本發(fā)明涉及一種銥配合物以及應(yīng)用該銥配合物的有機(jī)電致發(fā)光器件。
背景技術(shù)：
：有機(jī)電致發(fā)光是指有機(jī)材料在電場(chǎng)作用下，將電能轉(zhuǎn)化成光能的一種發(fā)光現(xiàn)象。有機(jī)電致發(fā)光器件則是基于有機(jī)材料，將電能轉(zhuǎn)化為光能的裝置。1997年Forrest等發(fā)現(xiàn)基于磷光材料的有機(jī)電致發(fā)光器件可以有效利用電致激發(fā)產(chǎn)生的三線態(tài)激子，從而使有機(jī)電致發(fā)光材料的研究進(jìn)入新階段。其中，磷光材料使用重金屬銥、鉑等作為中心金屬原子的配合物可以有效地利用單線態(tài)以及三線態(tài)激子，從而在有機(jī)電致發(fā)光器件里面實(shí)現(xiàn)100%的內(nèi)量子效率。紅光作為三基色之一在實(shí)現(xiàn)全彩顯示以及白光照明上具有重要的意義。然而，目前紅光材料在色純度、電致發(fā)光效率、穩(wěn)定性和使用壽命等方面仍有待改善。作為紅光的延展，近紅外光是指波長(zhǎng)從700到1500納米的一段波譜。最近幾年，近紅外材料和技術(shù)引起了科學(xué)界越來(lái)越多的關(guān)注和投入。無(wú)論在軍需方面、民用方面，還是在生物體組織和細(xì)胞方面，以及光纖通信方面，近紅外光均起到非常重要的作用。銥配合物由于具備豐富的光物理特性而成為一類(lèi)優(yōu)秀的磷光染料，廣泛用于有機(jī)發(fā)光器件、傳感器和激光器等。目前，銥配合物在紅光、綠光及藍(lán)光等可見(jiàn)光區(qū)已取得了應(yīng)用。然而，銥配合物在深紅至近紅外區(qū)的研究尚未突破。由能隙規(guī)則可知，隨著能隙變窄，激發(fā)態(tài)非輻射弛豫的速率就會(huì)變大，導(dǎo)致發(fā)光效率下降。如何解決波長(zhǎng)紅移和發(fā)光效率下降之間的矛盾，找到近紅外區(qū)發(fā)光純正且具有相當(dāng)發(fā)光效率的銥配合物是目前近紅外發(fā)光材料研究的難點(diǎn)。大量研究表明，增大配體的π共軛度，可以有效實(shí)現(xiàn)配合物的發(fā)光紅移。但這種策略隨著配體共軛度的進(jìn)一步增大往往會(huì)遇到目標(biāo)配合物合成與純化困難的問(wèn)題。這個(gè)問(wèn)題主要由兩個(gè)原因?qū)е拢阂环矫姒泄曹椩龃笫沟门潴w的配位能力減弱；另一方面π共軛增大的配體可能可配位點(diǎn)也增多，導(dǎo)致副產(chǎn)物增加從而增大合成和提純的難度。所以，如何在較小的π共軛的條件下實(shí)現(xiàn)有效的波長(zhǎng)紅移具有重要意義。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：有鑒于此，確有必要提供一種在較小的π共軛的條件下實(shí)現(xiàn)波長(zhǎng)紅移且具有較高發(fā)光效率的銥配合物，以及應(yīng)用該銥配合物的有機(jī)電致發(fā)光器件。一種銥配合物，該銥配合物的結(jié)構(gòu)通式為L(zhǎng)nIrX3-n或[LnIrX3-n]+Z-，Ir為金屬銥元素，且Ir是所述銥配合物的中心原子，L與X均為所述銥配合物的配體，Z-為一價(jià)陰離子，n=1、2或3，L配體選自具有以下通式的配體：其中，R1~R5分別獨(dú)立地選自氫原子、碳原子數(shù)為1~10的烷基、碳原子數(shù)為1~10的烷氧基、碳原子數(shù)為1~10的烷基氨基、咔唑基、氟原子、氯原子、三氟甲基和碳原子數(shù)為4~18的芳香基中的一種；Ar基團(tuán)選自碳原子數(shù)為4~18的芳基和碳原子數(shù)為4~18的雜環(huán)芳基中的一種；所述X為雙齒配位體。一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括一陽(yáng)極、一空穴傳輸層、一有機(jī)發(fā)光層、一電子傳輸層以及一陰極，所述有機(jī)發(fā)光層包括所述銥配合物。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所提供的銥配合物中使用兩個(gè)芳環(huán)并聯(lián)形成一個(gè)具有較小的π共軛度的共軛體系，同時(shí)引入吸電子性的氮雜原子，降低了分子HOMO軌道和LUMO軌道的裂分，使得所述銥配合物波長(zhǎng)紅移從而用作紅光以及近紅外發(fā)光材料。而且引入噻吩基等富電子基團(tuán)，可以增加給電子基團(tuán)和富電子基團(tuán)之間的相互作用，擴(kuò)大Ar基團(tuán)的共軛，進(jìn)而使所述銥配合物波長(zhǎng)更進(jìn)一步紅移從而用作深紅光以及近紅外發(fā)光材料。即，本發(fā)明在較小的π共軛的條件下，通過(guò)調(diào)節(jié)配體中的給體-受體（D-A）強(qiáng)度和相互作用來(lái)實(shí)現(xiàn)波長(zhǎng)紅移。進(jìn)一步，具有剛性結(jié)構(gòu)的L配體，可有效控制所述銥配合物的幾何異構(gòu)化以及限制所述銥配合物分子內(nèi)的轉(zhuǎn)動(dòng)，提高所述銥配合物的發(fā)光效率，并且還可以減少銥配合物三線態(tài)激子間的淬滅，克服含有該銥配合物的有機(jī)電致發(fā)光器件在大電流密度下效率滾降的問(wèn)題。另外，進(jìn)行配位的N原子所在的位阻基團(tuán)與進(jìn)行配位的C原子所在的位阻基團(tuán)，同時(shí)位于N原子和C原子這兩個(gè)配位原子的另一側(cè)，因此金屬銥元素可與N原子和C原子這兩個(gè)配位原子從沒(méi)有所述位阻基團(tuán)的一側(cè)進(jìn)行螯合，顯然不會(huì)受到任何位阻基團(tuán)的阻礙，使空間位阻效應(yīng)的影響大大降低，從而使所述銥配合物具有很高的穩(wěn)定性，不僅進(jìn)一步提高了所述銥配合物的發(fā)光效率，而且有利于改善應(yīng)用該銥配合物的有機(jī)電致發(fā)光器件的使用壽命。附圖說(shuō)明圖1為本發(fā)明提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本發(fā)明提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的電流密度-電壓曲線圖。圖3為本發(fā)明提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的輻射出射度-電壓曲線圖。圖4為本發(fā)明提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的外量子效率-電流密度曲線圖。圖5為本發(fā)明提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的電致發(fā)光光譜圖。主要元件符號(hào)說(shuō)明有機(jī)電致發(fā)光器件10基板110陽(yáng)極120空穴傳輸層130有機(jī)發(fā)光層140空穴阻擋層150電子傳輸層160陰極170如下具體實(shí)施方式將結(jié)合上述附圖進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明提供的銥配合物，以及應(yīng)用該銥配合物的有機(jī)電致發(fā)光器件作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。本發(fā)明提供一種銥配合物，該銥配合物的結(jié)構(gòu)通式為L(zhǎng)nIrX3-n或[LnIrX3-n]+Z-，其中，Ir為金屬銥元素，Ir是所述銥配合物的中心原子，L與X均為所述銥配合物的配體，Z-為陰離子，n=1、2或3。結(jié)構(gòu)通式為L(zhǎng)nIrX3-n的銥配合物為中性配合物，結(jié)構(gòu)通式為[LnIrX3-n]+Z-的銥配合物為離子型配合物。L配體選自具有以下通式的配體：其中，R1~R5可分別獨(dú)立地選自氫原子、碳原子數(shù)為1~10的烷基、碳原子數(shù)為1~10的烷氧基、碳原子數(shù)為1~10的烷基氨基、咔唑基、氟原子、氯原子、三氟甲基和碳原子數(shù)為4~18的芳香基中的一種。Ar基團(tuán)可選自碳原子數(shù)為4~18的芳基和碳原子數(shù)為4~18的雜環(huán)芳基中的一種。所述L配體可以為以下結(jié)構(gòu)式的一種：當(dāng)然，本發(fā)明所述L配體的具體結(jié)構(gòu)式并不局限于上述所列舉的L配體結(jié)構(gòu)式，凡是符合所述L配體通式的，均在本發(fā)明保護(hù)范圍之內(nèi)。所述X為雙齒配位體，該雙齒配位體是指一個(gè)配位體中含有兩個(gè)配位原子。在本發(fā)明實(shí)施例中，X可選自聯(lián)吡啶、1，10-菲啰啉、4，7-二苯基-1，10-菲啰啉、乙酰丙酮、二苯甲?；淄?、二叔戊酰甲烷以及吡啶甲酸中的一種。所述Z-為一價(jià)陰離子。在本發(fā)明實(shí)施例中，Z-可選自氯離子，六氟磷酸根、高氯酸根、四苯基硼酸根以及四(3，5-二（三氟甲基）苯基）硼酸根中的一種。