專利名稱：具有超親水性的聚吡咯微/納米多級結(jié)構(gòu)的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種微/納米多級結(jié)構(gòu)材料的制備方法，尤其是涉及一種具有超親水性的聚吡 咯微/納米多級結(jié)構(gòu)的制備方法。
背景技術(shù)：
一維納米材料因其尺寸上的微觀性，從而表現(xiàn)出特殊的光、電、磁及生物活性等特性。 這些特性使其在微觀領(lǐng)域和納米器件研制方面有著重要的應(yīng)用前景。將一維納米材料進(jìn)行組 裝和集成，有目的地制備具有特定形貌的微/納米多級結(jié)構(gòu)，可進(jìn)一步獲得新的綜合性能，并 實現(xiàn)其在微納米器件等領(lǐng)域的應(yīng)用，如組裝后的一維納米材料可用作微型集成電路中的導(dǎo)線 和內(nèi)核 (Huang， Y.， X. F. Duan, et al. (2001). "Directed assembly of one-dimensional nanostructures into functional networks." Science 291(5504): 630-633; Kovtyukhova, N. I. and T. E. Mallouk (2002). "Nanowires as Building Blocks for Self-Assembling Logic and Memory Circuits." Chemistry - A European Journal 8(19): 4355-4363)。目前己有大量有關(guān)微/納米多級結(jié)構(gòu)的報 道，多種具有不同形貌的半導(dǎo)體和金屬(如碳、硅、鎢等)的微/納米多級結(jié)構(gòu)，如梳狀、海 膽狀、羽毛狀等均被成功制備(Pan, Z. W.， S. M. Mahurin， et al. (2005). "Nanowire array gratings with ZnO combs." Nano Letters 5(4): 723-727; Gu, Z. J., T. Y. Zhai， et al. (2006). "Controllable assembly of W03 nanorods/nanowires into hierarchical nanostructures." Journal of Physical Chemistry B 110(47): 23829-23836; Shi， H. T., L. M. Qi， et al. (2005). "Architectural control of hierarchical nanobelt superstructures in catanionic reverse micelles." Advanced Functional Materials 15(3): 442-450)。
聚吡咯是一種導(dǎo)電聚合物，作為新材料，有穩(wěn)定性好、摻雜后導(dǎo)電性高等優(yōu)點。具有一 維納米結(jié)構(gòu)的聚吡咯納米線，兼具導(dǎo)電聚吡咯和一維納米材料的共同優(yōu)點，因此它在超微型 納米器件、高靈敏度化學(xué)和生物傳感器、高密度能量存儲元件等方面有巨大的應(yīng)用潛力。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種具有超親水性的聚吡咯微/納米多級結(jié)構(gòu)的制備方法。 本發(fā)明包括以下步驟
1)以吡咯和高氯酸鋰的水溶液為電解液，采用電化學(xué)法在預(yù)處理后的工作電極表面制備具有微米形貌的聚吡咯膜；
2)在由吡咯、高氯酸鋰、形貌誘導(dǎo)劑和磷酸鹽緩沖液組成的電解液中，采用電化學(xué)法在 步驟1)制備的具有微米形貌的聚吡咯膜表面合成聚吡咯納米線。
