢，還期望防止在研磨晶片時晶片由于應(yīng)力而破裂以及防止晶片邊緣斷裂。此外，隨著近年來朝向高密度、小型化、高功能半導(dǎo)體封裝的趨勢，芯片堆疊技術(shù)得到促進(jìn)，其中認(rèn)為超薄化晶片的芯片之間的厚度波動是有問題的。芯片之間的厚度波動是因?yàn)榫心r保護(hù)圖案的壓敏粘合片的厚度波動原樣直接轉(zhuǎn)移至研磨的芯片，因此壓敏粘合片的厚度精度在本領(lǐng)域中是重要的課題。專利文獻(xiàn)1JP-A-2000-212524專利文獻(xiàn)2JP-A-2000-15043
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供半導(dǎo)體晶片保護(hù)用無基材壓敏粘合片，以及提供使用壓敏粘合片研磨半導(dǎo)體晶片背面的方法和生產(chǎn)壓敏粘合片的方法，該壓敏粘合片即使當(dāng)用于超薄地研磨半導(dǎo)體晶片或當(dāng)用于研磨大直徑半導(dǎo)體晶片時，也能夠良好地保護(hù)半導(dǎo)體晶片以致不翹曲，其在研磨時應(yīng)力分散性優(yōu)良，能夠防止半導(dǎo)體晶片破裂或其邊緣斷裂，和能夠確保研磨后晶片厚度的高精度。S卩，本發(fā)明提供半導(dǎo)體晶片保護(hù)用無基材壓敏粘合片，該壓敏粘合片在研磨半導(dǎo)體晶片背面時粘貼至半導(dǎo)體晶片的正面，該壓敏粘合片由壓敏粘合劑層組成，其中壓敏粘合劑層由UV固化型壓敏粘合劑形成，該UV固化型壓敏粘合劑包含主要由丙烯酸類單體可聚合化合物形成的聚合物，粘貼至半導(dǎo)體晶片正面的壓敏粘合劑層表面的壓敏粘合力大于其相反面的壓敏粘合力；該壓敏粘合劑層具有0.OlMPa至500MPa的初始彈性模量。通常，粘貼至半導(dǎo)體晶片正面的壓敏粘合片由基材和壓敏粘合劑層構(gòu)成。當(dāng)該類型的壓敏粘合片粘貼至晶片正面時，使用粘貼機(jī)(stickingmachine)。簡單地說，將晶片放置于粘貼臺上，晶片的正面保持面朝上，然后將壓敏粘合片設(shè)置于其上，壓敏粘合片的壓敏粘合劑層保持面朝下，同時將壓敏粘合片沿粘貼方向保持牽拉以致不松動。以此方式，將壓敏粘合片的壓敏粘合劑層保持面向晶片的正面，二者在通過壓力設(shè)備例如壓力輥等的來自沿粘貼方向的壓敏粘合片基材側(cè)的壓力下彼此粘貼。在此階段，將沿粘貼方向牽拉壓敏粘合片的力和將壓敏粘合片壓向晶片的力給予壓敏粘合片，因此在壓敏粘合片粘貼至晶片后，這些力作為其中的殘余應(yīng)力保留在壓敏粘合片中。當(dāng)研磨粘貼壓敏粘合片的晶片的背面時并且當(dāng)壓敏粘合片中的殘余應(yīng)力高于晶片的強(qiáng)度時，認(rèn)為晶片可能由于除去殘余應(yīng)力的力而翹曲。通常，當(dāng)將基材與壓敏粘合劑比較時，基材的初始彈性模量高于壓敏粘合劑的初始彈性模量，因而由基材引起殘余應(yīng)力。在使用僅由具有比基材的初始彈性模量更低的初始彈性模量的壓敏粘合劑組成的無基材壓敏粘合片的情況下，在粘貼粘合片時產(chǎn)生的殘余應(yīng)力變得極小。因此，當(dāng)將此類無基材壓敏粘合片用于研磨半導(dǎo)體晶片背面時，能夠減少研磨后晶片的翹曲。優(yōu)選地，壓敏粘合劑層由包含主要由丙烯酸類單體可聚合化合物形成的聚合物的UV-固化型(紫外線固化型)壓敏粘合劑形成。在壓敏粘合劑層由包含主要由丙烯酸類單體可聚合化合物形成的聚合物的UV固化型壓敏粘合劑形成的情況下，在研磨半導(dǎo)體晶片背面后將無基材壓敏粘合片從半導(dǎo)體晶片剝離時，壓敏粘合片表面與半導(dǎo)體晶片表面接觸的接觸面積由于通過借助用UV線照射(UV照射)壓敏粘合劑層的壓敏粘合劑引起的固化反應(yīng)而造成的體積收縮而降低，因此壓敏粘合片的壓敏粘合力能夠立即下降。此外，壓敏粘合劑層通過固化反應(yīng)而三維交聯(lián)，因此具有的另一優(yōu)點(diǎn)在于減少剝離后的粘合劑殘留物。粘貼至半導(dǎo)體晶片正面的壓敏粘合劑層表面的壓敏粘合力大于其相反面的壓敏粘合力。在粘貼至半導(dǎo)體晶片正面的壓敏粘合劑層表面的壓敏粘合力大于其相反面的壓敏粘合力的情況下，當(dāng)在壓敏粘合片粘貼至被粘物之后剝離在其相反面上的隔離體時，不會出現(xiàn)壓敏粘合劑與被剝離的隔離體一起剝離的問題，因?yàn)楦綦x體與壓敏粘合劑層之間的剝離力小于被粘物與壓敏粘合劑層之間的剝離力。壓敏粘合劑層的初始彈性模量優(yōu)選為0.0IMPa至500MPa，更優(yōu)選0.IMPa至IOOMPa,甚至更優(yōu)選IMPa至50MPa。