技術特征：

1.一種含三嗪環(huán)的酚醛樹脂，其特征在于，其具有下述結構式(I)所示的結構部位α和下述結構式(II)所示的結構部位β作為重復結構單元，

式(II)中，R為碳原子數(shù)1～6的烷基。

2.根據(jù)權利要求1所述的含三嗪環(huán)的酚醛樹脂，其中，下述結構式(III)所示的2官能性化合物的含量以由GPC圖的面積比算出的值計為1～12％的范圍，

式(III)中，R為碳原子數(shù)1～6的烷基。

3.根據(jù)權利要求1所述的含三嗪環(huán)的酚醛樹脂，其中，由GPC測定算出的Mw/Mn為1.35～1.85的范圍。

4.根據(jù)權利要求1所述的含三嗪環(huán)的酚醛樹脂，其中，所述結構式(II)中的R為叔丁基。

5.一種含三嗪環(huán)的酚醛樹脂的制造方法，其特征在于，使三聚氰胺、對烷基酚、以及福爾馬林進行反應。

6.一種環(huán)氧樹脂組合物，其含有環(huán)氧樹脂(A)和酚醛樹脂(B)，使用權利要求1～4中任一項所述的含三嗪環(huán)的酚醛樹脂作為所述酚醛樹脂(B)。

7.根據(jù)權利要求6所述的環(huán)氧樹脂組合物，其還含有固化促進劑。

8.一種固化物，其是使權利要求6所述的環(huán)氧樹脂組合物固化而成的。

9.一種預浸料，其是使用權利要求6所述的環(huán)氧樹脂組合物而成的。

10.一種電路基板，其是使用權利要求9所述的預浸料而成的。

11.一種積層薄膜，其是使用權利要求6所述的環(huán)氧樹脂組合物而成的。

12.一種積層基板，其是使用權利要求11所述的積層薄膜而成的。

13.一種半導體密封材料，其含有權利要求6所述的環(huán)氧樹脂組合物和無機填充材。

14.一種半導體裝置，其是使用權利要求13所述的半導體密封材料而成的。

15.一種纖維強化復合材料，其含有權利要求6所述的環(huán)氧樹脂組合物和強化纖維。

16.一種成形品，其為權利要求15所述的纖維強化復合材料的固化物。