所述銥配合物可以為以下銥配合物C1至C78中的一種：C1C2C3C4C5C6C7C8C9C10C11C12C13C14C15C16C17C18C19C20C21C22C23C24C25C26C27C28C29C30C31C32C33C34C35C36C37C38C39C40C41C42C43C44C45C46C47C48C49C50C51C52C53C54C55C56C57C58C59C60C61C62C63C64C65C66C67C68C69C70C71C72C73C74C75C76C77C78其中，所述銥配合物C1至C78以所述L配體為主配體?？梢岳斫?，所述銥配合物C1至C78的L配體的芳香環(huán)上還可以具有R1~R5取代基中的一種或多種。對(duì)于所述L配體，所述金屬銥元素同時(shí)與離Ar基團(tuán)最近的N（氮）原子以及Ar基團(tuán)上的C（碳）原子進(jìn)行配位。當(dāng)然，本發(fā)明所述銥配合物的具體結(jié)構(gòu)式并不局限于上述所列舉的銥配合物結(jié)構(gòu)式，凡是符合所述銥配合物通式的，均在本發(fā)明保護(hù)范圍之內(nèi)。本發(fā)明提供的銥配合物具有以下優(yōu)點(diǎn)：第一、所述L配體中，兩個(gè)芳環(huán)并聯(lián)形成一個(gè)共軛體系，同時(shí)引入吸電子性的氮雜原子，降低了分子HOMO軌道和LUMO軌道的裂分，使得所述銥配合物波長(zhǎng)紅移從而用作紅光以及近紅外發(fā)光材料；第二、可以在Ar基團(tuán)中引入噻吩基等富電子基團(tuán)，可以增加給電子基團(tuán)和富電子基團(tuán)之間的相互作用，擴(kuò)大Ar基團(tuán)的共軛，進(jìn)而使所述銥配合物波長(zhǎng)更進(jìn)一步紅移從而用作深紅光以及近紅外發(fā)光材料；第三、具有剛性結(jié)構(gòu)的L配體，可有效控制所述銥配合物的幾何異構(gòu)化以及限制所述銥配合物分子內(nèi)的轉(zhuǎn)動(dòng)，提高所述銥配合物的發(fā)光效率，并且還可以減少銥配合物三線態(tài)激子間的淬滅，克服含有該銥配合物的有機(jī)電致發(fā)光器件在大電流密度下效率滾降的問(wèn)題；第四、進(jìn)行配位的N原子所在的位阻基團(tuán)與進(jìn)行配位的C原子所在的位阻基團(tuán)，同時(shí)位于N原子和C原子這兩個(gè)配位原子的同一側(cè)，因此金屬銥元素可與N原子和C原子這兩個(gè)配位原子從另一側(cè)進(jìn)行螯合，也就是說(shuō)，金屬銥元素可與N原子和C原子這兩個(gè)配位原子從沒(méi)有所述位阻基團(tuán)的一側(cè)進(jìn)行螯合，顯然不會(huì)受到任何位阻基團(tuán)的阻礙，使空間位阻效應(yīng)的影響大大降低，從而使所述銥配合物具有很高的穩(wěn)定性，不僅進(jìn)一步提高了所述銥配合物的發(fā)光效率，而且有利于改善應(yīng)用該銥配合物的有機(jī)電致發(fā)光器件的使用壽命。所述銥配合物中L配體的制備方法以的制備方法為例進(jìn)行說(shuō)明，其它L配體可通過(guò)改變帶取代基的二苯基碘酸鹽以及前后兩次加入的帶有相同或者不同取代基的氰基得到，這里不再贅述。當(dāng)L配體為時(shí)，該L配體可按下述路線制備：具體過(guò)程：將2mmol（毫摩爾）Ph2IPF6，2mmol噻吩甲腈和0.4mmolCu(OTf）2溶于1，2-二氯乙烷中，N2（氮?dú)猓┓諊?20℃加熱回流2h（小時(shí)），隨后，冷至室溫，繼續(xù)加入2倍當(dāng)量（即4mmol）噻吩甲腈，120℃加熱回流12h，反應(yīng)束后，反應(yīng)液冷至室溫，加入無(wú)水K2CO3，用二氯甲烷萃取有機(jī)相，無(wú)水Na2SO4干燥有機(jī)相，過(guò)濾，蒸除溶劑，柱層析分離，得黃色固體，產(chǎn)率60%。以下實(shí)施例1~實(shí)施例78分別說(shuō)明所述銥配合物C1~C78的制備方法。實(shí)施例1：銥配合物C1的制備所述銥配合物C1可按下述路線制備：具體過(guò)程為：取1.472g（5.0mmol）主配體L與0.975g（2.0mmol）的三氯化銥，加入40mL體積比為3：1乙二醇甲醚與離子水作為溶劑，在氮?dú)獗Ｗo(hù)下油浴加熱到110℃回流攪拌24h。反應(yīng)結(jié)束后，將反應(yīng)液冷至室溫，抽濾，收集濾餅。棄去濾液后依次用乙醇、大量乙醚淋洗濾餅。最后用二氯甲烷溶解濾餅，收集濾液，旋蒸去除溶劑，置入60℃的真空干燥5h，最終得到深紅色固體0.98g，產(chǎn)率約60%。該二氯橋連化合物的ESI-MS(電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1598[M-Cl]+。將二氯橋連中間體0.81g（0.5mmol）和聯(lián)吡啶0.156g（1mmol），溶于50mL乙二醇溶液中，氮?dú)獗Ｗo(hù)下油浴130℃回流攪拌15h。反應(yīng)結(jié)束后，冷卻，將反應(yīng)液轉(zhuǎn)移到燒杯中。向其中加入溶有0.081g六氟磷酸銨（0.5mmol）的水溶液，攪拌10min（分鐘），有大量褐色細(xì)小固體析出。抽濾，濾液棕黃色，濾餅黑色，用少量去離子水和乙醇淋洗濾餅后置于80℃的真空干燥箱內(nèi)5h。用色譜柱層析分離提純粗產(chǎn)品，以二氯甲烷/丙酮為洗脫劑，最終得黑色固體0.42g，產(chǎn)率40%。1HNMR（核磁共振，400MHz，acetone-d6，δ[ppm]）：8.67（d，J=8.3Hz，2H），8.55（d，J=8.5Hz，2H），8.34（d，J=5.5Hz，2H），8.25（t，J=7.9Hz，2H），8.14-8.02（m，4H），7.92-7.78（m，2H），7.67（m，J=4.7，0.7Hz，2H），7.59（t，J=7.7Hz，2H），7.50-7.37（m，4H），7.16（d，J=8.8Hz，2H），6.52（m，J=4.7，0.7Hz，2H）。ESI-MS(電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：935[M-PF6]+。元素分析（C42H26F6IrN6PS4）：Anal.Calcd（理論值）：C，46.70；H，2.43；N，7.78；Found（測(cè)量值）：C，66.78；H，3.88；N，5.84。實(shí)施例2：銥配合物C2的制備本實(shí)施例與實(shí)施例1基本相同，其不同之處在于：用四（3，5-二（對(duì)三氟甲基苯基））硼酸鈉替代六氟磷酸銨，產(chǎn)物產(chǎn)率為35%。ESI-MS(電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：935[M-BArF24]+。元素分析（C58H29BF24IrN4S2）：Anal.Calcd（理論值）：C，49.42；H，2.13；N，4.67；Found（測(cè)量值）：C，49.53；H，2.21；N，4.71。實(shí)施例3：銥配合物C3的制備本實(shí)施例與實(shí)施例1基本相同，其不同之處在于：用4，7-二苯基-1，10-菲啰啉替代聯(lián)吡啶，產(chǎn)物產(chǎn)率為43%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1111[M-PF6]+。元素分析（C56H34IrN6S4）：Anal.Calcd（理論值）：C，60.52；H，3.08；Ir，17.30；N，7.56；Found（測(cè)量值）：C，60.61；H，3.02；N，7.68。實(shí)施例4：銥配合物C4的制備所述銥配合物C4可按下述路線制備：二氯橋連中間體的制備方法請(qǐng)參見(jiàn)實(shí)施例1。將0.17mmol二氯橋連中間體、0.05g（0.5mmol）乙酰丙酮及0.056g（0.5mmol）叔丁醇鉀溶于12mL（毫升）二氯甲烷/乙醇（體積比=3/1）的混合溶劑中。反應(yīng)體系用氬氣保護(hù)，30℃回流攪拌24h。冷至室溫后，蒸干溶劑，再用二氯甲烷溶解，去離子水萃取3次，用無(wú)水MgSO4干燥有機(jī)相。過(guò)濾，蒸除溶劑，柱層析分離，收集黑褐色的產(chǎn)物帶。濃縮后再用二氯甲烷/乙醚重結(jié)晶，得黑色固體，產(chǎn)率45%。1HNMR（核磁共振，400MHz，CDCl3，δ[ppm]）：8.44（d，J=8.4Hz，2H），8.30（d，J=8.8Hz，2H），7.96（d，J=3.7Hz，2H），7.72（d，J=5.1Hz，2H），7.65（t，J=7.7Hz，2H），7.55-7.47（m，2H），7.32（m，J=8.5，4.3Hz，2H），7.24-7.21（m，2H），6.31-6.27（m，2H），4.95（s，1H），1.69（s，6H）。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：901[M+Na]+。元素分析（C37H25IrN4O2S4）：Anal.Calcd（理論值）：C，50.61；H，2.87；N，6.38；Found（測(cè)量值）：C，50.37；H，2.90；N，6.55。