高介電常數(shù)低介電損耗的聚偏氟乙烯基復(fù)合薄膜的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種高介電常數(shù)低介電損耗的聚偏氟乙烯基復(fù)合薄膜。近年來(lái)，高介電常數(shù)和低介電損耗的介電功能材料由于其在電子行業(yè)和能源儲(chǔ)存方面的廣泛應(yīng)用而得到了巨大的關(guān)注。一種高介電常數(shù)低介電損耗的聚偏氟乙烯基復(fù)合薄膜，其組成包括：純聚偏氟乙烯層（1）、摻雜氧化鋅的聚偏氟乙烯層（2），其特征是：所述的純聚偏氟乙烯層和所述的摻雜氧化鋅的聚偏氟乙烯層垂直于鋪膜方向間隔鋪層布置。本實(shí)用新型應(yīng)用于高介電常數(shù)低介電損耗的聚偏氟乙烯基復(fù)合薄膜。
【專利說(shuō)明】
高介電常數(shù)低介電損耗的聚偏氟乙烯基復(fù)合薄膜
[0001 ] 技術(shù)領(lǐng)域:
[0002]本實(shí)用新型涉及一種高介電常數(shù)低介電損耗的聚偏氟乙烯基復(fù)合薄膜。
[0003]【背景技術(shù)】:
[0004]技術(shù)
[0005]近年來(lái)，高介電常數(shù)和低介電損耗的介電功能材料由于其在電子行業(yè)和能源儲(chǔ)存方面的廣泛應(yīng)用而得到了巨大的關(guān)注。盡管傳統(tǒng)的鐵電陶瓷有著超高的介電常數(shù)，但是其高加工溫度，低擊穿電壓，高脆性和剛性限制了在電子行業(yè)的應(yīng)用。因此，現(xiàn)在的材料很難滿足靈活多變的需求。
[0006]聚偏氟乙烯(PVDF)由于其非凡的熱性能和壓電性能，在制動(dòng)器和傳感器方面的廣泛應(yīng)用，已經(jīng)成為一種重要的介電功能材料。但是，聚偏氟乙烯是一種熱塑性聚合物，有限的介電常數(shù)滿足不了現(xiàn)代嵌入式電容器和半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件對(duì)材料高介電性能的要求，氧化鋅作為高儲(chǔ)能的半導(dǎo)體材料，廣泛應(yīng)于介電功能材料的改性方面?？梢栽诒３州^低的介電損耗的條件下，有效地提升材料的介電常數(shù)。
[0007]
【發(fā)明內(nèi)容】
:
[0008]本實(shí)用新型的目的是提供一種高介電常數(shù)低介電損耗的聚偏氟乙烯基復(fù)合薄膜。
[0009]上述的目的通過(guò)以下的技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
[0010]—種高介電常數(shù)低介電損耗的聚偏氟乙烯基復(fù)合薄膜，其組成包括:純聚偏氟乙烯層、摻雜氧化鋅的聚偏氟乙烯層，其特征是:所述的純聚偏氟乙烯層和所述的摻雜氧化鋅的聚偏氟乙烯層垂直于鋪膜方向間隔鋪層布置。
[0011]所述的高介電常數(shù)低介電損耗的聚偏氟乙烯基復(fù)合薄膜，所述的摻雜氧化鋅的聚偏氟乙烯層中氧化鋅的形貌為棒狀和蓮花狀。
[0012]所述的高介電常數(shù)低介電損耗的聚偏氟乙烯基復(fù)合薄膜，所述的摻雜氧化鋅的聚偏氟乙烯層中摻雜的棒狀氧化鋅的長(zhǎng)度為10-20μπι，直徑為700nm，所述的摻雜氧化鋅的聚偏氟乙烯層中摻雜的蓮花狀氧化鋅的直徑為I Oym。
[0013]本實(shí)用新型的有益效果:
