一系列熒光oled材料的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ]本發(fā)明屬于有機(jī)電致發(fā)光顯不技術(shù)領(lǐng)域，涉及一系列焚光0LED材料。
【背景技術(shù)】
[0002] 有機(jī)電致發(fā)光（簡(jiǎn)稱(chēng)0LED)及相關(guān)的研究早在1963年pope等人首先發(fā)現(xiàn)了有機(jī)化 合物單晶蒽的電致發(fā)光現(xiàn)象。1987年美國(guó)的柯達(dá)公司用蒸鍍有機(jī)小分子的方法制成了一種 非晶膜型器件，將驅(qū)動(dòng)電壓降到了20V以?xún)?nèi)。這類(lèi)器件由于具有超輕薄、全固化、自發(fā)光、亮 度高、視角寬、響應(yīng)速度快、驅(qū)動(dòng)電壓低、功耗小、色彩鮮艷、對(duì)比度高、工藝過(guò)程簡(jiǎn)單、溫度 特性好、可實(shí)現(xiàn)柔軟顯示等優(yōu)點(diǎn)，可廣泛應(yīng)用于平板顯示器和面光源，因此得到了廣泛地研 究、開(kāi)發(fā)和使用。
[0003] 經(jīng)過(guò)二十幾年的發(fā)展，有機(jī)EL材料已經(jīng)全面實(shí)現(xiàn)了紅、藍(lán)、綠色發(fā)光，應(yīng)用領(lǐng)域也 從小分子擴(kuò)展到了高分子以及金屬絡(luò)合物等領(lǐng)域。最近幾年有機(jī)電發(fā)光顯示技術(shù)己趨于成 熟，一些產(chǎn)品已進(jìn)入市場(chǎng)，但在產(chǎn)業(yè)化時(shí)程中，仍有許多問(wèn)題亟待解決，特別是用于制作器 件的各種有機(jī)材料，其載流子注入、傳輸性能，材料電發(fā)光性能、使用壽命、色純度、各種材 料之間及與各電極之間的匹配等，尚有許多問(wèn)題還未解決。尤其是發(fā)光器件在發(fā)光效率和 使用壽命還達(dá)不到實(shí)用化要求，這大限制了 0LED技術(shù)的發(fā)展。而利用三線態(tài)發(fā)光的金屬配 合物磷光材料具有高的發(fā)光效率，其綠光和紅光材料已經(jīng)達(dá)到使用要求，但是金屬配合物 特殊的電子結(jié)構(gòu)特征，導(dǎo)致其藍(lán)光材料無(wú)法達(dá)到使用要求。
[0004] 介于熒光和磷光之間的熱激活延遲熒光材料的出現(xiàn)，大大提高了熒光材料的發(fā)光 效率，幾乎達(dá)到磷光材料的發(fā)光效率，彌補(bǔ)了磷光藍(lán)光材料的不足，同時(shí)避免了使用貴重的 稀有金屬，大大降低了材料成本。但是已經(jīng)報(bào)道的熱激活延遲熒光材料由于在固體狀態(tài)下 存在聚集熒光淬滅效應(yīng)，只能采用摻雜的方式制備0LED器件。因此，開(kāi)發(fā)出具有在固態(tài)下聚 集誘導(dǎo)發(fā)光的熱致激活延遲熒光材料是解決上述問(wèn)題的一個(gè)途徑。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明的目的是提供一系列熒光0LED材料。
[0006] 本發(fā)明提供的熒光0LED材料，其結(jié)構(gòu)通式如式I所示，
[0008] 式 I
[0009] 所述式I中：
[0010] RdPR2獨(dú)立地選自氫原子、取代的或未取代的c6-c6Q芳基、取代的或未取代的c 6-c60 芳氧基、取代的或未取代的C2-C60雜環(huán)芳基中的任意一種；
[0011 ] Ar i、Ar2、Ar3獨(dú)立地選自取代的或未取代的C6-C6Q芳基、取代的或未取代的c 6-c60芳 氧基、取代的或未取代的C6-C6Q芳硫基、取代的或未取代的C6-C 6Q芳膦基、取代的或未取代的 C6-C6Q芳硅基、取代的或未取代的C6-C6Q芳硼基、取代的或未取代的C 2-C6Q雜環(huán)芳基中的任意 一種：
