專利名稱：表面活性添加劑和包含該表面活性添加劑的光刻膠組合物的制作方法
表面活性添加劑和包含該表面活性添加劑的光刻膠組合物相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用本申請(qǐng)是非臨時(shí)性提出并要求2011年5月27日提出的U. S.臨時(shí)專利申請(qǐng)序號(hào)61/490,825的優(yōu)先權(quán)，它的內(nèi)容在此全部引入作為參考。
背景技術(shù)：
在193納米進(jìn)行的浸沒式光刻法已經(jīng)顯示出作為有用的技術(shù)用于光刻膠薄膜中改善光刻印刷的性能，其通過有效增加曝光工具的數(shù)值孔徑(NA)，從而增加可以由光刻膠得到的分辨率。在浸沒式光刻法中，水膜和光學(xué)器件以及涂敷在待曝光的光刻膠薄膜上的頂部涂層的表面接觸。然而薄膜中使用的光刻膠配方遭受表面損失，即一部分頂部涂層可能產(chǎn)生不可預(yù)測(cè)程度的頂部剝離，這是由于在頂部涂層中的酸性組分和光刻膠薄膜中酸敏感性組分之間的相互作用造成的。 為了克服這些問題，光刻膠配方中已經(jīng)包括有表面活性淬滅劑(即，堿類)。光刻膠薄膜表面層中的過量堿類淬滅劑將會(huì)減輕源于頂部涂層的酸的攻擊并由此減小頂部損失程度和幫助保持良好的特征件(feature)輪廓。用于充滿光刻膠薄膜表面層的表面活性淬滅劑材料包括氟化的淬滅劑堿類和具有長(zhǎng)烷基鏈(C8或更長(zhǎng)的鏈)的堿類。雖然該方式在減小頂部損失方面顯示一些改進(jìn)，但是也可能發(fā)生不利的影響，例如像減少光刻的性能和增加微橋缺陷。據(jù)信這是由于在堿性顯影液水溶液或者水中基本上不溶的表面活性淬滅劑材料的疏水性質(zhì)造成的。此外，在頂部涂層工藝中小分子的淬滅劑材料通?？扇苡谟糜谕糠箜敳客繉拥娜軇?，因此這些小分子的淬滅劑可以很容易地被洗出。因此，希望存在一種配制的光刻膠，以便存在一種分散在薄膜表面以及頂部表面附件區(qū)域的濃縮淬滅劑材料，其對(duì)光刻和顯影性能沒有不利影響。

發(fā)明內(nèi)容
現(xiàn)有技術(shù)中的上述以及其他不足可以通過以下的聚合物克服，在一個(gè)實(shí)施方式中，該聚合物包含單體的聚合產(chǎn)物，所述單體包括含氮單體，該含氮單體具有式(Ia)、(Ib)，或者式(Ia)和(Ib)的組合；以及可酸去保護(hù)的單體，該單體具有式(11)11，
權(quán)利要求
1.一種聚合物，包含單體的聚合產(chǎn)物，所述單體包括 含有式(la)、式(Ib)或式(Ia)和式(Ib)組合的含氮單體，和具有式(II)的可酸去保護(hù)單體(Ib)
2.權(quán)利要求I所述的聚合物，其中含氮單體具有式(Ic)
3.權(quán)利要求I所述的聚合物，其中含氮單體是
4.權(quán)利要求I所述的聚合物，其中式(II)的可酸去保護(hù)單體是
5.權(quán)利要求I所述的聚合物，進(jìn)一步包含式(IV)的堿可溶性單體
6.權(quán)利要求5所述的聚合物，其中堿可溶性單體是
7.權(quán)利要求I所述的聚合物，進(jìn)一步包含式(V)的表面活性單體
8.權(quán)利要求7所述的聚合物，其中式(V)的表面活性單體是
9.光刻膠，包含 包含酸敏感性基團(tuán)和含內(nèi)酯的基團(tuán)的酸敏感性聚合物， 光致生酸劑，和 如權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的聚合淬滅劑。
10.涂覆的基材，其包含 (a)基材，其具有將要在其表面上圖形化的一個(gè)層或多個(gè)層；和(b)在所述將要圖形化的一個(gè)層或多個(gè)層上的權(quán)利要求9所述的光刻膠組合物的層。
全文摘要
本發(fā)明涉及表面活性添加劑和包含該表面活性添加劑的光刻膠組合物。一種聚合物，包含單體聚合的產(chǎn)物，所述單體包括含有式(Ia)、式(Ib)或式(Ia)和(Ib)組合的含氮單體，和具有式(II)的可酸去保護(hù)單體其中a是0或1；每個(gè)Ra獨(dú)立的是H、F、C1-C10烷基或者C1-C10氟化烷基，L1是直鏈或支鏈C1-C20亞烷基、或者單環(huán)、多環(huán)、或者稠合多環(huán)C3-C20亞環(huán)烷基，每個(gè)Rb獨(dú)立的是H、C1-C10烷基、C3-C20環(huán)烷基、C3-C20雜環(huán)烷基、脂肪族C5-C20氧基羰基或者任選包括雜原子取代基的C1-C30?；鶊F(tuán)，其中每個(gè)Rb是獨(dú)立的，或者至少一個(gè)Rb與相鄰的Rb相連；LN是含氮的單環(huán)、多環(huán)、或者稠合多環(huán)C3-C20亞雜環(huán)烷基；X是H、C1-C10烷基、脂肪族C5-C20氧基羰基或任選包括雜原子取代基的C1-C30?；鶊F(tuán)；每個(gè)Rc獨(dú)立的是C1-C10烷基、C3-C20環(huán)烷基、C3-C20雜環(huán)烷基，其中每個(gè)Rc是獨(dú)立的或者至少一個(gè)Rc與相鄰的Rc相連。
文檔編號(hào)C08F220/38GK102796221SQ201210243288
公開日2012年11月28日 申請(qǐng)日期2012年5月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月27日
發(fā)明者D·王, C·吳, 劉驄, G·波勒斯, C-B·徐, G·G·巴克利 申請(qǐng)人:羅門哈斯電子材料有限公司