一種氮化硅陶瓷及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及陶瓷材料技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種氮化硅陶瓷，按照重量份數(shù)計(jì)，所述氮化硅陶瓷主要由以下原料組份制成：鎳渣5～50份、燒結(jié)助劑0～8份、氮化硅50～95份。本發(fā)明以鎳渣為添加劑生產(chǎn)氮化硅陶瓷，不僅降低了生產(chǎn)成本，把鎳渣綜合利用、轉(zhuǎn)變?yōu)楦郊又递^高的產(chǎn)品，而且制備出的氮化硅陶瓷具有氣孔率低、力學(xué)性能高等優(yōu)異性能。本發(fā)明還提供了一種所述氮化硅陶瓷的制備方法，通過結(jié)合特定的原料及調(diào)節(jié)工藝參數(shù)來控制陶瓷中的氣孔率、力學(xué)性能等重要結(jié)構(gòu)參數(shù)，生產(chǎn)出的陶瓷性能優(yōu)異，且該方法本身安全合理，易于掌握。
【專利說明】
一種氮化硅陶瓷及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及陶瓷材料技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種氮化硅陶瓷及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 鎳渣是在冶煉金屬鎳過程中排放的一種工業(yè)廢渣，隨著經(jīng)濟(jì)的發(fā)展，我國的鎳產(chǎn) 量近幾年增長較迅速。鎳渣的化學(xué)成分與高爐礦渣類似，但在含量上有較大的差異，并且隨 鎳冶煉方法和礦石來源的不同而不同?；厥绽面囋粌H僅可以獲得可觀的經(jīng)濟(jì)效益，同 時還減少了這些廢渣對土地的占用和對環(huán)境的污染。
[0003] 隨著相關(guān)領(lǐng)域科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，人們對陶瓷材料的性能提出了更高的要求，因而 高性能陶瓷及陶瓷基復(fù)合材料已成為各國研究的重點(diǎn)。其中，氮化硅陶瓷是一種具有廣闊 發(fā)展前景的高溫、高強(qiáng)度結(jié)構(gòu)陶瓷，它具有強(qiáng)度高、抗熱震穩(wěn)定性好、疲勞韌性高、室溫抗彎 強(qiáng)度高、耐磨、抗氧化、耐腐蝕性能好等高性能，已被廣泛應(yīng)用于各行業(yè)。由于氮化硅陶瓷具 有以上一系列的優(yōu)良性能，其成型方法和加工工藝成為科研單位研究的熱點(diǎn)之一。
[0004] 鎳渣中含有大量的二氧化硅、氧化鎂、氧化鋁等氧化物，這些氧化物是制備氮化硅 陶瓷的理想添加劑，但目前在本領(lǐng)域中，將鎳渣用于氮化硅陶瓷制備方面的研究還處于空 白狀態(tài)。
[0005] 有鑒于此，特提出本發(fā)明。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明的第一目的在于提供一種氮化硅陶瓷，所述的氮化硅陶瓷利用鎳渣為添加 劑進(jìn)行制備，既將鎳渣進(jìn)行了廢物利用，又使得制得的氮化硅陶瓷具備了優(yōu)秀的性能。
[0007] 本發(fā)明的第二目的在于提供一種所述的氮化硅陶瓷的制備方法，該方法易于掌 握，操作簡便。
[0008] 為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的上述目的，特采用以下技術(shù)方案：
[0009] -種氮化硅陶瓷，按照重量份數(shù)計(jì)，所述氮化硅陶瓷主要由以下原料組份制成：
[0010] 鎳渣5~50份、燒結(jié)助劑0~8份、氮化硅50~95份。