在步驟1)中，所述工作電極最好為ITO導(dǎo)電玻璃，其面積為0.2~2 cm2，電導(dǎo)率為0.1~1.0 S cnf1;所述預(yù)處理最好是依次用去離子水、無水乙醇、去離子水超聲清洗后烘干；按摩爾 體積比，所述電解液中吡咯濃度最好為0.05 0.40mol/L，高氯酸鋰濃度最好為0.04-0.20 mol/L; 所述電化學(xué)法指恒電位法、恒電流法或循環(huán)伏安法，當(dāng)采用恒電位法時，電位施加范圍最好 為0.60~1.10 V，施加時間最好為50-1800 s;當(dāng)采用恒電流法時，電流密度最好為0.6-10.0 mA/cm2，施加時間最好為60-1800 s;當(dāng)采用循環(huán)伏安法時，電位掃描范圍最好為0~1.1 V， 電位掃描速率最好為10~200mV/S，掃描周數(shù)最好為5~50周。
在步驟2)中，按摩爾體積比，所述電解液中吡咯濃度為0.06~0.20 mol/L，高氯酸鋰濃 度為0.04-0.10 mol/L，磷酸鹽緩沖液濃度為0.05-0.40 mol/L， pH值最好為6.4~7.3;所述形 貌誘導(dǎo)劑最好為可溶性淀粉，按質(zhì)量百分比，在電解液中形貌誘導(dǎo)劑的濃度為0.005%~0.05 %; 所述電化學(xué)法指恒電位法、恒電流法或循環(huán)伏安法，當(dāng)采用恒電位法時，電位施加范圍最好 為0.70~1.00 V，施加時間最好為100~1800 s;當(dāng)采用恒電流法時，電流密度最好為0.6~10.0 mA/cm2，施加時間最好為60-1800 s;當(dāng)采用循環(huán)伏安法時，電位掃描范圍最好為0~1.1 V， 掃描速率最好為10-200 mV/s，掃描周數(shù)最好為5 50周。
本發(fā)明采用兩步電化學(xué)法，第一步先制備出具有一定微米結(jié)構(gòu)表面形貌的聚吡咯，再于 第二步中采用生物分子淀粉為形貌誘導(dǎo)劑，在已形成的微米結(jié)構(gòu)表面上通過電化學(xué)合成聚吡 咯納米線，從而得到聚吡咯微/納米多級結(jié)構(gòu)。該聚吡咯微/納米多級結(jié)構(gòu)表面具有明顯的多孔 結(jié)構(gòu)，顯示出良好的超親水性能。由于采用可溶性淀粉作為形貌誘導(dǎo)劑，因此無需使用有機(jī) 溶劑和表面活性劑，無污染；制備過程可控性好，可通過調(diào)節(jié)單體濃度、電解質(zhì)濃度、電流 密度、電位和反應(yīng)時間來控制納米線的長短、直徑，從而調(diào)控最終多級結(jié)構(gòu)的形貌。此外， 還具備諸如制備時間短(-1000 s)，成本低，無需昂貴的模板，操作簡便，無需后處理等優(yōu) 點。所制備的超親水聚吡咯微/納米多級結(jié)構(gòu)在微納米器件領(lǐng)域具有良好的應(yīng)用前景。


圖1為實施例1所制備的具有微米級菜花狀形貌的聚吡咯膜表面電鏡照片。在圖1中， 標(biāo)尺為5|xm。
圖2為實施例1所制備的聚吡咯微/納米多級結(jié)構(gòu)表面電鏡照片，其右上角插入圖片為水 滴在該聚吡咯微/納米多級結(jié)構(gòu)表面的接觸角照片。在圖2中，標(biāo)尺為5pm。圖3為實施例l所制備的聚吡咯微/納米多級結(jié)構(gòu)的紅外反射光譜圖，在圖3中，橫坐標(biāo) 為波數(shù)/cm-1，縱坐標(biāo)為反射率/%。
具體實施例方式
下面通過實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。 實施例1
1) 制備表面具有微米形貌的聚吡咯膜
