本技術(shù)涉及單晶爐，具體涉及一種降低石英坩堝鼓包率的堝邦裝置。

背景技術(shù)：

1、單晶硅晶體是半導(dǎo)體材料中非常重要的一個(gè)，廣泛應(yīng)用在太陽(yáng)能電池、集成電路、傳感器等領(lǐng)域。目前，生產(chǎn)單晶硅晶體主要采用直拉法，而直拉法需要使用到石英坩堝，在石英坩堝外套設(shè)有堝邦，通過(guò)對(duì)石英坩堝的加熱來(lái)生成單晶硅晶體。但是，所述石英坩堝受熱軟化后會(huì)緊貼于堝邦內(nèi)壁，不利于石英坩堝與堝邦之間的氣體排出，使氣體持續(xù)增加，導(dǎo)致石英坩堝出現(xiàn)鼓包，影響正常拉晶。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型的目的是提供一種降低石英坩堝鼓包率的堝邦裝置，在堝邦本體的內(nèi)壁中設(shè)置有相互連通的橫向排氣通道和豎向排氣通道，且豎向排氣通道的一端朝向堝邦本體的頂部，使石英坩堝和堝邦本體的內(nèi)壁之間的氣體可以隨著相互導(dǎo)通的排氣通道朝向堝邦本體的頂部進(jìn)行排出，降低石英坩堝鼓包率。

2、為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型采用了以下方案：

3、一種降低石英坩堝鼓包率的堝邦裝置，應(yīng)用于石英坩堝外側(cè)，其特征在于，包括堝邦本體，所述堝邦本體的內(nèi)壁上設(shè)置有第一排氣陣列和第二排氣陣列，所述第一排氣陣列包括若干個(gè)在豎直方向上依次排列的橫向排氣通道，且所述橫向排氣通道在水平方向上沿堝邦本體的內(nèi)壁進(jìn)行延伸，所述第二排氣陣列包括若干個(gè)在橫向方向上依次排列的豎向排氣通道，且所述豎向排氣通道在豎直方向上沿堝邦本體的內(nèi)壁進(jìn)行延伸，所述橫向排氣通道與豎向排氣通道對(duì)應(yīng)，使橫向排氣通道與對(duì)應(yīng)的豎向排氣通道相連通。

4、進(jìn)一步的，所述橫向排氣通道和豎向排氣通道的截面均為半圓形，且半圓形的半徑大小小于堝邦本體的內(nèi)壁壁厚大小。

5、進(jìn)一步的，所述豎向排氣通道的一端朝向堝邦本體的底部且與對(duì)應(yīng)的橫向排氣通道連接，所述豎向排氣通道的另一端朝向堝邦本體的頂部且與頂部連接。

6、進(jìn)一步的，所述橫向排氣通道在堝邦本體的內(nèi)壁上為環(huán)形設(shè)置，所述豎向排氣通道從堝邦本體的頂部向下延伸并貫穿橫向排氣通道，使所述豎向排氣通道與橫向排氣通道相連接。

7、進(jìn)一步的，所述橫向排氣通道的數(shù)量大于3個(gè)，且所述橫向排氣通道在豎直方向上沿相同間隔進(jìn)行依次排列。

8、進(jìn)一步的，所述豎向排氣通道的數(shù)量大于3個(gè)，且所述豎向排氣通道在橫向方向上沿相同間隔進(jìn)行依次排列。

9、進(jìn)一步的，所述第一排氣陣列包括密集排氣陣列和稀疏排氣陣列，所述密集排氣陣列靠近堝邦本體的頂部設(shè)置，所述稀疏排氣陣列靠近堝邦本體的底部設(shè)置，

10、所述密集排氣陣列中包括若干個(gè)在豎直方向上沿相同的第一間隔距離進(jìn)行依次排列的橫向排氣通道，所述稀疏排氣陣列中包括若干個(gè)在豎直方向上沿相同的第二間隔距離進(jìn)行依次排列的橫向排氣通道，所述第一間隔距離小于第二間隔距離。

11、進(jìn)一步的，所述密集排氣陣列中橫向排氣通道的數(shù)量大于所述稀疏排氣陣列中橫向排氣通道的數(shù)量。

12、本實(shí)用新型的有益效果：

13、本實(shí)用新型提供了一種降低石英坩堝鼓包率的堝邦裝置，在堝邦本體的內(nèi)壁中設(shè)置有相互連通的橫向排氣通道和豎向排氣通道，且豎向排氣通道的一端朝向堝邦本體的頂部，使石英坩堝和堝邦本體的內(nèi)壁之間的氣體可以隨著相互導(dǎo)通的排氣通道朝向堝邦本體的頂部進(jìn)行排出，降低石英坩堝鼓包率。

