本發(fā)明涉及一種化合物，尤其涉及一種用于OLED主體材料的化合物及其合成方法和應(yīng)用。
背景技術(shù)：
：目前，顯示屏以TFT(ThinFilmTransistor，薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管)-LCD為主，由于其為非自發(fā)光之顯示器，必須透過背光源投射光線，依序穿透TFT-LCD面板中之偏光板、玻璃基板、液晶層、彩色濾光片、玻璃基板、偏光板等相關(guān)零組件，最后進(jìn)入人之眼睛成像，達(dá)到顯示之功能。但是其顯示屏在實(shí)際應(yīng)用過程中出現(xiàn)反應(yīng)速率慢、耗電、視角窄等缺點(diǎn)，不足以成為完美的顯示屏。相對(duì)而言，OLED，作為一種新型的平板顯示技術(shù)，其與傳統(tǒng)的LCD顯示方式相比，無需背光燈，采用非常薄的有機(jī)材料涂層和玻璃基板，當(dāng)有電流通過時(shí)，這些有機(jī)材料就會(huì)發(fā)光。因此，OLED具有自發(fā)光、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、超輕薄、響應(yīng)速度快、寬視角、低功耗及可實(shí)現(xiàn)柔性顯示等特性，近十幾年來取得了很大的發(fā)展和進(jìn)步，被譽(yù)為“夢(mèng)幻顯示器”。OLED的基本結(jié)構(gòu)是由一薄而透明具本道題特性的銦錫氧化物(ITO)，與電力的正極相連，再加上另一個(gè)金屬陰極，包成如三明治的結(jié)構(gòu)，如US4769292中公開的OLED。整個(gè)結(jié)構(gòu)層中包括了：空穴傳輸層(HTL)、發(fā)光層(EL)與電子傳輸層(ETL)。當(dāng)電力供應(yīng)至適當(dāng)電壓時(shí)，正極空穴與陰極電荷就會(huì)在發(fā)光層中結(jié)合，產(chǎn)生光亮，依其配方不同產(chǎn)生紅、綠和藍(lán)RGB三原色，構(gòu)成基本色彩。事實(shí)上，OLED在全色顯示等方面仍然存在不足，重要的原子之一是缺乏高性能的材料，因此，設(shè)計(jì)與合成新型有機(jī)發(fā)光材料是OLED研究工作中的重點(diǎn)。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：為了解決現(xiàn)有技術(shù)在實(shí)際應(yīng)用過程中的弊端，進(jìn)一步優(yōu)化OLED的使用性能，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案。第一方面，本發(fā)明提供了一種化合物，其主體分子結(jié)構(gòu)式命名為：9-氰基-蒽基二苯醚；其結(jié)構(gòu)為結(jié)構(gòu)式(I)所示：其中，R1、R2、R3、R4、R5單獨(dú)或共同為：氫或供電子基團(tuán)；A為9-氰基-蒽基苯結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述供電子基團(tuán)選自C1-C20烷烴及其烷氧基、醚類、芳香胺類、芳雜環(huán)類、芳稠環(huán)類。在本發(fā)明的另外一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述化合物的結(jié)構(gòu)優(yōu)選為下列結(jié)構(gòu)式：第二方面，本發(fā)明提供了一種結(jié)構(gòu)式(I)所示化合物的合成發(fā)法，其合成路線為：其合成步驟包括：原料在高沸點(diǎn)溶劑中以及高溫下，在計(jì)量的銅的存在下，進(jìn)行反應(yīng)，其中，高溫是指大于等于210℃；其中，R1、R2、R3、R4、R5單獨(dú)或共同為：氫或供電子基團(tuán)，A為9- 氰基-蒽基苯結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，合成步驟包括：步驟1：在氬氣保護(hù)下，混合化合物(1)、化合物(2)、溶劑硝基苯及催化劑活性銅粉；步驟2：在210℃下加熱反應(yīng)；步驟3：分離得到有機(jī)溶劑，溶劑濃縮得到粗產(chǎn)物，粗產(chǎn)物利用重結(jié)晶的方法提純，得到結(jié)構(gòu)式(I)所示化合物。