實(shí)施例5：銥配合物C5的制備所述銥配合物C5可按下述路線制備：將IrCl3?xH2O（58%Ir）和過(guò)量L配體及三氟甲磺酸銀溶于乙二醇甲醚和去離子水（體積比=3/1）的混合溶劑中。在N2氣氛下110℃回流攪拌18h。冷至室溫后過(guò)濾，濾餅用去離子水洗至中性，再依次用10mL乙醇、200mL乙醚淋洗濾餅。最后用二氯甲烷溶解濾餅，收集濾液，旋蒸除去溶劑，70℃真空干燥5h，得到深褐色固體，柱層析分離，產(chǎn)率65%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1079[M+H]+。元素分析（C48H27IrN6S6）：Anal.Calcd（理論值）：C，53.76；H，2.54；N，7.84；Found（測(cè)量值）：C，53.87；H，2.68；N，7.75。實(shí)施例6：銥配合物C6的制備本實(shí)施例與實(shí)施例1基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，并且用四苯基硼酸鈉替代六氟磷酸銨，產(chǎn)率40%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1135[M-BPh4]+。元素分析（C82H54BIrN6S4）：Anal.Calcd（理論值）：C，67.71；H，3.74；N，5.78；Found（測(cè)量值）：C，67.71；H，3.74；N，5.78。實(shí)施例7：銥配合物C7的制備本實(shí)施例與實(shí)施例6基本相同，其不同之處在于：用1，10-菲啰啉替代聯(lián)吡啶，并且用六氟磷酸銨替代四苯基硼酸鈉，產(chǎn)率45%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1160[M-PF6]+。元素分析（C60H34IrN6S4）：Anal.Calcd（理論值）：C，62.15；H，2.96；N，7.25；Found（測(cè)量值）：C，62.34；H，2.84；N，7.19。實(shí)施例8：銥配合物C8的制備本實(shí)施例與實(shí)施例4基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)不同，產(chǎn)率65%。1HNMR（核磁共振，600MHz，CD2Cl2，δ[ppm]）：8.64-8.59（m，2H），8.33（s，2H），8.11-7.99（m，8H），7.81-7.77（m，2H），7.59-7.51（m，6H），7.08（m，J=8.1，7.0，1.2Hz，2H），6.63（m，J=8.2，7.0，1.1Hz，2H），6.42（d，J=7.9Hz，2H），4.91（s，1H），1.68（s，6H）。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1079[M+H]+。元素分析（C53H33IrN4O2S）：Anal.Calcd（理論值）：C，59.03；H，3.08；N，5.20；Found（測(cè)量值）：C，57.90；H，3.01；N，5.15。實(shí)施例9：銥配合物C9的制備本實(shí)施例與實(shí)施例6基本相同，其不同之處在于：用1，10-菲啰啉替代聯(lián)吡啶，并且用四苯基硼酸鈉替代六氟磷酸銨，產(chǎn)率60%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1160[M-BPh4]+。元素分析（C84H54BIrN6S4）：Anal.Calcd（理論值）：C，68.23；H，3.68；N，5.68；Found（測(cè)量值）：C，68.15；H，3.72；N，5.65。實(shí)施例10：銥配合物C10的制備本實(shí)施例與實(shí)施例8基本相同，其不同之處在于：用吡啶甲酸替代乙酰丙酮，產(chǎn)率45%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1102[M+H]+。元素分析（C55H32IrN5O2S4）：Anal.Calcd（理論值）：C，59.23；H，2.89；N，6.28；Found（測(cè)量值）：C，59.15；H，2.93；N，6.32。實(shí)施例11：銥配合物C11的制備本實(shí)施例與實(shí)施例5基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率60%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1373[M+H]+。元素分析（C72H39IrN6S6）：Anal.Calcd（理論值）：C，63.00；H，2.86；N，6.12；Found（測(cè)量值）：C，63.05；H，2.75；N，6.21。實(shí)施例12：銥配合物C12的制備本實(shí)施例與實(shí)施例5基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率65%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1445[M+H]+。元素分析（C66H33F18IrN6）：Anal.Calcd（理論值）：C，54.89；H，2.30；N，5.82；Found（測(cè)量值）：C，54.92；H，2.33；N，5.78。實(shí)施例13：銥配合物C13的制備本實(shí)施例與實(shí)施例5基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率60%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1853[M+H]+。元素分析（C72H27F36IrN6）：Anal.Calcd（理論值）：C，46.69；H，1.47；N，4.54；Found（測(cè)量值）：C，46.77；H，1.45；N，4.49。實(shí)施例14：銥配合物C14的制備本實(shí)施例與實(shí)施例4基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率50%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1141[M+H]+。元素分析（C49H29F12IrN4O2）：Anal.Calcd（理論值）：C，52.27；H，2.60；N，4.98；Found（測(cè)量值）：C，52.21；H，2.63；N，5.03。實(shí)施例15：銥配合物C15的制備本實(shí)施例與實(shí)施例4基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率50%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1399[M+H]+。元素分析（C53H25F24IrN4O2）：Anal.Calcd（理論值）：C，45.54；H，1.80；N，4.01；Found（測(cè)量值）：C，45.63；H，1.73；N，4.12。實(shí)施例16：銥配合物C16的制備本實(shí)施例與實(shí)施例5基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率60%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1204[M+H]+。元素分析（C66H39IrN6S3）：Anal.Calcd（理論值）：C，65.81；H，3.26；N，6.98；Found（測(cè)量值）：C，65.89；H，3.35；N，6.84。實(shí)施例17：銥配合物C17的制備本實(shí)施例與實(shí)施例4基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率50%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1067[M+H]+。元素分析（C57H37IrN4O2S2）：Anal.Calcd（理論值）：C，64.21；H，3.50；N，5.25；Found（測(cè)量值）：C，64.32；H，3.58；N，5.32。實(shí)施例18：銥配合物C18的制備本實(shí)施例與實(shí)施例4基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率50%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1167[M+H]+。元素分析（C65H41IrN4O2S2）：Anal.Calcd（理論值）：C，66.93；H，3.54；N，4.80；Found（測(cè)量值）：C，66.86；H，3.43；N，4.93。實(shí)施例19：銥配合物C19的制備本實(shí)施例與實(shí)施例4基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率50%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1067[M+H]+。