以單體吡咯(0.28 M)和高氯酸鋰(0.07 M)的水溶液為電解液，電化學(xué)合成前先在溶 液中通入氮氣數(shù)分鐘，以除去其中的氧氣。采用三電極體系，以面積為0.5cm2、電導(dǎo)率為0.6 Scm^的ITO作為工作電極，鉑絲電極為對電極，飽和甘汞電極為參比電極。在恒電位儀的 控制下，室溫施加電壓0.85V， 200s后，即可在工作電極ITO上得到一層表面具有微米級菜 花狀形貌的黑色聚吡咯膜(參見圖l)。
2) 在微米形貌表面自組裝合成聚吡咯納米線
以單體吡咯(0.14 M)、高氯酸鋰(0.07 M)和形貌誘導(dǎo)劑淀粉(0.02 wt%)的磷酸鹽緩 沖液(0.20M， pH=6.86)溶液為電解液，電化學(xué)聚合前先在體系中通氮氣數(shù)分鐘，以除去其 中的氧氣。釆用三電極體系，以上述l)中制得的覆蓋在ITO上的具有微米級菜花狀表面形 貌的聚吡咯膜為工作電極，鉑絲電極為對電極，飽和甘汞電極為參比電極。在恒電位儀的控 制下，室溫施加電壓0.85V，施加時間400s后，即可在微米級菜花狀聚吡咯膜表面再生長一 層聚吡咯網(wǎng)狀納米線，從而得到聚吡咯微/納米多級結(jié)構(gòu)，其納米線的長度為1.5nm以上，直 徑為90nm左右(參見圖2)。由其紅外光譜(參見圖3)可見，1480和1548cm—1分別為吡咯 環(huán)的對稱和非對稱振動特征峰，1303 cm—1為C-N鍵的伸縮振動吸收峰，1032 cm'1為C-H鍵 的變形振動吸收峰，由此可證明該微/納米多級結(jié)構(gòu)的組成為聚吡咯。接觸角測試結(jié)果顯示該 聚吡咯微/納米多級結(jié)構(gòu)的衷面接觸角為0° ，表明其具有表面超親水性(圖2的插入圖)。
實施例2
1) 制備表面具有微米形貌的聚吡咯膜
以單體吡咯(0.05M)和高氯酸鋰(0.07 M)的水溶液為電解液，電化學(xué)合成前先在溶液 中通入氮氣數(shù)分鐘，以除去其中的氧氣。采用三電極體系，以面積為0.5cm2、電導(dǎo)率為0.6S cm^的ITO作為工作電極，鉑絲電極為對電極，飽和甘汞電極為參比電極。在恒電位儀的控 制下，室溫施加電壓1.1V， 50s后，即可在工作電極ITO上得到一層表面具有微米級菜花狀 形貌的黑色聚吡咯膜。
2) 在微米形貌表面自組裝合成聚吡咯納米線
5以單體吡咯(0.06 M)、高氯酸鋰(0.07 M)和形貌誘導(dǎo)劑淀粉(0.02 wt%)的磷酸鹽緩 沖液(0.20M， pH=6.86)溶液為電解液，電化學(xué)聚合前先在體系中通氮氣數(shù)分鐘，以除去其 中的氧氣。采用三電極體系，以上述l)中制得的覆蓋在ITO上的具有微米級菜花狀表面形 貌的聚吡咯膜為工作電，鉑絲電極為對電極，飽和甘汞電極為參比電極。在恒電位儀的控制 下，室溫施加電壓1.00V，施加時間100s后，即可在微米級菜花狀聚吡咯膜表面再生長一層 網(wǎng)狀聚吡咯納米線，從而得到聚吡咯微/納米多級結(jié)構(gòu)，其納米線的長度為1 pm以上，直徑 為100nm左右。經(jīng)紅外反射光譜表征證明其組成為聚吡咯，接觸角測試結(jié)果顯示該聚吡咯微 /納米多級結(jié)構(gòu)的表面接觸角為0° ，表明其具有表面超親水性。
實施例3
1) 制備表面具有微米形貌的聚吡咯膜
以單體吡咯(0.40 M)和高氯酸鋰(0.07 M)的水溶液為電解液，電化學(xué)合成前先在溶 液中通入氮氣數(shù)分鐘，以除去其中的氧氣。采用三電極體系，以面積為0.5cm2、電導(dǎo)率為0.6 Scm—i的ITO作為工作電極，鉑絲電極為對電極，飽和甘汞電極為參比電極。在恒電位儀的 控制下，室溫施加電壓0.70V， 1200 s后，即可在工作電極ITO上得到了一層表面具有微米 級菜花狀形貌的黑色聚吡咯膜。
2) 在微米形貌表面自組裝合成聚吡咯納米線