[0013] 所述取代的C6-C6Q芳基、取代的C6-C6Q芳氧基、取代的&-〇50雜環(huán)芳基、取代的C6-C60 芳硫基、取代的C6-C6Q芳膦基、取代的C6-C6Q芳硅基、取代的C 6-C6Q芳硼基和取代的&-〇50雜環(huán) 芳基中，取代基選自甲基、乙基、叔丁基、甲氧基、氰基、苯氧基、鹵原子和含有2~8個(gè)碳原子 的脂肪烴基中的任意一種；
[0014] Ar4選自如下基團(tuán)中的任意一種：
[0016] 上述式I中，所述C6-C6Q芳基選自苯基、萘基、聯(lián)苯基、蒽基、聯(lián)蒽基、對(duì)叔丁基苯基、 2,4_二氟苯基、4-(N，N-二甲基胺基)苯基、4-(N，N-二苯基胺基)苯基、3-(N，N-二苯基胺基） 苯基、芘基、并四苯基、菲基、苯并菲基、苯并蒽基、苯并芘基和芴基中的任意一種；
[0017] 所述C6-C6Q芳氧基選自4-苯氧基苯基、二苯并[b，d]呋喃-2-基、二苯并[b，d]呋喃-4-基、苯并呋喃-2-基、苯并呋喃-5-基和苯并呋喃-7-基中的任意一種；
[0018] 所述C6-C6Q芳硫基選自二苯并[b，d]噻吩-2-基、二苯并[b，d]噻吩-4-基、4-苯亞砜 基苯基、4-苯砜基苯基、苯并噻吩-2-基、苯并噻吩-5-基和苯并噻吩-7-基中的任意一種；
[0019] 所述C6-C6Q芳膦基選自4_(二苯基氧膦基)苯基、3_(二苯基氧膦基)苯基和二苯并 [b]氧膦-5-(4-苯基)-4_基中的任意一種；
[0020] 所述C6-C6Q芳硅基選自4-(三苯基硅基）苯基、4-(二苯基甲基硅基）苯基、3-(三苯 基硅基)苯基和3-(二苯基甲基硅基)苯基中的任意一種；
[0021 ] 所述C6-C6Q芳硼基選自4_(二(2，4，6-三甲基)苯基)-硼烷苯基、二苯并[b，d]硼烷-5-苯基-4-基和三苯基硼基中的任意一種；
[0022] 所述C2-C6Q的雜環(huán)芳基選自如下式II-1至式11-15所示基團(tuán)中的任意一種：
[0024] _表示取代位；
[0025]所述式II-1~11-15中，Z^ZdPZs均獨(dú)立的選自氫、氘氫、鹵原子、羥基、腈基、硝 基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧基或其羧酸鹽、磺酸基或其磺酸鹽、磷酸基或其磷酸鹽、&-〇? 烷基、C2-C6Q烯基、C2-C6Q炔基、Cl_C6Q烷氧基、C3-C6Q環(huán)烷烴基、C3-C6Q環(huán)稀經(jīng)基、C6-C6Q芳基、至 少含有一個(gè)-F、-CNSQ-Ck)烷基的C 6-C6Q芳基、取代的或未取代的C6-C6Q芳氧基、取代的或未 取代的C 6-C6Q芳硫醚基、取代的或未取代的C2-C6Q雜環(huán)芳基中的任意一種；
[0026] X1*l~4的整數(shù)；
[0027] X2為1~3的整數(shù)；
[0028] X3為1~2的整數(shù)；
[0029] X4為1~6的整數(shù)；
[0030] χ5為1~5的整數(shù)；
[0031 ] !\為氧或硫原子；
[0032] 所述取代的C6-C6Q芳氧基、取代的C6-C 6Q芳硫醚基和取代的C2-C6Q雜環(huán)芳基中，取代 基選自甲基、乙基、叔丁基、甲氧基、氰基、苯氧基、鹵原子和含有2~8個(gè)碳原子的脂肪烴基 中的任意一種。
[0033] 具體的，所述式I所示化合物為如下1~105化合物中的任意一種：
[0034]




[0039] 另外，含有上述本發(fā)明提供的式I所示化合物的有機(jī)發(fā)光二極管材料及該式I所示 化合物在制備有機(jī)發(fā)光二極管材料中的應(yīng)用以及該式I所示化合物作為發(fā)光層材料在制備 有機(jī)電致發(fā)光器件中的應(yīng)用和以式I所示化合物作為發(fā)光層的有機(jī)電致發(fā)光器件，也屬于 本發(fā)明的保護(hù)范圍。所述有機(jī)電致發(fā)光器件的熒光發(fā)射波長(zhǎng)具體可為430-450nm，具體可為 438、442或446nm。