[0011]氮化硅(Si3N4)陶瓷作為一種高溫結(jié)構(gòu)材料，具有密度和熱膨脹系數(shù)小、強(qiáng)度高、彈 性模量高以及耐高溫、抗氧化、電絕緣性優(yōu)良、表面摩擦系數(shù)小等一系列優(yōu)點(diǎn)，因此在國防、 航天航空、冶金、電子、石油、化工等行業(yè)中獲得了廣泛的應(yīng)用。
[0012] 現(xiàn)有的研究尚未公開利用鎳渣作為添加劑制備的氮化硅陶瓷，本申請?jiān)诩尤胍欢?量的鎳渣和燒結(jié)助劑后，通過鎳渣中的氧化物和燒結(jié)助劑在高溫下與Si 3N4反應(yīng)形成的液相 來完成燒結(jié)并促進(jìn)相轉(zhuǎn)變，可以制備性能優(yōu)異的氮化硅陶瓷，同時利用鎳渣減少對環(huán)境的 污染。
[0013] 優(yōu)選的，如上所述的氮化硅陶瓷，按照重量份數(shù)計(jì)，所述氮化硅陶瓷主要由以下原 料組份制成：
[0014] 鎳渣10~40份、燒結(jié)助劑1~5份、氮化硅60~90份。
[0015] 優(yōu)選的，如上所述的氮化硅陶瓷，所述鎳渣中氧化物組成為：
[0016] 5102 30~50%、]\%0 10~30%、厶12〇3 2~6%小62〇3 6~8%，余量為恥、〇&、0、附 的氧化物及其他不可能避免的氧化物雜質(zhì)。
[0017] 優(yōu)選的，如上所述的氮化硅陶瓷，所述燒結(jié)助劑為Y2O3、La2O 3、Lu2O3、Yb2O3和Eu 2O3 中的一種或多種。
[0018]燒結(jié)助劑又稱助燒劑，是陶瓷燒結(jié)過程中加入的促進(jìn)燒結(jié)致密化的氧化物或非氧 化物。添加燒結(jié)助劑目的其一是降低燒結(jié)溫度，其二是改善晶相變化。
[0019]在反應(yīng)燒結(jié)過程中，由于氮化與燒結(jié)是同時進(jìn)行的，所以反應(yīng)機(jī)理非常復(fù)雜，反應(yīng) 過程的進(jìn)行取決于多方面因素（如原料粒度分布及純度、燒結(jié)助劑、壓力、氮化溫度、氣氛 等）。本申請?jiān)诖_定燒結(jié)助劑的類型和含量時，需依據(jù)主成分的性能并結(jié)合相圖看生成共晶 點(diǎn)的組成來進(jìn)行推算，并根據(jù)所得產(chǎn)品的氮化率和氣孔率的情況來進(jìn)行調(diào)整。
[0020] 如上所述的氮化硅陶瓷的制備方法包括：
[0021] 1)、將既定質(zhì)量份數(shù)的鎳渣、燒結(jié)助劑、氮化硅混合并粉碎、干燥、研磨、過篩；
[0022] 2)、將步驟1)過完篩的粉料經(jīng)造粒、成型后進(jìn)行燒結(jié)即獲得所述氮化硅陶瓷。
[0023] 本發(fā)明的制備方法具有制備工藝簡單、可重復(fù)性好、不僅減少生產(chǎn)成本，把鎳渣綜 合利用，轉(zhuǎn)變?yōu)楦郊又递^高的產(chǎn)品，且制備出的氮化硅陶瓷具有氣孔率低、力學(xué)性能高等優(yōu) 異性能。根據(jù)本發(fā)明的方法制備的氮化硅陶瓷，可用在高溫結(jié)構(gòu)材料、工具陶瓷材料、耐磨 陶瓷材料和耐腐蝕陶瓷材料等方面，具有極大的應(yīng)用潛力。
[0024] 優(yōu)選的，如上所述的氮化硅陶瓷的制備方法，步驟1)具體包括：
[0025] 將既定質(zhì)量份數(shù)的鎳渣、燒結(jié)助劑、氮化硅混合后用磨球進(jìn)行球磨粉碎，將粉碎后 的混合料于60~80°C干燥后研磨并過80~120目篩。
[0026]優(yōu)選的，在進(jìn)行球磨的過程中，還加入一定量的無水乙醇。其作用主要有：降低粉 體的表面能，有分散劑的作用，進(jìn)而起到助磨的作用；帶走球磨時的熱量，在一定程度下可 以起到降溫的作用;利于球磨后粉料的干燥，且球磨后的粉料在烘干的過程中，無水乙醇會 完全揮發(fā)，不會殘余。