以單體吡咯(0.20 M)、高氯酸鋰(0.07 M)和形貌誘導(dǎo)劑淀粉(0.02 wt%)的磷酸鹽緩 沖液(0.20M， pH=6.86)溶液為電解液，電化學(xué)聚合前先在體系中通氮氣數(shù)分鐘，以除去其 中的氧氣。采用三電極體系，以上述l)中制得的覆蓋在ITO上的具有微米級菜花狀表面形 貌的聚吡咯膜為工作電極，鉑絲電極為對電極，飽和甘汞電極為參比電極。在恒電位儀的控 制下，室溫施加電壓0.75V，施加時間1200s后，即可在微米級菜花狀聚吡咯膜表面再生長 一層網(wǎng)狀聚吡咯納米線，從而得到聚吡咯微/納米多級結(jié)構(gòu)，其納米線的長度為1.7pm以上， 直徑為65nm左右。經(jīng)紅外反射光譜表征證明其組成為聚吡咯，接觸角測試結(jié)果顯示該聚吡 咯微/納米多級結(jié)構(gòu)的表面接觸角為0° ，表明其具有表面超親水性。
實施例4
1)制備表面具有微米形貌的聚吡咯膜
以單體吡咯(0.28M)和高氯酸鋰(0.20M)的水溶液為電解液，電化學(xué)合成前先在溶液 中通入氮氣數(shù)分鐘，以除去其中的氧氣。采用三電極體系，以面積為0.2^!12、電導(dǎo)率為0.1S cn^的ITO作為工作電極，鉑絲電極為對電極，飽和甘汞電極為參比電極。采用循環(huán)伏安法， 在電勢0 0.80V，掃描速度10mV/s下掃描10周后，即可在工作電極ITO上得到了一層表面具有微米級菜花狀形貌的黑色聚吡咯膜。
2)在微米形貌表面自組裝合成聚吡咯納米線
以單體吡咯(0.14 M)、高氯酸鋰(0.10 M)和形貌誘導(dǎo)劑淀粉(0.02wt%)的磷酸鹽緩 沖液(0.20 M， pH=6.86)溶液為電解液，電化學(xué)聚合前先在體系中通氮氣數(shù)分鐘，以除去其 中的氧氣。采用三電極體系，以上述l)中制得的覆蓋在ITO上的具有微米級菜花狀表面形 貌的聚吡咯膜為工作電，鉑絲電極為對電極，飽和甘汞電極為參比電極。采用恒電流法，室 溫施加電流0.6mA，施加時間1800s后，即可在微米級菜花狀聚吡咯膜表面再生長一層網(wǎng)狀 聚吡咯納米線，從而得到聚吡咯微/納米多級結(jié)構(gòu)，其納米線的長度為1.2 pm以上，直徑為 95nm左右。經(jīng)紅外反射光譜表征證明其組成為聚吡咯，接觸角測試結(jié)果顯示該聚吡咯微/納 米多級結(jié)構(gòu)的表面接觸角為O。，表明其具有表面超親水性。
實施例5
1) 制備表面具有微米形貌的聚吡咯膜
以單體吡咯(0.28 M)和高氯酸鋰(0.04 M)的水溶液為電解液，電化學(xué)合成前先在溶 液中通入氮氣數(shù)分鐘，以除去其中的氧氣。采用三電極體系，以面積為2.0cm2、電導(dǎo)率為l.O Scn^的ITO作為工作電極，鉑絲電極為對電極，飽和甘汞電極為參比電極。采用循環(huán)伏安 法，在電勢0 1.10V，掃描速度200mV/s下掃描50周后，即可在工作電極ITO上得到了一 層表面具有微米級菜花狀形貌的黑色聚吡咯膜。
2) 在微米形貌表面自組裝合成聚吡咯納米線
以單體吡咯(0.14 M)、高氯酸鋰(0.04 M)和形貌誘導(dǎo)劑淀粉(0.005wt%)的磷酸鹽緩 沖液(0.35 M， pH=6.40)溶液為電解液，電化學(xué)聚合前先在體系中通氮氣數(shù)分鐘，以除去其 中的氧氣。采用三電極體系，以上述l)中制得的覆蓋在ITO上的具有微米級菜花狀表面形 貌的聚吡咯膜為工作電極，鉑絲電極為對電極，飽和甘汞電極為參比電極。采用恒電流法， 室溫施加電流lOmA，施加時間100s后，即可在微米級菜花狀聚吡咯膜表面再生長一層網(wǎng)狀 聚吡咯納米線，從而得到聚吡咯微/納米多級結(jié)構(gòu)，其納米線的長度為1.5 pm以上，直徑為 85nm左右。經(jīng)紅外反射光譜表征證明其組成為聚吡咯，接觸角測試結(jié)果顯示該聚吡咯微/納 米多級結(jié)構(gòu)的表面接觸角為O。，表明其具有表面超親水性。
實施例6
1)制備具有微米級表面形貌的聚吡咯膜
