B)相同的步驟得到化合物(D) (6g, 12. 30_〇1,38. 70% )。
[0111] 制備例5 :制備化合物E和F
[0113] 制備化合物(E-2)
[0114] 根據(jù)與合成化合物(A-I)相同的步驟,但使用化合物(E-I)得到化合物(E-2) (15g, 51. 85mmol, 86. 51% ) 〇
[0115] 制備化合物(E-3)
[0116] 根據(jù)與合成化合物(A-2)相同的步驟,得到化合物(E-3) (6g, 23. 31mmol, 44. 97% ) 〇
[0117] 制備化合物(E)
[0118] 根據(jù)與合成化合物(B)相同的步驟,得到化合物(E) (5g, 10. 25mmol, 43. 99% )。
[0119] 制備化合物(F-I)
[0120] 根據(jù)與合成化合物(A-2)相同的步驟,得到化合物(F-I) (3g, 11. 65mmol, 22. 48% ) 〇
[0121] 制備化合物(F)
[0122] 根據(jù)合成化合物(B)相同的步驟,得到化合物(F) (3g, 6. 15mmol, 52. 81% )。
[0123] 制備例6 :制備化合物(G)和(H)
[0125] 制備化合物(G-I)
[0126] 咔唑(20g, 119. 6mmol),碘苯(20mL,179. 41mmol),銅(11. 4g, 179. 41mmol),K2C03( 49g,358. 8mmol), 18-冠-6(2. 5g, 9. 56mmol)和 1,2-二氯苯(IOOmL)的混合物于 190°C攪拌 12小時(shí)。冷卻到室溫后,反應(yīng)混合物減壓蒸餾。向其中加入蒸餾水,且所得混合物用乙酸乙 酯萃取。萃取物用硫酸鎂干燥,且減壓蒸餾。通過柱純化得到化合物(G-I) (22g,90. 42mmol, 75. 60% )〇
[0127] 制備化合物(G-2)
[0128] 根據(jù)與合成化合物(A-4)相同的步驟,得到化合物(G-2) (25g, 77. 59mmol, 85. 81% )〇
[0129] 制備化合物(G-3)
[0130] 根據(jù)與合成化合物(A-5)相同的步驟,得到化合物(G-3) (Hg, 38. 31mmol, 49. 37% )〇
[0131] 制備化合物(G-4)
[0132] 根據(jù)與合成化合物(A-I)相同的步驟,得到化合物(G-4) (12g, 32. 84mmol, 85. 72% )〇
[0133] 制備化合物(G-5)
[0134] 根據(jù)與合成化合物(A-2)相同的步驟,進(jìn)行反應(yīng)4小時(shí)得到化合物(G-5) (6g, 17. 99mmol, 54. 80% )〇
[0135] 制備化合物(G)
[0136] 根據(jù)與合成化合物(B)相同的步驟,得到化合物(G) (7g,12. 39_〇1,68. 91% )。
[0137] 制備化合物(H-I)
[0138] 根據(jù)與合成化合物(A-2)相同的步驟,進(jìn)行反應(yīng)4小時(shí)得到化合物(H-I) (2g, 5. 99mmol, 18. 26% ) 〇
[0139] 制備化合物(H)
[0140] 根據(jù)與合成化合物(B)相同的步驟,得到化合物(H) (I. 7g, 3.Olmmol, 50. 26% )。
[0141] 根據(jù)制備例(1)-(6)的步驟制備有機(jī)電致發(fā)光化合物(TA,TB和TC)。這些制得的 有機(jī)電致發(fā)光化合物的取代基(ArJPAr2)以及這些化合物的1HNMR和MS/FAB數(shù)據(jù)列在 下表1和2中。
[0142] 表 1
[0143]
[0159][實(shí)施例1-10]使用本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光化合物制造OLED
[0160] 使用本發(fā)明的電致發(fā)光化合物制造OLED設(shè)備。
[0161] 首先,將由玻璃制成的用于OLED的透明電極ITO薄膜(15Q/ □)(購自三星康寧 公司)依次用三氯乙烯、丙酮、乙醇和蒸餾水進(jìn)行超聲波清洗,并在使用之前儲(chǔ)存在異丙醇 中。