元素分析（C57H37IrN4O2S2）：Anal.Calcd（理論值）：C，64.21；H，3.50；N，5.25；Found（測(cè)量值）：C，64.33；H，3.65；N，5.27。實(shí)施例20：銥配合物C20的制備本實(shí)施例與實(shí)施例4基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率50%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：967[M+H]+。元素分析（C49H33IrN4O2S2）：Anal.Calcd（理論值）：C，60.91；H，3.44；N，5.80；Found（測(cè)量值）：C，60.86；H，3.35；N，5.87。實(shí)施例21：銥配合物C21的制備本實(shí)施例與實(shí)施例4基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率50%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1067[M+H]+。元素分析（C57H37IrN4O2S2）：Anal.Calcd（理論值）：C，64.21；H，3.50；N，5.25；Found（測(cè)量值）：C，64.32；H，3.45；N，5.32。實(shí)施例22：銥配合物C22的制備本實(shí)施例與實(shí)施例4基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率50%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：967[M+H]+。元素分析（C49H33IrN4O2S2）：Anal.Calcd（理論值）：C，60.91；H，3.44；N，5.80；Found（測(cè)量值）：C，60.86；H，3.49；N，5.72。實(shí)施例23：銥配合物C23的制備本實(shí)施例與實(shí)施例4基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率50%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：969[M+H]+。元素分析（C47H31IrN6O2S2）：Anal.Calcd（理論值）：C，58.31；H，3.23；N，8.68；Found（測(cè)量值）：C，58.39；H，3.15；N，8.75。實(shí)施例24：銥配合物C24的制備本實(shí)施例與實(shí)施例4基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率50%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：969[M+H]+。元素分析（C47H31IrN6O2S2）：Anal.Calcd（理論值）：C，58.31；H，3.23；N，8.68；Found（測(cè)量值）：C，58.38；H，3.15；N，8.76。實(shí)施例25：銥配合物C25的制備本實(shí)施例與實(shí)施例4基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率50%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：969[M+H]+。元素分析（C47H31IrN6O2S2）：Anal.Calcd（理論值）：C，58.31；H，3.23；N，8.68；Found（測(cè)量值）：C，58.38；H，3.29；N，8.64。實(shí)施例26：銥配合物C26的制備本實(shí)施例與實(shí)施例4基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率50%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：969[M+H]+。元素分析（C47H31IrN6O2S2）：Anal.Calcd（理論值）：C，58.31；H，3.23；N，8.68；Found（測(cè)量值）：C，58.38；H，3.15；N，8.76。實(shí)施例27：銥配合物C27的制備本實(shí)施例與實(shí)施例4基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率50%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：969[M+H]+。元素分析（C47H31IrN6O2S2）：Anal.Calcd（理論值）：C，58.31；H，3.23；N，8.68；Found（測(cè)量值）：C，58.34；H，3.16；N，8.76。實(shí)施例28：銥配合物C28的制備本實(shí)施例與實(shí)施例4基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率50%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：969[M+H]+。元素分析（C47H31IrN6O2S2）：Anal.Calcd（理論值）：C，58.31；H，3.23；N，8.68；Found（測(cè)量值）：C，58.39；H，3.29；N，8.58。實(shí)施例29：銥配合物C29的制備本實(shí)施例與實(shí)施例4基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率50%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：969[M+H]+。元素分析（C47H31IrN6O2S2）：Anal.Calcd（理論值）：C，58.31；H，3.23；N，8.68；Found（測(cè)量值）：C，58.22；H，3.13；N，8.73。實(shí)施例30：銥配合物C30的制備本實(shí)施例與實(shí)施例4基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率50%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：969[M+H]+。元素分析（C47H31IrN6O2S2）：Anal.Calcd（理論值）：C，58.31；H，3.23；N，8.68；Found（測(cè)量值）：C，58.21；H，3.14；N，8.78。實(shí)施例31：銥配合物C31的制備本實(shí)施例與實(shí)施例4基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率50%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：969[M+H]+。元素分析（C47H31IrN6O2S2）：Anal.Calcd（理論值）：C，58.31；H，3.23；N，8.68；Found（測(cè)量值）：C，58.25；H，3.13；N，8.85。實(shí)施例32：銥配合物C32的制備本實(shí)施例與實(shí)施例4基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率50%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1139[M+H]+。元素分析（C45H25F12IrN4O2S2）：Anal.Calcd（理論值）：C，47.49；H，2.21；N，4.92；Found（測(cè)量值）：C，47.57；H，2.32；N，4.85。實(shí)施例33：銥配合物C33的制備本實(shí)施例與實(shí)施例4基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率55%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1399[M+H]+。元素分析（C53H25F24IrN4O2）：Anal.Calcd（理論值）：C，45.54；H，1.80；N，4.01；Found（測(cè)量值）：C，45.65；H，1.91；N，4.05。實(shí)施例34：銥配合物C34的制備本實(shí)施例與實(shí)施例4基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率58%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1399[M+H]+。元素分析（C53H25F24IrN4O2）：Anal.Calcd（理論值）：C，45.54；H，1.80；N，4.01；Found（測(cè)量值）：C，45.46；H，1.75；N，4.09。實(shí)施例35：銥配合物C35的制備本實(shí)施例與實(shí)施例4基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率61%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1399[M+H]+。