以單體吡咯(0.28 M)和高氯酸鋰(0.07 M)的水溶液為電解液，電化學(xué)合成前先在溶 液中通入氮氣數(shù)分鐘，以除去其中的氧氣。采用三電極體系，以面積為0.5cm2、電導(dǎo)率為0.6Scrr^的ITO作為工作電極，鉑絲電極為對電極，飽和甘汞電極為參比電極。采用恒電流法， 室溫施加電流0.6mA，施加時間1800s后，即可在工作電極ITO上得到了一層表面具有微米 級菜花狀形貌的黑色聚吡咯膜。
2)在微米級菜花狀表面自組裝合成聚吡咯納米線
以單體吡咯(0.14 M)、高氯酸鋰(0.04 M)和形貌誘導(dǎo)劑淀粉(0.05wt%)的磷酸鹽緩 沖液(0.05 M， pH=7.30)溶液為電解液，電化學(xué)聚合前先在體系中通氮氣數(shù)分鐘，以除去其 中的氧氣。采用三電極體系，以上述l)中制得的覆蓋在ITO上的具有微米級菜花狀表面形 貌的聚吡咯膜為工作電，鉑絲電極為對電極，飽和甘汞電極為參比電極。采用循環(huán)伏安法， 在電勢0 0.80V，掃描速度10mV/s下掃描10周后，即可在微米級菜花狀聚吡咯膜表面再生 長一層網(wǎng)狀聚吡咯納米線，從而得到聚吡咯微/納米多級結(jié)構(gòu)，其納米線的長度為1.3 iam以上， 直徑為80nm左右。經(jīng)紅外反射光譜表征證明其組成為聚吡咯，接觸角測試結(jié)果顯示該聚吡 咯微/納米多級結(jié)構(gòu)的表面接觸角為0° ，表明其具有表面超親水性。
實施例7
1) 制備具有微米級表面形貌的聚吡咯膜
以單體吡咯(0.20 M)和高氯酸鋰(0.05 M)的水溶液為電解液，電化學(xué)合成前先在溶 液中通入氮氣數(shù)分鐘，以除去其中的氧氣。采用三電極體系，以面積為2.0cm2、電導(dǎo)率為0.3 Scm—i的ITO作為工作電極，鉑絲電極為對電極，飽和甘汞電極為參比電極。采用恒電流法， 室溫施加電流10mA，施加時間60s后，即可在工作電極ITO上得到了一層表面具有微米級 菜花狀形貌的黑色聚吡咯膜。
2) 在微米級菜花狀表面自組裝合成聚吡咯納米線
以單體吡咯(0.14 M)、高氯酸鋰(0.06 M)和形貌誘導(dǎo)劑淀粉(0.02wt%)的磷酸鹽緩 沖液(0.1 M， pH=6.80)溶液為電解液，電化學(xué)聚合前先在體系中通氮氣數(shù)分鐘，以除去其 中的氧氣。采用三電極體系，以上述l)中制得的覆蓋在ITO上的具有微米級菜花狀表面形 貌的聚吡咯膜為工作電，鉑絲電極為對電極，飽和甘汞電極為參比電極。采用循環(huán)伏安法， 在電勢0 1.10V，掃描速度200 mV/s下掃描50周后，即可在微米級菜花狀聚吡咯膜表面再 生長一層網(wǎng)狀聚吡咯納米線，從而得到聚吡咯微/納米多級結(jié)構(gòu)，其納米線的長度為1.5 以 上，直徑為105nm左右。經(jīng)紅外反射光譜表征證明其組成為聚吡咯，接觸角測試結(jié)果顯示該 聚吡咯微/納米多級結(jié)構(gòu)的表面接觸角為0° ，表明其具有表面超親水性。
權(quán)利要求
1.具有超親水性的聚吡咯微/納米多級結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于包括以下步驟1)以吡咯和高氯酸鋰的水溶液為電解液，采用電化學(xué)法在預(yù)處理后的工作電極表面制備具有微米形貌的聚吡咯膜；2)在由吡咯、高氯酸鋰、形貌誘導(dǎo)劑和磷酸鹽緩沖液組成的電解液中，采用電化學(xué)法在步驟1)制備的具有微米形貌的聚吡咯膜表面合成聚吡咯納米線。
2. 如權(quán)利要求1所述的具有超親水性的聚吡咯微/納米多級結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于在步驟l)中，所述工作電極為ITO導(dǎo)電玻璃，其面積為0.2~2cm2，電導(dǎo)率為0.1-1.0 S cm_1。
3. 如權(quán)利要求1所述的具有超親水性的聚吡咯微/納米多級結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于在步驟l)中，所述預(yù)處理是依次用去離子水、無水乙醇、去離子水超聲清洗后烘干。