在壓敏粘合劑層的初始彈性模量落入上述范圍內(nèi)的情況下，壓敏粘合劑層可以良好地追隨其粘貼的半導(dǎo)體晶片正面并可以減小研磨晶片時的應(yīng)力，因此可以防止晶片由于研磨時的應(yīng)力而斷裂。此外，在初始彈性模量不大于50MPa的情況下，即使當(dāng)在將壓敏粘合劑層粘貼至半導(dǎo)體晶片時壓敏粘合劑層不具有隔離體時，通過壓敏粘合劑層的變形引起的殘余應(yīng)力也能夠低，因此可以減少在研磨半導(dǎo)體晶片背面后半導(dǎo)體晶片的翹曲。在本發(fā)明的無基材壓敏粘合片中，與粘貼至半導(dǎo)體晶片正面的壓敏粘合劑層表面相反的壓敏粘合劑層表面是這樣的根據(jù)滾球粘性試驗(yàn)(rollingballtacktest)，在傾角為20°時，6號以上的球在其上不停止。在與粘貼至半導(dǎo)體晶片正面的壓敏粘合劑層表面相反的壓敏粘合劑層表面是這樣的在滾球粘性試驗(yàn)中，在傾角為20°時，6號以上的球在其上不停止時，即使在將層壓在與粘貼至半導(dǎo)體晶片正面的壓敏粘合劑層表面相反的壓敏粘合劑層表面上的隔離體剝離后，壓敏粘合劑層也不是如此粘性以致使其粘貼至用于研磨半導(dǎo)體晶片背面的裝置中的機(jī)械手(robotarm)上，因此半導(dǎo)體晶片保護(hù)用無基材壓敏粘合片能夠轉(zhuǎn)移至研磨半導(dǎo)體晶片背面的步驟而不粘貼至機(jī)械手。此外，在本發(fā)明的無基材壓敏粘合片中，優(yōu)選壓敏粘合片的厚度為5μπι至1000μHIo壓敏粘合劑層的厚度更優(yōu)選為10μm至500μm，甚至更優(yōu)選30μm至250μm。當(dāng)壓敏粘合劑層的厚度落入該范圍時，在研磨晶片背面時，壓敏粘合片能夠良好地保護(hù)該半導(dǎo)體晶片的正面。在壓敏粘合劑層的厚度小于5μm的情況下，壓敏粘合片可追隨甚至小的晶片正面的凹凸，而不能良好地保護(hù)晶片，如果這樣，在研磨晶片時，該晶片可能破裂。另一方面，當(dāng)壓敏粘合劑層的厚度大于1000μm時，在粘貼至晶片后切斷片材時其加工性方面或其在加工裝置中的可操作性方面是不利的。此外，本發(fā)明還提供研磨半導(dǎo)體晶片背面的方法，該方法包括將本發(fā)明的無基材壓敏粘合片粘貼至半導(dǎo)體晶片的正面，同時將隔離體保持層壓在與粘貼至半導(dǎo)體晶片正面的壓敏粘合片表面相反的壓敏粘合片表面上；將壓敏粘合片與隔離體一起切斷；單獨(dú)剝離隔離體；然后研磨半導(dǎo)體晶片的背面。由于本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片保護(hù)用無基材壓敏粘合片僅由壓敏粘合劑層組成，因此存在由于壓敏粘合劑層的撓性而在帶粘貼裝置中難以切斷壓敏粘合劑層的情況。在此方面，將半導(dǎo)體晶片保護(hù)用無基材壓敏粘合片粘貼至半導(dǎo)體晶片，同時將隔離體保持層壓在與粘貼至半導(dǎo)體晶片的壓敏粘合片表面相反的壓敏粘合片表面上，將其通過將切割刮刀施加至隔離體上與隔離體一起切斷，由此防止壓敏粘合劑層在切斷期間伸長，并能夠?qū)好粽澈掀€(wěn)定地切斷。最后，通過單獨(dú)剝離隔離體，能夠在僅將高撓性的半導(dǎo)體晶片保護(hù)用無基材壓敏粘合片保持粘貼至半導(dǎo)體晶片正面的同時研磨半導(dǎo)體晶片的背面，因此能夠防止研磨后的半導(dǎo)體晶片翹曲。此外，本發(fā)明還提供生產(chǎn)本發(fā)明的無基材壓敏粘合片的方法，該方法包括將壓敏粘合劑施涂至隔離體上，從而形成壓敏粘合劑層，該壓敏粘合劑包含UV-反應(yīng)性單體(或低聚物)或在其側(cè)鏈中具有碳-碳雙鍵的聚合物和光聚合引發(fā)劑；在將壓敏粘合劑層的涂布面保持暴露的同時，用放射線照射壓敏粘合劑層，從而使面向隔離體的壓敏粘合劑層表面的壓敏粘合力低于其相反面的壓敏粘合力。當(dāng)將半導(dǎo)體晶片薄薄地研磨時，磨邊的晶片的(chamberedwafer)邊緣極其尖銳，因此，在將硬性和剛性基材用于壓敏粘合片的情況下，其研磨粉塵可能保留在研磨的晶片上，結(jié)果因此可能破壞晶片邊緣，或研磨時的應(yīng)力不能分散從而導(dǎo)致晶片的破裂。因此，在使用剛性基材的情況下，可使用在基材與壓敏粘合劑層之間放入軟質(zhì)中間層的方法，或使用軟質(zhì)基材代替剛性基材的方法。然而，中間層層壓法由于劣化壓敏粘合片的厚度精度，因而是不利的，極難生產(chǎn)具有良好厚度精度的軟質(zhì)基材，結(jié)果，整個壓敏粘合片的厚度精度由此降低。