本實(shí)用新型涉及晶體生產(chǎn)領(lǐng)域，具體涉及到一種低溫晶體生長(zhǎng)爐。

背景技術(shù)：

晶體生成的一般過(guò)程是先生成晶核，而后再逐漸長(zhǎng)大，一般認(rèn)為晶體從液相或氣相中的生長(zhǎng)有三個(gè)階段：①介質(zhì)達(dá)到過(guò)飽和、過(guò)冷卻階段；②成核階段；③生長(zhǎng)階段，其原理基于物種晶相化學(xué)勢(shì)與該物種在相關(guān)物相中化學(xué)勢(shì)間準(zhǔn)平衡關(guān)系的合理維持。如在溶液中的晶體生長(zhǎng)要求在平衡溶解度附近溶質(zhì)有一定適宜的過(guò)飽和度。晶體生長(zhǎng)方法是多樣的，如水熱法生長(zhǎng)人工水晶，區(qū)域熔融法生長(zhǎng)硅、鍺單晶、氫氧焰熔融法生長(zhǎng)軸承用寶石，航天失重法培養(yǎng)晶體以及升華法，同質(zhì)或異質(zhì)外延生長(zhǎng)法等。現(xiàn)有的晶體生長(zhǎng)爐多種多樣，適用于不同晶體的生長(zhǎng)，但是現(xiàn)有的生長(zhǎng)爐多為固定式放置，難以移動(dòng)，缺乏靈活性，晶體生長(zhǎng)爐對(duì)環(huán)境的要求較高，可能常需移動(dòng)位置，現(xiàn)有的生長(zhǎng)爐難以滿(mǎn)足要求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

基于以上背景，本實(shí)用新型提供了一種低溫晶體生長(zhǎng)爐，具有很好的靈活性能。

為了實(shí)現(xiàn)以上技術(shù)效果，現(xiàn)采用以下技術(shù)方案：

一種低溫晶體生長(zhǎng)爐，包括加熱結(jié)晶裝置、升降裝置和機(jī)架，所述升降裝置設(shè)置在加熱結(jié)晶裝置正下方，所述加熱結(jié)晶裝置與升降裝置均設(shè)置在機(jī)架上，所述機(jī)架包括一支撐板以及設(shè)置在支撐板底部四角的支撐桿，所述支撐桿的底部之間垂直的設(shè)置有固定桿，所述固定桿與支撐桿相連接處設(shè)置有支撐裝置，所述支撐裝置可以翻折，所述固定桿的底部設(shè)置有萬(wàn)向滾珠。

本實(shí)用新型提供一種低溫晶體生長(zhǎng)爐，優(yōu)選地，所述固定桿設(shè)置有三根，三根所述固定桿構(gòu)成一個(gè)“凵”字形的形狀。

本實(shí)用新型提供一種低溫晶體生長(zhǎng)爐，優(yōu)選地，所述升降裝置設(shè)置在機(jī)架內(nèi)，所述加熱結(jié)晶裝置設(shè)置在機(jī)架上方，所述加熱結(jié)晶裝置的四周設(shè)置有透明的防護(hù)板，所述防護(hù)板從支撐板處向上延伸。

本實(shí)用新型提供一種低溫晶體生長(zhǎng)爐，優(yōu)選地，所述加熱結(jié)晶裝置包括上下兩側(cè)的電阻加熱段和設(shè)置在電阻加熱段之間的高頻感應(yīng)加熱段。

本實(shí)用新型提供一種低溫晶體生長(zhǎng)爐，優(yōu)選地，所述支撐裝置包括一固定軸、設(shè)置在固定軸上且可繞固定軸旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)軸以及垂直設(shè)置在轉(zhuǎn)軸尾端的圓盤(pán)。

本實(shí)用新型提供一種低溫晶體生長(zhǎng)爐，優(yōu)選地，所述支撐桿底部設(shè)置有凹槽，所述凹槽呈L狀，所述固定軸設(shè)置在該凹槽內(nèi)，所述轉(zhuǎn)軸高于所述凹槽。