[0027] 優(yōu)選的，如上所述的氮化硅陶瓷的制備方法，步驟2)中，所述造粒的方法為加壓造 粒，其過程具體包括：
[0028] 將步驟1)過完篩的粉料放入模具并壓緊成扁平狀塊體，將所述塊體研磨成粉末并 過50~70目篩。
[0029] 加壓造粒法操作的過程中用到了液壓機(jī)的壓制，因此得到的團(tuán)粒體積密度會比較 大，制品的機(jī)械強(qiáng)度也會因此提高，能滿足各種大體積或復(fù)雜形狀制品的成型要求。
[0030] 優(yōu)選的，如上所述的氮化硅陶瓷的制備方法，步驟2)中，所述將成型的方法為模壓 成型法。
[0031]模壓成型（stamping process)也叫干壓成型，就是將干粉還料填充入金屬模腔 中，施以壓力使其成為致密坯體。模壓成型具有工藝簡單，操作方便，周期短，效率高等優(yōu) 點(diǎn)，便于實(shí)行自動化生產(chǎn)。此外，坯體密度大，尺寸精確，收縮小，機(jī)械強(qiáng)度高。
[0032]優(yōu)選的，如上所述的氮化硅陶瓷的制備方法，所述將成型的試樣燒結(jié)的方法為氣 壓燒結(jié)法，其過程具體包括：
[0033]將步驟2)得到的成型的試樣置于涂有氮化硼的石墨坩堝內(nèi)，并將所述石墨坩堝放 入真空熱壓爐中，在氮?dú)鈿夥瘴⒄龎合律郎氐?400~1800°C，然后保溫1~2h，即獲得氮化 硅陶瓷。
[0034] 由于Si3N4是強(qiáng)共價(jià)化合物，其擴(kuò)散系數(shù)、致密化所必須的體積擴(kuò)散及晶界擴(kuò)散速 度、燒結(jié)驅(qū)動力很小，這決定了純氮化硅不能靠常規(guī)固相燒結(jié)達(dá)到致密化。
[0035] 本發(fā)明采用氣壓燒結(jié)法，氮?dú)鈿夥瘴⒄龎阂种屏说璧母邷胤纸?。由于采用?溫?zé)Y(jié)，在添加較少燒結(jié)助劑情況下，也足以促進(jìn)Si 3N4晶粒生長，而獲得密度>99 %的含有 原位生長的長柱狀晶粒高韌性陶瓷。氣壓燒結(jié)氮化硅陶瓷具有高韌性、高強(qiáng)度和好的耐磨 性，可直接制取接近最終形狀的各種復(fù)雜形狀制品，從而可大幅度降低生產(chǎn)成本和加工費(fèi) 用。而且其生產(chǎn)工藝接近于硬質(zhì)合金生產(chǎn)工藝，適用于大規(guī)模生產(chǎn)。
[0036] 進(jìn)一步優(yōu)選的，如上所述的氮化硅陶瓷的制備方法，所述升溫的速度為5~15°C/ min〇
[0037] 升溫速度的確定與陶瓷體系相關(guān)，各主要成分含量對升溫速度均有影響。燒結(jié)其 實(shí)就是致密化和晶粒長大的過程，在此過程中，升溫速度對陶瓷的性能有重要的影響。陶瓷 燒結(jié)過程中氣孔的排除，隨著溫度升高會慢慢進(jìn)行，從而致密化，達(dá)到較好的燒結(jié)效果。如 果升溫速度太快，氣孔極有可能隨著晶粒的發(fā)育被包裹在陶瓷內(nèi)部，最后陶瓷塊可能會開 裂或有裂痕，對陶瓷的致密性也有一定影響。
[0038] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果為：
[0039] 1)、本發(fā)明提供了一種以鎳渣為添加劑的氮化硅陶瓷，不僅降低了生產(chǎn)成本，把鎳 渣綜合利用、轉(zhuǎn)變?yōu)楦郊又递^高的產(chǎn)品，而且制備出的氮化硅陶瓷具有氣孔率低、力學(xué)性能 尚等優(yōu)異性能。
[0040] 2)、本發(fā)明提供的氮化硅陶瓷的制備方法，通過結(jié)合特定的原料及調(diào)節(jié)工藝參數(shù) 來控制陶瓷中的氣孔率、力學(xué)性能等重要結(jié)構(gòu)參數(shù)，生產(chǎn)出的陶瓷性能優(yōu)異，且該方法本身 安全合理，易于掌握。