元素分析（C53H25F24IrN4O2）：Anal.Calcd（理論值）：C，45.54；H，1.80；N，4.01；Found（測(cè)量值）：C，45.67；H，1.85；N，4.11。實(shí)施例36：銥配合物C36的制備本實(shí)施例與實(shí)施例4基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率56%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1139[M+H]+。元素分析（C45H25F12IrN4O2S2）：Anal.Calcd（理論值）：C，47.49；H，2.21；N，4.92；Found（測(cè)量值）：C，47.42；H，2.15；N，4.85。實(shí)施例37：銥配合物C37的制備本實(shí)施例與實(shí)施例4基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率55%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1139[M+H]+。元素分析（C45H25F12IrN4O2S2）：Anal.Calcd（理論值）：C，47.49；H，2.21；N，4.92；Found（測(cè)量值）：C，47.56；H，2.32；N，4.86。實(shí)施例38：銥配合物C38的制備本實(shí)施例與實(shí)施例4基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率57%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1003[M+H]+。元素分析（C43H27F6IrN4O2S2）：Anal.Calcd（理論值）：C，51.54；H，2.72；N，5.59；Found（測(cè)量值）：C，51.62；H，2.81；N，5.51。實(shí)施例39：銥配合物C39的制備本實(shí)施例與實(shí)施例4基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率55%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1003[M+H]+。元素分析（C43H27F6IrN4O2S2）：Anal.Calcd（理論值）：C，51.54；H，2.72；N，5.59；Found（測(cè)量值）：C，51.43；H，2.63；N，5.52。實(shí)施例40：銥配合物C40的制備本實(shí)施例與實(shí)施例4基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率60%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：855[M+H]+。元素分析（C45H33IrN4O2）：Anal.Calcd（理論值）：C，63.29；H，3.89；N，6.56；Found（測(cè)量值）：C，63.24；H，3.92；N，6.62。實(shí)施例41：銥配合物C41的制備本實(shí)施例與實(shí)施例5基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率60%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1037[M+H]+。元素分析（C60H39IrN6）：Anal.Calcd（理論值）：C，69.55；H，3.79；N，8.11；Found（測(cè)量值）：C，69.61；H，3.85；N，8.15。實(shí)施例42：銥配合物C42的制備本實(shí)施例與實(shí)施例4基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率55%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：991[M+H]+。元素分析（C47H31F6IrN4O2）：Anal.Calcd（理論值）：C，57.02；H，3.16；N，5.66；Found（測(cè)量值）：C，57.05；H，3.19；N，5.62。實(shí)施例43：銥配合物C43的制備本實(shí)施例與實(shí)施例5基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率54%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1241[M+H]+。元素分析（C63H36F9IrN6）：Anal.Calcd（理論值）：C，61.01；H，2.93；N，6.78；Found（測(cè)量值）：C，61.08；H，2.99；N，6.72。實(shí)施例44：銥配合物C44的制備本實(shí)施例與實(shí)施例4基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率55%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1127[M+H]+。元素分析（C49H29F12IrN4O2）：Anal.Calcd（理論值）：C，52.27；H，2.60；N，4.98；Found（測(cè)量值）：C，52.22；H，2.65；N，4.93。實(shí)施例45：銥配合物C45的制備本實(shí)施例與實(shí)施例5基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率54%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1445[M+H]+。元素分析（C66H33F18IrN6）：Anal.Calcd（理論值）：C，54.89；H，2.30；N，5.82；Found（測(cè)量值）：C，54.82；H，2.35；N，5.85。實(shí)施例46：銥配合物C46的制備本實(shí)施例與實(shí)施例4基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率55%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1263[M+H]+。元素分析（C51H27F18IrN4O2）：Anal.Calcd（理論值）：C，48.54；H，2.16；N，4.44；Found（測(cè)量值）：C，48.58；H，2.12；N，4.48。實(shí)施例47：銥配合物C47的制備本實(shí)施例與實(shí)施例5基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率55%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1649[M+H]+。元素分析（C69H30F27IrN6）：Anal.Calcd（理論值）：C，50.28；H，1.83；N，5.10；Found（測(cè)量值）：C，50.24；H，1.88；N，5.15。實(shí)施例48：銥配合物C48的制備本實(shí)施例與實(shí)施例4基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率60%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1127[M+H]+。元素分析（C49H29F12IrN4O2）：Anal.Calcd（理論值）：C，52.27；H，2.6；N，4.98；Found（測(cè)量值）：C，52.26；H，2.64F，20.28；N，4.94。實(shí)施例49：銥配合物C49的制備本實(shí)施例與實(shí)施例5基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率54%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1445[M+H]+。元素分析（C66H33F18IrN6）：Anal.Calcd（理論值）：C，54.89；H，2.30；N，5.82；Found（測(cè)量值）：C，54.83；H，2.35；N，5.84。實(shí)施例50：銥配合物C50的制備本實(shí)施例與實(shí)施例4基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率54%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1263[M+H]+。元素分析（C51H27F18IrN4O2）：Anal.Calcd（理論值）：C，48.54；H，2.16；N，4.44；Found（測(cè)量值）：C，48.52；H，2.14；N，4.45。實(shí)施例51：銥配合物C51的制備本實(shí)施例與實(shí)施例5基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率55%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1649[M+H]+。