技術(shù)特征：

1.一種摻四價(jià)鉻氧化鎵晶體，其特征在于，該晶體分子式為β-(Ga_1-x-yCr_xA_y)₂O₃，0.001<x<0.3，0<y<0.3，A為正二價(jià)金屬元素。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的摻四價(jià)鉻氧化鎵晶體，其特征在于，所述的A為Mg、Ca或/和Zn。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的摻四價(jià)鉻氧化鎵晶體，其特征在于，0.005≤x≤0.1，0.005≤y≤0.1。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的摻四價(jià)鉻氧化鎵晶體，其特征在于，摻四價(jià)鉻氧化鎵晶體的基質(zhì)晶體β-Ga₂O₃的b向熱導(dǎo)率為25-30W/mK。

5.權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的摻四價(jià)鉻氧化鎵晶體的制備方法，包括步驟如下：

(1)原料的選取和處理

按化學(xué)計(jì)量比將純度99.999％的Ga₂O₃、Cr₂O₃和AO混合，在100-200℃下真空干燥，采用固相燒結(jié)法合成摻鉻氧化鎵多晶料，所述的A為Mg、Ca或/和Zn；

(2)晶體生長(zhǎng)

a、將摻鉻氧化鎵多晶料抽真空到1×10^-4Pa，充入1％的高純氧氣和99％的高純二氧化碳?xì)怏w至一個(gè)大氣壓，均為體積百分比，升溫使原料慢慢熔化，待原料全部熔化后繼續(xù)升溫10-30℃，恒溫1-2小時(shí)后降回熔化溫度，恒溫1-2個(gè)小時(shí)；

b、緩慢下入氧化鎵籽晶，使籽晶下入熔體后微熔并收頸，當(dāng)籽晶直徑收細(xì)至0.5-2mm時(shí)，進(jìn)行放肩及等徑生長(zhǎng)；生長(zhǎng)過(guò)程中晶體的提拉速度：5-20mm/小時(shí)，晶體生長(zhǎng)至所需尺寸時(shí)，升溫5-10℃，恒溫30分鐘后，將晶體提脫；

c、晶體生長(zhǎng)結(jié)束后，以10-30℃/小時(shí)的速率降溫到室溫；

d、將晶體在空氣或者氧氣氣氛下高溫退火，即得摻四價(jià)鉻氧化鎵晶體。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的摻四價(jià)鉻氧化鎵晶體的制備方法，其特征在于，步驟(1)中固相燒結(jié)法合成摻鉻氧化鎵多晶料時(shí)，同時(shí)摻入二價(jià)金屬離子，多晶料的燒結(jié)溫度為1200-1450℃。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的摻四價(jià)鉻氧化鎵晶體的制備方法，其特征在于，步驟(1)中固相燒結(jié)法合成摻鉻氧化鎵多晶料的燒結(jié)時(shí)間為40-50小時(shí)。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的摻四價(jià)鉻氧化鎵晶體的制備方法，其特征在于，步驟(2)d中退火程序如下：將生長(zhǎng)獲得的晶體升溫到1250-1500℃，并恒溫10-50小時(shí)，然后以15-20℃/小時(shí)降到室溫。

9.權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的摻四價(jià)鉻氧化鎵晶體作為可飽和吸收材料或激光晶體材料的應(yīng)用。