【附圖說明】
[0041] 為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，以下將對實(shí)施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹。
[0042] 圖1為實(shí)施例12制備試樣的X射線衍射圖。
【具體實(shí)施方式】
[0043]下面將結(jié)合實(shí)施例對本發(fā)明的實(shí)施方案進(jìn)行詳細(xì)描述，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將會 理解，下列實(shí)施例僅用于說明本發(fā)明，而不應(yīng)視為限制本發(fā)明的范圍。實(shí)施例中未注明具體 條件者，按照常規(guī)條件或制造商建議的條件進(jìn)行。所用試劑或儀器未注明生產(chǎn)廠商者，均為 可以通過市售購買獲得的常規(guī)產(chǎn)品。
[0044] 實(shí)施例1
[0045] -種氮化硅陶瓷的制備方法，包括以下步驟：
[0046] 1)、按照重量份數(shù)計(jì)，將鎳渣50份、燒結(jié)助劑8份、氮化硅50份混合并粉碎、干燥、研 磨、過篩；
[0047] 2)、將步驟1)過完篩的粉料經(jīng)造粒、成型后進(jìn)行燒結(jié)即獲得所述氮化硅陶瓷。
[0048] 實(shí)施例2
[0049] -種氮化硅陶瓷的制備方法，包括以下步驟：
[0050] 1 )、按照重量份數(shù)計(jì)，將鎳渣5份、氮化硅95份混合并粉碎、干燥、研磨、過篩；
[0051] 2)、將步驟1)過完篩的粉料經(jīng)造粒、成型后進(jìn)行燒結(jié)即獲得所述氮化硅陶瓷。
[0052] 實(shí)施例3
[0053] 一種氮化硅陶瓷的制備方法，包括以下步驟：
[0054] 1)、按照重量份數(shù)計(jì)，將鎳渣50份、氮化硅50份混合后用氮化硅磨球進(jìn)行球磨粉 碎，將粉碎后的混合料于60°C干燥、研磨并過120目篩；
[0055] 其中，所述鎳渣中氧化物組成為：SiO2 30~50 %、MgO 10~30 %、Al2〇3 2~6 %、 Fe2〇3 6~8%，余量為他、〇8、0、附的氧化物及其他不可能避免的氧化物雜質(zhì)。
[0056] 2)、將步驟1)過完篩的粉料放入模具并壓緊成扁平狀塊體，將所述塊體研磨成粉 末并過50目篩。用天平稱好大約5g的粉末，將其均勻置于模具中，用成型機(jī)壓制出方形長條 狀試樣。
[0057] 3)、將步驟(2)制好的試樣均勻擺放在涂有氮化硼的石墨坩堝內(nèi)，并放入真空熱壓 爐中，在氮?dú)鈿夥瘴⒄龎合乱?°C/min的升溫速度逐漸升溫到1500Γ，然后保溫2h，即獲得 氮化硅陶瓷。
[0058] 實(shí)施例4
[0059] -種氮化硅陶瓷的制備方法，包括以下步驟：
[0000] 1 )、按照重量份數(shù)計(jì)，將鎳渣40份、氮化娃60份混合后用氮化娃磨球進(jìn)行球磨粉 碎，將粉碎后的混合料于80°C干燥、研磨并過80目篩；
[0061 ] 其中，所述鎳渣中氧化物組成為：SiO2 30~50 %、MgO 10~30 %、Al2〇3 2~6 %、 Fe2〇3 6~8%，余量為他、〇8、0、附的氧化物及其他不可能避免的氧化物雜質(zhì)。
[0062] 2)、將步驟1)過完篩的粉料放入模具并壓緊成扁平狀塊體，將所述塊體研磨成粉 末并過70目篩。用天平稱好大約5g的粉末，將其均勻置于模具中，用成型機(jī)壓制出方形長條 狀試樣。
