專利名稱：一種寬介電常數(shù)聚四氟乙烯玻璃布覆銅箔板及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種寬介電常數(shù)聚四氟乙烯玻璃布覆銅箔板及其制備方法。
背景技術(shù)：
目前聚四氟乙烯玻璃布覆銅箔板的介質(zhì)層帶有聚四氟乙烯樹脂的無(wú)堿玻璃布，其 介電常數(shù)為2. 55、2. 7，介電常數(shù)范圍小，大大降低了板材的使用性能和應(yīng)用范圍，而且寬介 電常數(shù)聚四氟乙烯玻璃布覆銅箔板在加工時(shí)，添加陶瓷粉擴(kuò)寬介電常數(shù)，但成本較高，加工 難度大。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種寬介電常數(shù)聚四氟乙烯玻璃布覆銅箔板及其制備方法，它制得 的銅箔板可以調(diào)節(jié)產(chǎn)品的介電常數(shù)，使介電常數(shù)達(dá)到2. 2-4. 0之間。本發(fā)明采用了以下技術(shù)方案一種寬介電常數(shù)聚四氟乙烯玻璃布覆銅箔板，它包 括介質(zhì)層，介質(zhì)層為聚四氟乙烯薄膜層，在聚四氟乙烯薄膜層表面覆蓋有銅箔層。本發(fā)明還公開了一種寬介電常數(shù)聚四氟乙烯玻璃布覆銅箔板的制備方法，它包括 以下步驟步驟一，制作聚四氟乙烯薄膜層將無(wú)堿玻璃布浸漬在聚四氟乙烯樹脂中制成 聚四氟乙烯薄膜層；步驟二，在聚四氟乙烯薄膜層上涂有銅箔層，這樣就制得寬介電常數(shù)聚 四氟乙烯玻璃布覆銅箔板。所述的無(wú)堿玻璃布與聚四氟乙烯樹脂的比例關(guān)系1 9,2 8,3 7,4 6， 5 5 或 6 4。本發(fā)明采用具有以下有益效果本發(fā)明可以通過(guò)聚四氟乙烯介質(zhì)層的無(wú)堿玻璃布 與聚四氟乙烯的浸入程度以及無(wú)堿玻璃布與聚四氟乙烯質(zhì)量比例關(guān)系來(lái)調(diào)節(jié)產(chǎn)品的介電 常數(shù)，使介電常數(shù)達(dá)到2. 2-4. 0之間，而且制作成本比較低，加工簡(jiǎn)單。


圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖
具體實(shí)施例方式在圖1中，本發(fā)明為一種寬介電常數(shù)聚四氟乙烯玻璃布覆銅箔板，它包括介質(zhì)層， 介質(zhì)層為聚四氟乙烯薄膜層1，在聚四氟乙烯薄膜層1表面覆蓋有銅箔層2。本發(fā)明還公開了一種寬介電常數(shù)聚四氟乙烯玻璃布覆銅箔板的制備方法，它包括 以下步驟步驟一，制作聚四氟乙烯薄膜層1 將無(wú)堿玻璃布浸漬在聚四氟乙烯樹脂中制 成聚四氟乙烯薄膜層1，無(wú)堿玻璃布與聚四氟乙烯樹脂的比例關(guān)系1 9,2 8,3 7， 4 6,5 5或6 4;步驟二，在聚四氟乙烯薄膜層1上涂有銅箔層，這樣就制得寬介電常 數(shù)聚四氟乙烯玻璃布覆銅箔板。
權(quán)利要求
一種寬介電常數(shù)聚四氟乙烯玻璃布覆銅箔板，其特征是它包括介質(zhì)層，介質(zhì)層為聚四氟乙烯薄膜層(1)，在聚四氟乙烯薄膜層(1)表面覆蓋有銅箔層(2)。
2.一種寬介電常數(shù)聚四氟乙烯玻璃布覆銅箔板的制備方法，它包括以下步驟步驟一，制作聚四氟乙烯薄膜層(1)將無(wú)堿玻璃布浸漬在聚四氟乙烯樹脂中制成聚 四氟乙烯薄膜層(1)；步驟二，在聚四氟乙烯薄膜層(1)上涂有銅箔層，這樣就制得寬介電常數(shù)聚四氟乙烯 玻璃布覆銅箔板。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的寬介電常數(shù)聚四氟乙烯玻璃布覆銅箔板的制備方法，其特征 是所述的無(wú)堿玻璃布與聚四氟乙烯樹脂的比例關(guān)系1 9,2 8,3 7,4 6,5 5或 6 4。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種寬介電常數(shù)聚四氟乙烯玻璃布覆銅箔板，它包括介質(zhì)層，介質(zhì)層為聚四氟乙烯薄膜層(1)，在聚四氟乙烯薄膜層(1)表面覆蓋有銅箔層(2)。本發(fā)明還公開了寬介電常數(shù)聚四氟乙烯玻璃布覆銅箔板的制備方法，一，制作聚四氟乙烯薄膜層(1)將無(wú)堿玻璃布浸漬在聚四氟乙烯樹脂中制成聚四氟乙烯薄膜層(1)；二，在聚四氟乙烯薄膜層(1)上涂有銅箔層，這樣就制得寬介電常數(shù)聚四氟乙烯玻璃布覆銅箔板。本發(fā)明可以通過(guò)聚四氟乙烯介質(zhì)層的無(wú)堿玻璃布與聚四氟乙烯的浸入程度以及無(wú)堿玻璃布與聚四氟乙烯質(zhì)量比例關(guān)系來(lái)調(diào)節(jié)產(chǎn)品的介電常數(shù)，使介電常數(shù)達(dá)到2.2-4.0之間，制作成本比較低，加工簡(jiǎn)單。
文檔編號(hào)B32B15/08GK101934610SQ201010231710
公開日2011年1月5日 申請(qǐng)日期2010年7月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月21日
發(fā)明者顧根山 申請(qǐng)人:顧根山