第三方面，本發(fā)明提供了一種結(jié)構(gòu)式(I)所示化合物作為單體通過自由基聚合得到的聚合物。第四方面，本發(fā)明提供了一種結(jié)構(gòu)式(I)所示化合物及其聚合物在OLED主體材料中的應(yīng)用，其中：結(jié)構(gòu)式(I)所示化合物應(yīng)用于OLED器件的制作，包括應(yīng)用于藍(lán)色熒光材料的主體材料、藍(lán)色磷光材料的主體材料、熱激發(fā)延遲熒光材料的主體材料、空穴阻擋材料料；其聚合物通過溶液法制備薄膜，可以作為OLED的主體材料。第五方面，本發(fā)明提供了一種含有結(jié)構(gòu)式(I)所示化合物和/或其聚合物的有機(jī)發(fā)光二極管OLED，至少含有結(jié)構(gòu)式(I)所示化合物應(yīng)用于OLED器件的制作得到的藍(lán)色熒光材料的主體材料、藍(lán)色磷光材料的主體材料、熱激發(fā)延遲熒光材料的主體材料或空穴阻擋材料料，或其聚合物通過溶液法制備薄膜得到的OLED的主體材料。優(yōu)選地，本發(fā)明提供的有機(jī)發(fā)光二極管OLED，包括陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極，其含有結(jié)構(gòu)式(I)所示化合物和/或其聚合物。本發(fā)明提供的結(jié)構(gòu)式(I)所示化合物，作為一種新型的OLED主體材料，可以用于OLED器件的Host材料，為了得到較高的三線態(tài)能級(jí)需要材料本身的共軛長(zhǎng)度較小，但這就可能導(dǎo)致材料本身的熱穩(wěn)定性下降，影響OLED器件的壽命。因此，本發(fā)明采用氧橋?qū)刹糠止曹楏w系連接在一起，可以在保證其具有較高的三線態(tài)能級(jí)的條件下，同時(shí)具有良好的熱穩(wěn)定性。本發(fā)明提供的結(jié)構(gòu)式(I)所示化合物用于OLED主體材料，具有以下優(yōu)點(diǎn)及有益效果：Eg寬，HOMO深；增加電子傳輸性能；弱給電子集團(tuán)，平衡電荷 分布；空間位阻大的剛性集團(tuán)，增加熱穩(wěn)定性；平衡電荷分布，增加醚鍵穩(wěn)定性。附圖說明圖1為本發(fā)明提供的有機(jī)發(fā)光二極管OLED的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施方式第一方面，本發(fā)明提供了一種化合物，其主體分子結(jié)構(gòu)式命名為：9-氰基-蒽基二苯醚；其結(jié)構(gòu)為結(jié)構(gòu)式(I)所示：其中，R1、R2、R3、R4、R5單獨(dú)或共同為：氫或供電子基團(tuán)；A為9-氰基-蒽基苯結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，所述供電子基團(tuán)選自C1-C20烷烴及其烷氧基、醚類、芳香胺類、芳雜環(huán)類、芳稠環(huán)類。優(yōu)選地，所述化合物的結(jié)構(gòu)優(yōu)選為下列結(jié)構(gòu)式：第二方面，本發(fā)明提供了一種結(jié)構(gòu)式(I)所示化合物的合成發(fā)法，其合成路線為：其合成步驟包括：其合成步驟包括：原料在高沸點(diǎn)溶劑中以及高溫下，在計(jì)量的銅的存在下，進(jìn)行反應(yīng)，其中，高溫是指大于等于210℃；其中，R1、R2、R3、R4、R5單獨(dú)或共同為：氫或供電子基團(tuán)，A為9-氰基-蒽基苯結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，合成步驟包括：步驟1：在氬氣保護(hù)下，混合化合物(1)、化合物(2)、溶劑硝基苯及催化劑活性銅粉；步驟2：在210℃下加熱反應(yīng)；步驟3：分離得到有機(jī)溶劑，溶劑濃縮得到粗產(chǎn)物，粗產(chǎn)物利用重結(jié)晶的方法提純，得到結(jié)構(gòu)式(I)所示化合物。