多晶硅還原爐接地泄露電流的檢測裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種多晶硅還原爐接地泄露電流的檢測裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域中，還原爐是生產(chǎn)多晶硅的核心設(shè)備。在利用還原爐生成多晶硅時(shí)，還原爐內(nèi)的電流回路不可避免的會產(chǎn)生接地泄露電流，但如果接地泄露電流過大容易發(fā)生接地故障。所以，還原爐運(yùn)行時(shí)需要精確控制好爐內(nèi)溫度，因?yàn)槿绻麪t內(nèi)溫度過低，底座上會生長出無定型硅，使得硅棒跟還原爐的底盤連接，導(dǎo)致接地泄漏電流超過安全范圍，發(fā)生接地故障；如果爐內(nèi)溫度過高，硅棒容易發(fā)生融溶，同樣容易引起接地泄漏電流過大，進(jìn)而發(fā)生接地故障。此外，爐內(nèi)氣流波動太大或者電流波動大都容易引起接地泄漏電流過大，也同樣容易發(fā)生接地故障。
[0003]不論上述哪種情況導(dǎo)致發(fā)生的接地故障，在出現(xiàn)接地故障后都可能發(fā)生硅棒與爐體之間打火，甚至直接導(dǎo)致停機(jī)和倒棒等嚴(yán)重生產(chǎn)事故，從而降低了還原爐運(yùn)行的穩(wěn)定性。通過上述描述可知，導(dǎo)致接地故障發(fā)生率較高的一個(gè)因素就是接地泄露電流過大，在相關(guān)技術(shù)中，通過在可控硅主電路柜體內(nèi)設(shè)置還原爐接地泄露電流的檢測裝置來檢測接地泄露電流，但是上述檢測裝置對接地泄露電流檢測的不夠準(zhǔn)確，并且可檢測的電流容量較小，使得檢測裝置所能檢測的電流限值較低，所以極易發(fā)生接地故障。此外，由于檢測裝置設(shè)置在可控硅主電路柜體內(nèi)，所以空間狹窄，容易引起散熱不良，進(jìn)而導(dǎo)致可控硅主電路柜體內(nèi)溫度過高，仍舊容易使多晶硅還原爐設(shè)備產(chǎn)生故障。
[0004]針對上述的問題，目前尚未提出有效的解決方案。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種多晶硅還原爐接地泄露電流的檢測裝置，以至少解決現(xiàn)有技術(shù)中無法有效降低接地故障的發(fā)生率的技術(shù)問題。
[0006]根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的一個(gè)方面，提供了一種多晶硅還原爐接地泄露電流的檢測裝置，包括:接地保護(hù)線路，與多晶硅還原爐的主供電系統(tǒng)中變壓器的次級繞組相連接；吸收電路，設(shè)置在所述接地保護(hù)線路上；第一電阻，與所述吸收電路連接，用于對流過所述接地保護(hù)線路的電流進(jìn)行分流，其中，所述第一電阻的阻值可調(diào)；檢測電路板，與所述第一電阻連接，用于檢測通過所述第一電阻的電流，其中，在所述電流超出預(yù)設(shè)電流閾值的情況下，控制所述接地保護(hù)線路斷開。
[0007]進(jìn)一步地，所述接地保護(hù)線路包括:接地保護(hù)線，所述接地保護(hù)線的第一端與所述次級繞組相連接，所述接地保護(hù)線的第二端與信號地連接；保護(hù)開關(guān)，所述保護(hù)開關(guān)的第一端連接至第一節(jié)點(diǎn)，其中，所述第一節(jié)點(diǎn)為所述接地保護(hù)線的第一端與所述次級繞組之間的節(jié)點(diǎn)；以及硅棒，所述硅棒的第一端與所述保護(hù)開關(guān)的第二端連接，所述硅棒的第二端與所述信號地連接，其中，所述檢測電路板與所述接地保護(hù)線相連接，通過控制所述保護(hù)開關(guān)來控制所述接地保護(hù)線路斷開。
[0008]進(jìn)一步地，所述吸收電路包括:第一電容，其中，所述第一電容的第一端連接信號地；第二電容，其中，所述第二電容的第一端與所述第一電容的第二端連接；第三電容，其中，所述第三電容的第一端與所述第二電容的第二端連接，所述第三電容的第二端與所述次級繞組連接；第二電阻，其中，所述第二電阻設(shè)置在所述第二電容和所述第三電容之間，其中，所述第一電阻連接在所述檢測電路板與所述第三電容的第一端之間。
[0009]進(jìn)一步地，所述檢測裝置還包括:溫度檢測裝置，與所述第一電阻和所述第二電阻均連接，并與所述檢測電路板連接。
[0010]進(jìn)一步地，所述檢測裝置還包括柜體，其中，所述吸收電路、所述第一電阻、所述檢測電路板和所述溫度檢測裝置均設(shè)置在所述柜體內(nèi)，其中，所述柜體設(shè)置在所述多晶硅還原爐的主供電系統(tǒng)的外部。
[0011 ] 進(jìn)一步地，所述檢測裝置還包括指示燈，所述指示燈設(shè)置在所述柜體上，與所述檢測電路板連接，用于顯示所述檢測裝置的運(yùn)行狀態(tài)。
