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一種鹵素?fù)诫sZnMgO薄膜及其制備方法與流程

文檔序號:12813311閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明屬于低維納米材料和納米技術(shù)領(lǐng)域,提出了一種鹵素?fù)诫sZnMgO薄膜及其制備方法。所述制備方法包括如下步驟:將襯底清洗、烘干;將二水乙酸鋅及鎂源加入溶劑中,所述溶劑為乙二醇甲醚或正丙醇,穩(wěn)定劑采用乙醇胺,在55~80℃下攪拌1~2h,得到溶液;然后將NH4X或NaX加入溶液中,其中X代表鹵素,在55~80℃下攪拌2~3h,得到均一穩(wěn)定的溶膠;襯底利用旋涂法制備薄膜并循環(huán)數(shù)次;生長有薄膜的襯底放入熱處理爐中退火,退火溫度為400~700℃,保溫時(shí)間為0.5~3h;然后冷卻至室溫,得到鹵素?fù)诫s的ZnMgO薄膜。本發(fā)明鹵素?fù)诫sZnMgO薄膜是一種制備環(huán)境溫和,成本低,可靠性高并且工藝簡單的制備方法,該方法有望得到具有壓電性能的薄膜材料。

技術(shù)研發(fā)人員:戴英;樂志凱;李毛勸;裴新美;陳文
受保護(hù)的技術(shù)使用者:武漢理工大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日:2017.03.20
技術(shù)公布日:2017.07.07
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