技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種超薄黑硅硅片的制作設(shè)備及方法，把硅顆粒放入石墨坩堝中，使用電加熱使得硅顆粒熔融，一個(gè)石英生長(zhǎng)平臺(tái)水臺(tái)略低于石墨坩堝，兩根碳化硅絲線（間距156mm）由伺服電機(jī)水平拉動(dòng)，在石英平臺(tái)上方有一個(gè)降溫罩，降溫罩通過高速冷空氣給硅液降溫，在熱毛細(xì)作用下，硅片將持續(xù)的生長(zhǎng)，形成超薄的多晶硅片，生長(zhǎng)至所需長(zhǎng)度之后激光切割硅片，切割下的硅片進(jìn)入空間堆式的PECVD設(shè)備進(jìn)行RIE制絨，形成超薄的多晶黑硅硅片。

技術(shù)研發(fā)人員：丁建寧;袁寧一;王書博
受保護(hù)的技術(shù)使用者：常州大學(xué)
文檔號(hào)碼：201610721051
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.25
技術(shù)公布日：2017.01.25