本實用新型涉及一種用于生產微鉆石的觸媒結構裝置，屬于人造鉆石領域。

背景技術：

市場上常見的人工合成的微鉆一般是使用高溫高壓溫度梯度法生長的，該類鉆石生長腔體的加熱材料為石墨管，石墨管內部位鉆石晶體的生長空間，鉆石晶種在此空間內，受金屬觸媒的作用將石墨轉化為鉆石并沉積在晶種上，晶體長大。受該類發(fā)熱管發(fā)熱方式和晶床材料傳熱的影響，鉆石生長腔體的外圍溫度高，中心溫度低，而觸媒的作用效果受溫度決定。現有技術中由于所用的觸媒為單一觸媒，其適合生長鉆石的溫度是固定的。因此，在生長腔體內放置大量晶種生產微鉆時，由于腔體內溫度的差異，容易導致腔體內某一部分無法生長鉆石晶體。而且，該類問題僅僅通過調整生產工藝是無法解決的。

技術實現要素：

本實用新型為解決上述不足，提供了一種用于生產微鉆石的觸媒結構裝置，具體方案為：

一種用于生產微鉆石的觸媒結構裝置，包括石墨加熱管，設于石墨加熱管內部的晶床，和設于晶床內部的觸媒，觸媒上方設有碳源，觸媒下方設有晶種，所述的晶種包括多粒微晶種；所述的觸媒為沿徑向分布的多層觸媒層構成，并且相鄰的觸媒層之間由環(huán)狀的絕緣層隔離開；所述的觸媒層包括多種不同溫度的觸媒層，且從外至內依次按高溫觸媒層到低溫觸媒層排列。

進一步的，所述的觸媒層的層數為2~10層。

進一步的，所述的絕緣層為陶瓷層。

本方案的有益點在于，根據加熱管內的溫度高低分布情況，將現有技術中的單一觸媒改為多層不同溫度的觸媒層結構，使觸媒層的作用溫度與加熱管內的溫度按高低匹配，在不改變生產工藝的條件下，解決了生產微鉆時由于徑向溫度分布不均而導致的腔體內某一部分無法生長晶體的問題。

附圖說明

圖1為本實用新型的結構示意圖；

圖2為本實用新型中的多層觸媒層的示意圖。

具體實施方式

如圖1、2所示的一種用于生產微鉆石的觸媒結構裝置，包括石墨加熱管1，設于石墨加熱管1內部的晶床2，和設于晶床2內部的觸媒4，觸媒4上方設有碳源3，觸媒4下方設有晶種5，所述的晶種5包括多粒微晶種；所述的觸媒4為沿徑向分布的多層觸媒層42構成，并且相鄰的觸媒層42之間由環(huán)狀的絕緣層41隔離開；所述的觸媒層42包括多種不同溫度的觸媒層，且從外至內依次按高溫觸媒層到低溫觸媒層排列。

本實施例中所述的觸媒層42的層數為2~10層；所述的絕緣層41為陶瓷層。

本方案的有益點在于，根據加熱管內的溫度高低分布情況，將現有技術中的單一觸媒改為多層不同溫度的觸媒層結構，使觸媒層的作用溫度與加熱管內的溫度按高低匹配，在不改變生產工藝的條件下，解決了生產微鉆時由于徑向溫度分布不均而導致的腔體內某一部分無法生長晶體的問題。

以上顯示和描述了本實用新型的基本原理和主要特征和本實用新型的優(yōu)點。本行業(yè)的技術人員應該了解，本實用新型不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本實用新型的原理，在不脫離本實用新型精神和范圍的前提下，本實用新型還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本實用新型范圍內。本實用新型要求保護范圍由所附的權利要求書及其等效物界定。