[0162] 然后,將ITO基片裝在真空氣相沉積設(shè)備的基片夾(folder)中,將由以下化學(xué)結(jié) 構(gòu)式表示的4, 4',4〃-三(N,N-(2-萘基)-苯基氨基)三苯胺(2-TNATA)置于真空氣相沉 積設(shè)備的小室(cell)中,然后排氣至室內(nèi)真空度最高達(dá)到10 6托。對(duì)小室施加電流,使 2-TNATA蒸發(fā),從而在ITO基片上氣相沉積60納米厚度的空穴注入層。
[0163] 然后,在該真空氣相沉積設(shè)備的另一個(gè)小室中加入N,N'_二(a-萘基)-N,N'_二 苯基-4, 4' -二胺(NPB),對(duì)小室施加電流以蒸發(fā)NPB,從而在空穴注入層上氣相沉積20納 米厚度的空穴輸運(yùn)層。
[0165] 向氣相沉積設(shè)備的一個(gè)小室中加入本發(fā)明的化合物(它已經(jīng)在10 6托下經(jīng) 過真空升華純化)(例如,化合物TA8-H4-H2),且將電致發(fā)光摻雜劑(例如,化合物(Piq)2Ir (acac))加入另一個(gè)小室中。兩種材料以不同的速率蒸發(fā)以4-10摩爾%的濃度進(jìn) 行摻雜,從而在空穴輸運(yùn)層上氣相沉積30納米厚度的電致發(fā)光層。
[0167] 然后,將以下結(jié)構(gòu)式表示的三(8-羥基喹啉)鋁(III) (Alq)氣相沉積為20納米 厚度的電子輸運(yùn)層,將8-羥基喹啉鋰(lithiumquinolate) (Liq)氣相沉積為1-2納米厚 的電子注入層。然后,采用另一個(gè)真空氣相沉積設(shè)備,氣相沉積150納米厚的Al陰極,制造 OLED0
[0168]
[0169][實(shí)施例11-20]使用本發(fā)明的電致發(fā)光化合物制造OLED
[0170] 根據(jù)與實(shí)施例1-10的OLED相同的步驟制造0LED,但使用本發(fā)明的化合物(例如 化合物TA4-H4-H4)作為基質(zhì)材料以及下述化學(xué)式表示的有機(jī)銥絡(luò)合物(Ir(ppy)3)作為電 致發(fā)光摻雜劑。
[0172][比較例1和2]使用常規(guī)電致發(fā)光材料制造OLED
[0173] 根據(jù)與本發(fā)明實(shí)施例1和11相同的步驟制造0LED,但是真空氣相沉積設(shè)備的另一 個(gè)小室中加入二(2-甲基8-喹啉酚根)(對(duì)苯基苯酚根)鋁(III) (BAlq),而不是本發(fā)明 的電致發(fā)光化合物,作為基質(zhì)材料。
[0175] 在1000cd/cm2測(cè)量實(shí)施例1-10和實(shí)施例11-20(它們包括本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā) 光化合物)以及比較例1和2 (它們包括常規(guī)電致發(fā)光化合物)制造的OLED的工作電壓和 功率效率,結(jié)果列在表3和4中。
[0176] 由表3和4可知,本發(fā)明開發(fā)的有機(jī)電致發(fā)光化合物在設(shè)備性能方面相比常規(guī)材 料具有優(yōu)異的性能。
[0177]表 3
[0178]
[0181] 由表3可知,與常規(guī)材料相比,本發(fā)明開發(fā)的化合物在發(fā)光性質(zhì)方面顯示優(yōu)異的 性能。與用常規(guī)材料制造的比較例1的設(shè)備相比,本發(fā)明制造的設(shè)備顯示優(yōu)異的電流性能, 從而將工作電壓降低IV或更多。與比較例1的設(shè)備相比,它們還顯示電流效率性能至少為 前者的1. 4倍,這是因?yàn)榘l(fā)光性能得到明顯提高。
[0182] 由表4可知,當(dāng)本發(fā)明開發(fā)的化合物用作綠色電致發(fā)光的基質(zhì)時(shí),與比較例2的 設(shè)備相比,所述設(shè)備因?yàn)樗鼈兙哂袃?yōu)異的發(fā)光性能而顯示至少為前者的1. 6倍的高得多的 功率效率。與常規(guī)材料相比,優(yōu)異的發(fā)光性能得到確認(rèn)。特別是,與比較例1的設(shè)備相比, 實(shí)施例14的設(shè)備可在降低2. 7V的電壓下工作,實(shí)施例17的設(shè)備顯示工作電壓為5. 5V,在 1000cd/m2的功率效率為15. 91m/。