4. 如權(quán)利要求1所述的具有超親水性的聚吡咯微/納米多級結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于在步驟l)中，按摩爾體積比，所述電解液中吡咯濃度為0.05 0.40mol/L，高氯酸鋰濃度為0.04~0.20 mol/L。
5. 如權(quán)利要求1所述的具有超親水性的聚吡咯微/納米多級結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于在步驟1)中，所述電化學(xué)法指恒電位法、恒電流法或循環(huán)伏安法，當(dāng)采用恒電位法時，電位施加范圍為0.60 1.10V，施加時間為50~1800s;當(dāng)采用恒電流法時，電流密度為0.6~10.0mA/cm2，施加時間為60 1800s;當(dāng)采用循環(huán)伏安法時，電位掃描范圍為0~1.1 V，電位掃描速率為10-200 mV/s，掃描周數(shù)為5~50周。
6. 如權(quán)利要求1所述的具有超親水性的聚吡咯微/納米多級結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于在步驟2)中，按摩爾體積比，所述電解液中吡咯濃度為0.06~0.20 mol/L，高氯酸鋰濃度為0.04-0.10 mol/L，磷酸鹽緩沖液濃度為0.05-0.40 mol/L， pH值為6.4~7.3。
7. 如權(quán)利要求1所述的具有超親水性的聚吡咯微/納米多級結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于在步驟2)中，所述形貌誘導(dǎo)劑為可溶性淀粉，按質(zhì)量百分比，在電解液中形貌誘導(dǎo)劑的濃度為0.005%~0.05 t%。
8. 如權(quán)利要求1所述的具有超親水性的聚吡咯微/納米多級結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于在步驟2)中，所述電化學(xué)法指恒電位法、恒電流法或循環(huán)伏安法，當(dāng)采用恒電位法時，電位施加范圍為0.70-1.00 V，施加時間為100-1800 s;當(dāng)采用恒電流法時，電流密度為0.6~10.0mA/cm2，施加時間為60 1800s;當(dāng)采用循環(huán)伏安法時，電位掃描范圍為0~1.1 V，掃描速率為10~200 mV/s，掃描周數(shù)為5~50周。
全文摘要
具有超親水性的聚吡咯微/納米多級結(jié)構(gòu)的制備方法，涉及一種微/納米多級結(jié)構(gòu)材料的制備方法，提供一種具有超親水性能的聚吡咯微/納米多級結(jié)構(gòu)的制備方法。以吡咯和高氯酸鋰的水溶液為電解液，采用電化學(xué)法在預(yù)處理后的工作電極表面制備具有微米形貌的聚吡咯膜；然后在由吡咯、高氯酸鋰、形貌誘導(dǎo)劑和磷酸鹽緩沖液組成的電解液中，采用電化學(xué)法在具有微米形貌的聚吡咯膜表面合成聚吡咯納米線。該聚吡咯微/納米多級結(jié)構(gòu)表面具有明顯的多孔結(jié)構(gòu)，顯示出良好的超親水性能。制備過程可控，可通過調(diào)節(jié)單體濃度、電解質(zhì)濃度、電流密度、電位和反應(yīng)時間來控制納米線的長短、直徑，從而調(diào)控最終多級結(jié)構(gòu)的形貌。
文檔編號C08L65/00GK101550239SQ200910111759
公開日2009年10月7日 申請日期2009年5月12日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月12日
發(fā)明者戚汝財, 巍 石, 靜 穆, 葛東濤, 黃三慶 申請人:廈門大學(xué)