因此，認(rèn)為在該類型壓敏粘合片粘貼至晶片的情況下研磨的晶片的厚度精度也可能降低。在本發(fā)明中，將UV固化型壓敏粘合劑施涂在具有良好厚度精度的隔離體(特別是PET隔離體等)上，然后用UV線照射以生產(chǎn)無基材壓敏粘合片，因此，能夠提供具有良好厚度精度的半導(dǎo)體晶片保護(hù)用無基材壓敏粘合片。具體實(shí)施例方式本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片保護(hù)用無基材壓敏粘合片僅由壓敏粘合劑層組成。該壓敏粘合劑層可為單層或多層。本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片保護(hù)用無基材壓敏粘合片通過以下來生產(chǎn)將UV固化型壓敏粘合劑以通常方式施涂至具有良好厚度精度的隔離體(特別是PET隔離體等)上，然后，在保持涂布面暴露在外的同時，用UV線照射，從而使僅保持與隔離體接觸的UV固化型壓敏粘合劑的表面非粘性。由于暴露于空氣的UV固化型壓敏粘合劑的表面在用UV射線照射時受到氧阻聚(oxygeninhibition)，不能被UV固化，因此其壓敏粘合力幾乎不降低。另一方面，與隔離體接觸的UV固化型壓敏粘合劑的表面由于隔離體而不能被氧阻斷，因此被UV固化，其壓敏粘合力降低。從壓敏粘合片的易操作性(handleability)的觀點(diǎn)，優(yōu)選將本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片保護(hù)用無基材壓敏粘合片引入至研磨半導(dǎo)體晶片背面用裝置中而沒有從壓敏粘合力降低的壓敏粘合片表面剝離隔離體，在即將將半導(dǎo)體晶片背面在該裝置中研磨之前剝離隔離體。壓敏粘合劑層通過適當(dāng)組合基礎(chǔ)聚合物的組成、交聯(lián)劑的類型和成分的共混比來控制。例如，壓敏粘合劑層的初始彈性模量可通過控制基礎(chǔ)聚合物的Tg和交聯(lián)密度來控制。作為壓敏粘合劑，此處可使用本領(lǐng)域中通常使用的任意普通UV固化型壓敏粘合齊U。首先，從對半導(dǎo)體晶片的壓敏粘合性和剝離后半導(dǎo)體晶片用超純水或有機(jī)溶劑例如乙醇清洗的清潔性的觀點(diǎn)，優(yōu)選包含主要由丙烯酸類單體可聚合化合物形成的聚合物(下文中稱之為丙烯酸類聚合物)的uv固化型壓敏粘合劑。丙烯酸類聚合物為，例如，(甲基)丙烯酸烷基酯(例如，其中烷基具有1至30個碳原子，優(yōu)選4至18個碳原子的線性或支化烷基酯，例如甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己基酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷酯、十二烷酯、十三烷酯、十四烷酯、十六烷酯、十八烷酯、二十烷酯)和(甲基)丙烯酸環(huán)烷基酯(例如環(huán)戊酯、環(huán)己酯)的一種或多種單體成分的丙烯酸類聚合物。在本說明書中，此處的“(甲基)丙烯酸酯”是指丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯。出于提高壓敏粘合劑的內(nèi)聚力和耐熱性的目的，如果需要，丙烯酸類聚合物可包含對應(yīng)于可與所述(甲基)丙烯酸烷基酯或(甲基)丙烯酸環(huán)烷基酯共聚的任意其它單體(共聚單體)的單元。共聚單體成分的實(shí)例包括含羧基單體例如丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸等；酸酐單體例如馬來酸酐、衣康酸酐等；含羥基單體例如(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥己酯、(甲基)丙烯酸8-羥辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酸酯和(甲基)丙烯酸(4-羥甲基環(huán)己基)甲酯等；含磺酸基單體例如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2_(甲基)丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺酸丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等；含磷酸基單體例如2-羥乙基丙烯酰磷酸酯等；丙烯酰胺、丙烯腈等。