[0040] 具體的，所述有機(jī)電致發(fā)光器件由下至上依次由透明基片、陽(yáng)極、空穴注入層、空 穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、電子傳輸層和陰極層組成。
[0041] 其中，構(gòu)成所述透明基片的材料為玻璃或柔性基片；
[0042]構(gòu)成所述陽(yáng)極層的材料為無(wú)機(jī)材料或有機(jī)導(dǎo)電聚合物;其中，所述無(wú)機(jī)材料為氧 化銦錫、氧化鋅、氧化錫鋅、金、銀或銅;所述有機(jī)導(dǎo)電聚合物選自聚噻吩、聚乙烯基苯磺酸 鈉和聚苯胺中的至少一種；
[0043] 構(gòu)成所述空穴注入層的材料為T(mén)DATA、m-MTDATA或2-TNATA:
[0044] 所述TDATA的結(jié)構(gòu)式如下：
[0046] 所述m-MTDATA的結(jié)構(gòu)式如下：
[0048] 所述2-TNATA的結(jié)構(gòu)式如下：
[0050]構(gòu)成所述空穴傳輸層的材料為NPB或TPD:
[0051 ] 所述NPB的結(jié)構(gòu)式如下：
[0053] 所述TH)的結(jié)構(gòu)式如下：
[0055]構(gòu)成所述有機(jī)發(fā)光層的材料為所述式I所示化合物和主體材料；
[0056]其中，所述主體MWSCBP、PVK、DPEP0、TBADN、E3、ADN、dmCBP、mCP、TCzP、Slic-H117、BCPB、SI i C-H065、SI imCP、mCBP 所示化合

[0058]所述式I-所示化合物的質(zhì)量與所述主體材料的質(zhì)量比為1-10:90;
[0059]構(gòu)成所述電子傳輸層的材料為L(zhǎng)iq、Alq3、Gaq3或BAlq所示化合物；
[0060]其中，Liq所示化合物的結(jié)構(gòu)式如下：
[0062]構(gòu)成所述陰極層的材料選自下述元素中的任意一種或任意兩種組成的合金或下 述元素的氟化物:鋰、鎂、銀、鈣、鍶、鋁、銦、銅、金和銀。
[0063]上述器件中，所述空穴注入層的厚度為30-50nm;具體為40nm;
[0064]所述空穴傳輸層的厚度為5-15nm;具體為10nm;
[0065]所述有機(jī)發(fā)光層的厚度為ΙΟ-lOOnm;具體為40nm;
[0066]所述電子傳輸層的厚度為10-30nm;具體為50nm;
[0067]所述陰極層的厚度為90-110nm，具體為100nm〇
[0068] 本發(fā)明提供的式I所示有機(jī)電致發(fā)光材料，具有延遲熒光性能，克服了熱激活延遲 熒光材料的聚集熒光淬滅效應(yīng)，具有誘導(dǎo)發(fā)光性質(zhì)，具有較高的玻璃化溫度、高的熱穩(wěn)定性 和優(yōu)良的發(fā)光性能。其合成工藝簡(jiǎn)單，提純的方法簡(jiǎn)單適于大規(guī)模生產(chǎn)等特點(diǎn)，并可通過(guò)連 接不同的基團(tuán)調(diào)節(jié)產(chǎn)物的發(fā)光性能、熱穩(wěn)定性等，是作為有機(jī)電致發(fā)光器件電子傳輸材料 的理想選擇。本發(fā)明使用上述熒光材料的0LED器件，其發(fā)光層的熒光效率高、穩(wěn)定性好，從 而使器件的發(fā)光效率和壽命都能達(dá)到實(shí)用化的要求。
【附圖說(shuō)明】
[0069] 圖1為本發(fā)明式I所示化合物的制備方法流程圖；
[0070] 圖2為本發(fā)明實(shí)施例1所得式I所示化合物17的發(fā)光譜圖。
【具體實(shí)施方式】
[0071]下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的特征和技術(shù)內(nèi)容作進(jìn)一步闡述，但本發(fā)明并不