第三方面，本發(fā)明提供了一種結(jié)構(gòu)式(I)所示化合物作為單體通過自由基聚合得到的聚合物。第四方面，本發(fā)明提供了一種結(jié)構(gòu)式(I)所示化合物及其聚合物在OLED主體材料中的應(yīng)用，其中：結(jié)構(gòu)式(I)所示化合物應(yīng)用于OLED器件的制作，包括應(yīng)用于藍(lán)色熒光材料的主體材料、藍(lán)色磷光材料的主體材料、熱激發(fā)延遲熒光材料的主體材料、空穴阻擋材料料；其聚合物通過溶液法制備薄膜，可以作為OLED的主體材料。第五方面，本發(fā)明提供了一種含有結(jié)構(gòu)式(I)所示化合物和/或其聚合物的有機(jī)發(fā)光二極管OLED，至少含有結(jié)構(gòu)式(I)所示化合物應(yīng)用于OLED器件的制作得到的藍(lán)色熒光材料的主體材料、藍(lán)色磷光材料的主體材料、熱激發(fā)延遲熒光材料的主體材料或空穴阻擋材料，或其聚合物通過溶液法制備薄膜得到的OLED的主體材料。優(yōu)選地，本發(fā)明提供的有機(jī)發(fā)光二極管OLED，包括陽(yáng)極、空穴注入層、空 穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極，其含有結(jié)構(gòu)式(I)所示化合物和/或其聚合物。下面通過具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)和具體的解釋，以使更好的理解本發(fā)明，但是下述實(shí)施例并不限制本發(fā)明范圍。制備實(shí)施例1(1)合成路線(2)合成步驟：在Ar氣保護(hù)下將0.1mol化合物(1-1)與0.1mol化合物(2-1)加入到500ml圓底燒瓶中，以硝基苯為溶劑，并加入活性銅粉為催化劑，在210℃下加熱反應(yīng)，分離得到有機(jī)溶劑，溶劑濃縮得到粗產(chǎn)物，粗產(chǎn)物利用重結(jié)晶的方法提純，得到化合物(l-1)。(3)C42H24N2O，M＝572.19，檢測(cè)量＝573.3。制備實(shí)施例2(1)合成路線(2)合成步驟：在Ar氣保護(hù)下將0.1mol化合物(1-2)與0.1mol化合物(2-2)加入到500ml圓底燒瓶中，以硝基苯為溶劑，并加入活性銅粉為催化劑，在210℃下加熱反應(yīng)，分離得到有機(jī)溶劑，溶劑濃縮得到粗產(chǎn)物，粗產(chǎn)物利用重結(jié)晶的方法提純，得到化合物(l-2)。(3)C27H17NO，M＝371.13，檢測(cè)量＝372.2。制備實(shí)施例3(1)合成路線(2)合成步驟：在Ar氣保護(hù)下將0.1mol化合物(1-3)與0.1mol化合物(2-3)加入到500ml圓底燒瓶中，以硝基苯為溶劑，并加入活性銅粉為催化劑，在210℃下加熱反應(yīng)，分離得到有機(jī)溶劑，溶劑濃縮得到粗產(chǎn)物，粗產(chǎn)物利用重結(jié)晶的方法提純，得到化合物(l-3)。(3)C27H17NO，M＝371.13，檢測(cè)量＝372.3。對(duì)比應(yīng)用實(shí)施例1應(yīng)用對(duì)比例：將透明陽(yáng)極電極ITO基板在異丙醇中超聲清洗5-10分鐘，并暴露在紫外光下20-30分鐘，隨后用plasma處理5-10分鐘。隨后將處理后的ITO基板放入蒸鍍?cè)O(shè)備。