電子照相感光構件、處理盒及電子照相設備和鎵酞菁晶體的制作方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及電子照相感光構件，各自包括該電子照相感光構件的處理盒和電子照 相設備，和鎵酞菁晶體。
【背景技術】
[0002] 已頻繁地用作電子照相感光構件的圖像曝光裝置的半導體激光的振蕩波長目前 為長波長如650至820nm。因此，對具有這種長波長的光具有高靈敏度的電子照相感光構件 的開發(fā)是先進的。
[0003] 酞菁顏料作為對具有這種長-波長區(qū)域的光具有高靈敏度的電荷產生物質是有 效的。特別地，氧鈦酞菁和鎵酞菁具有優(yōu)良的靈敏度特性，且至今為止已報道了其各種晶體 形態(tài)。
[0004] 使用酞菁顏料的電子照相感光構件具有優(yōu)良的靈敏度特性。然而，電子照相感光 構件涉及以下問題。生成的光載流子（photo-carrier)易于殘存在其感光層上并且易于用 作一種存儲器以引起電位變化如重影現(xiàn)象。
[0005] 另外，專利文獻1報道了以下內容。當顏料和特定的有機電子受體進行濕式粉碎 處理時，在晶體變換的同時將有機電子受體取入晶體的表面，從而改進電子照相特性。
[0006] 另外，專利文獻2和3公開了氮化的杯芳烴化合物或間苯二酚芳烴化合物用于感 光層。該化合物用于試圖減輕重影現(xiàn)象。
[0007] 現(xiàn)有技術文獻
[0008] 專利文獻
[0009] PTLl :日本專利申請?zhí)亻_2006-72304號公報
[0010] PTL2 :日本專利申請?zhí)亻_2001-66804號公報
[0011] PTL3 :日本專利申請?zhí)亻_2002-229228號公報

【發(fā)明內容】

[0012] 發(fā)明要解決的問題
[0013] 如上所述，對電子照相感光構件已嘗試各種改進。
[0014] 然而，近年來與圖像品質的額外改進相關，已期望在各種環(huán)境下的歸因于重影現(xiàn) 象的圖像品質的劣化的額外減輕。專利文獻1中公開的方法仍具有改進的空間，這是因為 該方法中待獲得的酞菁晶體在其內部不包含有機電子受體，并且僅僅具有混合于其中或附 著至其表面的受體。各專利文獻2和3中公開的方法具有抑制歸因于重影現(xiàn)象的圖像品質 劣化的進一步改進的空間。
[0015] 考慮到前述，本發(fā)明旨在提供不僅在常溫常濕環(huán)境下，而且在作為特別嚴厲條件 的低溫低濕環(huán)境下，能夠輸出具有歸因于重影現(xiàn)象的圖像缺陷少的圖像的電子照相感光構 件，和各自包括該電子照相感光構件的處理盒和電子照相設備。
[0016] 進一步地，本發(fā)明旨在提供其中包含特定化合物的鎵酞菁晶體。
[0017] 用于解決問題的方案
[0018] 根據本發(fā)明的一個方面，提供包括支承體和形成在支承體上的感光層的電子照相 感光構件，其中感光層包括其中包含由下式（1)表示的化合物的鎵酞菁晶體。
[0019]
【主權項】
1. 一種電子照相感光構件，其包括： 支承體；和 形成在所述支承體上的感光層； 其特征在于所述感光層包括鎵酞菁晶體， 所述鎵酞菁晶體內包含由下式（1)表示的化合物：
其中， η表示選自4至8的整數(shù)， η個R1可相同或互不同，并表示氫原子或者取代或未取代的烷基， η個R2可相同或互不同，并表示氫原子或烷基， η個R3可相同或互不同，并表示氫原子或烷基，和 η個Ar1可相同或互不同，并表示取代或未取代的芳族烴環(huán)基團，取代或未取代的雜環(huán) 基團，或由選自由取代的芳族烴環(huán)基團、未取代的芳族烴環(huán)基團、取代的雜環(huán)基團、和未取 代的雜環(huán)基團組成的組中的多個基團的結合形成的一價基團。
2. 根據權利要求1所述的電子照相感光構件，其中至少兩個R 1表示烷基。
3. 根據權利要求1或2所述的電子照相感光構件，其中至少一個Ar 1表示具有選自由 氰基、硝基、和鹵素原子組成的組中的至少一種基團的苯基。