[0012]進(jìn)一步地，所述溫度檢測裝置包括溫度傳感器和/或熱敏電阻。
[0013]進(jìn)一步地，所述接地保護(hù)線為阻燃電纜。
[0014]進(jìn)一步地，所述保護(hù)開關(guān)為設(shè)置在所述主供電系統(tǒng)中調(diào)壓裝置內(nèi)的開關(guān)。
[0015]在本實(shí)用新型實(shí)施例中，采用阻值可調(diào)的第一電阻對接地保護(hù)線路的電流進(jìn)行分流，在接地保護(hù)線路出現(xiàn)接地故障的情況下，會導(dǎo)致通過第一電阻的電流增大，進(jìn)而檢測電路板通過檢測流經(jīng)第一電阻的電流，并將其作為接地泄露電流檢測值與預(yù)設(shè)電流閾值進(jìn)行比較，在比較出前者較大情況下，可以確定出接地保護(hù)線路出現(xiàn)接地故障，此種情況控制接地保護(hù)線路斷開，達(dá)到了避免因接地泄露電流超過安全范圍導(dǎo)致發(fā)生接地故障的目的，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)了有效降低接地故障的發(fā)生率，提高多晶硅還原爐運(yùn)行穩(wěn)定性的技術(shù)效果，解決了現(xiàn)有技術(shù)中無法有效降低接地故障的發(fā)生率的技術(shù)問題。
【附圖說明】
[0016]此處所說明的附圖用來提供對本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請的一部分，本實(shí)用新型的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本實(shí)用新型，并不構(gòu)成對本實(shí)用新型的不當(dāng)限定。在附圖中:
[0017]圖1是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的多晶硅還原爐接地泄露電流的檢測裝置的示意圖；以及
[0018]圖2是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例可選的多晶硅還原爐接地泄露電流的檢測裝置的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本實(shí)用新型方案，下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分的實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都應(yīng)當(dāng)屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0020]需要說明的是，本實(shí)用新型的說明書和權(quán)利要求書及上述附圖中的術(shù)語“第一”、“第二”等是用于區(qū)別類似的對象，而不必用于描述特定的順序或先后次序。應(yīng)該理解這樣使用的數(shù)據(jù)在適當(dāng)情況下可以互換，以便這里描述的本實(shí)用新型的實(shí)施例能夠以除了在這里圖示或描述的那些以外的順序?qū)嵤４送?，術(shù)語“包括”和“具有”以及他們的任何變形，意圖在于覆蓋不排他的包含，例如，包含了一系列步驟或單元的過程、系統(tǒng)、產(chǎn)品或設(shè)備不必限于清楚地列出的那些步驟或單元，而是可包括沒有清楚地列出的或?qū)τ谶@些過程、產(chǎn)品或設(shè)備固有的其它步驟或單元。
[0021]根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例，提供了一種多晶硅還原爐接地泄露電流的檢測裝置的實(shí)施例。
[0022]圖1是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的多晶硅還原爐接地泄露電流的檢測裝置的示意圖，如圖1所示，該檢測裝置包括接地保護(hù)線路10、吸收電路20、第一電阻30和檢測電路板40，其中，接地保護(hù)線路10與多晶硅還原爐的主供電系統(tǒng)中變壓器的次級繞組相連接；吸收電路20設(shè)置在接地保護(hù)線路上；第一電阻30與吸收電路連接，用于對流過接地保護(hù)線路的電流進(jìn)行分流，其中，第一電阻的阻值可調(diào)，從而可以調(diào)節(jié)流經(jīng)接地保護(hù)線路的電流；檢測電路板40與第一電阻連接，用于檢測通過第一電阻的電流，其中，在電流超出預(yù)設(shè)電流閾值的情況下，控制接地保護(hù)線路斷開。
[0023]具體地，上述吸收電路為RC吸收電路，也可以稱為RC緩沖電路。
[0024]在本實(shí)用新型實(shí)施例中，采用阻值可調(diào)的第一電阻對接地保護(hù)線路的電流進(jìn)行分流，在接地保護(hù)線路出現(xiàn)接地故障的情況下，會導(dǎo)致通過第一電阻的電