[0063] 3)、將步驟(2)制好的試樣均勻擺放在涂有氮化硼的石墨坩堝內(nèi)，并放入真空熱壓 爐中，在氮?dú)鈿夥瘴⒄龎合乱?5°C/min的升溫速度逐漸升溫到1500°C，然后保溫2h，即獲得 氮化硅陶瓷。
[0064] 實(shí)施例5
[0065] -種氮化硅陶瓷的制備方法，包括以下步驟：
[0066] 1)、按照重量份數(shù)計(jì)，將鎳渣30份、氮化硅70份混合后用氮化硅磨球進(jìn)行球磨粉 碎，將粉碎后的混合料于70°C干燥、研磨并過90目篩；
[0067] 2)、將步驟1)過完篩的粉料放入模具并壓緊成扁平狀塊體，將所述塊體研磨成粉 末并過60目篩。用天平稱好大約5g的粉末，將其均勻置于模具中，用成型機(jī)壓制出方形長條 狀試樣。
[0068] 3)、將步驟(2)制好的試樣均勻擺放在涂有氮化硼的石墨坩堝內(nèi)，并放入真空熱壓 爐中，在氮?dú)鈿夥瘴⒄龎合乱?°C/min的升溫速度逐漸升溫到1500Γ，然后保溫2h，即獲得 氮化硅陶瓷。
[0069] 實(shí)施例6
[0070] -種氮化硅陶瓷的制備方法，包括以下步驟：
[0071] 1)、按照重量份數(shù)計(jì)，將鎳渣25份、氮化硅70份、Y2O3 5份混合后用瑪瑙磨球進(jìn)行球 磨粉碎，將粉碎后的混合料于60~80°C干燥、研磨并過110目篩；
[0072] 2)、將步驟1)過完篩的粉料放入模具并壓緊成扁平狀塊體，將所述塊體研磨成粉 末并過60目篩。用天平稱好大約5g的粉末，將其均勻置于模具中，用成型機(jī)壓制出方形長條 狀試樣。
[0073] 3)、將步驟(2)制好的試樣均勻擺放在涂有氮化硼的石墨坩堝內(nèi)，并放入真空熱壓 爐中，在氮?dú)鈿夥瘴⒄龎合乱?2°C/min的升溫速度逐漸升溫到1500°C，然后保溫lh，即獲得 氮化硅陶瓷。
[0074] 實(shí)施例7
[0075] -種氮化硅陶瓷的制備方法，包括以下步驟：
[0076] 1)、按照重量份數(shù)計(jì)，將鎳渣40份、氮化硅60份混合后用氮化硅磨球進(jìn)行球磨粉 碎，將粉碎后的混合料于60~80°C干燥、研磨并過100目篩；
[0077] 2)、將步驟1)過完篩的粉料放入模具并壓緊成扁平狀塊體，將所述塊體研磨成粉 末并過60目篩。用天平稱好大約5g的粉末，將其均勻置于模具中，用成型機(jī)壓制出方形長條 狀試樣。
[0078] 3)、將步驟(2)制好的試樣均勻擺放在涂有氮化硼的石墨坩堝內(nèi)，并放入真空熱壓 爐中，在氮?dú)鈿夥瘴⒄龎合乱詌〇°C/min的升溫速度逐漸升溫到1750Γ，然后保溫2h，即獲得 氮化硅陶瓷。
[0079] 實(shí)施例8~15
[0080] 實(shí)施例8~15的主要參數(shù)如表1所示，除此以外的實(shí)驗(yàn)參數(shù)與實(shí)施例7相同。
[0081 ] 表1實(shí)施例8~15的主要參數(shù)
[0084]注:為實(shí)施方便，本申請實(shí)施例1~15中，所用的重量份數(shù)，一般每份取0.05。
[0085] 實(shí)驗(yàn)例1
[0086] 利用X射線衍射儀(XRD)分析氮化硅陶瓷的物相；
[0087] 利用"阿基米德"排水法測定的試樣的氣孔率及密度；
[0088] 利用萬能試驗(yàn)機(jī)測定試樣的抗彎強(qiáng)度。
[0089] 設(shè)置對比例:鎳渣0份、氮化硅95份、燒結(jié)助劑Y2O3 5份；
[0090] 對比例的其他條件同實(shí)驗(yàn)例7。
[0091] 各實(shí)施例制備的定向多孔氮化硅陶瓷的性能參數(shù)詳如表2所示：
[0092]表1氮化硅陶瓷的測試性能
[0095] 從表2可知:添加不同含量鎳渣、不同含量的燒結(jié)助劑和熱處理溫度可分別制備出 具有0.82~40.97 %氣孔率、抗彎強(qiáng)度12.85~1108.49MPa的氮化硅陶瓷材料。本申請的實(shí) 施例的致密度均優(yōu)于對比例。