一種或多種該共聚單體成分可單獨(dú)使用或可組合使用。共聚單體的用量優(yōu)選為全部單體成分的至多40重量％。如果需要，丙烯酸類聚合物可任選地包含多官能單體作為交聯(lián)用共聚單體。多官能單體的實(shí)例包括己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環(huán)氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。一種或多種該多官能單體可單獨(dú)使用或可組合使用。從壓敏粘合劑的壓敏粘合性的觀點(diǎn)，多官能單體的用量優(yōu)選為全部單體成分的至多30重量％。丙烯酸類聚合物可通過聚合單一單體或兩種以上單體的單體混合物來生產(chǎn)。聚合可以以溶液聚合、乳液聚合、本體聚合或懸浮聚合等的任意模式獲得。從防止半導(dǎo)體晶片被壓敏粘合劑污染的觀點(diǎn)，壓敏粘合劑層中低分子量物質(zhì)的含量優(yōu)選是低的。從該觀點(diǎn)，丙烯酸類聚合物的重均分子量優(yōu)選為至少約300，000、更優(yōu)選約400，000至約3，000,000。出于增加作為基礎(chǔ)聚合物的丙烯酸類聚合物的重均分子量等的目的，可將外部交聯(lián)劑任選地添加至壓敏粘合劑。作為外部交聯(lián)法的具體方式，可提及將所謂交聯(lián)劑例如多異氰酸酯化合物、環(huán)氧化合物、氮丙啶化合物或三聚氰胺型交聯(lián)劑添加至聚合物并使它們反應(yīng)的方法。在使用此類外部交聯(lián)劑的情況下，其用量可考慮交聯(lián)劑與要用其交聯(lián)的基礎(chǔ)聚合物之間的平衡并依賴于壓敏粘合劑的用途而適合地確定。通常，交聯(lián)劑的量優(yōu)選為約1重量份至約5重量份，相對于100重量份基礎(chǔ)聚合物。此外，除了上述成分之外，如果需要，還可將其它添加劑例如常規(guī)已知的各種增粘劑和抗氧化劑等添加至壓敏粘合劑。作為壓敏粘合劑，放射線固化型壓敏粘合劑還可用于本發(fā)明。沒有具體限定，放射線固化型壓敏粘合劑可以是具有放射線固化型官能團(tuán)例如碳-碳雙鍵等并顯示壓敏粘合性的任意壓敏粘合劑。作為放射線固化型壓敏粘合劑，優(yōu)選壓敏粘合力通過用放射線(特別是UV線)照射而降低的放射線固化型壓敏粘合劑。當(dāng)使用該類型的壓敏粘合劑層時，在研磨半導(dǎo)體晶片背面的工序之后，壓敏粘合片可通過用UV線照射容易地剝離。作為放射線固化型壓敏粘合劑，例如，可提及通過將放射線固化型單體或低聚物成分添加至普通壓敏粘合劑來制備的添加型(additiontype)放射線固化型壓敏粘合劑。普通壓敏粘合劑可以是例如上述丙烯酸類壓敏粘合劑、橡膠型壓敏粘合劑等的壓敏粘合劑。添加的放射線固化型單體成分的實(shí)例包括氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基-五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1，4_丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。放射線固化型低聚物成分的實(shí)例包括各種聚氨酯型、聚醚型、聚酯型、聚碳酸酯型和聚丁二烯型低聚物，該低聚物適當(dāng)?shù)鼐哂屑s100至約3000的分子量。放射線固化型單體或低聚物成分的添加量可以是例如約5重量份至約500重量份，優(yōu)選約40重量份至約150重量份，相對于100重量份構(gòu)成壓敏粘合劑的基礎(chǔ)聚合物例如丙烯酸類聚合物。除了上述添加型放射線固化型壓敏粘合劑之外，此處使用的放射線固化型壓敏粘合劑還可以是固有型(intrinsictype)放射線固化型壓敏粘合劑，該固有型放射線固化型壓敏粘合劑包含作為基礎(chǔ)聚合物的在聚合物側(cè)鏈或主鏈中或聚合物主鏈末端具有碳_碳雙鍵的聚合物。固有型放射線固化型壓敏粘合劑不需要包含任意低分子成分例如低聚物成分等，或不包含太多的低分子成分，因此，低聚物成分等不隨時間在壓敏粘合劑中移動。因此，該類型的壓敏粘合劑由于其能夠形成具有穩(wěn)定層構(gòu)造的壓敏粘合劑層，因而是有利的。沒有具體限定，具有碳_碳雙鍵的基礎(chǔ)聚合物可為任意具有碳_碳雙鍵和具有壓敏粘合性的基礎(chǔ)聚合物。作為基礎(chǔ)聚合物，優(yōu)選為具有丙烯酸類聚合物作為基礎(chǔ)骨架的的聚合物。