本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和有益效果在于：

本實(shí)用新型提供的低溫晶體生長(zhǎng)爐，采用三段式加熱的方式，以電阻加熱配合高頻感應(yīng)加熱，使得晶體的成型更為快速和穩(wěn)定，成型效果大大提高；本晶體生長(zhǎng)爐，在機(jī)架底部設(shè)置了支撐裝置，該支撐裝置可以進(jìn)行翻折，當(dāng)圓盤(pán)平行于地面，則利用圓盤(pán)的平面起到支撐的作用，當(dāng)支撐裝置翻折，圓盤(pán)離開(kāi)地面，則此時(shí)萬(wàn)向滾珠與地面接觸，此時(shí)可以推動(dòng)機(jī)架，完成整體設(shè)備的移動(dòng)，大大提高了靈活性。

附圖說(shuō)明

下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)或者優(yōu)選地描述，其中，

圖1為本實(shí)用新型的示意圖；

圖2為本實(shí)用新型支撐裝置的示意圖；

圖3為本實(shí)用新型中A部放大示意圖。

具體實(shí)施方式

參考附圖1-3，本實(shí)用新型提供一種低溫晶體生長(zhǎng)爐，包括加熱結(jié)晶裝置1、升降裝置2和機(jī)架3，所述升降裝置2設(shè)置在加熱結(jié)晶裝置1正下方，所述加熱結(jié)晶裝置1與升降裝置2均設(shè)置在機(jī)架3上，其特征在于，所述機(jī)架3包括一支撐板31以及設(shè)置在支撐板31底部四角的支撐桿32，所述支撐桿32的底部之間垂直的設(shè)置有固定桿33，所述固定桿33與支撐桿32相連接處設(shè)置有支撐裝置4，所述支撐裝置4可以翻折，所述固定桿33的底部設(shè)置有萬(wàn)向滾珠。

所述固定桿33設(shè)置有三根，三根所述固定桿33構(gòu)成一個(gè)“凵”字形的形狀，留出一個(gè)開(kāi)口，方便升降裝置2的裝配，升降裝置2與加熱結(jié)晶裝置1相連接，用以控制籽晶桿在加熱結(jié)晶裝置1內(nèi)的位置。

所述升降裝置2設(shè)置在機(jī)架3內(nèi)，所述加熱結(jié)晶裝置1設(shè)置在機(jī)架3上方，所述加熱結(jié)晶裝置1的四周設(shè)置有透明的防護(hù)板5，所述防護(hù)板5從支撐板31處向上延伸，利用該防護(hù)板5，可以對(duì)較為脆弱的加熱結(jié)晶裝置1進(jìn)行保護(hù)，同時(shí)設(shè)置為透明狀，可以清楚觀(guān)察到加熱結(jié)晶裝置1的工作狀態(tài)，避免出現(xiàn)意外，可以實(shí)時(shí)監(jiān)控，其中加熱結(jié)晶裝置1包括上下兩側(cè)的電阻加熱段11和設(shè)置在電阻加熱段11之間的高頻感應(yīng)加熱段12，加熱最高溫度在1000度，成型晶體規(guī)格最大為3英寸。

所述支撐裝置4包括一固定軸41、設(shè)置在固定軸41上且可繞固定軸41旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)軸42以及垂直設(shè)置在轉(zhuǎn)軸42尾端的圓盤(pán)43，所述支撐桿32底部設(shè)置有凹槽10，所述凹槽10呈L狀，所述固定軸41設(shè)置在該凹槽10內(nèi)，所述轉(zhuǎn)軸42高于所述凹槽10，當(dāng)圓盤(pán)43的較大表面處于地面平行且相接觸時(shí)，將整體的機(jī)架3抬離地面，減少地面濕氣對(duì)設(shè)備的影響，同時(shí)將固定桿33上的萬(wàn)向滾珠抬離地面，將機(jī)架3固定；而當(dāng)旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)軸42，使得圓盤(pán)43脫離地面，由與地面的平行狀態(tài)變化為與地面垂直的狀態(tài)，使得機(jī)架3整體下落，使得萬(wàn)向滾珠與地面接觸，由此可以實(shí)現(xiàn)機(jī)架3的移動(dòng)，即可帶動(dòng)整體設(shè)備移動(dòng)，實(shí)現(xiàn)不同位置的及時(shí)調(diào)整。

當(dāng)然，以上所述的僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式。應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下，還可以作出若干變形和改進(jìn)，這些也應(yīng)視為屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。