技術(shù)編號：3739634
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體晶片保護(hù)用無基材壓敏粘合片、使用該壓敏粘合片研磨半導(dǎo)體晶片背面的方法和生產(chǎn)該壓敏粘合片的方法，在使用該半導(dǎo)體晶片保護(hù)用無基材壓敏粘合 片的情況下，即使在將半導(dǎo)體晶片研磨至超薄水平后或者在研磨大直徑晶片后，也幾乎不 產(chǎn)生半導(dǎo)體晶片的翹曲。背景技術(shù)近年來，隨著各種電子器件朝向小型化的趨勢以及隨著IC卡的普及，期望電子部 件例如半導(dǎo)體晶片以及其它部件更進(jìn)一步薄型化。因此，需要使至今仍具有約350 μ m厚度 的半導(dǎo)體晶片更加薄型化，從而具有至多約...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。