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充電構件、處理盒和電子照相設備的制作方法

文檔序號:3620921閱讀:177來源:國知局
專利名稱:充電構件、處理盒和電子照相設備的制作方法
技術領域
本發(fā)明涉及充電構件和使用其的處理盒。
背景技術
作為用于電子照相感光構件的接觸充電的充電構件,廣泛使用具有支承體、設置于所述支承體上的導電性彈性層和設置于所述導電性彈性層上的絕緣性表面層的充電構件。目前,用于此類接觸充電系統(tǒng)的充電構件與感光構件保持接觸,因此前者的表面可被殘留于感光構件表面上的任意調色劑和外部添加劑等刮擦,從而調色劑以及調色劑的外部添加劑趨于附著到被刮擦的部分。已部分附著調色劑和外部添加劑的此類充電構件可能引起感光構件上的不均勻帶電。表面層在其磨耗部分還可保持低電阻,因此,當通過使用具有磨耗部分的充電構件來使感光構件靜電充電時,任何放電可集中于磨耗部分,結果使感光構件的表面劣化。對于此類問題,專利文獻I公開了通過在充電構件的各端部設置有間隔物構件(spacer member)在充電構件和感光構件之間保持空隙從而在此放電的方法。專利文獻2還公開了使用帶電促進顆粒來使充電構件的表面始終磨耗從而實現穩(wěn)定充電的方法。專利文獻3進一步公開了以40質量%以下的比例包含表氯醇-環(huán)氧乙烷共聚物的聚氨酯樹脂膜具有高耐磨耗性,并且此類膜在充電輥中的使用帶來充電輥耐久性(運行性能)的改善。[引文列表][專利文獻]專利文獻1:日本專利申請?zhí)亻_第H08-179591號專利文獻2:日本專利申請?zhí)亻_第2004-020844號專利文獻3:日本專利申請?zhí)亻_第H08-314233號

發(fā)明內容
發(fā)明要解決的問題然而,根據由本發(fā)明人進行的研究,根據專利文獻I的方法雖然因感光構件和充電構件彼此并不接觸可防止兩者磨耗,但是發(fā)現在有些情況中難以保持空隙。已發(fā)現根據專利文獻2的方法在有些情況中始終磨耗充電構件從而難以使感光構件恒定均勻地充電。另外,已發(fā)現根據專利文獻3的膜存在耐磨耗性進一步改善的空間。因此,本發(fā)明的目的是提供充電構件,所述充電構件設置有即使由于充電構件與感光構件接觸也不能容易地磨耗并且還具有有助于在充電構件與感光構件之間形成適當輥隙的適當彈性的表面層。本發(fā)明另外的目的是提供能夠長期形成良好圖像的處理盒和電子照相設備。用于解決問題的方案
根據本發(fā)明,提供充電構件,其包括:基體;彈性層;和表面層,其中:所述表面層包含具有S1-O-Hf鍵的高分子化合物;所述高分子化合物具有由下式(I)表示的結構單元和由下式(2)表示的結構單元:式(1)
權利要求
1.一種充電構件,其包括:基體;彈性層;和表面層,其中:所述表面層包含具有S1-O-Hf 鍵的高分子化合物;和所述高分子化合物具有由下式(I)表示的結構單元和由下式(2)表示的結構單元:式⑴
2.根據權利要求1所述的充電構件,其中式⑴中的R1和R2為由式⑵至(10)表示的結構的任一種:
3.根據權利要求1或2所述的充電構件,其中,在所述高分子化合物中,鉿的原子數與硅的原子數之比,Hf/Si,為0.1以上且5.0以下。
4.根據權利要求1至3任一項所述的充電構件,其中所述高分子化合物為由式(11)表示的可水解硅烷化合物和由式(12)表示的可水解鉿化合物的交聯(lián)產物:R33-Si (OR34) (OR35) (OR36) (11)Hf(OR37) (OR38) (OR39) (OR40) (12) 其中,式(11)中,R33表示由式(13)至(16)表示的結構的任一種;R34至R36各自獨立地表示具有I至4個碳原子的烷基;和式(12)中,R37至R4tl各自獨立地表示具有I至4個碳原子的烷基:
5.根據權利要求4所述的充電構件,其中所述高分子化合物為由上式(11)表示的可水解硅烷化合物、由上式(12)表示的可水解鉿化合物和由式(17)表示的可水解硅烷化合物的交聯(lián)產物: R67-Si (OR68) (OR69) (OR70) (17) 其中,式(17)中,R67表示具有I至21個碳原子的烷基或苯基,和R68至R7tl各自獨立表示具有I至6個碳原子的烷基。
6.—種電子照相設備,其包括: 電子照相感光構件;和與所述電子照相感光構件接觸配置的根據權利要求1至5任一項所述的充電構件。
7.一種處理盒,其包括: 電子照相感光構件;和與所述電子照相感光構件接觸配置的根據權利要求1至5任一項所述的充電構件, 其中所述處理盒以可拆卸地安裝到電子照相設備的主體的方式形成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種充電構件,其當與感光構件接觸時不可能經受磨耗并且其具有表面層,所述表面層具有有助于與感光構件形成適當輥隙的適當彈性。所述充電構件具有基體、彈性層和表面層,所述表面層包含具有Si-O-Hf鍵并具有由式(1)表示的結構單元和由式(2)表示的結構單元的高分子化合物式(1);HfO4/2 式(2)。
文檔編號C08G65/337GK103154827SQ201180046588
公開日2013年6月12日 申請日期2011年9月13日 優(yōu)先權日2010年9月27日
發(fā)明者鈴村典子, 黑田紀明, 友水雄也 申請人:佳能株式會社
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