4. 根據權利要求3所述的電子照相感光構件，其中至少一個Ar 1表示在其間位具有氰 基和硝基之一的苯基。
5. 一種電子照相感光構件，其包括： 支承體；和 形成在所述支承體上的感光層； 其特征在于所述感光層包括鎵酞菁晶體， 所述鎵酞菁晶體內包含由下式（2)表示的化合物：
其中， 4個R11可相同或互不同，并表示氫原子、取代或未取代的烷基、或者取代或未取代的芳 基，和 4個Ar11可相同或互不同，并表示取代或未取代的芳族烴環(huán)基團，取代或未取代的雜環(huán) 基團，或由選自由取代的芳族烴環(huán)基團、未取代的芳族烴環(huán)基團、取代的雜環(huán)基團、和未取 代的雜環(huán)基團組成的組中的多個基團的結合形成的一價基團。
6. 根據權利要求5所述的電子照相感光構件，其中全部4個R 11表示烷基。
7. 根據權利要求5或6所述的電子照相感光構件，其中至少一個Ar 11表示具有選自由 氰基、硝基、和鹵素原子組成的組中的至少一種基團的苯基。
8. 根據權利要求7所述的電子照相感光構件，其中至少一個Ar 11表示表示在其間位具 有氰基和硝基之一的苯基。
9. 根據權利要求1至8任一項所述的電子照相感光構件，其中所述鎵酞菁晶體包括在 其晶體內包含N，N-二甲基甲酰胺的鎵酞菁晶體。
10. 根據權利要求1至9任一項所述的電子照相感光構件，其中所述鎵酞菁晶體為羥基 嫁釀菁晶體。
11. 根據權利要求10所述的電子照相感光構件，其中所述羥基鎵酞菁晶體為在CuK α 的X-射線衍射中布拉格角2 Θ為7. 4° ±0.3°和28. 3° ±0.3°處具有峰的羥基鎵酞菁 晶體。
12. -種可拆卸地安裝至電子照相設備的主體的處理盒，其特征在于所述處理盒一體 化支承： 根據權利要求1至11任一項所述的電子照相感光構件；和 選自由充電裝置，顯影裝置，轉印裝置，和清潔裝置組成的組中的至少一種裝置。
13. -種電子照相設備，其特征在于包括： 根據權利要求1至11任一項所述的電子照相感光構件； 充電裝置； 圖像曝光裝置； 顯影裝置；和 轉印裝置。
14. 一種鎵酞菁晶體，其特征在于包含由下式（1)和下式（2)之一表示的化合物：
其中， η表示選自4至8的整數(shù)， η個R1可相同或互不同，并表示氫原子或者取代或未取代的烷基， η個R2可相同或互不同，并表示氫原子或烷基， η個R3可相同或互不同，并表示氫原子或烷基，和 η個Ar1可相同或互不同，并表示取代或未取代的芳族烴環(huán)基團，取代或未取代的雜環(huán) 基團，或由選自由取代的芳族烴環(huán)基團、未取代的芳族烴環(huán)基團、取代的雜環(huán)基團、和未取 代的雜環(huán)基團組成的組中的多個基團的結合形成的一價基團；和
其中， 4個R11可相同或互不同，并表示氫原子、取代或未取代的烷基、或者取代或未取代的芳 基，和 4個Ar11可相同或互不同，并表示取代或未取代的芳族烴環(huán)基團，取代或未取代的雜環(huán) 基團，或由選自由取代的芳族烴環(huán)基團、未取代的芳族烴環(huán)基團、取代的雜環(huán)基團、和未取 代的雜環(huán)基團組成的組中的多個基團的結合形成的一價基團。
【專利摘要】提供不僅在常溫常濕環(huán)境下，而且在作為特別嚴厲條件的低溫低濕環(huán)境下，能夠輸出具有歸因于重影現(xiàn)象的圖像缺陷少的圖像的電子照相感光構件，和各自包括所述電子照相感光構件的處理盒和電子照相設備。所述電子照相感光構件為包括感光層的電子照相感光構件，其中所述感光層包括其中包含由下式(1)或下式(2)表示的化合物的鎵酞菁晶體。
【IPC分類】G03G5-06, G03G5-00
【公開號】CN104854512
【申請?zhí)枴緾N201380065391
【發(fā)明人】田中正人
【申請人】佳能株式會社
【公開日】2015年8月19日
【申請日】2013年12月3日
【公告號】WO2014092033A1