作為用于基礎(chǔ)骨架的丙烯酸類聚合物，優(yōu)選上述提及的丙烯酸類聚合物的實(shí)例。沒有具體限定，可以使用用于將碳_碳雙鍵引入至丙烯酸類聚合物中的各種方法。優(yōu)選將碳-碳雙鍵引入聚合物的側(cè)鏈，這是因?yàn)榉肿釉O(shè)計(molecularplanning)容易。例如，此處使用的是以下方法首先將丙烯酸類聚合物與具有官能團(tuán)的單體共聚，接著將所得共聚物與化合物通過縮合或加成反應(yīng)來反應(yīng)，所述化合物具有能夠與該共聚物的其官能團(tuán)反應(yīng)的官能團(tuán)和具有碳_碳雙鍵，同時同樣地維持碳_碳雙鍵的放射線固化性。官能團(tuán)組合的實(shí)例包括羧酸基與環(huán)氧基，羧酸基與氮丙啶基(aziridyl)，和羥基與異氰酸酯基等。在官能團(tuán)的那些組合中，優(yōu)選羥基與異氰酸酯的組合，這是由于反應(yīng)追蹤容易。在能夠形成具有碳-碳雙鍵的丙烯酸類聚合物的官能團(tuán)的組合中，官能團(tuán)可位于丙烯酸類聚合物或所述化合物中；然而，在上述優(yōu)選組合中，優(yōu)選丙烯酸類聚合物具有羥基和所述化合物具有異氰酸酯基。在此情況下，具有碳_碳雙鍵的異氰酸酯化合物的實(shí)例包括甲基丙烯?；惽杷狨?、2_甲基丙烯酰氧基乙基異氰酸酯、間-異丙烯基_α，α-二甲基芐基異氰酸酯等。作為丙烯酸類聚合物，可用的為可與任意上述具有羥基的單體或醚化合物共聚的那些，所述醚化合物例如2-羥乙基乙烯基醚、4-羥丁基乙烯基醚、二甘醇單乙烯基醚等。固有型放射線固化型壓敏粘合劑可僅包含上述具有碳_碳雙鍵的基礎(chǔ)聚合物(特別是丙烯酸類聚合物)；然而，可將上述放射線固化型單體或低聚物成分以不減損壓敏粘合劑性能的程度添加至壓敏粘合劑?？梢詫⒎派渚€固化型單體或低聚物成分通常以至多30重量份、更優(yōu)選至多10重量份的量添加至壓敏粘合劑中，相對于100重量份其中的基礎(chǔ)聚合物。在放射線固化型壓敏粘合劑用UV線等固化的情況下，向其中添加光聚合引發(fā)劑。光聚合引發(fā)劑的實(shí)例包括α-酮醇化合物例如4-(2-羥基乙氧基)苯基(2_羥基-2-丙基)酮、α-輕基-α，α，-二甲基苯乙酮、2_甲基_2_羥基苯基乙基酮、1_羥基環(huán)己基苯基酮等；苯乙酮化合物例如甲氧基苯乙酮、2，2_二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2，2_二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲基硫代)-苯基]-2-嗎啉基丙烷-1等；苯偶姻醚化合物例如苯偶姻乙醚、苯偶姻丙醚、茴香偶姻甲醚等；縮酮類化合物例如芐基二甲基縮酮等；芳族磺酰氯化合物例如2-萘磺酰氯等；光活性肟化合物例如1-苯酮(phenone)-1，1-丙二酮-2-(鄰乙氧基羰基)肟等；二苯甲酮化合物例如二苯甲酮、苯甲?；郊姿帷?，3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等；噻噸酮化合物例如噻噸酮、2-氯噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2，4-二甲基噻噸酮、異丙基噻噸酮、2，4-二氯噻噸酮、2，4-二乙基噻噸酮、2，4-二異丙基噻噸酮等；樟腦醌；鹵化酮；?；趸?；?；姿狨サ取９饩酆衔镆l(fā)劑的添加量可以為例如約1重量份至約10重量份、優(yōu)選約3重量份至約5重量份，相對于100重量份構(gòu)成壓敏粘合劑的基礎(chǔ)聚合物例如丙烯酸類聚合物。作為壓敏粘合劑，還可用的是熱膨脹性壓敏粘合劑。熱膨脹性壓敏粘合劑包含上述普通壓敏粘合劑和添加于其中的熱膨脹性微球。當(dāng)包含于其中的熱膨脹性微球在加熱下膨脹時，熱膨脹性壓敏粘合劑減少其接觸面積，從而其剝離變得容易。此處，熱膨脹性微球優(yōu)選具有約1μm至約25μm、更優(yōu)選約5μm至約15μm、甚至更優(yōu)選約IOym的平均粒徑。沒有具體限定，用于熱膨脹性微球的材料可以是能夠在加熱下膨脹的任意材料。對于熱膨脹性微球，例如，可用的是熱膨脹性微囊，其可通過用根據(jù)原位聚合法等的偏二氯乙烯、丙烯腈等的共聚物的囊壁包封具有低沸點(diǎn)的蒸氣發(fā)泡成分例如丁烷、丙烷或戊烷等來制備，該熱膨脹性微囊具有與壓敏粘合劑的分散混合性優(yōu)異的優(yōu)點(diǎn)。熱膨脹性微囊的商品是可獲得的，例如Microsphere(由MatsumotoYushi-SeiyakuCo.，Ltd.