元素分析（C69H30F27IrN6）：Anal.Calcd（理論值）：C，50.28；H，1.83；N，5.10；Found（測(cè)量值）：C，50.22；H，1.87；N，5.13。實(shí)施例52：銥配合物C52的制備本實(shí)施例與實(shí)施例4基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率60%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：991[M+H]+。元素分析（C43H27F6IrN4O2S2）：Anal.Calcd（理論值）：C，57.02；H，3.16；N，5.66；Found（測(cè)量值）：C，57.06；H，3.18；N，5.68。實(shí)施例53：銥配合物C53的制備本實(shí)施例與實(shí)施例5基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率60%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1241[M+H]+。元素分析（C63H36F9IrN6）：Anal.Calcd（理論值）：C，61.01；H，2.93；N，6.78；Found（測(cè)量值）：C，61.06；H，2.97；N，6.73。實(shí)施例54：銥配合物C54的制備本實(shí)施例與實(shí)施例4基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率60%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1241[M+H]+。元素分析（C49H29F12IrN4O）：Anal.Calcd（理論值）：C，52.27；H，2.60；N，4.98；Found（測(cè)量值）：C，52.26；H，2.67；N，4.96。實(shí)施例55：銥配合物C55的制備本實(shí)施例與實(shí)施例5基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率60%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1445[M+H]+。元素分析（C66H33F18IrN6）：Anal.Calcd（理論值）：C，54.89；H，2.30；N，5.82；Found（測(cè)量值）：C，54.87；H，2.35；N，5.84。實(shí)施例56：銥配合物C56的制備本實(shí)施例與實(shí)施例4基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率55%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：991[M+H]+。元素分析（C47H31F6IrN4O2）：Anal.Calcd（理論值）：C，57.02；H，3.16；N，5.66；Found（測(cè)量值）：C，57.07；H，3.14；N，5.61。實(shí)施例57：銥配合物C57的制備本實(shí)施例與實(shí)施例5基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率55%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1241[M+H]+。元素分析（C63H36F9IrN6）：Anal.Calcd（理論值）：C，61.01；H，2.93；N，6.78；Found（測(cè)量值）：C，61.03；H，2.97；N，6.79。實(shí)施例58：銥配合物C58的制備本實(shí)施例與實(shí)施例4基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率56%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1127[M+H]+。元素分析（C49H29F12IrN4O2）：Anal.Calcd（理論值）：C，52.27；H，2.60；N，4.98；Found（測(cè)量值）：C，52.23；H，2.63；N，4.95；。實(shí)施例59：銥配合物C59的制備本實(shí)施例與實(shí)施例5基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率54%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1445[M+H]+。元素分析（C43H27F6IrN4O2S2）：Anal.Calcd（理論值）：C，54.89；H，2.30；N，5.82；Found（測(cè)量值）：C，54.86；H，2.35；N，5.84。實(shí)施例60：銥配合物C60的制備本實(shí)施例與實(shí)施例4基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率50%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：991[M+H]+。元素分析（C47H31F6IrN4O2）：Anal.Calcd（理論值）：C，57.02；H，3.16；N，5.66；Found（測(cè)量值）：C，57.08；H，3.15；N，5.62。實(shí)施例61：銥配合物C61的制備本實(shí)施例與實(shí)施例5基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率55%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1241[M+H]+。元素分析（C63H36F9IrN6）：Anal.Calcd（理論值）：C，61.01；H，2.93；N，6.78；Found（測(cè)量值）：C，61.02；H，2.91；N，6.72。實(shí)施例62：銥配合物C62的制備本實(shí)施例與實(shí)施例4基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率55%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1127[M+H]+。元素分析（C49H29F12IrN4O2）：Anal.Calcd（理論值）：C，52.27；H，2.60；N，4.98；Found（測(cè)量值）：C，52.22；H，2.59；N，4.95。實(shí)施例63：銥配合物C63的制備本實(shí)施例與實(shí)施例5基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率60%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1445[M+H]+。元素分析（C66H33F18IrN6）：Anal.Calcd（理論值）：C，54.89；H，2.30；N，5.82；Found（測(cè)量值）：C，54.84；H，2.32；N，5.86。實(shí)施例64：銥配合物C64的制備本實(shí)施例與實(shí)施例4基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率55%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1015[M+H]+。元素分析（C39H23F6IrN4O2S4）：Anal.Calcd（理論值）：C，46.19；H，2.29；N，5.52；Found（測(cè)量值）：C，46.12；H，2.28；N，5.56。實(shí)施例65：銥配合物C65的制備本實(shí)施例與實(shí)施例5基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率55%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1277[M+H]+。元素分析（C51H24F9IrN6S6）：Anal.Calcd（理論值）：C，47.99；H，1.90；N，6.58；Found（測(cè)量值）：C，47.93；H，1.94；N，6.57。實(shí)施例66：銥配合物C66的制備本實(shí)施例與實(shí)施例4基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率55%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1215[M+H]+。元素分析（C55H31F6IrN4O2S4）：Anal.Calcd（理論值）：C，54.40；H，2.57；N，4.61；Found（測(cè)量值）：C，54.44；H，2.53；N，4.67。實(shí)施例67：銥配合物C67的制備本實(shí)施例與實(shí)施例5基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率55%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1577[M+H]+。