技術(shù)特征：

1.一種降低石英坩堝鼓包率的堝邦裝置，應(yīng)用于石英坩堝外側(cè)，其特征在于，包括堝邦本體(1)，所述堝邦本體(1)的內(nèi)壁上設(shè)置有第一排氣陣列和第二排氣陣列，所述第一排氣陣列包括若干個(gè)在豎直方向上依次排列的橫向排氣通道(2)，且所述橫向排氣通道(2)在水平方向上沿堝邦本體(1)的內(nèi)壁進(jìn)行延伸，所述第二排氣陣列包括若干個(gè)在橫向方向上依次排列的豎向排氣通道(3)，且所述豎向排氣通道(3)在豎直方向上沿堝邦本體(1)的內(nèi)壁進(jìn)行延伸，所述橫向排氣通道(2)與豎向排氣通道(3)對(duì)應(yīng)，使橫向排氣通道(2)與對(duì)應(yīng)的豎向排氣通道(3)相連通。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種降低石英坩堝鼓包率的堝邦裝置，其特征在于，所述橫向排氣通道(2)和豎向排氣通道(3)的截面均為半圓形，且半圓形的半徑大小小于堝邦本體(1)的內(nèi)壁壁厚大小。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種降低石英坩堝鼓包率的堝邦裝置，其特征在于，所述豎向排氣通道(3)的一端朝向堝邦本體(1)的底部且與對(duì)應(yīng)的橫向排氣通道(2)連接，所述豎向排氣通道(3)的另一端朝向堝邦本體(1)的頂部且與頂部連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種降低石英坩堝鼓包率的堝邦裝置，其特征在于，所述橫向排氣通道(2)在堝邦本體(1)的內(nèi)壁上為環(huán)形設(shè)置，所述豎向排氣通道(3)從堝邦本體(1)的頂部向下延伸并貫穿橫向排氣通道(2)，使所述豎向排氣通道(3)與橫向排氣通道(2)相連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種降低石英坩堝鼓包率的堝邦裝置，其特征在于，所述橫向排氣通道(2)的數(shù)量大于3個(gè)，且所述橫向排氣通道(2)在豎直方向上沿相同間隔進(jìn)行依次排列。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種降低石英坩堝鼓包率的堝邦裝置，其特征在于，所述豎向排氣通道(3)的數(shù)量大于3個(gè)，且所述豎向排氣通道(3)在橫向方向上沿相同間隔進(jìn)行依次排列。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種降低石英坩堝鼓包率的堝邦裝置，其特征在于，所述第一排氣陣列包括密集排氣陣列和稀疏排氣陣列，所述密集排氣陣列靠近堝邦本體(1)的頂部設(shè)置，所述稀疏排氣陣列靠近堝邦本體(1)的底部設(shè)置，

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種降低石英坩堝鼓包率的堝邦裝置，其特征在于，所述密集排氣陣列中橫向排氣通道(2)的數(shù)量大于所述稀疏排氣陣列中橫向排氣通道(2)的數(shù)量。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)提供了一種降低石英坩堝鼓包率的堝邦裝置，應(yīng)用于石英坩堝外側(cè)，其特征在于，包括堝邦本體，所述堝邦本體的內(nèi)壁上設(shè)置有第一排氣陣列和第二排氣陣列，所述第一排氣陣列包括若干個(gè)在豎直方向上依次排列的橫向排氣通道，且所述橫向排氣通道在水平方向上沿堝邦本體的內(nèi)壁進(jìn)行延伸，所述第二排氣陣列包括若干個(gè)在橫向方向上依次排列的豎向排氣通道，且所述豎向排氣通道在豎直方向上沿堝邦本體的內(nèi)壁進(jìn)行延伸，所述橫向排氣通道與豎向排氣通道對(duì)應(yīng)，使橫向排氣通道與對(duì)應(yīng)的豎向排氣通道相連通。

技術(shù)研發(fā)人員：王鵬,關(guān)樹(shù)軍,洪華,路建華
受保護(hù)的技術(shù)使用者：樂(lè)山市京運(yùn)通半導(dǎo)體材料有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240523
技術(shù)公布日：2024/12/30