制造)等。壓敏粘合劑中的熱膨脹性微球(熱膨脹性微囊)的添加量可以依賴于壓敏粘合劑層的類型來適當(dāng)確定，以致它們可降低壓敏粘合劑層的壓敏粘合力。通常，該量可為約1重量份至約100重量份，優(yōu)選約5重量份至約50重量份，更優(yōu)選約10重量份至約40重量份，相對于100重量份的基礎(chǔ)聚合物?？梢赃m當(dāng)?shù)卮_定壓敏粘合劑層的厚度，但與該層的其它性質(zhì)相關(guān)，該厚度可為約5μm300μm,80μm240μm。在本發(fā)明的無基材壓敏粘合帶中使用的隔離體包括兩種類型作為基礎(chǔ)的基材隔離體和壓敏粘合面保護(hù)隔離體，在生產(chǎn)無基材壓敏粘合片時，在所述基材隔離體上施涂壓敏粘合劑，所述壓敏粘合面保護(hù)隔離體用于保護(hù)無基材壓敏粘合片的壓敏粘合面。這些隔離體的構(gòu)成材料的實(shí)例包括紙和聚乙烯、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯等的合成樹脂膜?？蓪⒏綦x體表面通過硅酮處理、長鏈烷基處理或氟處理等任選地處理以潤滑，從而增強(qiáng)其從壓敏粘合劑層的剝離性。隔離體的厚度優(yōu)選為10μm至200μm,更優(yōu)選為25μm至100μm。隔離體的厚度精度優(yōu)選為至多士2μm。將本發(fā)明壓敏粘合片粘貼至晶片可通過以下進(jìn)行在壓力容器(例如高壓釜等)中將晶片的表面放置于壓敏粘合片的壓敏粘合劑層上，然后，加壓該容器，從而將壓敏粘合片粘貼至該晶片。在該情況下，二者可在通過壓力設(shè)備施壓的同時彼此粘貼。在真空室中，二者也可以與上述相同的方式彼此粘貼。粘貼條件不限于上述，可將二者在粘貼時加熱。持續(xù)薄型化半導(dǎo)體晶片的加工，直至晶片具有期望的厚度。根據(jù)本發(fā)明，當(dāng)晶片直徑由a(英寸)表示，研磨后的晶片厚度由b(ym)表示時，可以研磨晶片背面直至b/a(μm/英寸)的值變?yōu)?7(μπι/英寸)。因此，根據(jù)本發(fā)明，能夠薄型化晶片，同時將其翹曲抑制得很低。在薄薄地研磨晶片的技術(shù)中，晶片的翹曲常常是有問題的；然而，當(dāng)將本發(fā)明的壓敏粘合片用于研磨晶片背面時，b/a的值能夠降低至至多27(μm/英寸)，因此，也能夠防止即使薄型化晶片的翹曲。實(shí)施例參照以下實(shí)施例詳細(xì)地描述本發(fā)明，然而，本發(fā)明并不限于這些實(shí)施例。實(shí)施例1將包含丙烯酸丁酯(50mol)、丙烯酸乙酯(50mol)和丙烯酸2_羥乙酯(22mol)的混合物組合物在甲苯溶液中共聚，以給出具有重均分子量為500,000的丙烯酸類共聚物。隨后，將2-甲基丙烯酰氧基乙基異氰酸酯(ISmol)通過加成反應(yīng)與該共聚物反應(yīng)，從而將碳-碳雙鍵引入至聚合物分子的側(cè)鏈中。接著，將該聚合物(100重量份)與多異氰酸酯型交聯(lián)劑(0.8重量份)和苯乙酮型光聚合引發(fā)劑(3重量份)混合，以制備壓敏粘合劑組合物。將壓敏粘合劑組合物施涂于硅酮處理的基材隔離體(PET隔離體，具有50μm的厚度和士1μm的厚度精度)，以致其上因此形成的壓敏粘合劑層在干燥后能夠具有80μm的厚度。在將其涂布面保持暴露在外的情況下，將其用UV照射(UV照射條件300mJ/cm2)。將硅酮處理的壓敏粘合面保護(hù)隔離體(PET隔離體，具有50μm的厚度和士Iym的厚度精度)粘貼至壓敏粘合劑層的涂布面，以構(gòu)制壓敏粘合片。使用晶片粘貼設(shè)備(wafertapingapparatus)，DR-3000II(由NittoSeikiCo.,Ltd.制造)，將壓敏粘合面保護(hù)隔離體剝離，并將壓敏粘合片粘貼至Si晶片的表面，然后將壓敏粘合片與壓制至其的基材隔離體一起用切割刮刀切斷，然后將基材隔離體剝離。將用壓敏粘合片固定的Si晶片背面研磨以致Si晶片的厚度變?yōu)?0μπι，然后檢查晶片并評價設(shè)備中的晶片轉(zhuǎn)移性(transferability)、研磨后晶片破裂、研磨后晶片翹曲、研磨后晶片TTV和壓敏粘合片剝離性。實(shí)旋例2以與實(shí)施例1相同的方式生產(chǎn)壓敏粘合片，然而，對于其，將80μπι涂布重復(fù)兩次以致壓敏粘合劑層具有160μm的干燥厚度。同樣以與實(shí)施例1相同的方式，將壓敏粘合片粘貼至晶片并評價。實(shí)施例3以與實(shí)施例1相同的方式生產(chǎn)壓敏粘合片，然而，對于其，將80μπι涂布重復(fù)三次以致壓敏粘合劑層具有240μm的干燥厚度。