[0183] 因此,使用本發(fā)明電致發(fā)光化合物作為基質(zhì)材料發(fā)出紅光或綠光的設(shè)備顯示優(yōu)異 發(fā)光性能,同時(shí)降低工作電壓,這樣導(dǎo)致特別是發(fā)綠光的設(shè)備的功率效率增加5. 1-7. 71m/ W,結(jié)果是改善功率消耗。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種有機(jī)電致發(fā)光化合物,所述化合物選自下述化合物: 其中:Ari選自(C6-C60)芳基; A。選自選自(C6-C60)芳基和(C3-C60)雜芳基; A。的芳基進(jìn)一步被選自下述的一個(gè)或多個(gè)取代基取代:(C3-C60)雜芳基和(C6-C60) 芳基取代的(C3-C60)雜芳基, A。的雜芳基可進(jìn)一步被選自下述的一個(gè)或多個(gè)取代基取代:(C6-C60)芳基、(C3-C60) 雜芳基和(C6-C60)芳基取代的(C3-C60)雜芳基。2. -種有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備,所述設(shè)備包括包括權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光化合 物。3. 如權(quán)利要求2所述的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備,其特征在于,所述設(shè)備包括第一電極;第二 電極;W及插入所述第一電極和第二電極之間的一層或多層有機(jī)層,所述有機(jī)層包括一種 或多種權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光化合物W及一種或多種憐光滲雜劑。4. 如權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備,其特征在于,所述有機(jī)層還包括一種或多 種選自芳胺化合物和苯乙締基芳胺化合物的胺化合物。5. 如權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備,其特征在于,所述有機(jī)層還包括一種或多 種選自元素周期表第1族、第2族、第四周期和第五周期過渡金屬、銅系金屬和d-過渡元素 的金屬或者由它們形成的絡(luò)合物。6. 如權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備,其特征在于,所述有機(jī)層包括電致發(fā)光層 和電荷產(chǎn)生層。7. 如權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備,其特征在于,所述設(shè)備是發(fā)白光的有機(jī)電 致設(shè)備,所述有機(jī)層同時(shí)包括一層或多層發(fā)藍(lán)光、紅光或綠光的有機(jī)電致發(fā)光層。
【專利摘要】公開了一種新穎的有機(jī)電致發(fā)光化合物和包括該化合物的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備。所述有機(jī)電致化合物當(dāng)用作OLED設(shè)備的有機(jī)電致發(fā)光材料的基質(zhì)材料時(shí),與常規(guī)基質(zhì)材料相比,顯示高的發(fā)光效率和優(yōu)異的壽命性能。因此,它可用于制造具有非常好的工作壽命的OLED。
【IPC分類】H01L51/54, C09K11/06, C07D487/04
【公開號(hào)】CN105001224
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510340976
【發(fā)明人】金侈植, 趙英俊, 權(quán)赫柱, 金奉玉, 金圣珉, 尹勝洙
【申請(qǐng)人】羅門哈斯電子材料韓國有限公司
【公開日】2015年10月28日
【申請(qǐng)日】2010年3月17日
【公告號(hào)】CN102482571A, CN103524510A, CN103555322A, CN103641830A, CN103641831A, CN103641832A, WO2010107244A2, WO2010107244A3