[0014]1.本實(shí)用新型高介電常數(shù)低介電損耗的聚偏氟乙烯基復(fù)合薄膜，用于制作現(xiàn)代嵌入式電容器和半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件等的原材料，可以有效的提高電容器的儲(chǔ)電能力和半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ)功能，并且可以保持較低的介電損耗。
[0015]本實(shí)用新型高介電常數(shù)低介電損耗的聚偏氟乙烯基復(fù)合薄膜，用摻雜鐵粒子的氧化鋅改性聚偏氟乙烯，在保持聚偏氟乙烯本身較低的介電損耗的同時(shí)，極大地提高了復(fù)合材料的介電常數(shù)。
[0016]本實(shí)用新型高介電常數(shù)低介電損耗的聚偏氟乙烯基復(fù)合薄膜，摻雜的氧化鋅粉體粒徑小，為納米級(jí)，且氧化鋅在聚偏氟乙烯基體中分散良好，保持了聚偏氟乙烯的力學(xué)性能。保證了材料在其應(yīng)用領(lǐng)域?qū)αW(xué)性能的需求。
[0017]本實(shí)用新型高介電常數(shù)低介電損耗的聚偏氟乙烯基復(fù)合薄膜，制備工藝簡(jiǎn)單，無(wú)污染，耗能低，成本低，安全系數(shù)高，適合工業(yè)化生產(chǎn)。
[0018]【附圖說(shuō)明】:
[0019]附圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0020]【具體實(shí)施方式】:
[0021]實(shí)施例1:
[0022]一種高介電常數(shù)低介電損耗的聚偏氟乙烯基復(fù)合薄膜，其組成包括:純聚偏氟乙烯層1、摻雜氧化鋅的聚偏氟乙烯層2，其特征是:所述的純聚偏氟乙烯層和所述的摻雜氧化鋅的聚偏氟乙烯層垂直于鋪膜方向間隔鋪層布置。
[0023]實(shí)施例2:
[0024]根據(jù)實(shí)施例1所述的高介電常數(shù)低介電損耗的聚偏氟乙烯基復(fù)合薄膜，所述的摻雜氧化鋅的聚偏氟乙烯層中氧化鋅的形貌為棒狀和蓮花狀。
[0025]實(shí)施例3:
[0026]根據(jù)實(shí)施例1或2所述的高介電常數(shù)低介電損耗的聚偏氟乙烯基復(fù)合薄膜，所述的摻雜氧化鋅的聚偏氟乙烯層中摻雜的棒狀氧化鋅的長(zhǎng)度為10-20μπι，直徑為700nm，所述的摻雜氧化鋅的聚偏氟乙烯層中摻雜的蓮花狀氧化鋅的直徑為I Oym。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種高介電常數(shù)低介電損耗的聚偏氟乙烯基復(fù)合薄膜，其組成包括:純聚偏氟乙烯層、摻雜氧化鋅的聚偏氟乙烯層，其特征是:所述的純聚偏氟乙烯層和所述的摻雜氧化鋅的聚偏氟乙烯層垂直于鋪膜方向間隔鋪層布置。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高介電常數(shù)低介電損耗的聚偏氟乙烯基復(fù)合薄膜，其特征是:所述的摻雜氧化鋅的聚偏氟乙烯層中氧化鋅的形貌為棒狀和蓮花狀。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高介電常數(shù)低介電損耗的聚偏氟乙烯基復(fù)合薄膜，其特征是:所述的摻雜氧化鋅的聚偏氟乙烯層中摻雜的棒狀氧化鋅的長(zhǎng)度為10-20μπι，直徑為700nm，所述的摻雜氧化鋅的聚偏氟乙烯層中摻雜的蓮花狀氧化鋅的直徑為I Oym。
【文檔編號(hào)】C08J5/18GK205528553SQ201620048776
【公開日】2016年8月31日
【申請(qǐng)日】2016年1月19日
【發(fā)明人】翁凌, 鞠培海, 劉立柱, 張笑瑞
【申請(qǐng)人】哈爾濱理工大學(xué)