同樣以與實(shí)施例1相同的方式，將壓敏粘合片粘貼至晶片并評價。比較例1將在實(shí)施例1中制備的壓敏粘合劑組合物施涂至硅酮處理的基材隔離體(PET隔離體，具有50μm的厚度和士1μm的厚度精度)上。具體地，將80μm涂布重復(fù)三次以致因此形成的壓敏粘合劑層具有240μm的干燥厚度。將硅酮處理的壓敏粘合面保護(hù)隔離體(PET隔離體，具有50μm的厚度和士1μm的厚度精度)粘貼至壓敏粘合劑層的涂布面，以構(gòu)制壓敏粘合片。以與實(shí)施例1相同的方式，將壓敏粘合片粘貼至晶片并評價。比較例2將在實(shí)施例1中制備的壓敏粘合劑組合物施涂于基材(EVA膜，具有115μm的厚度、士3μm的厚度精度和20MPa的初始彈性模量)上，以致其上因此形成的壓敏粘合劑層在干燥后具有30μm的厚度。在將其涂布面保持暴露在外的情況下，將其用UV照射(UV照射條件300mJ/cm2)。將硅酮處理的壓敏粘合面保護(hù)隔離體(PET隔離體，具有50μm的厚度和士Iym的厚度精度)粘貼至壓敏粘合劑層的涂布面，以構(gòu)制壓敏粘合片。使用晶片粘貼設(shè)備，DR-3000II(由NittoSeikiCo.,Ltd.制造)，將壓敏粘合面保護(hù)隔離體剝離，并將壓敏粘合片粘貼至Si晶片的表面，然后將壓敏粘合片與基材隔離體一起用加壓于其上的切割刀切斷。研磨用壓敏粘合片固定的Si晶片背面以致Si晶片的厚度變?yōu)?0μπι，然后檢查晶片并評價設(shè)備中的晶片轉(zhuǎn)移性、研磨后晶片破裂、研磨后晶片翹曲、研磨后晶片TTV和壓敏粘合片剝離性。比較例3以與比較例2相同的方式生產(chǎn)壓敏粘合片，然而，對于其，將聚乙烯膜(具有150μm的厚度、士2μπι的厚度精度和130MPa的初始彈性模量)用作基材。以與比較例2相同的方式，將壓敏粘合片粘貼至晶片并評價。比較例4以與比較例2相同的方式生產(chǎn)壓敏粘合片，然而，對于其，將PET膜(具有50μm的厚度、士1μm的厚度精度和3GPa的初始彈性模量)用作基材，壓敏粘合劑層干燥后的厚度為22μm。同樣以與比較例2相同的方式，將壓敏粘合片粘貼至晶片并評價。將在實(shí)施例和比較例中生產(chǎn)的各壓敏粘合片粘貼至8英寸Si晶片并以下述方式檢查和評價設(shè)備中的晶片轉(zhuǎn)移性、研磨后晶片破裂、研磨后晶片翹曲、研磨后晶片TTV和壓敏粘合片剝離性。設(shè)備中的晶片轉(zhuǎn)移性在Disco背面研磨機(jī)(Disco'sbackgrinder)“DFG-8560"中，將Si晶片加工并檢查對于粘貼至晶片的壓敏粘合片背面是否能夠在設(shè)備中轉(zhuǎn)移而不粘貼至機(jī)械手。研磨后晶片破裂在Disco背面研磨機(jī)〃Dre-8560〃中，將Si晶片研磨直至Si晶片的厚度變?yōu)?0μm，并檢查晶片是否能夠研磨而沒有破裂。研磨后晶片翹曲在研磨后，Si晶片的翹曲如下測定。在研磨后1分鐘時，將具有保持粘貼壓敏粘合片的Si晶片放置在平坦的地方，并測量在其邊緣的隆起高度(mm)。研磨后晶片TTV使用HAMAMATSUMAPPINGSTAGEC8126(由HamamatsuPhotonics制造)，分析具有保持壓敏粘合片粘貼的研磨Si晶片以測定總厚度變化TTV(μm)，Si晶片的面內(nèi)厚度的上限和下限之間的差。壓敏粘合片剝離性使用HR-8500II(由NittoSeikiCo.，Ltd.制造)，檢查樣品關(guān)于壓敏粘合片是否能夠從背面研磨的Si晶片剝離。根據(jù)下述方法確定壓敏粘合片的性能。用于確定壓敏粘合力的方法在23°C下將20mm寬的壓敏粘合片粘貼至Si晶片，然后在180°的角度下和在300mm/min的速度下剝離。讀取在剝離時采用的壓敏粘合力。背面壓敏粘合力其為與粘貼至Si晶片正面的壓敏粘合片表面相反的壓敏粘合片表面的壓敏粘合力。UV前壓敏粘合力其為粘貼至Si晶片正面的壓敏粘合片表面的壓敏粘合力。UV后壓敏粘合力將壓敏粘合片粘貼至Si晶片的正面，然后用UV照射(UV照射條件300mJ/cm2)。UV照射后的壓敏粘合力為UV后壓敏粘合力。背面球粘性試驗(yàn)(BackSurfaceBallTackTest)根據(jù)JISZ0237，將壓敏粘合片在20°傾角時用6號球試驗(yàn)。初始彈性模量在該說明書中，初始彈性模量如下將具有IOmm寬度的帶狀壓敏粘合片在23°C下在彼此間隔50mm的夾具之間，以300mm/min的速度拉伸，根據(jù)試驗(yàn)樣品的S-S曲線，確定該初始彈性模量。