元素分析（C75H36F9IrN6S6）：Anal.Calcd（理論值）：C，57.13；H，2.30；N，5.33；Found（測(cè)量值）：C，57.12；H，2.35；N，5.37。實(shí)施例68：銥配合物C68的制備本實(shí)施例與實(shí)施例5基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率55%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1853[M+H]+。元素分析（C72H27F36IrN6）：Anal.Calcd（理論值）：C，46.69；H，1.47；N，4.54；Found（測(cè)量值）：C，46.65；H，1.43；N，4.56。實(shí)施例69：銥配合物C69的制備本實(shí)施例與實(shí)施例5基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率60%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1853[M+H]+。元素分析（C72H27F36IrN6）：Anal.Calcd（理論值）：C，46.69；H，1.47；N，4.54；Found（測(cè)量值）：C，46.61；H，1.41；N，4.54。實(shí)施例70：銥配合物C70的制備本實(shí)施例與實(shí)施例5基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率60%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1853[M+H]+。元素分析（C72H27F36IrN6）：Anal.Calcd（理論值）：C，46.69；H，1.47；N，4.54；Found（測(cè)量值）：C，46.67；H，1.43；N，4.61。實(shí)施例71：銥配合物C71的制備本實(shí)施例與實(shí)施例4基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率60%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1275[M+H]+。元素分析（C47H23F18IrN4O2S2）：Anal.Calcd（理論值）：C，44.31；H，1.82；N，4.40；Found（測(cè)量值）：C，44.35；H，1.84；N，4.43。實(shí)施例72：銥配合物C72的制備本實(shí)施例與實(shí)施例4基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率60%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1275[M+H]+。元素分析（C47H23F18IrN4O2S2）：Anal.Calcd（理論值）：C，44.31；H，1.82；N，4.40；Found（測(cè)量值）：C，44.32；H，1.86；N，4.45。實(shí)施例73：銥配合物C73的制備本實(shí)施例與實(shí)施例5基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率55%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1667[M+H]+。元素分析（C63H24F27IrN6S3）：Anal.Calcd（理論值）：C，45.41；H，1.45；N，5.04；Found（測(cè)量值）；C，45.43；H，1.48；N，5.05。實(shí)施例74：銥配合物C74的制備本實(shí)施例與實(shí)施例5基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率60%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1667[M+H]+。元素分析（C63H24F27IrN6S3）：Anal.Calcd（理論值）：C，45.41；H，1.45；N，5.04；Found（測(cè)量值）：C，45.45；H，1.41；N，5.06。實(shí)施例75：銥配合物C75的制備本實(shí)施例與實(shí)施例5基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率55%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1259[M+H]+。元素分析（C57H30F9IrN6S3）：Anal.Calcd（理論值）：C，54.41；H，2.40；N，6.68；Found（測(cè)量值）：C，54.45；H，2.43；N，6.65。實(shí)施例76：銥配合物C76的制備本實(shí)施例與實(shí)施例5基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率55%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1259[M+H]+。元素分析（C57H30F9IrN6S3）：Anal.Calcd（理論值）：C，54.41；H，2.40；N，6.68；Found（測(cè)量值）：C，54.43；H，2.45；N，6.61。實(shí)施例77：銥配合物C77的制備本實(shí)施例與實(shí)施例5基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率54%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1463[M+H]+。元素分析（C60H27F18IrN6S3）：Anal.Calcd（理論值）：C，49.28；H，1.86；N，5.75；Found（測(cè)量值）：C，49.32；H，1.83；N，5.81。實(shí)施例78：銥配合物C78的制備本實(shí)施例與實(shí)施例5基本相同，其不同之處在于：L配體中的Ar基團(tuán)以及R5基團(tuán)不同，產(chǎn)率54%。ESI-MS（電噴霧離子化質(zhì)譜）[m/z]：1463[M+H]+。元素分析（C60H27F18IrN6S3）：Anal.Calcd（理論值）：C，49.28；H，1.86；N，5.75；Found（測(cè)量值）：C，49.31；H，1.87；N，5.82。請(qǐng)參見(jiàn)圖1，本發(fā)明進(jìn)一步提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件10，包括一陽(yáng)極120、一空穴傳輸層130、一有機(jī)發(fā)光層140、一電子傳輸層160以及一陰極170。所述有機(jī)發(fā)光層140包括所述銥配合物。所述陽(yáng)極120、空穴傳輸層130、有機(jī)發(fā)光層140、電子傳輸層160以及陰極170依次層疊設(shè)置。所述陽(yáng)極120用于向所述空穴傳輸層130注入空穴，所述陽(yáng)極120由導(dǎo)電材料組成，該導(dǎo)電材料可選自銦錫氧（ITO），銦鋅氧（IZO），二氧化錫（SnO2），氧化鋅（ZnO）、銀、鋁、金、鉑以及鈀中的一種或幾種。所述空穴傳輸層130用于將空穴從所述陽(yáng)極120傳輸?shù)剿鲇袡C(jī)發(fā)光層140。所述空穴傳輸層130的材料為具有較高空穴遷移率的材料，可選自酞菁化合物以及芳香胺類(lèi)化合物中的一種或幾種，例如，4，4’-二[N-（1-萘基）-N-苯基氨基]聯(lián)苯（NPB）、N，N'-二（3-甲基苯基）-N，N'-二苯基聯(lián)苯（TPD）、1，3，5-三（3-甲基二苯氨基）苯（m-MTDATA）或聚乙烯基咔唑（PVK）等。所述有機(jī)發(fā)光層140可發(fā)射紅光或近紅外光。所述有機(jī)發(fā)光層140包括一主體材料和所述銥配合物，所述主體材料通過(guò)接收空穴和電子產(chǎn)生激子，然后向所述銥配合物轉(zhuǎn)移激子的能量，所述銥配合物利用轉(zhuǎn)移的能量通過(guò)形成激子的方式而發(fā)光。所述主體材料可選自含咔唑類(lèi)共軛小分子、芳基硅類(lèi)小分子以及金屬配合物中的一種或幾種，例如，聚乙烯基咔唑/2-（4-聯(lián)苯基）-5-苯基惡二唑（PVK/PBD）、4，4’-（N，N’-二咔唑基）-聯(lián)苯（CBP）、8-羥基喹啉鋁（Alq3）、鎵雙核配合物Ga2（saph）2q2或雙（10-羥基苯并[h]喹啉）鈹（Bebq2）等。所述銥配合物在所述有機(jī)發(fā)光層140中的用量可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行調(diào)控。當(dāng)所述銥配合物的摻雜濃度很低時(shí)，主體材料到所述銥配合物能量傳輸不完全，但當(dāng)濃度摻雜過(guò)高時(shí)，所述銥配合物的濃度淬滅現(xiàn)象又會(huì)很?chē)?yán)重。