技術(shù)編號(hào)：40508809
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本技術(shù)涉及單晶爐，具體涉及一種降低石英坩堝鼓包率的堝邦裝置。背景技術(shù)、單晶硅晶體是半導(dǎo)體材料中非常重要的一個(gè)，廣泛應(yīng)用在太陽(yáng)能電池、集成電路、傳感器等領(lǐng)域。目前，生產(chǎn)單晶硅晶體主要采用直拉法，而直拉法需要使用到石英坩堝，在石英坩堝外套設(shè)有堝邦，通過(guò)對(duì)石英坩堝的加熱來(lái)生成單晶硅晶體。但是，所述石英坩堝受熱軟化后會(huì)緊貼于堝邦內(nèi)壁，不利于石英坩堝與堝邦之間的氣體排出，使氣體持續(xù)增加，導(dǎo)致石英坩堝出現(xiàn)鼓包，影響正常拉晶。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、本實(shí)用新型的目的是提供一種降低石英坩堝鼓包率的堝邦裝置，在堝邦本體...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。