厚度精度對于隔離體和基材的厚度精度，使用1/1000直讀式厚度計沿橫向以IOmm的間隔測量各樣品的厚度。將實(shí)施例1-3和比較例1-4的結(jié)果示于表1和表2。<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>如表l和表2所示，在使用無基材壓敏粘合片的實(shí)施例l至3中，球在背面球粘性試驗(yàn)中不停止，背面壓敏粘合力低，因此，晶片的設(shè)備內(nèi)轉(zhuǎn)移性良好。此外，在這些實(shí)施例中，由于壓敏粘合片的初始彈性模量低，研磨后的晶片翹曲極其小，晶片在研磨后不破裂，研磨后的晶片TTV極其小。另一方面，在比較例1中，由于壓敏粘合片的背面未進(jìn)行用于壓敏粘合性除去的處理，因此壓敏粘合片的背面粘貼至設(shè)備中的機(jī)械手上，不能研磨晶片的背面。在比較例2和3中，由于將具有高的初始彈性模量的EVA膜或PO膜用作基材，所以在研磨后的晶片翹曲和研磨后晶片TTV均極其大。在比較例4中，由于基材PET為剛性膜，所以在研磨晶片背面時的壓力不能分散，晶片在其研磨后破裂。雖然已詳細(xì)地并參考其具體實(shí)施方案描述了本發(fā)明，但對于本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的是，其中可進(jìn)行各種變化和改進(jìn)而不背離其范圍。本申請基于2009年3月11日提交的日本專利申請2009-057644，將其全部內(nèi)容引入此處以作參考。權(quán)利要求一種半導(dǎo)體晶片保護(hù)用無基材壓敏粘合片，其在研磨半導(dǎo)體晶片背面時粘貼至所述半導(dǎo)體晶片的正面，所述壓敏粘合片由壓敏粘合劑層組成，其中所述壓敏粘合劑層由UV固化型壓敏粘合劑形成，所述UV固化型壓敏粘合劑包含主要由丙烯酸類單體可聚合化合物形成的聚合物，其中所述粘貼至半導(dǎo)體晶片正面的壓敏粘合劑層表面的壓敏粘合力大于其相反面的壓敏粘合力，和所述壓敏粘合劑層具有0.01MPa至500MPa的初始彈性模量。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無基材壓敏粘合片，其中與粘貼至所述半導(dǎo)體晶片正面的壓敏粘合劑層表面相反的壓敏粘合劑層表面是這樣的根據(jù)滾球粘性試驗(yàn)，在傾角為20°時，6號以上的球在其上不停止。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無基材壓敏粘合片，其中所述壓敏粘合劑層具有5ym至lOOOiim的厚度。4.一種用于研磨半導(dǎo)體晶片背面的方法，該方法包括將根據(jù)權(quán)利要求1所述的無基材壓敏粘合片粘貼至所述半導(dǎo)體晶片的正面，同時將隔離體保持層壓在與粘貼至所述半導(dǎo)體晶片正面的壓敏粘合片表面相反的壓敏粘合片表面上；將所述壓敏粘合片與所述隔離體一起切斷；單獨(dú)剝離所述隔離體；然后研磨所述半導(dǎo)體晶片的背面。5.一種用于生產(chǎn)根據(jù)權(quán)利要求1所述的無基材壓敏粘合片的方法，所述方法包括將壓敏粘合劑施涂至隔離體上，從而形成壓敏粘合劑層，所述壓敏粘合劑包含UV-反應(yīng)性單體(或低聚物)或在側(cè)鏈中具有碳_碳雙鍵的聚合物和光聚合引發(fā)劑；在將所述壓敏粘合劑層的涂布面保持暴露的同時，用放射線照射所述壓敏粘合劑層，從而使面向所述隔離體的壓敏粘合劑層表面的壓敏粘合力低于其相反面的壓敏粘合力。全文摘要本發(fā)明涉及半導(dǎo)體晶片保護(hù)用無基材壓敏粘合片、使用壓敏粘合片研磨半導(dǎo)體晶片背面的方法和生產(chǎn)壓敏粘合片的方法。本發(fā)明提供半導(dǎo)體晶片保護(hù)用無基材壓敏粘合片，其在研磨半導(dǎo)體晶片背面時粘貼至該半導(dǎo)體晶片正面，該壓敏粘合片由壓敏粘合劑層組成，其中該壓敏粘合劑層由UV固化型壓敏粘合劑形成，該UV固化型壓敏粘合劑包含主要由丙烯酸類單體可聚合化合物形成的聚合物，所述粘貼至半導(dǎo)體晶片正面的壓敏粘合劑層表面的壓敏粘合力大于其相反面的壓敏粘合力，和該壓敏粘合劑層具有0.01MPa至500MPa的初始彈性模量。文檔編號C09J7/02GK101831253SQ20101013339公開日2010年9月15日申請日期2010年3月10日優(yōu)先權(quán)日2009年3月11日發(fā)明者土生剛志,新谷壽朗,淺井文輝,西尾昭德,高橋智一申請人:日東電工株式會社