首先蒸鍍一層30-50nm的NPB，然后混合蒸鍍CBP，以及5--10％的Ir(ppy)3，隨后蒸鍍20-40nm的Alq3，隨后再蒸鍍0.5-2nmLiF，隨后蒸鍍100-200nm的金屬Al。應(yīng)用實(shí)施例2：方法步驟同對(duì)比實(shí)施例，只是用化合物(l-1)替換CBP。器件Cd/ADriverVoltageCIExCIEy對(duì)比例10cd/A4.6V0.330.64實(shí)施例18cd/A4.5V0.330.64(以上數(shù)據(jù)經(jīng)PR-670光譜光度/色度/輻射度計(jì)測(cè)試得到)結(jié)果顯示相對(duì)對(duì)比例，該材料具有更好的效率，更低的驅(qū)動(dòng)電壓，并且能夠維持器件的發(fā)光光譜相對(duì)穩(wěn)定。對(duì)比應(yīng)用實(shí)施例2應(yīng)用對(duì)比例：將透明陽(yáng)極電極ITO基板在異丙醇中超聲清洗5-10分鐘，并暴露在紫外光下20-30分鐘，隨后用plasma處理5-10分鐘。隨后將處理后的ITO基板放入蒸鍍?cè)O(shè)備。首先蒸鍍一層30-50nm的NPB，然后混合蒸鍍CBP，以及5--10％的Ir(ppy)3，隨后蒸鍍20-40nm的Alq3，隨后再蒸鍍0.5-2nmLiF，隨后蒸鍍100-200nm的金屬Al。應(yīng)用實(shí)施例2：方法步驟同對(duì)比實(shí)施例，只是用化合物(l-2)替換CBP。器件Cd/ADriverVoltageCIExCIEy對(duì)比例10cd/A4.6V0.330.64實(shí)施例16cd/A4.5V0.330.64(以上數(shù)據(jù)經(jīng)PR-670光譜光度/色度/輻射度計(jì)測(cè)試得到)結(jié)果顯示相對(duì)對(duì)比例，該材料具有更好的效率，更低的驅(qū)動(dòng)電壓，并且能夠維持器件的發(fā)光光譜相對(duì)穩(wěn)定。對(duì)比應(yīng)用實(shí)施例3應(yīng)用對(duì)比例：將透明陽(yáng)極電極ITO基板在異丙醇中超聲清洗5-10分鐘，并暴露在紫外光下20-30分鐘，隨后用plasma處理5-10分鐘。隨后將處理后的ITO基板放入蒸鍍?cè)O(shè)備。首先蒸鍍一層30-50nm的NPB，然后混合蒸鍍CBP，以及5--10％的Ir(ppy)3，隨后蒸鍍20-40nm的Alq3，隨后再蒸鍍0.5-2nmLiF，隨后蒸鍍100-200nm的金屬Al。應(yīng)用實(shí)施例3：方法步驟同對(duì)比實(shí)施例，只是用化合物(l-3)替換CBP。器件Cd/ADriverVoltageCIExCIEy對(duì)比例10cd/A4.6V0.330.64實(shí)施例20cd/A4.5V0.330.64(以上數(shù)據(jù)經(jīng)PR-670光譜光度/色度/輻射度計(jì)測(cè)試得到)結(jié)果顯示相對(duì)對(duì)比例，該材料具有更好的效率，更低的驅(qū)動(dòng)電壓，并且能夠 維持器件的發(fā)光光譜相對(duì)穩(wěn)定。以上對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)描述，但其只是作為范例，本發(fā)明并不限制于以上描述的具體實(shí)施例。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，任何對(duì)本發(fā)明進(jìn)行的等同修改和替代也都在本發(fā)明的范疇之中。因此，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍下所作的均等變換和修改，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的范圍內(nèi)。當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3