[0096] 利用X射線衍射儀(XRD)分析定向多孔氮化硅陶瓷的物相，可獲得陶瓷晶體結(jié)構(gòu)的 信息。實(shí)施例12的表征結(jié)果如圖1所不，可以看出：燒結(jié)試樣的主晶相為P_Si3N4,這表明α-Si 3N4已經(jīng)全部轉(zhuǎn)變成i3_Si3N4,相變已經(jīng)完成。
[0097] 盡管已用具體實(shí)施例來說明和描述了本發(fā)明，然而應(yīng)意識到，在不背離本發(fā)明的 精神和范圍的情況下可以作出許多其它的更改和修改。因此，這意味著在所附權(quán)利要求中 包括屬于本發(fā)明范圍內(nèi)的所有這些變化和修改。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種氮化硅陶瓷，其特征在于，按照重量份數(shù)計(jì)，所述氮化硅陶瓷主要由以下原料組 份制成： 鎳渣5~50份、燒結(jié)助劑0~8份、氮化硅50~95份。2. 如權(quán)利要求1所述的氮化硅陶瓷，其特征在于，按照重量份數(shù)計(jì)，所述氮化硅陶瓷主 要由以下原料組份制成： 鎳渣10~40份、燒結(jié)助劑1~5份、氮化硅60~90份。3. 如權(quán)利要求1或2任一項(xiàng)所述的氮化硅陶瓷，其特征在于，所述鎳渣中氧化物組成為： Si〇2 30~50%、Mg0 10~30%、Al2〇3 2~6%、Fe2〇3 6~8%，余量為他、〇3、0、附的氧 化物及其他不可能避免的氧化物雜質(zhì)。4. 如權(quán)利要求1或2任一項(xiàng)所述的氮化硅陶瓷，其特征在于，所述燒結(jié)助劑為Y2〇3、La2〇 3、 LU2〇3、Yb2〇3和EU2〇3中的一種或多種。5. 權(quán)利要求1~4任一項(xiàng)所述的氮化硅陶瓷的制備方法，其特征在于，包括： 1) 、將既定質(zhì)量份數(shù)的鎳渣、燒結(jié)助劑、氮化硅混合并粉碎、干燥、研磨、過篩； 2) 、將步驟1)過完篩的粉料經(jīng)造粒、成型后進(jìn)行燒結(jié)即獲得所述氮化硅陶瓷。6. 如權(quán)利要求5所述的氮化硅陶瓷的制備方法，其特征在于，步驟1)具體包括： 將既定質(zhì)量份數(shù)的鎳渣、燒結(jié)助劑、氮化硅混合后用磨球進(jìn)行球磨粉碎，將粉碎后的混 合料于60~80°C干燥后研磨并過80~120目篩。7. 如權(quán)利要求5所述的氮化硅陶瓷的制備方法，其特征在于，步驟2)中，所述造粒的方 法為加壓造粒，其過程具體包括： 將步驟1)過完篩的粉料放入模具并壓緊成扁平狀塊體，將所述塊體研磨成粉末并過50 ~70目篩。8. 如權(quán)利要求5所述的氮化硅陶瓷的制備方法，其特征在于，步驟2)中，所述將成型的 方法為模壓成型法。9. 如權(quán)利要求5所述的氮化硅陶瓷的制備方法，其特征在于，所述將成型的試樣燒結(jié)的 方法為氣壓燒結(jié)法，其過程具體包括： 將步驟2)得到的成型的試樣置于涂有氮化硼的石墨坩堝內(nèi)，并將所述石墨坩堝放入真 空熱壓爐中，在氮?dú)鈿夥瘴⒄龎合律郎氐?400~1800°C，然后保溫1~2h，即獲得氮化硅陶 bL· 〇10. 如權(quán)利要求9所述的氮化硅陶瓷的制備方法，其特征在于，所述升溫的速度為5~15 °C/min〇
【文檔編號】C04B35/622GK105859301SQ201610207522
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2016年4月5日
【發(fā)明人】于方麗, 戴婷亞, 吳金燕, 韓朋德, 施慶樂, 張長森, 吳其勝
【申請人】鹽城工學(xué)院