優(yōu)選地，所述銥配合物占所述有機(jī)發(fā)光層140總質(zhì)量的1%至30%，這一用量范圍的所述銥配合物既可以大大減輕三重態(tài)激子的自淬滅程度，又可以實(shí)現(xiàn)主體材料到銥配合物的有效能量傳輸，提高所述有機(jī)電致發(fā)光器件10的發(fā)光效率，并使所述有機(jī)電致發(fā)光器件10具有較長(zhǎng)的使用壽命。所述電子傳輸層160用于將電子從所述陰極170傳輸?shù)剿鲇袡C(jī)發(fā)光層140。所述電子傳輸層160的材料為具有較高電子遷移率的材料，可以為噁唑類(lèi)化合物、金屬絡(luò)合物、喹啉類(lèi)化合物、喔啉類(lèi)化合物、二氮蒽衍生物及二氮菲衍生物的一種或幾種，例如，8-羥基喹啉鋁（Alq3）及其衍生物等。所述陰極170用于向所述電子傳輸層160注入電子。所述陰極170的材料可以采用鋰、鎂、鋁、鈣、鋁鋰合金、鎂銀合金、鎂銦合金等低功函數(shù)的金屬或合金，或金屬與金屬氟化物交替形成的電極層。所述有機(jī)電致發(fā)光器件10可進(jìn)一步包括一空穴阻擋層150，用于阻擋空穴向所述電子傳輸層160的傳輸，從而提高載流子傳輸效率，有利于獲得高效的發(fā)光效率。所述空穴阻擋層150可設(shè)置在所述有機(jī)發(fā)光層140與所述電子傳輸層160之間。所述空穴阻擋層150的材料可選自2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲啰啉（BCP）、4，7-二苯基-1，10-菲啰啉（BPhen）、1，3，5-三（2-N-苯基苯并咪唑基）苯（TPBI）以及3-（4-二苯基）-5-（4-叔丁基苯基）-4-（4-乙基苯基）-1，2，4-三唑（TAZ）中的一種或幾種。所述空穴阻擋層150的材料也可與所述電子傳輸層160的材料相同。所述有機(jī)電致發(fā)光器件10可以進(jìn)一步包括一基板110，用于承載所述陽(yáng)極120、空穴傳輸層130、有機(jī)發(fā)光層140、電子傳輸層160以及陰極170。所述基板110為透明材料，例如玻璃或塑料。所述基板110可具有光滑的表面，以便容易進(jìn)行處理?？梢岳斫?，所述有機(jī)電致發(fā)光器件10還可進(jìn)一步包括一個(gè)或兩個(gè)中間層，比如空穴注入層、電子注入層以及電子阻擋層等。以下實(shí)施例79~實(shí)施例81分別制備了一種有機(jī)電致發(fā)光器件10，該有機(jī)電致發(fā)光器件10分別為OLED（有機(jī)發(fā)光二極管）-1、OLED-2、OLED-3。實(shí)施例79：OLED-1的制備將涂布了ITO透明導(dǎo)電層的玻璃板在一清洗劑中超聲處理，并用去離子水中沖洗，在丙酮和乙醇混合溶劑中超聲除油，在潔凈環(huán)境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能陽(yáng)離子束轟擊ITO透明導(dǎo)電層表面。在室溫大氣氛圍下，將聚（3，4-乙烯二氧噻吩）-聚苯乙烯磺酸（PEDOT：PSS，BayerAG，CH8000型）和去離子水按1：1的體積比混合均勻，用0.45μm孔徑的水性濾頭過(guò)濾并滴在所述已經(jīng)涂布了ITO透明導(dǎo)電層的玻璃板上，以3000r/min旋涂60秒，用去離子水擦去發(fā)光層范圍外多余的PEDOT：PSS，放入氮?dú)夥諊氖痔紫鋬?nèi)，在200℃的熱板上烘干10分鐘以除去溶劑，PEDOT：PSS層膜厚為40nm~45nm。當(dāng)涂布了ITO透明導(dǎo)電層的玻璃板完全冷卻后可繼續(xù)進(jìn)行有機(jī)發(fā)光層140的旋涂，將所述銥配合物C1以20wt%（質(zhì)量分?jǐn)?shù)）與主體材料PVK配比后溶解在1，2-二氯乙烷里，然后以1500~2000r/min旋涂30秒，在80℃的熱板上干燥半小時(shí)。把經(jīng)過(guò)上述處理的帶有ITO透明導(dǎo)電層的玻璃板置于真空腔內(nèi)，抽真空至1×10-5~1×10-3Pa，真空蒸鍍Cs2CO3提高電子注入性能，蒸鍍速率為0.02nm/s，蒸鍍膜厚為2.3nm。在Cs2CO3上面真空蒸鍍一層鋁（Al）作為陰極170，蒸鍍速率為0.5nm/s，蒸鍍膜厚為150nm。并在有機(jī)發(fā)光層140和陰極170之間增加一層既可以改善電子傳輸性能又能起激子阻擋作用的TPBi，這里的TPBi同時(shí)作為空穴阻擋層150和電子傳輸層160使用。實(shí)施例80：OLED-2的制備本實(shí)施例與實(shí)施例79基本相同，其不同之處在于：所述銥配合物為C4。實(shí)施例81：OLED-3的制備將涂布了ITO透明導(dǎo)電層的玻璃板在一清洗劑中超聲處理，在去離子水中沖洗，在丙酮和乙醇混合溶劑中超聲除油，在潔凈環(huán)境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能陽(yáng)離子束轟擊ITO透明導(dǎo)電層表面，即得到帶有陽(yáng)極120的玻璃板，其中，ITO透明導(dǎo)電層為陽(yáng)極120。將上述帶有陽(yáng)極120的玻璃板置于真空腔內(nèi)，抽真空至1×10-5~9×10-3Pa，在上述陽(yáng)極120上真空蒸鍍NPB作為空穴傳輸層130，蒸鍍速率為0.1nm/s，蒸鍍膜厚為40nm。在空穴傳輸層130遠(yuǎn)離玻璃板的表面上真空蒸鍍一層摻雜所述銥配合物C8的Ga2（saph）2q2作為器件的有機(jī)發(fā)光層140，所述銥配合物C8與Ga2（saph）2q2的蒸鍍速率比為2：10，C8在Ga2（saph）2q2中的摻雜濃度為20wt%，其蒸鍍總速率為0.1nm/s，蒸鍍總膜厚為40nm。在有機(jī)發(fā)光層140上真空蒸鍍一層TPBi材料作為有機(jī)電致發(fā)光器件10的電子傳輸層160，其蒸鍍速率為0.1nm/s，蒸鍍總膜厚為30nm。在電子傳輸層160遠(yuǎn)離有機(jī)發(fā)光層140的表面依次真空蒸鍍Mg和Ag合金層和Ag（銀）層作為有機(jī)電致發(fā)光器件10的陰極170，其中Mg和Ag合金層的蒸鍍速率為2.0~3.0nm/s，厚度為100nm，Ag層的蒸鍍速率為0.3nm/s，厚度為100nm。所述OLED-1、OLED-2和OLED-3的性能詳見(jiàn)表1。表1.OLED-1、OLED-2和OLED-3的性能編號(hào)結(jié)構(gòu)組成發(fā)光波長(zhǎng)nm輻射出射度uW/m2（15V）最大外量子效率%OLED-1ITO/PEDOT：PSS（40nm）/PVK：20wt%PBD：20wt%C1（90nm）/TPBi（30nm）/Cs2CO3（2.3nm）/Al（150nm）63058602.6OLED-2ITO/PEDOT：PSS（40nm）/PVK：20wt%PBD：20wt%C4（90nm）/TPBi（30nm）/Cs2CO3（2.3nm）/Al（150nm）71036851.8OLED-3ITO/NPB（40nm）/Ga2（saph）2q2：20wt%C8（40nm）/TPBi（45nm）/Mg：Ag/Ag78615001.1表1中，“PEDOT：PSS（40nm）/PVK：20wt%PBD：20wt%C1（90nm）/TPBi（30nm）/Cs2CO3（2.3nm）/Al（150nm）”是指：PEDOT：PSS形成厚度為40nm的膜；PVK、20wt%PBD和20wt%C1形成厚度為90nm的膜；TPBi形成厚度為30nm的膜；Cs2CO3形成厚度為2.3nm的膜；Al形成厚度為150nm的膜。以此類(lèi)推，可得知表1結(jié)構(gòu)組成中的其它部分的含義，這里不再贅述。圖2至圖4是所述OLED-2的表征圖，從中可分別得知OLED-2的發(fā)光波長(zhǎng)、輻射出射度和最大外量子效率。從圖4可以看出，在大電流密度條件下，OLED-2仍然保持較高的外量子效率，且效率滾降效應(yīng)很低。圖5是所述OLED-1的表征圖，可得知所述OLED-1的量子外發(fā)光效率可達(dá)到2.6%。因此，由表1以及圖2至圖4得知，所述有機(jī)電致發(fā)光器件10可以發(fā)出紅光至近紅外區(qū)的光，所述有機(jī)電致發(fā)光器件10的輻射出射度均在1000uW/m2（15V）以上，具有較高的發(fā)光效率，且效率滾降效應(yīng)很低。本發(fā)明提供的有機(jī)電致發(fā)光器件10具有以下優(yōu)點(diǎn)：第一、可以發(fā)出紅光至近紅外區(qū)的光；第二、具有較高的發(fā)光效率；第三、具有較長(zhǎng)的使用壽命；第四、效率滾降現(xiàn)象受到了明顯抑制，可在大電流密度條件下使用。另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可在本發(fā)明精神內(nèi)做其他變化，當(dāng)然，這些依據(jù)本發(fā)明精神所做的變化，都應(yīng)包含在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍之內(nèi)。當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3